近期,2家臺灣企業正在加速推進其SiC模塊工廠的建設
2024-03-18 10:52:32346 利用 SiC 功率器件開關頻率高、開關損耗低等優點, 將 SiC MOSFET 應用于水下航行器大功率高速電機逆變器模塊, 對軟硬件進行設計。
2024-03-13 14:31:4668 為滿足快速發展的電動汽車行業對高功率密度 SiC 功率模塊的需求,進行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設計與開發,提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03377 近日,東芝電子元件及存儲裝置株式會社(以下簡稱“東芝”)宣布,位于日本西部兵庫縣姬路市的半導體工廠已啟動新的功率半導體后端生產設施建設。這一舉措標志著東芝在功率半導體領域的進一步擴展,以滿足日益增長的市場需求。據悉,新工廠預計將于2025年春季開始量產。
2024-03-12 10:23:57247 SiC器件的核心優勢在于其寬禁帶、高熱導率、以及高擊穿電壓。具體來說,SiC的禁帶寬度是硅的近3倍,這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能;其熱導率是硅的3倍以上,有利于高功率應用中的熱管理。
2024-03-08 10:27:1542 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(東芝)近期宣布,已開始在位于日本西部兵庫縣的姬路運營 - 半導體工廠建設功率半導體后端生產設施。新工廠將于2025年春季開始量產。
2024-03-07 18:26:21585 和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關頻率高等諸多優點,因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優點同時也給SiC功率器件的互連封裝帶來了挑戰。
2024-03-07 14:28:43106 共讀好書 杜隆純 何勇 劉洪偉 劉曉鵬 (湖南國芯半導體科技有限公司 湖南省功率半導體創新中心) 摘要: 針對SiC功率器件封裝的高性能和高可靠性要求,文章研究了芯片雙面銀燒結技術與粗銅線超聲鍵合
2024-03-05 08:41:47105 采用多芯片并聯的SiC功率模塊,會產生較嚴重的電磁干擾和額外損耗,無法發揮SiC器件的優良性能;SiC功率模塊雜散參數較大,可靠性不高。 (2)SiC功率高溫封裝技術發展滯后。
2024-03-04 10:35:49132 自2017年起就在國際空間站上服役的尼康D5相機將由Z 9接任,這意味著自阿波羅15號任務以來,已有超過50年的時間里尼康相機和鏡頭一直為NASA的太空探索活動提供支持。
2024-03-01 14:24:23213 摘要:隨著儲能變流器向大容量、模塊化發展,碳化硅(SiC)器件由于其低損耗、耐高溫的特性,逐漸成為研究熱點。然而SiC器件過高的開關速度使其對電路中雜散電感更加敏感,并且高溫運行環境也會對器件長期
2024-02-22 09:39:26436 日本知名半導體制造設備制造商Disco近日宣布,將在日本廣島縣新建一座工廠,專注于生產用于晶圓生產的關鍵零部件。此舉旨在抓住客戶需求的增長,進一步加快生產進度,以滿足全球半導體市場的持續擴張。
2024-01-18 15:52:15431 ,硅基IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和碳化硅(SiC)功率器件是兩種主流的解決方案,它們在新能源汽車中有著各自獨特的應用特點。
2024-01-15 09:51:54518 傳統的硅基功率器件在應對這一挑戰時,其性能已經接近極限。碳化硅(SiC)功率器件的出現,為電力電子行業帶來了革新性的改變,成為了解決這一問題的關鍵所在。
2024-01-06 11:06:57130 隨著電力電子技術的飛速發展,碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導體材料,因其獨特的物理特性,如高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高熱導率等,在功率器件領域展現出巨大的應用潛力。本文將對SiC功率器件的優勢、應用及發展進行深入探討。
2023-12-28 09:25:56152 電子發燒友網報道(文/梁浩斌)在我們談論第三代半導體的時候,常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET(金屬-氧化物半導體場效應晶體管),而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT(高電子
2023-12-27 09:11:361219 與存儲株式會社("東芝電子設備與存儲")合作生產和增加功率器件產量的計劃得到了經濟產業省的認可,并將作為支持日本政府實現安全穩定的半導體供應目標的一項措施得到支持。ROHM 公司和東芝電子器件和存儲公司將分別在碳化硅(SiC)和硅(Si)功率器件方面加大投資力度,有效
2023-12-26 15:45:38269 功率等級的功率轉換、更快的開關速度、傳熱效率上也優于硅材料。 本篇博客探討了SiC材料如何提升產品性能以超越基于硅材料的領域,從而為我們全新的數字世界創造下一代解決方案。 硅基MOSFET、碳化硅(SiC)MOSFET、氮化鎵(GaN)HEMT或
2023-12-21 10:55:02182 SiC材料具有兩倍于Si的電子飽和速度,使得SiC 器件具有極低的導通電阻(1/100 于Si),導通損耗低;SiC材料具有3倍于Si 的禁帶寬度,泄漏電流比Si 器件減少了幾個數量級,從而可以減少功率器件的功率損耗。
2023-12-20 15:47:44169 隨著科技的快速發展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種先進的電力電子設備,已經廣泛應用于能源轉換、電機控制、電網保護等多個領域。本文將詳細介紹碳化硅功率器件的原理、應用、技術挑戰以及未來發展趨勢。
2023-12-16 10:29:20359 SiC 功率 MOSFET 和肖特基二極管正在快速應用于電力電子轉換半導體 (PECS) 應用,例如電動汽車充電和牽引、儲能系統和工業電源。SiC 功率 MOSFET 已在電動汽車車載充電器中得到
2023-12-15 09:42:45950 隨著電力電子技術的不斷發展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導體材料,在電力電子領域的應用越來越廣泛。與傳統的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐壓、高耐流等優點
2023-12-14 09:14:46240 半導體器件,這一計劃得到了日本政府的支持。 ROHM和東芝將分別對SiC和Si功率器件進行密集投資,兩者將依據對方生產力優勢進行互補,有效提高供應能力。 兩家公司計劃在合作項目上花費3883億日元(折合人民幣約193億元),其中日本政府可提供最高1294億日
2023-12-11 13:46:15174 由于其寬帶隙和優異的材料特性, SiC基功率電子器件現在正成為許多殺手級應用的后起之秀,例如汽車、光伏、快速充電、PFC等。
2023-12-08 14:33:47513 隨著科技的不斷進步,電力電子設備在我們的日常生活和工業生產中發揮著越來越重要的作用。然而,隨著電力電子設備向著更高效、更小型化以及更可靠的方向發展,傳統的硅基功率器件已經逐漸暴露出其局限性。此時,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的電力電子器件,以其獨特的優勢逐漸受到人們的關注。
2023-12-06 09:53:18381 大家元老們好,菜鳥想咨詢下,我明年想開一個生產傳感器的工廠,現在想了解一下生產傳感器需要的設備,和技術,一般小型的工廠,需要投資多少錢。生產技術在哪里能拿到?
2023-11-29 10:07:42
了解SiC器件的命名規則
2023-11-27 17:14:49357 SiC 器件如何顛覆不間斷電源設計?
2023-11-23 16:17:41168 SiC驅動器模塊具有較低的功耗、高溫運行能力和快速開關速度等優勢,使其在下一代功率器件中有著廣闊的應用前景。SiC驅動器模塊可以用于電動車的電力系統、可再生能源轉換系統、工業電力電子裝置和航空航天
2023-11-16 15:53:30257 11月8日,百度阿波羅智行(西南)人工智能基礎數據產業基地(以下簡稱“百度自貢數據基地”)在自貢市數據標注產業基地現場工作推進會上揭牌, 標志百度Apollo西南首個數據標注基地正式啟動運營 。這是
2023-11-13 18:00:02521 燒錄到75%就斷開了,是什么問題
2023-11-03 07:49:07
MCT 是一種新型MOS 與雙極復合型器件。如上圖所示。MCT是將 MOSFET 的高阻抗、低驅動圖 MCT 的功率、快開關速度的特性與晶閘管的高壓、大電流特型結合在一起,形成大功率、高壓、快速全控型器件。
2023-11-01 15:25:16154 工廠生產過程中,電力是不可或缺的重要資源。為了提高生產效率和生產質量,工廠需要確保充足的電力供應,并采取一系列措施來提高有功功率。那么,哪有有效的措施可以提高工廠生產用電的有功功率呢?
2023-10-30 14:43:38415 1、SiC MOSFET對器件封裝的技術需求
2、車規級功率模塊封裝的現狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 多達1,000名當地工人,主要填補高技術職位 - 比目前的約2,300名員工增加了40%以上。 碳化硅器件對于電動汽車 (EV)、能源基礎設施和大功率電動汽車插座的功率轉換不可或缺。在可預見的未來,由于對SiC芯片的需求迅速增加,對這些產品的需求將超過供應。富
2023-10-26 17:26:58746 SiC器件的主要用途是車載設備。SiC器件可以使純電動汽車、混合動力車的電機控制系統損失的功率降低到1/10,實現低功耗化;同時,能將新能源汽車的效率提高10%,使用SiC工藝生產的功率器件的導通電
2023-10-25 09:40:33414 安森美(onsemi)宣布,其位于韓國富川的先進碳化硅 (SiC) 超大型制造工廠的擴建工程已經完工。全負荷生產時,該晶圓廠每年將能生產超過一百萬片 200?mm SiC 晶圓。為了支持 SiC
2023-10-24 15:55:22780 在商業應用中利用寬帶隙碳化硅(SiC)的獨特電氣優勢需要解決由材料機械性能引起的可靠性挑戰。憑借其先進的芯片粘接技術,Vincotech 處于領先地位。 十多年前首次推出的SiC功率模塊可能會
2023-10-23 16:49:36372 三菱電機將投資Coherent的新SiC業務; 旨在通過與Coherent的縱向合作來發展SiC功率器件業務。 三菱電機集團近日(2023年10月10日)宣布已與Coherent達成協議,將SiC
2023-10-18 19:17:17368 sic功率半導體上市公司 sic功率半導體上市公司有三安光電、露笑科技、楚江新材、天通股份、東尼電子、華潤微、揚杰科技、捷捷微電、華微電子、斯達半導、聞泰科技等公司,注意以上信息僅供參考,如果想了
2023-10-18 16:14:30586 航天器的重要組成部分——供配電系統和二次電源的發展面臨兩方面的挑戰,一方面是小型化和輕量化,另一方面是大功率和超大功率航天器的需求。在超大功率方面,目前硅基功率器件的功率容量和工作頻率已不能滿足設計要求,限制了宇航電源技術的發展,因此SiC功率器件的替代應用已勢在必行。
2023-10-18 10:34:31378 碳化硅(SiC)功率器件是由硅和碳制成的半導體,用于制造電動汽車、電源、電機控制電路和逆變器等高壓應用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169 除牽引逆變器外,輔助轉換器、鐵路電池充電器和DC-DC轉換器尤其受益于SiC功率模塊帶來的開關頻率提升。開關頻率的增加通常允許減小無源元件(如變壓器、電感器或電容器)的尺寸。此外,較高的開關頻率可能允許使用不同的軟磁芯材料。它提供了提高效率和降低成本的潛力。
2023-10-15 11:40:03471 英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49686 電子發燒友網為你提供ADI(ADI)AD9084: 阿波羅MxFE Quad, 16比特, 28 普普惠戰略(普惠戰略)RF 發援會和夸德, 12比特, 20 普惠戰略(普惠戰略)RF ADC初步
2023-10-09 18:45:52
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2023-10-09 18:45:25
傳統的功率半導體封裝技術是采用鉛或無鉛焊接合金把器件的一個端面貼合在熱沉襯底上,另外的端面與10-20mil鋁線楔或金線鍵合在一起。這種方法在大功率、高溫工作條件下缺乏可靠性,而且不具備足夠的堅固性。
2023-10-09 15:20:58299 原子提供了很多的例程,真的非常棒emwin測試也是找的例程,阿波羅stm32f767 資料盤(a盤)4,程序源碼3,擴展例程3,emwin擴展例程emwin實驗1 stemwin無操作系統移植,新建了application文件夾,添加了自己的顯示代碼以上
2023-10-09 08:57:50
長電科技在功率器件封裝領域積累了數十年的技術經驗,具備全面的功率產品封裝外形,覆蓋IGBT、SiC、GaN等熱門產品的封裝和測試。
2023-10-07 17:41:32398 前言
碳化硅(SiC)材料是功率半導體行業主要進步發展方向,用于制作功率器件,可顯著提高電能利用率。SiC器件的典型應用領域包括:新能源汽車、5G通訊、光伏發電、軌道交通、智能電網等現代工業領域,在
2023-10-07 10:12:26
碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導通電阻低,開關速度快等優點。
2023-09-27 10:08:55300 機械保護和使用不同半導體器件實現的固態斷路器(SSCB)的優缺點,還將討論為什么SiC固態斷路器日益受到人們青睞。一、保護電力基礎設施和設備輸配電系統以及靈敏設備都
2023-09-26 17:59:09535 碳化硅(SiC)MOS管作為一種新型功率器件,與傳統的硅基功率器件相比,在某些特定條件下具有獨特的優勢,但也存在一定的不足。KeepTops告訴你碳化硅MOS管的優點和缺點。
2023-09-26 16:59:07474 SiC器件是一種新型的硅基MOSFET,特別是SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結組成。
在眾多的半導體器件中,碳化硅材料具有低熱導率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 本文研究SiC碳化硅功率模塊及分立器件,功率模塊主要包括碳化硅MOSFET模塊(SiC MOSFET Module),分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二極管(主要是碳化硅肖特二極管)。
2023-09-08 11:30:451806 ,該組件是電動汽車的關鍵組件。 碳化硅 (SiC) 功率半導體應用于控制電動汽車 (EV)、電子產品和5G通信網絡中的電流和功率轉換方向。由于其耐用性和穩定性,SiC功率半導體正在迅速取代硅 (Si) 功率半導體。 在一份聲明中釜山市表示,該工廠將用于生產晶圓等功率半導體材料
2023-08-30 15:46:01372 去年,功率 SiC 市場宣布了一系列具有影響力的合作,有趣的是,不僅是在之前看到的晶圓和材料層面,而是在整個功率 SiC 生態系統中。
2023-08-25 17:35:49984 范圍內控制必要的p型、n型,所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體(結晶多系),它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作,4H-SiC最為
2023-08-21 17:14:581144 隨著科技發展,靜電現象已在靜電噴涂、靜電紡織、靜電分選、靜電成像等領域得到廣泛的有效應用。但在另一方面,靜電的產生在許多領域會帶來重大危害和損失。例如在個阿波羅載人宇宙飛船中,由于靜電放電導致爆炸,使三名宇航員喪生;在火藥制造過程中由于靜電放電(ESD),造成爆炸傷亡的事故時有發生。
2023-08-18 14:42:03379 在汽車行業的應用趨勢碳化硅(SiliconCarbide,簡稱SiC)是一種重要的半導體材料,具有廣泛的應用領域。在電動汽車中,碳化硅功率器件的應用主要為兩個方向,一個
2023-08-17 16:41:23816 在功率電子領域,要論如今炙手可熱的器件,SiC要說是第二,就沒有人敢說第一了。隨著原有的Si基功率半導體器件逐漸接近其物理極限,由第三代SiC功率器件接棒來沖刺更高的性能,已經是大勢所趨。 與傳統
2023-08-16 08:10:05270 碳化硅(SiC)作為一個新興的寬帶隙半導體材料,已經吸引了大量的研究關注。其優越的電氣性能、高溫穩定性和高頻響應使其在功率電子器件領域中具有巨大的應用潛力。但要完全發揮SiC功率器件的潛力,封裝技術同樣至關重要。本文主要探討碳化硅功率器件封裝的三個關鍵技術。
2023-08-15 09:52:11701 SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG),因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導帶所需的能量:而在硅的情況下,該能量為1.1eV,SiC(碳化硅)為3.3eV,GaN(氮化鎵)為3.4eV。這導致了更高的適用擊穿電壓,在某些應用中可以達到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431 對于SiC功率MOSFET技術,報告指出,650-1700V SiC MOSFET技術快速迭代,單芯片電流可達200A。提升電流密度同時,解決好特有可靠性問題是提高技術成熟度關鍵。
2023-08-08 11:05:57428 功率器件可靠性
2023-08-07 14:51:532 由于應用領域特殊,項目對功率器件的性能和可靠性均提出了極高的要求。而作為第一家獲得導入的中國SiC功率器件企業,利普思以其國際化的專業團隊、高性能高可靠的產品,贏得了客戶的信任和認可。
2023-08-04 15:21:06431 碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導通電阻低,開關速度快等優點。
2023-08-03 14:34:59347 路透社20日發表聲明稱,麥格納設施將支援福特生產新一代電動卡車。福特園區的一家工廠將生產提供給卡車的電池外殼,另一家工廠將生產聚氨酯泡沫和坐墊。
2023-07-21 11:35:39848 2023年7月12日,羅姆宣布將收購原Solar Frontier國富工廠(宮崎縣國富町),以擴大SiC(碳化硅)功率半導體的產能。
2023-07-13 17:42:17572 碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅材料的半導體器件,具有許多優勢和廣泛的應用前景。
2023-06-28 09:58:092317 20+場報告,涵蓋材料、封裝、應用和技術趨勢4大板塊。 當前各大車企及Tier1均已布局或采用SiC功率器件與模塊,以提高補電效率和續航里程,但同時也帶來了新的技術挑戰。如SiC器件導入如何提高效率
2023-06-27 16:06:52586 SiC(碳化硅)功率元器件領域的先進企業 ROHM Co., Ltd. (以下簡稱“羅姆”)于2023年6月19日與全球先進驅動技術和電動化解決方案大型制造商緯湃科技(以下簡稱“Vitesco
2023-06-21 08:10:02287 SiC(碳化硅)功率元器件領域的先進企業ROHM Co., Ltd. (以下簡稱“羅姆”)于2023年6月19日與全球先進驅動技術和電動化解決方案大型制造商緯湃科技(以下簡稱“Vitesco”)簽署
2023-06-20 16:14:54139 基于SiC器件的電力電子變流器研究
2023-06-20 09:36:23410 GeneSiC高速高壓SiC驅動大功率創新
2023-06-16 11:08:58
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應用領域,如電動汽車快速充電、數據中心電源、可再生能源、能源等存儲系統、工業和電網基礎設施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
SiC碳化硅器件按照電阻性能不同分為導電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅基射頻器件。其中導電型碳化硅功率器件主要用于新能源汽車、光伏發電、軌道交通、數據中心、充電等領域,而新能源汽車又是SiC碳化硅功率器件的最大應用市場,占整個SiC碳化硅功率器件市場的絕大部分。
2023-06-09 16:29:57616 SiC(碳化硅)功率器件以其耐高溫、耐高壓、低開關損耗等特性,能有效實現電力電子系統的高效率、小型化、輕量化、高功率密度等要求,受到了新能源汽車、光伏發電、軌道交通、智能電網等領域的追捧。
2023-06-09 15:20:53499 阿波羅(Apollo)是百度發布的面向汽車行業及自動駕駛領域的合作伙伴提供的軟件平臺。發布時間是2017年4月19日,旨在向汽車行業及自動駕駛領域的合作伙伴提供一個開放、完整、安全的軟件
2023-06-02 16:18:540 三菱電機和材料、網絡和激光領域的開拓者Coherent近日(2023年5月26日)宣布,雙方已簽署一份諒解備忘錄,將在擴大生產200mm SiC功率器件方面進行合作。
2023-06-02 16:03:33570 三菱電機事業本部總經理 Takemi 表示:“功率器件和高頻/光學器件都是強大的業務,許多產品組在全球市場占有率很高。我們提供實現可持續發展社會不可或缺的關鍵器件, ”同時表示,“實現碳中和的功率器件是高效功率控制和電機控制的技術進步。
2023-05-31 16:04:40733 據悉,瑞薩電子將用于處理系統的尖端邏輯半導體的生產外包給代工廠,這些系統的開發和投資成本很高。功率半導體則在內部生產,2014年關閉的甲府工廠也將于2024年上半年重新開始運營,開始生產使用硅的功率半導體。
2023-05-24 17:06:241050 Wolfspeed WolfPACK TM 是一款全 SiC 模塊,便于在單個封裝內集成電路拓撲,從而以標準尺寸為功率電路提供更高的安培容量。該模塊體積緊湊,易于安裝啟用,在相同的配置條件下,與多種
2023-05-24 11:07:00299 NASA埃姆斯研究中心時,發現這種方法能幫助解決阿波羅計劃的軌道預測問題,后來NASA在阿波羅飛船的導航系統中確實也用到了這個濾波器。最終,飛船正確駛向月球,完成了人類歷史上的第一次登月。
2023-05-18 10:24:540 這些挑戰。與硅相比,SiC器件具有更低的導通電阻和更快的開關速度,并且能夠在更高的結溫下耐受更大的電壓和電流。這些特性結合其更小的尺寸以及更高的效率,提高了功率密度,這使SiC成為了許多重要EV應用中的關鍵技術。據我們估計
2023-05-11 20:16:34224 使用STM32F429阿波羅開發板,在env中把控制臺配置成uart2,為什么不能用?
2023-04-27 10:39:20
碳化硅(SiC)器件是一種新興的技術,具有傳統硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙,允許更高的電壓阻斷,并使其適用于高功率和高電壓應用。此外,SiC還具有比Si更低的熱阻,這意味著它可以更有效地散熱,具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469 標準的產品,并與具有高技術標準和高品質要求的供應商合作。在這過程中,ROHM作為ApexMicrotechnology的SiC功率元器件供應商脫穎而出。ROHM的服務和技術支持都非常出色,使得我們能夠
2023-03-29 15:06:13
阿波羅STM32F429 DEVB_121X160MM 6~24V
2023-03-28 13:06:25
阿波羅STM32F429核心板 DEVB_65X45MM 5V
2023-03-28 13:06:25
阿波羅STM32F767核心板 DEVB_65X45MM 5V
2023-03-28 13:06:25
阿波羅STM32F767 DEVB_121X160MM 6~24V
2023-03-28 13:06:24
阿波羅STM32H743 DEVB_121X160MM 6~24V
2023-03-28 13:06:24
阿波羅STM32H743核心板 DEVB_65X45MM 5V
2023-03-28 13:06:23
ATK-阿波羅STM32H743核心板 DEVB_65X45MM 5V
2023-03-28 13:05:54
尺寸:121mm*160mm,工作電壓:USB 供電/DC6~24V 供電,工作電流:75~175mA@5V(不帶任何其他外設),工作溫度: -20℃~+70℃
2023-03-28 13:02:27
全球SiC器件產能到2027年將增長兩倍,排名前五的公司是:ST、英飛凌、Wolfspeed、onsemi和ROHM。Yole Intelligence的分析師預測,未來五年SiC器件市場價值將達到60億美元,并可能在2030年代初達到100億美元。
2023-03-27 11:10:00555
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