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電子發燒友網>今日頭條>真空蝕刻技術的未來將會如何發展

真空蝕刻技術的未來將會如何發展

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遠程等離子體選擇性蝕刻的新途徑

為了提供更優良的靜電完整性,三維(3D)設計(如全圍柵(GAA)場電子晶體管(FET ))預計將在互補金屬氧化物半導體技術中被采用。3D MOS架構為蝕刻應用帶來了一系列挑戰。雖然平面設備更多地依賴于各向異性蝕刻,但是3D設備在不同材料之間具有高選擇性,需要更多的各向異性蝕刻能力。
2023-06-14 11:03:531779

凸塊制造技術演變及發展歷史

凸塊制造過程一般是基于定制的光掩模,通過真空濺鍍、黃光、電鍍、蝕刻等環節而成,該技術是晶圓制造環節的延伸,也是實施倒裝(FC)封裝工藝的基礎及前提。
2023-06-12 09:35:42771

電子元器件知識:怎么判斷真空傳感器壞了?會有哪些表現?

將會導致發動機失去精確的燃料噴射控制,而降低燃油經濟性、增加尾氣排放甚至出現發動機熄火等問題。那么,怎么判斷真空傳感器壞了?會有哪些表現呢? 判斷真空傳感器是否壞了,一般需要從以下幾個方面進行檢查: 檢查引擎
2023-06-02 17:01:18621

真空排氣臺密封性泄露檢測

上海伯東某客戶生產研發多工位高真空和超高真空排氣臺, 實現多工位同時抽真空的效果, 真空度需要穩定在 -7 mbar, - 8 mbar, 包含真空系統在內的多個組件, 均需要進行密封性泄露測試
2023-06-02 15:37:25358

載體晶圓對蝕刻速率、選擇性、形貌的影響

等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個必要步驟,然而,載體材料的選擇可能會實質上改變蝕刻特性。在小型單個芯片上制造氮化鎵(GaN)設備,通常會導致晶圓的成本上升。在本研究中,英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452

淺談蝕刻工藝開發的三個階段

納米片工藝流程中最關鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的,并使用氟化化學。優化內部間隔蝕刻(壓痕)和通道釋放步驟,以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071

智能電網未來發展趨勢

智能電網是指應用新一代信息技術,以實現電網自主、智能化、互聯互通、高效優質運行為目標的電網。未來智能電網的發展趨勢將會朝著以下方向發展: 1、增加可再生能源比例:未來智能電網將更加注重可再生能源
2023-05-29 13:47:212723

硅在氫氧化鈉和四甲基氫氧化銨中的溫度依賴性蝕刻

過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻,這是制造硅中微結構的一種非常有用的技術。以10M氫氧化鉀(KOH)為蝕刻劑,研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程,測量了沿多個矢量方向的蝕刻速率,用單晶球發現了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數據,提出了一種預測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618

晶圓鍵合機中的無油真空系統

晶圓鍵合機主要用于將晶圓通過真空環境, 加熱, 加壓等指定的工藝過程鍵合在一起, 滿足微電子材料, 光電材料及其納米等級微機電元件的制作和封裝需求. 晶圓鍵合機需要清潔干燥的高真空工藝環境, 真空
2023-05-25 15:58:06520

加熱板:真空共晶爐的熱力中心與材料塑造者

真空共晶爐是一個關鍵的設備,用于制造和處理各種材料,尤其是在微電子和納米技術領域。這種設備的核心組件之一就是加熱板。在本文中,我們將詳細介紹真空共晶爐的加熱板,包括其結構,功能,以及在整個真空共晶過程中的作用。
2023-05-23 11:35:47363

如何在蝕刻工藝中實施控制?

蝕刻可能是濕制程階段最復雜的工藝,因為有很多因素會影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩定,蝕刻率就會變化,因而影響產品質量。如果希望利用一種自動化方法來維護蝕刻化學,以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575

UWB人員定位未來發展趨勢

等優勢。未來幾年,UWB發展趨勢主要有以下幾個方面: 5G和UWB的結合。5G是未來的核心通信技術,而UWB可以為5G提供更高精度、更可靠的位置信息,兩者的結合將會推動物聯網、智能制造等領域的發展。 ?UWB在智能家居中的應用。UWB可以提供高精度的人體檢測
2023-05-19 09:03:16299

適用于中低真空度測量的AGP3000皮拉尼真空

三類:利用力學性能(如波爾登真空計和薄膜電容規)、利用氣體動力學效應(如皮拉尼電阻規和熱電偶規)和利用帶電粒子效應(熱陰極電離規和冷陰極電離規)。其中皮拉尼原理是大多數真空技術下優先考慮的測量方式。 精致耐
2023-05-18 17:06:25349

PCB常見的五種蝕刻方式

一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作抗蝕刻 圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金
2023-05-18 16:23:484918

高速硅濕式各向異性蝕刻技術在批量微加工中的應用

蝕刻是微結構制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類:濕法蝕刻和干法蝕刻,濕法蝕刻進一步細分為兩部分,即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機電系統(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700

NB-IOT與LoRa未來兩種技術在國內的發展究竟如何呢?

備受爭議,但隨著廣電,鐵塔及互聯網巨頭騰訊,阿里相繼加入LoRa陣營,無疑又為LoRa在國內的發展注入一支“強心劑”。那未來兩種技術在國內的發展究竟如何呢?   NB-IOT( Narrow Band
2023-05-11 10:14:49

中國開源未來發展峰會“問道 AI 分論壇”即將開幕!

發展,一個好的 AI 技術產品該如何迭代與運營…… 為了能夠與廣大開發者一起更好地擁抱 AI 技術發展,5 月 13 日,由天工開物開源基金會、開源中國社區聯合發起的,面向廣大開發者的中國開源未來
2023-05-09 09:49:41

5g技術發展前景及未來發展趨勢

5G技術發展前景非常廣闊,它將為我們未來提供更快、更智能、更可靠的通信服務。以下是5G技術發展前景:   更快的網絡速度和更低的延遲:5G技術將使通信行業向更高速、更低延遲的方向發展,這將
2023-05-08 16:08:3911951

真空泵軸承位磨損可以這樣修復

真空泵是指利用機械、物理、化學或物理化學的方法對被抽容器進行抽氣而獲得真空的器件或設備。通俗來講,真空泵是用各種方法在某一封閉空間中改善、產生和維持真空的裝置。按真空泵的工作原理,真空泵基本上可以分為兩種類型,即氣體捕集泵和氣體傳輸泵。其廣泛用于冶金、化工、食品、電子鍍膜等行業。
2023-04-17 10:02:420

光子晶體用硅中圓柱形納米孔的深反應離子蝕刻

反應離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝,與半導體工業中使用的互補金屬氧化物半導體(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253

干法蝕刻與濕法蝕刻-差異和應用

干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片,是液體(濕法蝕刻)還是氣體(干法蝕刻
2023-04-12 14:54:331004

mcu具有什么功能?未來的創新發展趨勢是什么?

什么?MCU具有什么功能?在未來又將有哪些創新發展呢?這篇文章將會為大家詳細解答。 一、什么是MCU,具有什么功能? MCU是Microcontroller Unit 的簡稱,中文叫微控制器,俗稱單片機
2023-04-10 15:07:42

水環真空泵軸徑磨損的修復技術

性能較差,抗疲勞性能差,因此容易造成疲勞磨損、微動磨損等。該企業曾經采用過其他技術修復水環真空泵軸徑磨損問題,但是修復效果并不理想,在這種情況下企業聯系到我司工程師,咨詢我司技術能否有效解決水環真空泵軸徑磨損問題。
2023-04-06 17:45:340

低溫蝕刻重新出現_

經過多年的研發,隨著該行業在內存和邏輯方面面臨新的挑戰,一種稱為低溫蝕刻技術正在重新出現,成為一種可能的生產選擇。
2023-03-29 10:14:41392

PCB加工的蝕刻工藝

印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復雜的物理和化學反應的過程,本文就對其最后的一步--蝕刻進行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886

技術使蝕刻半導體更容易

研究表明,半導體的物理特性會根據其結構而變化,因此半導體晶圓在組裝成芯片之前被蝕刻成可調整其電氣和光學特性以及連接性的結構。
2023-03-28 09:58:34251

請問MPX2050DP可以測量真空壓力嗎?

這可能是一個簡單的問題,但我在數據表中找不到明確的答案。既然是差壓傳感器,MPX2050DP能測到-50kPa的真空壓力嗎?
2023-03-28 08:07:13

企業真空伏輥磨損如何修復

真空伏輥,造紙機械構成之一,位于濕部末端。真空伏輥由于受物料沖擊常會出現局部劃傷的問題,如輥面的局部損壞、輥體內壁劃傷、輥體兩端氣胎部位磨損等;輥體的傳動部位磨損是另一類經常出現的故障,如真空
2023-03-27 10:49:450

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