作者：Carolyn Mathas，特約作家

今天的分立元件速度更快、體積更小，而且效率大大提高。它們用于最常見的應用程序，還在產品周期短的手持設備、汽車應用程序和新興的物聯網 (IoT) 應用程序中迅速增加，而這些應用程序在幾年前還不存在。這里有八個分立元件，旨在解決這些高增長的行業領域。

ROHM R60xxJNx 系列 600-V 超級結 MOSFETROHM 最近宣布推出 30 款新的R60xxJNx 系列超級結 MOSFET，擴展了 ROHM 的PrestoMOS 系列。MOSFET 為設計人員提供靈活性和業界最快的反向恢復時間 (trr)，針對電動汽車 (EV) 充電站、風能和太陽能、節能汽車、云計算數據中心和電機驅動輸入進行了優化。家電應用。

ROHM 600-V MOSFET 提供故障預防功能以及業界最快的反向恢復時間。

鑒于該系列的超快恢復時間，ROHM 聲稱與絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 實施方案相比，功率損耗降低了約 58%。R60xxJNx系列提高了開啟 MOSFET 所需的參考電壓，這對于防止自開啟（一種常見的損耗原因）很重要。新系列還將超級結 MOSFET 特有的軟恢復指數提高了 30%，這對于降低引起故障的噪聲非常重要。

帶有反并聯二極管的英飛凌 650-V IGBT英飛凌的IKP28N65ES5 TRENCHSTOP 5高速軟開關 IGBT 采用全額定電流 RAPID 1 快速軟反并聯二極管封裝。IKP28N65ES5 設計用于工業加熱和焊接、太陽能系統、不間斷電源和快速 EV 充電等應用，其中控制 EMI 噪聲至關重要。

英飛凌采用小尺寸 TO-220 封裝，聲稱它在 10 kHz 和 40 kHz 之間切換的應用中提供了最高的功率密度，從而提供了高效率和更快的上市時間。

設計人員可以降低電路設計的復雜性、降低材料清單成本并消除柵極鉗位元件。而且，使用IKP28N65ES5，不存在不必要的設備開啟風險。 ?其他特性包括25°C 時 1.5 V 的極低 V CEsat 、4× I c ?脈沖電流 (100°CT c )、175°C 的最高結溫以及符合 JEDEC 標準。

英飛凌還提供 650-V TRENCHSTOP IGBT6 器件，開關頻率介于 5 kHz 和 30 kHz 之間。

STMicroelectronics 40-A STGWA40HP65FB2 650-V 高頻 IGBTSTMicroelectronics 選擇了新的 650-V HB2 系列中的第一款器件來提高速度。40-A STGWA40HP65FB2中 高速 IGBT 可減少柵極電荷，在較低柵極電流的情況下轉換為更快的開關。IGBT 采用溝槽場終止 (TFS) 技術設計，適用于功率因數校正 (PFC)、汽車、焊接、太陽能逆變器和不間斷電源等應用。

該器件具有一個保護二極管，并針對 16 至 60 kHz 的開關頻率進行了優化，并符合汽車 AEC-Q101 Rev. D 標準。特性還包括最小化尾電流、低熱阻和正 V CEsat ?溫度系數。

HB2 系列出色的熱性能最大限度地提高了可靠性和功率密度。

STMicroelectronics 聲稱 STGWA40HP65FB2 在 TO-220 封裝中提供了最高的功率密度。它消除了對柵極鉗位元件的需求，并提供了良好的 EMI 性能。

提供采用 TO-247 長引線封裝的 40A 版本，具有三個二極管選項，該公司表示目前正在開發從 15A 到 100A 的完整產品系列。

Microchip SiC 700-V MOSFET 和 1,200-V 肖特基勢壘二極管碳化硅 (SiC) MOSFET 可阻擋大約 10 倍以上的電壓，提高系統效率，并產生比硅器件更高的功率密度。Microchip 剛剛擴展了其 SiC 器件，包括700-V SiC MOSFET 以及 700-V 和 1,200-V SiC 肖特基勢壘二極管 (SBD)。新增產品專為電動汽車系統等大功率應用而設計，包括車載充電器和外部充電站、DC/DC 轉換器和動力系統/牽引力控制。

Microchip SiC 測試證明了堅固性、可靠性和高性能。

據 Microchip 稱，新的 SiC MOSFET 和 SBD 在更高頻率下產生更好的開關效率。在非鉗位感應開關 (UIS) 耐用性測試中，SBD 的耐用性和可靠性被證明可提供比其他 SiC 二極管高 20% 的性能。如果電壓尖峰超過擊穿電壓，這些測試會測量退化和過早失效。Microchip 聲稱，其 SiC MOSFET 在這些測試中的表現也優于其他替代品，即使經過 100,000 次重復 UIS 測試，也能提供出色的柵極氧化物屏蔽和通道完整性，并且壽命幾乎沒有下降。

Microchip 通過全面的開發服務、工具和參考設計來支持這些產品線，幫助設計人員有效地執行他們的開發程序。

Diodes DXTN07x 雙極結型晶體管 Diodes, Inc. 的新型NPN 和 PNP DXTN07x 雙極結型晶體管 (BJT)系列尺寸為 3.3 × 3.3 × 0.8 mm， 可能很小，但可為需要高達100 V 和 3 A。

如果尺寸是主要考慮因素，PowerDI3333表面貼裝封裝占用的 PCB 空間比傳統小外形晶體管 (SOT223) 少 70%，并通過可潤濕側面提高 PCB 吞吐量，以實現焊點的高速自動光學檢測 (AOI) .

NPN 和 PNP 晶體管設計用于執行線性或 LDO 調節、MOSFET 或 IGBT 的柵極驅動以及用于各種工業和消費類應用的負載開關。

該系列器件的總功耗為 2 W，額定溫度為 175°C，可用于高溫環境。

Vishay FRED Pt Gen 5 1,200-V Hyperfast 和 Ultrafast 整流器針對 EV/HEV 電池充電站、太陽能逆變器的升壓級和 UPS 應用等應用，Vishay 聲稱其FRED Pt Gen 5 1,200-V Hyperfast 和 Ultrafast 整流器系列適用于軟開關和諧振的高頻轉換器。Vishay 設計的整流器可降低與 MOSFET 和高速 IGBT 一起使用的傳導和開關損耗。

總共六個 Hyperfast 和 Ultrafast 整流器組成了最近的系列產品。與其他硅解決方案相比，整流器的損耗降低了 10%，縮小了 SiC 二極管的性能優勢，并為 50kHz 范圍內的應用提供了具有成本效益的選擇。

新的 30-A 和 60-A 整流器均采用 TO-247L 封裝以及 X-type Hyperfast 和 H-type Ultrafast 速度等級。X 型整流器提供較低的恢復電荷 (Q RR )，而 H 型器件具有較低的正向電壓 (V F )。還有一個用于 30-A 設備的 TO-220AC 選項。

安森美半導體 NTHL080N120SC1 和 NVHL080N120SC1 SiC MOSFET安森美半導體將兩款 SiC MOSFET 器件推向市場，一款工業級NTHL080N120SC1和一款符合 AEC-Q101 標準的汽車級NVHL080N120SC1。這兩款堅固耐用的 1,200-V、80-mΩ SiC MOSFET 均旨在滿足汽車 DC/DC 和車載充電器應用固有的高頻設計要求，適用于電動汽車、太陽能以及數據中心的不間斷電源和服務器電源。

安森美半導體 SiC MOSFET 結合了高頻優勢和減少的熱管理。

如果您的設備需要小尺寸，這些設備專為空間限制通常會轉化為更大熱挑戰的應用而設計。兩者都提供高功率密度、高效運行和更少的熱管理，并且 SiC MOSFET 在其專利端接結構方面是獨一無二的，可提高可靠性、堅固性和增強的運行穩定性。

其他關鍵特性包括一流的低漏電流、具有低反向恢復電荷的快速本征二極管、更高的功率密度、快速開啟和關閉以及降低的 EMI。

Alpha and Omega Semiconductor AOZ8661BDT-05 瞬態電壓抑制器 Alpha and Omega Semiconductor Ltd.為降低非常常見的靜電放電 (ESD) 故障率而推出了其AOZ8661BDT-05瞬態電壓抑制器 (TVS)。該解決方案為筆記本電腦和移動設備等 USB Type-C 應用提供高速線路保護。該公司聲稱其新的超低電容 TVS 平臺在鉗位電壓乘以電容方面提供了更好的品質因數 (FOM)。

TVS 具有 0.15 pF 的電容，并針對需要為 USB3.1 Gen2、USB3.2 和 Thunderbolt 3.0 提供高速線路保護的設計人員進行了優化。它采用 0.6 × 0.3-mm 無引線表面貼裝器件，適合滿足 USB Type-C 連接器的小尺寸要求。

審核編輯 黃昊宇