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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>IGBT 和 GaN、SiC 和硅 FET 的統(tǒng)一視圖和價格-性能分析

IGBT 和 GaN、SiC 和硅 FET 的統(tǒng)一視圖和價格-性能分析

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2022-07-26 11:57:091274

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電力電子將在未來幾年發(fā)展,尤其是對于組件,因為 WBG 半導(dǎo)體技術(shù)正變得越來越流行。高工作溫度、電壓和開關(guān)頻率需要 GaNSiC 等 WBG 材料的能力。從硅到 SiCGaN 組件的過渡標志著功率器件發(fā)展和更好地利用電力的重要一步。
2022-07-27 10:48:41761

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GaNSiC 器件在某些方面相似,但有顯著差異。
2021-11-17 09:06:184236

同是功率器件,為什么SiC主要是MOSFET,GaN卻是HEMT

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2022-11-07 06:26:02

GaN FET重新定義電源電路設(shè)計

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2017-05-03 10:41:53

GaNMOSFET提供的主要優(yōu)點和優(yōu)勢

,幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計人員實現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實現(xiàn)的性能和密度級別。然而,近年來,這些已取得的進步開始逐漸弱化,為下個突破性技術(shù)創(chuàng)造了空間和需求。這就是氮化鎵(GaN)引人注目
2022-11-14 07:01:09

GaN功率IC實現(xiàn)了安徽世界上最小的大時代筆電電源適配器怎么樣

SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵),采用材料可以使得芯片體積小、重量輕、成本低,而SiC僅可以提高效率節(jié)省能源,兩者不能兼得,事實證明只有通過GaN功率IC才可以做到無與倫比的速率和效率。另外
2017-09-25 10:44:14

GaNSiC區(qū)別

柵極電荷,它可以使用高開關(guān)頻率,從而允許使用較小的電感器和電容器。 相較于SiC的發(fā)展,GaN功率元件是個后進者,它是種擁有類似于SiC性能優(yōu)勢的寬能隙材料,但擁有更大的成本控制潛力,尤其是高功率的
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2023-02-27 13:48:12

SiC/GaN具有什么優(yōu)勢?

基于SiC/GaN的新代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03

SiC/GaN功率開關(guān)有什么優(yōu)勢

新型和未來的 SiC/GaN 功率開關(guān)將會給方方面面帶來巨大進步,從新代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率,將有助于實現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08

SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器已在各種創(chuàng)新市場和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地

)和由此實現(xiàn)的高功率密度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]SiC-/GaN功率實現(xiàn)多級功率轉(zhuǎn)換級和全雙向工作模式,IGBT則因逆變工作模式而受到些限制。[color
2019-07-16 23:57:01

SiC功率器件SiC-MOSFET的特點

使用IGBT和Si-MOSFET使用的驅(qū)動電壓VGS=10~15V不能發(fā)揮出SiC本來的低導(dǎo)通電阻的性能,所以為了得到充分的低導(dǎo)通電阻,推薦使用VGS=18V左右進行驅(qū)動。
2019-05-07 06:21:55

SiC器件與器件相比有哪些優(yōu)越的性能

相比,SiC有哪些優(yōu)勢?SiC器件與器件相比有哪些優(yōu)越的性能?碳化硅器件的缺點有哪些?
2021-07-12 08:07:35

文詳解下代功率器件寬禁帶技術(shù)

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CGHV96100F2氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管

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,并且優(yōu)化其性能。我們深知,TI必須另辟蹊徑。通過將GaN FET與高性能驅(qū)動器進行共同封裝,我們能夠在個模塊內(nèi)提供驚人的性能。 TI也力求使GaN器件更加的智能化。我們直在努力讓器件更加智能,以降
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【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗連載】SiC MOSFET元器件性能研究

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2019-08-01 07:24:28

為何使用 SiC MOSFET

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2017-12-18 13:58:36

什么是基于SiCGaN的功率半導(dǎo)體器件?

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2023-02-21 16:01:16

傳統(tǒng)的組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

傳統(tǒng)的組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiCGaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11

SiC功率模塊介紹

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2018-11-27 16:38:04

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所增加,但其增加比例遠低于IGBT模塊。可以看出結(jié)論是:在30kHz條件下,總體損耗可降低約60%。這是前面提到的第二個優(yōu)勢。可見這正如想象的樣,開關(guān)損耗小是由組成全SiC模塊的SiC元件特性所帶來的。關(guān)于
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可控是什么?是IGBT嗎?

`可控是指可控什么呢?控制電流還是電壓?IGBT是可控嗎?可控般橋式整流器有什么區(qū)別?`
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,實現(xiàn)了更高的開關(guān)頻率,減少甚至去除了散熱器。圖2顯示了GaNFET之間48V至POL的效率比較。 圖 2:不同負載電流下GaN直流/直流轉(zhuǎn)換器的48V至POL效率 TI的新型48V至POL
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報名 | 寬禁帶半導(dǎo)體(SiCGaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會

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GaNSiC器件或?qū)⒊蔀楣β兽D(zhuǎn)換應(yīng)用中的新型解決方案

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2018-10-04 09:03:004753

GaNSiC器件將成為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的新型解決方案

基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升,超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。
2019-01-05 09:01:093767

采用GaNSiC技術(shù)的新一代半橋逆變器的性能分析

新一代逆變器採用GaNSiC等先進開關(guān)技術(shù)。寬帶隙功率開關(guān),具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量,通過提高開關(guān)頻率來實現(xiàn)。
2019-07-25 06:05:001892

最新SiC器件與Si IGBT性能比較

直到最近,功率模塊市場仍被硅(Si)絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)把持。需求的轉(zhuǎn)移和對更高性能的關(guān)注,使得這些傳統(tǒng)模塊不太適合大功率應(yīng)用,這就帶來了 SiC 基功率器件的應(yīng)運而生。
2019-11-08 11:41:5317036

SiC IGBT在電力電子變壓器的發(fā)展

SiC SBD和 MOS是目前最為常見的 SiC 基的器件,并且 SiC MOS 正在一些領(lǐng)域和 IGBT爭搶份額。我們都知道,IGBT 結(jié)合了 MOS 和 BJT 的優(yōu)點,第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC
2020-03-20 15:56:284190

半導(dǎo)體材料:Si、SiCGaN

作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si,其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限,而此時以SiCGaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。所以,出現(xiàn)了以Si基器件為主導(dǎo),SiCGaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010156

GaN技術(shù)可突破硅基IGBTSiC等現(xiàn)有技術(shù)的諸多局限

GaN技術(shù)突破了硅基IGBTSiC等現(xiàn)有技術(shù)的諸多局限,可為各種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用帶來直接和間接的性能效益。在電動車領(lǐng)域,GaN技術(shù)可直接降低功率損耗,從而為汽車實現(xiàn)更長的行駛里程。同時,更高效的功率
2020-09-18 16:19:172638

SiC IGBT的發(fā)展現(xiàn)狀及未來趨勢分析

SiC IGBT的發(fā)展至少也有30年了,大眾視野中很少會提及到SiC IGBT產(chǎn)品,并不是沒有,只是太多事情是我們目不可及的。就目前而言,SiC器件的制成還有著很多難點需要突破和解決,下面我們就來看看SiC IGBT的現(xiàn)狀和挑戰(zhàn)。
2020-10-30 14:13:295849

ACPL-P349/W349評估板特性 IGBTSiC/GaN MOSFET柵極驅(qū)動器配置分析

本手冊概述了 ACPL-P349/W349 評估板的特性以及評估隔離式 IGBTSiC/GaN MOSFET 柵極驅(qū)動器所需的配置。需要目視檢查以確保收到的評估板處于良好狀態(tài)。
2021-06-23 10:45:213354

UnitedSiC SiC FET用戶手冊

UnitedSiC SiC FET用戶手冊
2021-09-07 18:00:1317

GaN電源系統(tǒng)性能升級的奧秘

如今,以GaNSiC為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)風(fēng)頭正勁。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料相比,GaNSiC禁帶寬度大、擊穿電場強度高、電子遷移率高、熱導(dǎo)電率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強……因此可實現(xiàn)更高
2022-02-25 10:12:551999

適用于CSP GaN FET的簡單且高性能的熱管理解決方案?

本文將展示芯片級封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同(如果不優(yōu)于)的熱性能。由于其卓越的電氣性能GaN FET 的尺寸可以減小,從而在尊重溫度限制的同時提高功率密度。這種行為將通過 PCB 布局的詳細 3D 有限元模擬來展示,同時還提供實驗驗證以支持分析
2022-07-25 09:15:05488

適用于CSP GaN FET的簡單且高性能的熱管理解決方案?

本文將展示芯片級封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同(如果不優(yōu)于)的熱性能。由于其卓越的電氣性能GaN FET 的尺寸可以減小,從而在尊重溫度限制的同時提高功率密度。這種行為將通過 PCB 布局的詳細 3D 有限元模擬來展示,同時還提供實驗驗證以支持分析
2022-07-29 08:06:37394

UnitedSiC 750V第4代SiC FET性能解析

UnitedSiC(現(xiàn)為Qorvo)擴展了其突破性的第4代 SiC FET產(chǎn)品組合, 通過采用TO-247-4引腳封裝的750V/6mOhm SiC FET和采用D2PAK-7L表面貼裝封裝
2022-08-01 12:14:081068

48V電源系統(tǒng)中的GaN FET應(yīng)用

解決方案需要額外的 IC,這會增加額外的復(fù)雜性和挑戰(zhàn)。在本文中,作者介紹了一種兼容 GaN FET 的模擬控制器,該控制器的物料清單數(shù)量少,使設(shè)計人員能夠像使用硅 FET 一樣簡單地設(shè)計同步降壓轉(zhuǎn)換器,并提供卓越的性能。 眾所周知,與傳統(tǒng)的硅 FET 相比,氮化鎵 (GaN) FET 已顯
2022-08-04 09:58:08570

第4代SiC FET的突破性性能

幾十年來,基于硅的半導(dǎo)體開關(guān)一直主導(dǎo)著功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,IGBT 和 Si MOSFET 提供了成熟、穩(wěn)健的解決方案。然而,當寬帶隙 (WBG) 器件于 2008 年開始商用,采用碳化硅 (SiC
2022-08-05 08:05:00962

SiC FET器件的特征

寬帶隙半導(dǎo)體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用,包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征,并將它與其他方法進行了對比。
2022-10-31 09:03:23666

SiC FET性能和優(yōu)勢及起源和發(fā)展介紹

高頻開關(guān)等寬帶隙半導(dǎo)體是實現(xiàn)更高功率轉(zhuǎn)換效率的助力。SiC FET就是一個例子,它由一個SiC JFET和一個硅MOSFET以共源共柵方式構(gòu)成。本文追溯了SiC FET的起源和發(fā)展,直至最新一代產(chǎn)品,并將其性能與替代技術(shù)進行了比較。
2022-11-11 09:11:55857

SiC FET的起源和發(fā)展

高頻開關(guān)等寬帶隙半導(dǎo)體是實現(xiàn)更高功率轉(zhuǎn)換效率的助力。SiC FET就是一個例子,它由一個SiC JFET和一個硅MOSFET以共源共柵方式構(gòu)成。
2022-11-11 09:13:27787

OBC 充電器中的 SiC FET

OBC 充電器中的 SiC FET
2022-12-28 09:51:07565

充分挖掘 SiC FET性能

在電源轉(zhuǎn)換這一語境下,性能主要歸結(jié)為兩個互為相關(guān)的值:效率和成本。仿真結(jié)果和應(yīng)用實例表明,SiC FET 可以顯著提升電源轉(zhuǎn)換器的性能。了解更多。 這篇博客文章最初由 United Silicon
2023-02-08 11:20:01403

Gan FET:為何選擇共源共柵

在過去幾年里,GaN技術(shù),特別是硅基GaN HEMT技術(shù),已成為電源工程師的關(guān)注重點。該技術(shù)承諾提供許多應(yīng)用所需的大功率高性能和高頻開關(guān)能力。然而,隨著商用GaN FET變得更容易獲得,一個關(guān)鍵問題仍然存在。為何選擇共源共柵?
2023-02-09 09:34:12419

在半橋拓撲中并聯(lián) Nexperia GaN FET-AN90030

在半橋拓撲中并聯(lián) Nexperia GaN FET-AN90030
2023-02-15 19:06:190

未來的重點方向:SicIGBT

IGBT、MCU、以及SIC會是接下來新能源汽車智能化比較長期的需求點,根據(jù)特斯拉Model3的車型用量來看,單車使用IGBT是84顆,或者48顆Sic MOsfet(技術(shù)更優(yōu)),MCU的供應(yīng)商是意法半導(dǎo)體,基本可以結(jié)論,SicIGBT會是未來的重點方向。
2023-03-24 10:18:36630

IGBTSiC這兩者的存在意義

近年來,以SiCSiC)、氮化鎵(GaN)等材料為代表的化合物半導(dǎo)體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優(yōu)異的性能而飽受關(guān)注。
2023-03-28 10:00:302031

SiCGaN的共源共柵解決方案

GaNSiC器件比它們正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有數(shù)以億計的此類設(shè)備,其中許多每天運行數(shù)小時,因此節(jié)省的能源將是巨大的。
2023-03-29 14:21:05296

氧化鎵有望成為超越SiCGaN性能的材料

氧化鎵有望成為超越SiCGaN性能的材料,有望成為下一代功率半導(dǎo)體,日本和海外正在進行研究和開發(fā)。
2023-04-14 15:42:06363

碳化硅(SiC)技術(shù)取代舊的硅FETIGBT

所有類型的電動汽車(EV)的高功率、高電壓要求,包括電動公交車和其他電子交通電源系統(tǒng),需要更高的碳化硅(SiC)技術(shù)來取代舊的硅FETIGBT。安全高效地驅(qū)動這些更高效的SiC器件可以使用數(shù)字而不是模擬柵極驅(qū)動器來實現(xiàn),許多非汽車或非車輛應(yīng)用將受益。
2023-05-06 09:38:501693

GaNSiC功率器件的特點 GaNSiC的技術(shù)挑戰(zhàn)

 SiCGaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG),因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量:而在硅的情況下,該能量為1.1eV,SiC(碳化硅)為3.3eV,GaN(氮化鎵)為3.4eV。這導(dǎo)致了更高的適用擊穿電壓,在某些應(yīng)用中可以達到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431

聯(lián)合SiCFET-Jet計算器 — — 從SIC FET選擇中得出猜算結(jié)果

聯(lián)合SiCFET-Jet計算器 — — 從SIC FET選擇中得出猜算結(jié)果
2023-09-27 15:15:17499

如何設(shè)計一種適用于SiC FET的PCB呢?

SiC FET(即 SiC JFET 和硅 MOSFET 的常閉共源共柵組合)等寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)推出后,功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品無疑受益匪淺。
2023-10-19 12:25:58208

SiCGaN 的興起與未來 .zip

SiCGaN的興起與未來
2023-01-13 09:06:226

還沒使用SiC FET?快來看看本文,秒懂SiC FET性能和優(yōu)勢!

還沒使用SiC FET?快來看看本文,秒懂SiC FET性能和優(yōu)勢!
2023-11-29 16:49:23277

UnitedSiC SiC FET用戶指南

UnitedSiC SiC FET用戶指南
2023-12-06 15:32:24172

充分挖掘SiC FET性能

充分挖掘SiC FET性能
2023-12-07 09:30:21152

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