ITO薄膜在提高異質結太陽能電池效率方面發(fā)揮著至關重要的作用，同時優(yōu)化ITO薄膜的電學性能和光學性能使太陽能電池的效率達到最大。沉積溫度和濺射功率也是ITO薄膜制備過程中的重要參數(shù)，兩者對ITO薄膜
2024-03-05 08:33:20
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近日，美國知名數(shù)字標牌解決方案供應商Stratacache與半導體技術公司Lumiode達成戰(zhàn)略合作，共同推動Micro LED技術的進一步發(fā)展。Stratacache計劃將Lumiode的背板沉積技術集成到其即將完成的Micro LED生產線E4當中。
2024-02-05 17:07:04583 碳化硅功率半導體生產流程主要包括前道的晶圓加工，包括長晶、切割、研磨拋光、沉積外延；第二部分芯片加工，這部分跟硅基IGBT類似。
2024-01-25 09:51:42216 真空電鍍是一種物理沉積現(xiàn)象。即在真空狀態(tài)下注入氬氣，氬氣撞擊靶材，靶材分離成分子被導電的貨品吸附形成一層均勻光滑的仿金屬表面層。
2024-01-24 11:06:08188 
為實現(xiàn)碳化硅晶片的高效低損傷拋光，提高碳化硅拋光的成品率，降低加工成本，對現(xiàn)有的碳化硅化學機械拋光 技術進行了總結和研究。針對碳化硅典型的晶型結構及其微觀晶格結構特點，簡述了化學機械拋光技術對碳化硅
2024-01-24 09:16:36431 
晶片切割是半導體器件制造的關鍵步驟，切割方式和質量直接影響晶片的厚度、表面光滑度、尺寸和生產成本，同時對器件制造也有重大影響。碳化硅作為第三代半導體材料，在電子領域中具有重要地位。高質量碳化硅晶體
2024-01-23 09:42:20704 
LPCVD是低壓化學氣相沉積（low-pressurechemical vapor deposition）的縮寫，低壓主要是相對于常壓的APCVD而言，主要區(qū)別點就是工作環(huán)境的壓強，LPCVD的壓強通常只有10~1000Pa，而APCVD壓強約為101.3KPa。
2024-01-22 10:38:35166 
優(yōu)化硅的形態(tài)與沉積方式是半導體和MEMS工藝的關鍵，LPCVD和APCVD為常見的硅沉積技術。
2024-01-22 09:32:15433 
通過化學鍍鎳沉積增強納米多孔硅光電陰極的光電化學性能 可再生能源，特別是太陽能，是我們脫碳努力的關鍵。本文研究了納米多孔硅及其Ni涂層雜化體系的光電化學行為。這些方法包括將Ni涂層應用于NPSi
2024-01-12 17:06:13112 
對其帶載能力有很大影響，常用的MOS管材料有硅、碳化硅和氮化硅等。不同材料具有不同的特性，硅材料具有高電子遷移率和較低的電阻，適用于高頻應用；碳化硅具有高電子飽和速度和高電壓傳導能力，適用于高功率應用；氮化硅具有高溫特性和較高的能帶間隙，適
2024-01-12 14:43:47424 的生產首先需要準備好所需的原材料。氮化鎵是由高純度金屬鎵和氮氣通過化學氣相沉積（CVD）或分子束外延（MBE）等方法制備而成。高純度金屬鎵用于制備Ga熱源，而氮氣則用于形成氮化反應。此外，還需要購買其他輔助材料，例如基
2024-01-10 10:09:41501 。 氮化鎵主要有金屬有機化合物氣相外延法（MOVPE）、分子束外延法（MBE）和金屬有機化學氣相沉積法（MOCVD）等制備方法。其中，MOVPE是最常用的制備方法之一。該方法通常在高溫下進行，通過金屬有機化合物鎵和氮氣反應生成氮化鎵薄膜
2024-01-10 10:06:30195 同為第三代半導體材料，氮化鎵時常被人用來與碳化硅作比較，雖然沒有碳化硅發(fā)展的時間久，但氮化鎵依舊憑借著禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、飽和電子漂移速度高和抗輻射能力強等特點展現(xiàn)了它的優(yōu)越性。
2024-01-10 09:53:29567 
晶體管）結構。GaN HEMT由以下主要部分組成： 襯底：氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的熱擴散率和散熱能力。 二維電子氣層：氮化鎵襯底上生長一層氮化鎵，形成二維電子氣層。GaN材料的禁帶寬度大，由于
2024-01-09 18:06:41667 材料不同。傳統(tǒng)的硅半導體芯片是以硅為基材，采用不同的工藝在硅上加工制造，而氮化鎵半導體芯片則是以氮化鎵為基材，通過化學氣相沉積、分子束外延等工藝制備。氮化鎵是一種全化合物半導體材料，具有較寬的能隙，電子遷移率高以及較高的飽
2023-12-27 14:58:24424 氮化鎵半導體和碳化硅半導體是兩種主要的寬禁帶半導體材料，在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實、細致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學性能以及應用領域等方面的差異。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:18326 TOPCon 電池的制備工序包括清洗制絨、正面硼擴散、BSG 去除和背面刻蝕、氧化層鈍化接觸制備、正面氧化鋁沉積、正背面氮化硅沉積、絲網印刷、燒結和測試分選，約 12 步左右。從技術路徑角度：LPCVD 方式為目前量產的主流工藝，預計 PECVD 路線有望成為未來新方向。
2023-12-26 14:59:112727 
在太陽能電池的薄膜沉積工藝中，具有化學氣相沉積（CVD）與物理氣相沉積（PVD）兩種薄膜沉積方法，電池廠商在沉積工藝中也需要根據(jù)太陽能電池的具體問題進行針對性選擇，并在完成薄膜沉積工藝后通過
2023-12-26 08:33:01312 在芯片制造中，有一種材料扮演著至關重要的角色，那就是氮化硅（SiNx）。
2023-12-20 18:16:09511 
共讀好書 魏紅軍 謝振民 （中國電子科技集團公司第四十五研究所） 摘要： 電化學沉積技術，作為集成電路制造的關鍵工藝技術之一，它是實現(xiàn)電氣互連的基石，主要應用于集成電路制造的大馬士革銅互連電鍍工藝
2023-12-20 16:58:23154 
京瓷株式會社（以下簡稱京瓷）成功研發(fā)用于FTIR※的氮化硅（Silicon Nitride，以下簡稱SN）高性能光源。
2023-12-15 09:18:06234 
沉積到PCB焊盤表面的一種工藝。這種方法通過在焊盤表面用銀（ Ag ）置換銅（ Cu ），從而在其上沉積一層銀鍍層。
優(yōu)點與缺點并存，優(yōu)點是可焊性、平整度高，缺點是存儲要求高，易氧化。
沉金板
沉金
2023-12-12 13:35:04
碳化硅晶片薄化技術，碳化硅斷裂韌性較低，在薄化過程中易開裂，導致碳化硅晶片的減薄非常困難。碳化硅切片的薄化主要通過磨削與研磨實現(xiàn)。
2023-12-12 12:29:24189 
共讀好書 魏紅軍 謝振民 （中國電子科技集團公司第四十五研究所） 摘要： 電化學沉積技術，作為集成電路制造的關鍵工藝技術之一，它是實現(xiàn)電氣互連的基石，主要應用于集成電路制造的大馬士革銅互連電鍍工藝
2023-12-11 17:31:18234 
金屬柵極的沉積方法主要由HKMG的整合工藝決定。為了獲得穩(wěn)定均勻的有效功函數(shù)，兩種工藝都對薄膜厚度的均勻性要求較高。另外，先柵極的工藝對金屬薄膜沒有臺階覆蓋性的要求，但是后柵極工藝因為需要重新填充原來多晶硅柵極的地方，因此對薄膜的臺階覆蓋 性及其均勻度要求較高。
2023-12-11 09:25:31659 
碳化硅和氮化鎵的區(qū)別? 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種常見的寬禁帶半導體材料，在電子、光電和功率電子等領域中具有廣泛的應用前景。雖然它們都是寬禁帶半導體材料，但是碳化硅和氮化鎵在物理性質
2023-12-08 11:28:51740 半導體前端工藝（第五篇）：沉積——“更小、更多”，微細化的關鍵
2023-11-27 16:48:42217 
通過有效控制AlN薄膜與Si襯底之間的界面反應，利用脈沖激光沉積（PLD）在Si襯底上生長高質量的AlN外延薄膜。英思特對PLD生長的AlN/Si異質界面的表面形貌、晶體質量和界面性能進行了系統(tǒng)研究。
2023-11-23 15:14:40232 
眾所周知，材料的宏觀性質，例如硬度、熱和電傳輸以及光學描述符與其微觀結構特征相關聯(lián)。通過改變加工參數(shù)，可以改變微結構，從而能夠控制這些性質。在薄膜沉積的情況下，微結構特征，例如顆粒尺寸和它們的顆粒
2023-11-22 10:20:59214 
）級別氮化硅硅光芯片的量產，工藝良率超95%。 ? 相對于傳統(tǒng)硅光技術，氮化硅材料具有損耗低、光譜范圍大、可承載光功率大等突出優(yōu)點。此外，氮化硅硅光芯片也是優(yōu)異的多材料異質異構平臺，可集成磷化銦（InP）、鈮酸鋰（LiNbO?）等材料，實現(xiàn)應用更
2023-11-17 09:04:54654 氣態(tài)前驅體在晶圓上反應，形成所需的薄膜沉積在晶圓表面。CVD可用于沉積多種金屬，如鎢、銅、鈦等。
2023-11-16 12:24:30548 
背景 András Deák博士的研究重點是了解分子如何相互作用并附著在納米顆粒表面背后的物理學。許多應用依賴于以預定方式附著在納米顆粒表面的引入分子。然而，如果納米顆粒已經有分子附著在其表面，則不
2023-11-15 10:33:52174 
中的應用。 膠體量子點作為一種半導體納米晶，具有獨特的高表面活性以及量子限制效應的物化特性，擁有室溫溶液處理的能力，更容易與硅基兼容。但隨著硅基板尺寸逐漸縮小，對敏感膜沉積的精度和工藝要求開始變高，目前常用于
2023-11-03 09:09:10767 
這是納米碳化硅模塊燒結工藝，使用銅鍵合技術，高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板，熱電阻現(xiàn)有工程相比改善了10%以上，工作溫度可達175igbt模塊相比損失大幅減少40%以上，車輛行駛距離5 - 8%提高了。
2023-11-02 11:19:18342 高效硅太陽能電池的加工在很大程度上取決于高幾何質量和較低污染的硅晶片的可用性。在晶圓加工結束時，有必要去除晶圓表面的潛在污染物，例如有機物、金屬和顆粒。當前的工業(yè)晶圓加工過程包括兩個清潔步驟。第一個
2023-11-01 17:05:58135 
氮化硅（Si3N4） 基板在各項性能方面表現(xiàn)最佳，可以提供最佳的可靠性和高功率密度，例如在高級電動汽車驅動逆變器中的應用。
2023-10-23 12:27:13408 
在鈣鈦礦太陽能電池的生產工藝中，ITO薄膜沉積是能夠提升鈣鈦礦太陽能電池光電轉換率的關鍵步驟，其中，真空蒸鍍沉積技術可較為便捷的制備高純度、高質量的ITO薄膜，是沉積工藝中的一項核心技術
2023-10-10 10:15:53649 作為第三代功率半導體的絕世雙胞胎，氮化鎵MOS管和碳化硅MOS管日益受到業(yè)界特別是電氣工程師的關注。電氣工程師之所以如此關注這兩種功率半導體，是因為它們的材料與傳統(tǒng)的硅材料相比具有許多優(yōu)點。
氮化
2023-10-07 16:21:18325 
經過離子槍聚焦、加速后作用于樣品表面，實現(xiàn)離子的成像、注入、刻蝕和沉積。 截面分析是SEM/FIB（Scanning Electron Microscope/Focused Ion beam）雙束系統(tǒng)
2023-10-07 14:44:41393 
PECVD作為太陽能電池生產中的一種工藝，對其性能的提升起著關鍵的作用。PECVD可以將氮化硅薄膜沉積在太陽能電池片的表面，從而有效提高太陽能電池的光電轉換率。但為了清晰客觀的檢測沉積后太陽能電池
2023-09-27 08:35:491772 由于異質結電池不同于傳統(tǒng)的熱擴散型晶體硅太陽能電池，因此在完成對其發(fā)射極以及BSF的注入后，下一個步驟就是在異質結電池的正反面沉積ITO薄膜，ITO薄膜能夠彌補異質結電池在注入發(fā)射極后的低導電性
2023-09-21 08:36:22407 GaN 技術持續(xù)為國防和電信市場提供性能和效率。目前射頻市場應用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會威脅到碳化硅基氮化鎵的主導地位，但它的出現(xiàn)將影響供應鏈，并可能塑造未來的電信技術。
2023-09-14 10:22:36647 
，正逐步替代傳統(tǒng)表面處理工藝，下面來看各項技術對比：激光熔覆VS熱噴涂激光熔覆制備涂層組織致密、無氣孔，且涂層與基體為冶金結合方式，結合強度高。熱噴涂涂層沉積速率較高
2023-09-04 16:09:43295 
如果有人認為化學鍍銅和其他金屬化系統(tǒng)深不可測，那么關于電鍍就更像是復雜的腦外科手術。
2023-08-29 09:39:161023 
熱點新聞 1、傳日本更可能實施對光刻/薄膜沉積設備的出口管制 據(jù)報道，隨著日本對華半導體設備出口禁令于7月23日正式生效，業(yè)內普遍想知道這將對中國半導體行業(yè)產生的影響。此次出口管制共計23品類半導體
2023-08-28 16:45:011551 
1. 傳日本更可能實施對光刻/ 薄膜沉積設備的出口管制 ? 據(jù)報道，隨著日本對華半導體設備出口禁令于7月23日正式生效，業(yè)內普遍想知道這將對中國半導體行業(yè)產生的影響。此次出口管制共計23品類半導體
2023-08-28 11:19:30579 
在半導體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨要強調“沉積”工藝呢？
2023-08-17 15:33:27370 
該研究首次應用紫外光輔助原子層沉積（UV-ALD）技術于石墨烯表面，并展示了利用UV-ALD沉積Al2O3薄膜在石墨烯場效應晶體管（GFETs）中的應用。在ALD過程中進行5秒最佳紫外照射，導致在石墨烯表面上沉積出更加致密平滑的Al2O3薄膜
2023-08-16 15:52:37282 
來源：天科合達 據(jù)天科合達官微消息，8月8日，北京天科合達全資子公司江蘇天科合達半導體有限公司碳化硅晶片二期擴產項目開工活動在徐州市經濟開發(fā)區(qū)成功舉辦。 （圖源：金龍湖發(fā)布） 據(jù)悉，江蘇天科合達二期
2023-08-10 16:45:49797 
采用砂漿多線切割工藝加工6英寸（1英寸=25.4 mm）N型碳化硅晶體，研究了此工藝中鋼線張力、 線速度、進給速度等切割參數(shù)對晶片切割表面的影響。通過優(yōu)化切割工藝參數(shù)，最終得到高平坦度、低翹曲度、 低線痕深度的6英寸N型碳化硅晶片。
2023-08-09 11:25:311051 
氮化鎵和碳化硅正在爭奪主導地位，它們將減少數(shù)十億噸溫室氣體排放。
2023-08-07 14:22:08837 
薄膜沉積是指在基底上沉積特定材料形成薄膜，使之具有光學、電學等方面的特殊性能。
2023-07-13 09:10:487774 
氮化硅是一種半導體材料。氮化硅具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、機械性能和化學穩(wěn)定性，被廣泛應用于高溫、高功率和高頻率電子器件中。它具有較寬的能隙（大約3.2電子伏特），并可通過摻雜來調節(jié)其導電性能，因此被視為一種重要的半導體材料。
2023-07-06 15:44:433823 氮化鋁具有較高的熱導性，比氮化硅高得多。這使得氮化鋁在高溫環(huán)境中可以更有效地傳導熱量。
2023-07-06 15:41:231061 氮化硅陶瓷軸承球與鋼質球相比具有突出的優(yōu)點:密度低、耐高溫、自潤滑、耐腐蝕。疲勞壽命破壞方式與鋼質球相同。陶瓷球作為高速旋轉體產生離心應力，氮化硅的低密度降低了高速旋轉體外圈上的離心應力。
2023-07-05 10:37:061561 
近日，泛林集團 (Nasdaq: LRCX) 推出了Coronus DX產品，這是業(yè)界首個晶圓邊緣沉積解決方案，旨在更好地應對下一代邏輯、3D NAND和先進封裝應用中的關鍵制造挑戰(zhàn)。隨著半導體芯片
2023-07-05 00:39:29422 和在刻蝕工藝中一樣，半導體制造商在沉積過程中也會通過控制溫度、壓力等不同條件來把控膜層沉積的質量。例如，降低壓強，沉積速率就會放慢，但可以提高垂直方向的沉積質量。因為，壓強低表明設備內反應氣體粒子
2023-07-02 11:36:401211 
在半導體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨要強調“沉積”工藝呢？
2023-06-29 16:58:37404 
在前幾篇文章（點擊查看），我們一直在借用餅干烘焙過程來形象地說明半導體制程 。在上一篇我們說到，為制作巧克力夾心，需通過“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分，然后倒入巧克力糖漿，再蓋上一層餅干層。“倒入巧克力糖漿”和“蓋上餅干層”的過程在半導體制程中就相當于“沉積工藝”。
2023-06-29 16:56:17830 
近日，泛林集團推出了Coronus DX產品，這是業(yè)界首個晶圓邊緣沉積解決方案，旨在更好地應對下一代邏輯、3D NAND和先進封裝應用中的關鍵制造挑戰(zhàn)。隨著半導體芯片關鍵尺寸的不斷縮小，其制造變得
2023-06-29 10:08:27650 韞茂科技成立于2018年，致力于成為平臺形態(tài)的納米級薄膜沉積設備制造企業(yè)。目前擁有ald原子層沉積系統(tǒng)、pvd物理氣體沉積系統(tǒng)、cvd化學氣體沉積系統(tǒng)、uhv超高真空涂層設備等12種產品。
2023-06-28 10:41:03540 3D NAND 工藝通過堆疊存儲單元, 提供更高的比特密度, 上海伯東日本 Atonarp Aston? 質譜分析儀適用于先進半導體工藝（如沉積和蝕刻）所需的定量氣體分析. 沉積應用中: 實時過程
2023-06-21 10:09:13197 
檢測方案已成功應用于 low-k 電介質沉積應用 ( 特別是氮化硅 Si3N4 ), 在減少顆粒污染的同時, 縮短了生產時間.
2023-06-21 10:03:30238 
各向異性的。選擇性低，因為其對各個層沒有差異。氣體和被打磨出的材料被真空泵排出，但是，由于反應產物不是氣態(tài)的，顆粒會沉積在晶片或室壁上。
2023-06-20 09:48:563989 
PDMS微流控芯片表面修飾方法主要有高能氧化技術、動態(tài)修飾技術、本體修飾技術、溶膠- -凝膠技術、 層疊組裝修飾、化學氣相沉積、表面共價嫁接技術等。
2023-06-16 17:12:211673 請問一下8寸 原子層沉積設備ALD，單晶片。國內設備大約在什么價位啊？
2023-06-16 11:12:27
原子層沉積（Atomic layer deposition，ALD）是一種可以沉積單分子層薄膜的特殊的化學氣相沉積技術。
2023-06-15 16:19:212037 
(86) ，因此在正常體溫下，它會在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術才得以出現(xiàn)。作為一種化合物，氮化鎵的熔點超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統(tǒng)的硅技術相比，不僅性能優(yōu)異，應用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉換方面，已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
，是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關鍵人物。
首席技術官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業(yè)生涯中，長期擔任副總裁及更高級別的管理職位，并領導研發(fā)工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
器件尺寸的不斷縮小促使半導體工業(yè)開發(fā)先進的工藝技術。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經成為小型化的重要加工技術。ALD是一種沉積技術，它基于連續(xù)的、自限性的表面反應。ALE是一種蝕刻技術，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應。
2023-06-15 11:05:05526 
離子束輔助沉積 (IBAD) 是一種薄膜沉積技術，可與濺射或熱蒸發(fā)工藝一起使用，以獲得具有出色工藝控制和精度的最高質量薄膜。
2023-06-08 11:10:22983 
在了解芯片沉積工藝之前，先要闡述下薄膜（thin film）的概念。薄膜材料是厚度介于單原子到幾毫米間的薄金屬或有機物層。
2023-06-08 11:00:122192 
通過測量晶片上的殘留物得知，晶片上已經分配并干燥了含有金屬鹽作為示蹤元素的溶液。假設有兩種不同的沉積機制：吸附和蒸發(fā)沉積。
2023-06-08 10:57:43220 硅的堿性刻蝕液：氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺（TMAH）溶液，晶片加工中，會用到強堿作表面腐蝕或減薄，器件生產中，則傾向于弱堿，如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒，一部分機理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011597 使用化學機械拋光(CMP)方法對碳化硅晶片進行了超精密拋光試驗，探究了滴液速率、拋光頭轉 速、拋光壓力、拋光時長及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對晶片表面粗糙度的影響，并對工藝參數(shù)進行了優(yōu)化，最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062215 
電鍍是一種利用電化學性質，在鍍件表面上沉積所需形態(tài)的金屬覆層的表面處理工藝。
電鍍原理：在含有欲鍍金屬的鹽類溶液中，以被鍍基體金屬為陰極，通過電解作用，使鍍液中欲鍍金屬的陽離子在基體金屬表面沉積，形成鍍層。如圖13所示。
2023-05-29 12:07:23644 
PVD篇 PVD是通過濺射或蒸發(fā)靶材材料來產生金屬蒸汽，然后將金屬蒸汽冷凝在晶圓表面上的過程。應用材料公司在 PVD 技術開發(fā)方面擁有 25 年以上的豐富經驗，是這一領域無可爭議的市場領導者
2023-05-26 16:36:511749 上海伯東美國 KRi 考夫曼品牌 RF 射頻離子源, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標, 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積 和 IBD 離子束沉積是其典型的應用.
2023-05-25 10:18:34501 
上海伯東代理美國 KRi 考夫曼離子源適用于安裝在 MBE 分子束外延, 濺射和蒸發(fā)系統(tǒng), PLD 脈沖激光系統(tǒng)等, 在沉積前用離子轟擊表面, 進行預清潔 Pre-clean 的工藝, 對基材表面有機物清洗, 金屬氧化物的去除等, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應力, 工藝效率等！
2023-05-25 10:10:31378 
工藝進行基板表面金屬化，先是在真空條件下濺射鈦，然后再是銅顆粒，最后電鍍增厚，接著以普通pcb工藝完成線路制作，最后再以電鍍/化學鍍沉積方式增加線路的厚度。
2023-05-23 16:53:511333 
近日，中微半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”，上交所股票代碼：688012）推出自主研發(fā)的12英寸低壓化學氣相沉積（LPCVD）設備Preforma Uniflex CW。這是中微公司深耕高端微觀加工設備多年、在半導體薄膜沉積領域取得的新突破，也是實現(xiàn)公司業(yè)務多元化增長的新動能。
2023-05-17 17:08:41831 研究人員首先對銀納米顆粒/銅納米線進行了合成，并對制備的銅納米線和化學沉積后負載不同尺寸銀納米顆粒的銅納米線進行了形貌和結構表征（圖1）。隨后，利用制備的銀納米顆粒/銅納米線材料制備獲得銀納米顆粒/銅納米線電極，用于后續(xù)無酶葡萄糖傳感性能的研究。
2023-05-12 15:19:28631 
DPC（DirectPlatingCopper）薄膜工藝是一種利用磁控濺射技術制備銅薄膜的方法。該工藝是將目標材料為銅的銅靶放置在真空腔室中，通過磁控濺射技術使得銅靶表面產生等離子體，利用等離子體中的離子轟擊靶表面，將其濺射成細小顆粒并沉積在基底上形成銅薄膜的過程。
2023-05-11 17:38:18843 薄膜的質量以及器件的性能，所以碳化硅襯底材料的加工要求晶片表面超光滑，無缺陷，無損傷，表面粗糙度在納米以下。??
2023-05-05 07:15:001154 
新能源電動汽車爆發(fā)式增長的勢頭不可阻擋，氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊，對提升新能源汽車加速度、續(xù)航里程、充電速度、輕量化、電池成本等各項性能尤為重要。
2023-05-02 09:28:451169 
ALD技術是一種將物質以單原子膜的形式逐層鍍在基底表面的方法，能夠實現(xiàn)納米量級超薄膜的沉積。
2023-04-25 16:01:052439 
在下面的圖3中找到。
化學鎳步驟是一種自動催化過程，包括在鈀催化的銅表面上沉積鎳。必須補充含有鎳離子的還原劑，以提供產生均勻涂層所需的適當濃度，溫度和酸度。在浸金步驟中，金通過分子交換粘附在鍍鎳
2023-04-24 16:07:02
有人曾這樣形容磁控濺射技術——就像往平靜的湖水里投入了石子濺起水花。磁控濺射真空鍍膜技術是物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition）的一種，其原理是：用帶電粒子加速轟擊靶材表面，發(fā)生表面原子碰撞并產生能量和動量的轉移，使靶材原子從表面逸出并沉積在襯底材料上的過程。
2023-04-18 10:30:071766 近日，上海玻璃鋼研究院有限公司的高級工程師趙中堅沿著該思路，以純纖維狀α-Si3N4粉為主要原料，通過添加一定比例氧化物燒結助劑，經冷等靜壓成型和氣氛保護無壓燒結工藝燒結制備出了能充分滿足高性能導彈天線罩使用要求的多孔氮化硅陶瓷。
2023-04-16 10:30:461274 目前，常用電子封裝陶瓷基片材料包括氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）、氧化鈹（BeO）、碳化硅（SiC）等。那么，誰才是最有發(fā)展前途的封裝材料呢？
2023-04-13 10:44:04801 氮化硅基板是一種新型的材料，具有高功率密度、高轉換效率、高溫性能和高速度等特點。這使得氮化硅線路板有著廣泛的應用前景和市場需求，正因為如此斯利通現(xiàn)正全力研發(fā)氮化硅作為基材的線路板。
2023-04-11 12:02:401364 
光隔離器是一種只允許單向光通過的無源光器件，其主要特點是：正向插入損耗低，反向隔離度高，回波損耗高。目前已經有多種片上光隔離方案，但這些方案大多依賴于磁光材料的集成或聲光或電光調制器的高頻調制。
2023-04-03 16:19:041633 
氮化硅研磨環(huán)由于研磨環(huán)存在內外氣壓差，可以在密閉的真空或者很濃密的場景中快速的上下運動，氮化硅磨介圈在大的球磨機里不僅起到研磨粉碎的作用，更重要的是眾多的氮化硅磨介圈環(huán)會發(fā)生共振現(xiàn)象，氮化硅
2023-03-31 11:40:35597 
清洗過程在半導體制造過程中，在技術上和經濟上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實現(xiàn)無顆粒、無金屬雜質、無有機、無水分、無天然氧化物、無表面微粗糙度、無充電、無氫。硅片表面的主要容器可分為顆粒、金屬雜質和有機物三類。
2023-03-31 10:56:19314 
在整個晶圓加工過程中，仔細維護清潔的晶圓表面對于在半導體器件制造中獲得高產量至關重要。因此，濕式化學清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中應用最重復的處理步驟。
2023-03-30 10:00:091940 
導熱填料其主要成份為納米氮化硅鎂、納米碳化硅、納米氮化鋁、納米氮化硼、高球形度氧化鋁、納米氮化硅（有規(guī)則取向結構）等多種超高導熱填料的組合而成，根據(jù)每種材料的粒徑、形態(tài)，表面易潤濕性，摻雜分數(shù)，自身
2023-03-29 10:11:55531 是ENIG。都是通過化學的方法在銅面上沉積一層鎳，然后在鎳層上再沉積一層金，所以表面看上去是金黃色。沉金的厚度一般是1u”和2u“。沉金的流程也是三個主要步驟：前處理—沉金—后處理。當然沉金里面又分有水洗、除
2023-03-24 16:59:21
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工商網監(jiān)
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