據日本研究人員報告，通過減少碳污染來避免碳污染源導致的“遷移率崩潰”，氮化鎵（GaN）的電子遷移率性能創下新高 。
2024-03-13 10:51:34
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CREE的CMPA1D1E025F是款碳化硅單晶上根據氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)；選用 0.25 μm 柵極尺寸制作工藝。與硅相比較
2024-02-27 14:09:50
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
Wolfspeed原Cree 的 CGH40045F 是一款45 W、DC - 4 GHz 氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。 CGH40045 采用 28 伏電源軌運行，為各種
2024-01-03 12:33:26
CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。具備前所未有的輸入，能夠在DC-2.0GHz范圍之內提供最好的的瞬時寬帶性能。與硅或砷化鎵相比較，CGHV40180具有更加優異
2024-01-02 12:05:47
FHX06X型號簡介Sumitomo的FHX04X、FHX05X和FHX06X是一種高電子遷移率晶體管（HEMT）用于通用、低噪聲和高增益放大器在2到18GHz的頻率范圍內。這些設備非常適合電信
2023-12-15 10:12:14
FHX05X型號簡介Sumitomo的FHX04X、FHX05X和FHX06X是一種高電子遷移率晶體管（HEMT）用于通用、低噪聲和高增益放大器在2到18GHz的頻率范圍內。這些設備非常適合電信
2023-12-15 10:06:46
FHX04X型號簡介Sumitomo的FHX04X、FHX05X和FHX06X是一種高電子遷移率晶體管（HEMT）用于通用、低噪聲和高增益放大器在2到18GHz的頻率范圍內。這些設備非常適合電信
2023-12-15 10:01:25
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管(HEMT)與其他技術相比，CGHV96130F內部適應(IM)FET具有出色的功率附加效率。與砷化鎵相比
2023-12-13 10:10:57
,高電子遷移率晶體管 CMPA0527005F，CREE/科銳CMPA0527005F是封裝的氮化鎵（GaN）高電子基于遷移率晶體管（HEMT
2023-10-17 16:12:54
氮化鎵（GaN）- 寬帶隙（WBG）材料? GaN HEMT-高電子遷移率晶體管，代表著電力電子技術的重大進步? 用于更高的工作頻率? 提高效率? 與硅基晶體管相比，功率密度更高
2023-09-07 07:43:51
CGH40010FCGH40010F 是 Wolfspeed（CREE） 開發的一款無與倫比的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。適用于A類、AB類和線性放大器，能處理多種波形
2023-08-26 15:40:57
2000 年代初就已開始，但 GaN 晶體管仍處于起步階段。 毫無疑問，它們將在未來十年內取代功率應用中的硅晶體管，但距離用于數據處理應用還很遠。
Keep Tops氮化鎵有什么好處？
氮化鎵的出現
2023-08-21 17:06:18
200-W；4400 - 5000 MHz；50 歐姆輸入/輸出匹配；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV50200F 是一款專為高效率設計的氮化鎵 (GaN) 高
2023-08-09 09:20:19
200-W；4400 - 5000 MHz；50 歐姆輸入/輸出匹配；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV50200F 是一款專為高效率設計的氮化鎵 (GaN) 高
2023-08-09 09:18:23
50-W；7.9 – 9.6 GHz；50歐姆；輸入/輸出匹配 GaN HEMTWolfspeed 的 CGHV96050F1 是碳化硅 (SiC) 基板上的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-08 17:42:05
50-W；7.9 – 9.6 GHz；50歐姆；輸入/輸出匹配 GaN HEMTWolfspeed 的 CGHV96050F1 是碳化硅 (SiC) 基板上的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-08 17:40:24
) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶能力；這使得 CGH31240F 非常適合 2.7 –3.1-GHz；S波段；雷達放大器應用。該晶體管采用陶瓷/金
2023-08-07 17:06:35
電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶能力；這使得 CGH35240 非常適合 3.1 – 3.5-GHz；S波段；雷達放大器應用。該晶體管采用陶瓷/金屬法
2023-08-07 17:01:21
電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶能力；這使得 CGH35240 非常適合 3.1 – 3.5-GHz；S波段；雷達放大器應用。該晶體管采用陶瓷/金屬法
2023-08-07 16:58:15
10瓦；C波段；無與倫比；氮化鎵高電子遷移率晶體管Wolfspeed 的 CGH55015F2/CGH55015P2 是一款專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-07 15:16:09
10瓦；C波段；無與倫比；氮化鎵高電子遷移率晶體管Wolfspeed 的 CGH55015F2/CGH55015P2 是一款專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-07 15:14:06
10瓦；C波段；無與倫比；氮化鎵高電子遷移率晶體管Wolfspeed 的 CGH55015F2/CGH55015P2 是一款專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-07 15:11:49
6W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40006 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40006；采用 28 伏電源
2023-08-07 15:02:04
180-W；直流 - 2 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有無與倫比的輸入
2023-08-07 14:09:28
180-W；直流 - 2 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有無與倫比的輸入
2023-08-07 14:07:15
180-W；直流 - 2 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有
2023-08-07 14:04:59
100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 13:52:20
100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 13:50:28
100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 13:48:33
100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 13:46:18
70-W；0.5-3.0GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CG2H30070F 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有輸入匹配功能，可在
2023-08-07 13:43:34
70-W；0.5-3.0GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CG2H30070F 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有輸入匹配功能，可在
2023-08-07 13:41:27
50-W；直流 – 4.0 GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管Wolfspeed 的 CGHV40050 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-07 11:29:17
50-W；直流 – 4.0 GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40050 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-07 11:25:21
50-W；直流 – 4.0 GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40050 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-07 11:22:14
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 CGHV27030S 是一款無與倫比的產品；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），效率高；高增益和寬帶寬能力
2023-08-07 11:13:00
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 CGHV27030S 是一款無與倫比的產品；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），效率高；高增益和寬帶寬能力
2023-08-07 11:08:31
30-W；直流 – 6GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40030 是一款無與倫比的產品；專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 10:57:26
30-W；直流 – 6GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40030 是一款無與倫比的產品；專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 10:54:44
30-W；直流 – 6GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40030 是一款無與倫比的產品；專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 10:50:07
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管CGHV27030S 是一款無與倫比的產品；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），效率高；高增益和寬帶寬能力。CGHV27030S
2023-08-07 10:45:27
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 CGHV27030S 是一款無與倫比的產品；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），效率高；高增益和寬帶寬能力
2023-08-07 10:43:16
15瓦；直流 - 6.0 GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV27015S 是一款無與倫比的產品；專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率
2023-08-07 10:21:42
25-W；直流 – 15GHz；40V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV1F025S 是無與倫比的；氮化鎵（GaN）；專為高效率而設計的高電子遷移率晶體管
2023-08-07 09:54:13
25-W；直流 – 15GHz；40V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV1F025S 是無與倫比的；氮化鎵（GaN）；專為高效率而設計的高電子遷移率晶體管
2023-08-07 09:51:08
6-W；直流 - 15.0 GHz；40V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV1F006 是一款無與倫比的產品；專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率
2023-08-07 09:46:19
6-W；直流 - 15.0 GHz；40V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV1F006 是一款無與倫比的產品；專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率
2023-08-07 09:44:15
6-W；直流 - 15.0 GHz；40V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV1F006 是一款無與倫比的產品；專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率
2023-08-07 09:41:27
) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶能力；這使得 CGH21240F 非常適合 1.8 – 2.3 GHz WCDMA 和 LTE 放大器應用。該晶體
2023-08-07 09:34:30
) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶能力；這使得 CGH21240F 非常適合 1.8 – 2.3 GHz WCDMA 和 LTE 放大器應用。該晶體
2023-08-07 09:32:17
180W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40180PP 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40180PP；采用
2023-08-07 09:29:54
180W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40180PP 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40180PP；采用
2023-08-07 09:27:38
120-W；2300 – 2700 MHz；用于 WiMAX 和 LTE 的 GaN HEMTWolfspeed 的 CGH25120F 是一款專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率
2023-08-07 09:18:04
120W 射頻功率 GaN HEMTWolfspeed 的 CGH40120 是一款無與倫比的產品；氮化鎵（GaN）；高電子遷移率晶體管（HEMT）。CGH40120；采用 28 伏電源軌運行；提供
2023-08-07 09:15:24
遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶能力；這使得 CGH09120F 非常適合 MC-GSM；WCDMA 和 LTE 放大器應用。該晶體管采用陶瓷/金屬法蘭封裝。
2023-08-07 09:13:02
遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶能力；這使得 CGH21120F 非常適合 1.8 – 2.3 GHz WCDMA 和 LTE 放大器應用。該晶體管采用陶瓷
2023-08-07 09:00:48
電動晶體管(HEMT),使Cgh21120F適合于1.8-2.3GZWCDMA和LTE放大器的應用。該晶體管以陶瓷/金屬法蘭包裝提供。 特點
2023-08-04 18:01:00
120瓦射頻功率 沃爾夫斯派特的cg40120是無與倫比的;氮化鎂;高電動晶體管(HEMT)。cgh40120;在28伏特軌道上運行;提供通用的寬帶解決方案,用于各種射頻和微波應用。甘赫姆
2023-08-04 17:39:47
120瓦射頻功率沃爾夫斯派特的cg40120是無與倫比的;氮化鎂;高電動晶體管(HEMT)。cgh40120;在28伏特軌道上運行;提供通用的寬帶解決方案,用于各種射頻和微波應用。甘赫姆茨提供高效率
2023-08-04 17:37:32
60-W; 3300 – 3600-MHz; 28-V; GaN HEMT for WiMAX 沃爾夫斯派特公司的cgh35060p1是一種專門為高效率、高增益和寬帶功能而設計的高氮化硅高
2023-08-04 17:06:29
8-W(平均);28-V;用于甚高頻至3千兆赫的線性通信的一般HEMT沃爾夫斯派特公司的Cgh27060F是一種專門為高效率、高增益和寬帶功能而設計的高氮化硅(GAN)高功率移動晶體管;它使
2023-08-04 17:01:17
45瓦射頻功率沃爾夫斯派特的cgh40045是無與倫比的,它是高電子移動晶體管(HEMT)。cgh40045;在28伏特軌道上運行;提供一般用途;為各種射頻和微波應用提供寬帶解決方案。甘赫姆茨提供
2023-08-04 16:47:22
45瓦射頻功率 沃爾夫斯派特的cgh40045是無與倫比的,它是高電子移動晶體管(HEMT)。cgh40045;在28伏特軌道上運行;提供一般用途;為各種射頻和微波應用提供寬帶解決方案。甘
2023-08-04 16:38:44
45瓦射頻功率沃爾夫斯派特的cgh40045是無與倫比的,它是高電子移動晶體管(HEMT)。cgh40045;在28伏特軌道上運行;提供一般用途;為各種射頻和微波應用提供寬帶解決方案。甘赫姆茨提供
2023-08-04 16:10:11
35-W射頻功率沃爾夫斯捷爾公司的cgh40035f是無與倫比的,它是高電勢晶體管(HEMT)。cgh40035f;在28伏特軌道上運行;提供通用;寬帶解決方案的各種射頻和微波應用。甘赫姆茨提供
2023-08-04 10:16:16
35-W射頻功率沃爾夫斯捷爾公司的cgh40035f是無與倫比的,它是高電勢晶體管(HEMT)。cgh40035f;在28伏特軌道上運行;提供通用;寬帶解決方案的各種射頻和微波應用。甘赫姆茨提供
2023-08-04 09:15:44
30-W；6.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CGH60030D 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有更優越的性能；包括
2023-08-03 17:25:43
30-W；直流 – 6.0 GHz；28V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGH27030 是一款專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-03 17:06:31
(GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶能力；這使得 CGH55030F1/CGH55030P1 非常適合 5.5 – 5.8 GHz WiM
2023-08-03 17:03:53
30-W；直流 – 6.0 GHz；28V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGH27030 是一款專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-03 16:54:07
30-W；直流 – 6.0 GHz；28V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGH27030 是一款專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-03 16:51:14
而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶能力；這使得 CGH55030F1/CGH55030P1 非常適合 5.5 – 5.8 G
2023-08-03 16:45:34
30-W；直流 – 6.0 GHz；28V；氮化鎵高電子遷移率晶體管Wolfspeed 的 CGH27030 是一款專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益
2023-08-03 16:27:54
30-W；直流 – 6.0 GHz；28V；氮化鎵高電子遷移率晶體管Wolfspeed 的 CGH27030 是一款專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益
2023-08-03 16:22:28
25W 射頻功率 GaN HEMTWolfspeed 的 CGH40025 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40025；采用 28 伏電源軌運行
2023-08-03 15:59:00
25W 射頻功率 GaN HEMTWolfspeed 的 CGH40025 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40025；采用 28 伏電源軌運行
2023-08-03 15:39:32
25W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40025 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40025；采用
2023-08-03 14:53:05
15-W；3300 – 3900 MHz；28V；用于 WiMAX 的 GaN HEMTWolfspeed 的 CGH35015 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管，專為
2023-08-03 14:17:54
15-W；6.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CGH60015D 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有更優越的性能；包括
2023-08-03 14:14:18
15-W；28V；用于 VHF 至 3 GHz 線性通信的 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH27015 是一款專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率
2023-08-03 14:10:42
15-W；28V；用于 VHF 至 3 GHz 線性通信的 GaN HEMTWolfspeed 的 CGH27015 是一款專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管；高增益和寬帶能力
2023-08-03 14:01:54
15-W；28V；用于 VHF 至 3 GHz 線性通信的 GaN HEMTWolfspeed 的 CGH27015 是一款專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管；高增益和寬帶能力
2023-08-03 13:59:06
10W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40010 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40010；采用 28 伏
2023-08-03 13:44:13
10W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40010 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40010；采用 28 伏
2023-08-03 13:39:48
10W 射頻功率 GaN HEMTWolfspeed 的 CGH40010 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40010；采用 28 伏電源軌運行
2023-08-03 12:01:16
8瓦；6.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CGH60008D 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有更優越的性能；包括更高
2023-08-03 11:36:09
6W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40006 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40006；采用 28 伏電源
2023-08-03 11:33:36
6W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40006 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40006；采用 28 伏電源
2023-08-03 11:26:41
Wolfspeed 的 CGH40006 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40006；采用 28 伏電源軌運行；提供通用用途；適用于各種射頻和微波
2023-08-03 11:23:41
Wolfspeed的CGH35060P1是款致力于高效化需求設計氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)；高增益和寬帶性能；這導致CGH35060P1特別適合3.3–3.6GHzWiMAX
2023-07-19 09:01:11125 Wolfspeed的CGH35015是款氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管，致力于802.16-2004?WiMAX穩定連接應用需求設計。GaN?HEMT具備高效率；高增益和寬帶網絡性能；從而
2023-07-06 09:12:4876 度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度，耗盡區窄短，從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。例如，一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
的是用于藍光播放器的光盤激光頭）。
在光子學之外，雖然氮化鎵晶體管在1993年就發布了相關技術，但直到2004年左右，第一個氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）才開始商用。這些晶體管通常用于需要
2023-06-15 15:50:54
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優勢，氮化鎵充電器的充電器件運行速度，比傳統硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統的硅，可以在更小的器件空間內處理更大的電場，同時提供更快的開關速度。此外，氮化鎵比硅基半導體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
摘要：柵極控制能力是決定氮化鎵高電子遷移率晶體管性能的關鍵因素。然而在金屬-氮化鎵界面，金屬和半導體的直接接觸會導致界面缺陷和固定電荷，這會降低氮化鎵高電子遷移率晶體管柵控能力。在本項研究中，二維
2023-05-25 16:11:29599 
Wolfspeed的CGH21240F是款致力于高效率設計氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)；高增益和寬帶寬性能；從而使得CGH21240F成為1.8–2.3-GHzWCDMA和LTE
2023-04-20 09:12:59144 Wolfspeed的CGH40180PP是前所未有的；氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。CGH40180PP；選用28伏電源供應；提供了一個通用型；各個射頻和微波應用網絡帶寬
2023-04-17 08:49:44206 Wolfspeed的CGH40120是前所未有的；氮化鎵(GaN)；高電子遷移率晶體管(HEMT)。CGH40120選用28伏電源供應；具備通用型；各種射頻和微波應用寬帶寬解決方案。GaNHEMT
2023-04-04 08:56:10233 Wolfspeed的CGH60120D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較，CGH60120D具備更優越使用性能；以及更高擊穿場強；更高飽和電子偏移速率；和更高
2023-03-28 08:59:39164
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