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碳化硅技術(shù)評估平臺

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本推文主要介碳化硅器件,想要入門碳化硅器件的同學(xué)可以學(xué)習(xí)了解。
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2020-09-24 16:22:14

碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點

PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱停哂械偷膶?dǎo)通損耗。  但硅肖特基二極管也有兩個缺點,一是反向耐壓VR較低,一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。  二、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03

碳化硅MOSFET開關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了

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碳化硅SiC技術(shù)導(dǎo)入應(yīng)用的最大痛點

更新?lián)Q代,SiC并不例外  新一代半導(dǎo)體開關(guān)技術(shù)出現(xiàn)得越來越快。下一代寬帶隙技術(shù)仍處于初級階段,有望進一步改善許多應(yīng)用領(lǐng)域的效率、尺寸和成本。雖然,隨著碳化硅技術(shù)的進步,未來還將面臨挑戰(zhàn),例如,晶圓
2023-02-27 14:28:47

碳化硅二極管選型表

應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請咨詢我司人員!附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購!碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23

碳化硅半導(dǎo)體器件有哪些?

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2020-06-28 17:30:27

碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49

碳化硅器件是如何組成逆變器的?

進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
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碳化硅器件的特點是什么

今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
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碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

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碳化硅基板——汽車電子發(fā)展新動力

精細(xì)化,集成化方向發(fā)展。  在新技術(shù)驅(qū)動下,汽車電子行業(yè)迎來新一輪技術(shù)革命,行業(yè)整體升級。在汽車大量電子化的帶動之下,車用電路板也會向上成長。車用電路板穩(wěn)定訂單和高毛利率的特點吸引諸多碳化硅基板從業(yè)者
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碳化硅深層的特性

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2019-07-04 04:20:22

碳化硅的歷史與應(yīng)用介紹

硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過,自1893 年以來,粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52

碳化硅的應(yīng)用

碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39

碳化硅肖特基二極管技術(shù)演進解析

碳化硅肖特基二極管主要特點及產(chǎn)品系列  基本半導(dǎo)體B1D系列碳化硅肖特基二極管主要技術(shù)參數(shù)如下:  650V、1200V系列B1D碳化硅肖特基二極管電流范圍從2-40A,封裝涵蓋TO-220,TO-252,TO-263,TO-247及其家族群封裝,產(chǎn)品列表見下:原作者:基本半導(dǎo)體
2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

  碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(49W/mK)使功率半導(dǎo)體器件效率更高,運行速度更快
2023-02-28 16:34:16

碳化硅陶瓷線路板,半導(dǎo)體功率器件的好幫手

二十世紀(jì)五十年代后半期,才被納入到固體器件的研究中來。二十世紀(jì)九十年代,碳化硅技術(shù)才真正意義上得到了迅速發(fā)展。SiC材料與目前應(yīng)該廣泛的Si材料相比,較高的熱導(dǎo)率決定了其高電流密度的特性,較高的禁帶寬
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CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片

哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片有幾款,型號是什么
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TGF2023-2-10碳化硅晶體管

TGF2023-2-10碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2023-2-10報價TGF2023-2-10代理TGF2023-2-10咨詢熱線TGF2023-2-10現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠
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TO-247封裝碳化硅MOSFET引入輔助源極管腳的必要性

通損耗一直是功率半導(dǎo)體行業(yè)的不懈追求。  相較于傳統(tǒng)的硅MOSFET和硅IGBT 產(chǎn)品,基于寬禁帶碳化硅材料設(shè)計的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導(dǎo)通電阻低,開關(guān)損耗小的特點,可降低器件損耗、減小
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【羅姆BD7682FJ-EVK-402試用體驗連載】基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅(qū)動技術(shù)研究

項目名稱:基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅(qū)動技術(shù)研究試用計劃:申請理由:碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料,近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統(tǒng)的性能
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什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
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傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

應(yīng)用領(lǐng)域,SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11

創(chuàng)能動力推出碳化硅二極管ACD06PS065G

電機驅(qū)動。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、電焊機、電力機車、遠(yuǎn)距離輸電、服務(wù)器、家電、電動汽車、充電樁等用途。創(chuàng)能動力于2015年在國內(nèi)開發(fā)出6英寸SiC制造技術(shù),2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51

功率模塊中的完整碳化硅性能怎么樣?

  本文重點介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能,特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無基板模塊。  分立器件(如 TO-247)是將碳化硅集成到各種應(yīng)用中的第一步,但對于更強大和更
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嘉和半導(dǎo)體(GaN)氮化鎵&碳化硅元器件

附件:嘉和半導(dǎo)體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
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國產(chǎn)碳化硅MOS基于車載OBC與充電樁新技術(shù)

國產(chǎn)碳化硅MOS基于車載OBC與充電樁新技術(shù):1 車載電源OBC與最新發(fā)展2 雙向OBC關(guān)鍵技術(shù)3 11kW全SiC雙向OBC電路4 OBC與車載DC/DC集成二合一5 車載DC/DC轉(zhuǎn)換電源電路比較6 充電樁電源電路
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圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件的應(yīng)用

的混合碳化硅分立器件(Hybrid SiC Discrete Devices)將新型場截止IGBT技術(shù)碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合,為硬開關(guān)拓?fù)浯蛟炝艘粋€兼顧品質(zhì)和性價比的完美方案。  該器件將傳統(tǒng)
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在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢

技術(shù)需求的雙重作用,導(dǎo)致了對于可用于構(gòu)建更高效和更緊湊電源解決方案的半導(dǎo)體產(chǎn)品擁有巨大的需求。這個需求寬帶隙(WBG)技術(shù)器件應(yīng)運而生,如碳化硅場效應(yīng)管(SiC MOSFET) 。它們能夠提供設(shè)計人
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基于碳化硅MOSFET的20KW高效LLC諧振隔離DC/DC變換器方案研究

本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實現(xiàn)了高頻LLC諧振全橋隔離變換器,如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開關(guān)及低損耗等
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基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管性能詳解

  導(dǎo) 讀  追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競爭力,基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管,這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35

如何用碳化硅(SiC)MOSFET設(shè)計一個高性能門極驅(qū)動電路

對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用,碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。
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如何用碳化硅MOSFET設(shè)計一個雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器?

碳化硅MOSFET設(shè)計一個雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40

應(yīng)用于新能源汽車的碳化硅半橋MOSFET模塊

  采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列  產(chǎn)品型號  BMF600R12MCC4  BMF400R12MCC4  汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
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歸納碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)

摘要: 碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導(dǎo)通電阻低,開關(guān)速度快等優(yōu)點。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢性能則給封裝技術(shù)帶來了新的挑戰(zhàn)
2023-02-22 16:06:08

新型電子封裝熱管理材料鋁碳化硅

新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題,解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題,如果你有類似的困惑,歡迎前來探討,鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導(dǎo)熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41

淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動的區(qū)別

  硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動兩者電氣參數(shù)特性差別較大,碳化硅MOSFET對于驅(qū)動的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件,主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個方面,具體如下
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電動汽車的全新碳化硅功率模塊

面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能,特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中,它可提高逆變器的效率,從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
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被稱為第三代半導(dǎo)體材料的碳化硅有著哪些特點

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2023-02-20 15:15:50

請教碳化硅刻蝕工藝

最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50

降低碳化硅牽引逆變器的功率損耗和散熱

使用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進步,碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 能夠以比 IGBT 更高的頻率進行開關(guān),通過降低電阻和開關(guān)損耗來提高效率
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107 應(yīng)用如此廣泛的碳化硅廠商名單來咯!應(yīng)用如此廣泛的碳化硅廠商名單來咯!

元器件碳化硅
車同軌,書同文,行同倫發(fā)布于 2022-08-04 15:48:57

碳化硅基礎(chǔ)知識

碳化硅基礎(chǔ)知識 黑碳化硅是以石英砂,石油焦為主要原料,通過電阻爐高溫冶煉而成 黑碳化硅是以石英砂,石油焦為主要原料,通過電阻
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碳化硅(SiC)基地知識

碳化硅(SiC)基地知識 碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料
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AMEYA360:八英寸碳化硅成中外廠商必爭之地!#碳化硅

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詳解碳化硅材料的作用和發(fā)展

代C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中,碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟的一種,可以稱為金鋼砂或耐火砂。 目前中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種,均為六方晶體,比重為3.20~3.25,顯微硬度為2840~3320kg/mm2。 人類1905年 第一次在隕
2018-01-03 09:48:4819904

盤點國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè) 碳化硅上市公司龍頭企業(yè)分析

碳化硅概念股有哪些?碳化硅國內(nèi)企業(yè)有哪些?國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)盤點分析:英飛凌以1.39億美元收購初創(chuàng)企業(yè)Siltectra,獲得后者創(chuàng)新技術(shù)ColdSpilt以用于碳化硅晶圓的切割上,進一步加碼
2018-12-06 16:08:00138135

碳化硅材料技術(shù)對器件可靠性有哪些影響

前言 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關(guān)鍵的四個環(huán)節(jié),襯底成本占到
2021-08-16 10:46:405266

國內(nèi)碳化硅“先鋒”,基本半導(dǎo)體的碳化硅新布局有哪些?

基本半導(dǎo)體是國內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè),率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件,為業(yè)界熟知,并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動
2021-11-29 14:54:087839

從硅到碳化硅(SiC) 有哪些好處和應(yīng)用?

碳化硅 (SiC) 具有提高電動汽車整體系統(tǒng)效率的潛力。在太陽能行業(yè),碳化硅逆變器優(yōu)化在成本節(jié)約方面也發(fā)揮著很大的作用。在這個與俄亥俄州立大學(xué)電氣與計算機工程系 IEEE 院士教授 Anant
2022-08-03 17:07:351383

碳化硅龍頭擴產(chǎn)忙

億美元的新工廠。隨著新能源汽車的加速滲透,碳化硅技術(shù)的重要性愈發(fā)凸顯。安森美、Wolfspeed、意法半導(dǎo)體等碳化硅領(lǐng)域主導(dǎo)企業(yè),均發(fā)表了對行業(yè)發(fā)展的積極展望,并計劃投資擴大產(chǎn)能。碳化硅大廠間的新一輪卡位之戰(zhàn)正在展開。 激進的擴產(chǎn)步伐 作為碳化
2022-10-08 17:02:25872

碳化硅功率器件技術(shù)可靠性!

前言:碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關(guān)鍵的四個環(huán)節(jié),襯底成本占到
2023-01-05 11:23:191191

碳化硅原理是什么

,莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中,碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟的一種,可以稱為金鋼砂或耐火砂。 中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種,均為六方晶體,比重為3.20~3.25,顯微硬度為2840~3320kg/mm。 碳化硅也可以通過使
2023-02-02 14:50:021979

碳化硅技術(shù)龍頭企業(yè)

碳化硅技術(shù)龍頭企業(yè) 碳化硅市場格局 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為SiC襯底、EPI外延片、器件、模組等環(huán)節(jié),目前全球碳化硅市場基本被國外壟斷,根據(jù)Yole數(shù)據(jù)顯示,Cree、英飛凌、羅姆約占據(jù)了90%的SiC
2023-02-02 15:02:543931

汽車碳化硅技術(shù)原理圖

汽車碳化硅技術(shù)原理圖 相比硅基功率半導(dǎo)體,碳化硅功率半導(dǎo)體在開關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢,隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后,更多的企業(yè)也開始落地碳化硅產(chǎn)品。 功率半導(dǎo)體碳化硅
2023-02-02 15:10:00467

特斯拉碳化硅技術(shù)怎么樣?特斯拉碳化硅技術(shù)成熟嗎?

特斯拉碳化硅技術(shù)怎么樣?特斯拉碳化硅技術(shù)成熟嗎? 大家都知道碳化硅具有高功率、耐高壓、耐高溫等優(yōu)點,碳化硅技術(shù)能夠幫助電動汽車實現(xiàn)快速充電,增加續(xù)航;這個特性使得眾多的車企把目光投注過來。 我們
2023-02-02 17:39:092602

碳化硅原理用途及作用

碳化硅的電阻率。碳化硅的電阻率隨溫度的變化而改變,但在一定的溫度范圍內(nèi)與金屬的電阻溫度特性相反。碳化硅的電阻率與溫度的關(guān)系更為復(fù)雜。碳化硅的導(dǎo)電率隨溫度升高到一定值時出現(xiàn)峰值,繼續(xù)升高溫度,導(dǎo)電率又會下降。
2023-02-03 09:31:234409

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風(fēng)口,也是一個很大的挑戰(zhàn),那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么?碳化硅技術(shù)
2023-02-03 15:25:163637

碳化硅技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)_碳化硅工藝

技術(shù)耐火原料中,碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟的一種,可以稱為金鋼砂或耐火砂。中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種,均為六方晶體,比重為3.20~3.25。
2023-02-03 16:11:352997

碳化硅二極管的應(yīng)用

技術(shù)耐火原料中,碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟的一種,可以稱為金鋼砂或耐火砂。 碳化硅基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性,可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限,成為新能源及電力電子的首選器件。 碳
2023-02-05 16:34:591313

碳化硅主要的四大應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅主要有四大應(yīng)用:功能陶瓷、高級耐火材料、磨料及冶金原料。碳化硅粗料已能大量供應(yīng),不能算高新技術(shù)產(chǎn)品,而技術(shù)含量極高的納米級碳化硅粉體的應(yīng)用短時間不可能形成規(guī)模經(jīng)濟。
2023-02-09 18:09:113370

淺談碳化硅的應(yīng)用

遷移率和體積小等特點,因此碳化硅能夠應(yīng)用于許多領(lǐng)域。 在儲能領(lǐng)域,碳化硅的應(yīng)用已經(jīng)非常非常多了。 在經(jīng)典的儲能系統(tǒng)中包含了電源、DC/DC轉(zhuǎn)換器、電池充電機以及把能量輸送到家庭端或輸送回電網(wǎng)的逆變器,碳化硅技術(shù)在這種配置
2023-02-12 15:12:32933

功率半導(dǎo)體碳化硅(SiC)技術(shù)

,同時降低其尺寸、重量和成本。但碳化硅溶液并不是硅的替代品,它們也并非都是一樣的。為了實現(xiàn)碳化硅技術(shù)的承諾,開發(fā)人員必須仔細(xì)評估基于質(zhì)量、供應(yīng)和支持的產(chǎn)品和供應(yīng)商選項,并且他們必須了解如何優(yōu)化將這些破
2023-02-15 16:03:448

汽車碳化硅技術(shù)的性能和優(yōu)缺點

  汽車碳化硅技術(shù)是一種利用碳化硅材料制造出的汽車零部件,它具有較高的強度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。碳化硅材料是由碳原子和硅原子組成的復(fù)合材料,具有良好的機械性能和耐熱性。碳化硅技術(shù)的原理是,將碳原子和硅原子結(jié)合在一起,形成一種新的復(fù)合材料,具有良好的機械性能和耐熱性。
2023-02-15 14:21:061452

電機碳化硅技術(shù)的作用與特點

  電機碳化硅技術(shù)是一種利用碳化硅材料制作電機的技術(shù),它是利用碳化硅材料的特性,如高熱導(dǎo)率、高電阻率、低摩擦系數(shù)等,來提高電機的效率、耐久性和可靠性,從而降低電機的成本。
2023-02-16 17:54:004554

汽車碳化硅技術(shù)原理 技術(shù)指標(biāo)有哪些

  汽車碳化硅技術(shù)是一種利用碳化硅材料制作汽車零部件的技術(shù),它可以提高汽車零部件的性能,提高汽車的效率、耐久性和可靠性,并且可以降低汽車的成本。
2023-02-16 18:21:03496

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹

我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成為粉末,碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠;碳化硅
2023-02-21 10:04:111693

碳化硅與工業(yè)應(yīng)用的未來

首先,讓我們簡要介紹一下碳化硅到底是什么,以及它與傳統(tǒng)硅的一些不同之處。關(guān)于SiC的一個有趣的事實是,碳化硅碳化物成分不是天然存在的物質(zhì)。事實上,碳化物最初是從隕石的碎片中發(fā)現(xiàn)的。其獨特的性能非常有前途,以至于今天,我們合成了用于碳化硅功率產(chǎn)品的硬質(zhì)合金。
2023-05-20 17:00:09614

碳化硅功率模組有哪些

碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業(yè)讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場,以及未來的發(fā)展趨勢,感謝各位
2023-05-31 09:43:20390

碳化硅二極管是什么

碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性,因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應(yīng)速度快等特點,廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域,如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32747

碳化硅MOSFET什么意思

碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180

6.5 總結(jié)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.5總結(jié)第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.4.2.2n型SiC
2022-01-27 09:16:44861

6.3.2 氧化硅的介電性能∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.3.2氧化硅的介電性能6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.3.1氧化速率∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件
2022-01-04 14:11:56775

6.1.4 半絕緣區(qū)域的離子注入∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.1.4半絕緣區(qū)域的離子注入6.1離子注入第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.1.3p型區(qū)的離子注入∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件
2022-01-06 09:23:25400

6.1.1 選擇性摻雜技術(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.1.2n型區(qū)的離子注入6.1離子注入第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.1.1選擇性摻雜技術(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件
2022-01-06 09:17:33617

6.4.2.2 n型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技術(shù)
2022-01-25 09:18:08743

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)勢和應(yīng)用

碳化硅,也稱為SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅存在許多品種和純度,但半導(dǎo)體級質(zhì)量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451093

國內(nèi)碳化硅襯底生產(chǎn)企業(yè)盤點

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中,碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價值量最大的環(huán)節(jié),是未來碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進的核心環(huán)節(jié)。 碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長晶、切片、研磨和拋光四個環(huán)節(jié)。
2023-10-27 09:35:57930

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)點和應(yīng)用

碳化硅,又稱SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導(dǎo)體級質(zhì)量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438

碳化硅和氮化鎵哪個好

碳化硅和氮化鎵的區(qū)別? 碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是兩種常見的寬禁帶半導(dǎo)體材料,在電子、光電和功率電子等領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景。雖然它們都是寬禁帶半導(dǎo)體材料,但是碳化硅和氮化鎵在物理性質(zhì)
2023-12-08 11:28:51740

碳化硅的5大優(yōu)勢

碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 09:47:33456

碳化硅在溫度傳感器中的應(yīng)用

碳化硅在溫度傳感器中的應(yīng)用? 碳化硅 (SiC) 是一種廣泛應(yīng)用于溫度傳感器中的材料。由于其出色的耐高溫和抗腐蝕能力,碳化硅成為了各種工業(yè)和高溫環(huán)境下的溫度測量領(lǐng)域中的首選材料。在本文中,我們將討論
2023-12-19 11:48:30207

碳化硅功率器件簡介、優(yōu)勢和應(yīng)用

碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點,因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379

碳化硅特色工藝模塊簡介

碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點。由于這些優(yōu)異的性能,碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。然而,由于碳化硅
2024-01-11 17:33:14292

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