串接NPN型晶體管的情況。晶體管基極要求注入電流，產生電流的電壓必須高于（Vo+Vbe），約為（Vo+1）。若基極串接一個電阻，則電阻輸入端電壓必須高于（Vo+1）以使電流流過。而最經濟易行的方法
2024-03-06 20:49:11
BLP15H9S30GXYAmpleon 的射頻功率晶體管射頻功率晶體管，0.001 至 1.5 GHz，30 W，21 dB，50 V，SOT1483-1，LDMOS零件號：
2024-02-29 16:13:32
BLP15H9S100GZAmpleon 的射頻功率晶體管射頻功率晶體管，0.001 至 1.5 GHz，100 W，19 dB，50 V，SOT1483-1，LDMOSPart
2024-02-29 16:12:46
C4H27W400AVYAmpleon 的射頻功率晶體管射頻功率晶體管，2.3 至 2.69 GHz，400 W，15 dB，48 V，SOT1275-1
2024-02-29 14:00:41
達林頓晶體管（Darlington Transistor）也稱為達林頓對（Darlington Pair），是由兩個或更多個雙極性晶體管（或其他類似的集成電路或分立元件）組成的復合結構。通過這種結構，第一個雙極性晶體管放大的電流可以進一步被放大，從而提供比其中任意一個雙極性晶體管高得多的電流增益。
2024-02-27 15:50:53
512 
CREE的CMPA1D1E025F是款碳化硅單晶上根據氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)；選用 0.25 μm 柵極尺寸制作工藝。與硅相比較
2024-02-27 14:09:50
雙極性晶體管是利用兩種離子導電，空穴和自由電子，但是對于一個實際存在的系統，其整體上是呈現電中性的，當其中的電子或者空穴移動形成電流時，與之對應的空穴或者電子為什么不會一起隨著移動？
這個問題困擾
2024-02-21 21:39:24
晶體管偏置電阻的計算主要是為了確定適當的基極電流以確保晶體管正常工作和線性放大。
2024-02-05 15:06:28313 
晶體管的偏置是指為了使晶體管正常工作，需要給晶體管的基極或發射極加上適當的電壓，從而使晶體管的工作點處于穩定的狀態。
2024-02-05 15:00:43370 
是，最大輸出電流時產生0.2 V壓降。功率場效應管可以無需任何外接元件而直接并聯，因為其漏極電流具有負溫度系數。
1、晶體管的Vbe擴散現象是什么原理，在此基礎上為什么要加電阻？
2、場效應管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
我在切換晶體管時遇到了一個問題。我正在嘗試讓 LED 通過晶體管閃爍。當我從評估板（即 MSP-EXP430G2ET）獲取電源 （3.3V） 時，該程序有效。但是當我使用外部電源 （8.33V） 為
2024-01-22 06:00:31
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請問對于這種多發射極或多集電極的晶體管時候該如何分析？按照我的理解，在含有多發射極或多集電極的晶體管電路時，如果多發射極或多集電極的每一極分別接到獨立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半導體元件還有利用一個PN結構成的具有負阻特性的器件一單結晶體管，請問這個單結晶體管是什么？能夠實現負阻特性？
2024-01-21 13:25:27
晶體管在基極和集電極之間并聯電容有什么作用？是為了米勒電容嗎、？但是米勒電容對三極管的開通有害的時候，為什么還要并聯電容？電容不是越并越大，加大了等效米勒電容？
2024-01-19 22:39:57
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
晶體管也就是俗稱三極管，其本質是一個電流放大器，通過基射極電流控制集射極電流。
1、當基射極電流很小可以忽略不計時，此時晶體管基本沒有對基射極電流的放大作用，此時可以認為晶體管處在關斷狀態
2、當基
2024-01-18 16:34:45
對于一個含有晶體管，場效應管，運放的電路，該如何求解他的輸入電阻和輸出電阻，舉例而言，在含有晶體管的電路射極跟隨器中，求解輸出電阻時，為什么要考慮基極的電阻和偏置電路的電阻，此時不應該在基極是二極管
2024-01-10 17:17:56
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管(HEMT)與其他技術相比，CGHV96130F內部適應(IM)FET具有出色的功率附加效率。與砷化鎵相比
2023-12-13 10:10:57
晶體管作為現代電子技術的核心組件之一，尤其是雙極結型晶體管（BJT），在眾多應用中扮演著開關的重要角色。這篇文章將深入探討如何在共射極配置下使用NPN型BJT晶體管作為開關，并闡明其在切斷區和飽和區的工作原理。
2023-11-28 11:15:58337 
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
我在進行AD8138ARM的熱仿真，datasheet中只有結到環境的熱阻JA的數據，我需要結到外殼的熱阻Jc的數據，還有AD8138ARM放大器集成的晶體管數目是多少？
2023-11-21 06:54:43
如何避免晶體管損壞？ 晶體管是半導體器件的一種，應用廣泛，可以在計算機、電視、手機等各種設備中使用。晶體管工作時非常穩定，但是如果不注意使用、維護，很容易損壞。下面為您介紹幾種避免晶體管損壞的方法
2023-10-31 10:37:46382 專業圖書47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
Wolfspeed的CG2H40120是款前所未有的類產品；氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。CG2H40120選用28伏電源軌工作；具備通用型應用領域；適合各種射頻和微波應用領域
2023-08-07 17:07:10227 70-W；4500 至 5900 MHz；用于 C 波段雷達系統的內部匹配 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGHV59070 是內部匹配的；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管
2023-08-07 15:55:56
70-W；4500 至 5900 MHz；用于 C 波段雷達系統的內部匹配 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGHV59070 是內部匹配的；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管
2023-08-07 15:53:36
70-W；4500 至 5900 MHz；用于 C 波段雷達系統的內部匹配 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGHV59070 是內部匹配的；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管
2023-08-07 15:49:41
10瓦；C波段；無與倫比；氮化鎵高電子遷移率晶體管Wolfspeed 的 CGH55015F2/CGH55015P2 是一款專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-07 15:16:09
10瓦；C波段；無與倫比；氮化鎵高電子遷移率晶體管Wolfspeed 的 CGH55015F2/CGH55015P2 是一款專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-07 15:14:06
10瓦；C波段；無與倫比；氮化鎵高電子遷移率晶體管Wolfspeed 的 CGH55015F2/CGH55015P2 是一款專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-07 15:11:49
2.4 - 2.5 GHz、300W 氮化鎵晶體管 Wolfspeed 的 WST33H0NC 是一款 300W 封裝、部分匹配的晶體管，采用 Wolfspeed 的高性能、50V
2023-08-07 14:26:59
70-W；0.5-3.0GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CG2H30070F 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有輸入匹配功能，可在
2023-08-07 13:43:34
70-W；0.5-3.0GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CG2H30070F 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有輸入匹配功能，可在
2023-08-07 13:41:27
120-W；射頻功率 GaN HEMTWolfspeed 的 CG2H40120 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40120；采用 28 伏電源軌
2023-08-07 09:25:11
120-W；射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40120 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-07 09:22:52
120-W；射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40120 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40120；采用
2023-08-07 09:20:30
120-W; DC – 8000-MHz; 28 V; GaN HEMT Die 沃爾夫斯派特的cg2h80120d是一種氦氮化鈉(GAN)高電動晶體管(HEMT)。甘油酯的性能優于硅或
2023-08-04 17:25:02
60-W; 8.0-GHz; GaN HEMT Die沃爾夫斯派特公司的cg2h80060d是一種氦氮化鎂(GAN)高電動晶體管(HEMT)。甘油酯的性能優于硅或氟化鋇,包括較高的擊穿電壓、較高
2023-08-04 16:58:59
CG2H80045D 沃爾夫斯派特的CG2H80045D是一種氮化鋇(GAN)高電子移動晶體管(HEMT)。甘油酯的性能優于硅或氟化鋇,包括較高的擊穿電壓、較高的飽和電子漂移速度和較高
2023-08-04 16:43:55
45瓦射頻功率 沃爾夫斯派特公司的cg2h40045是無與倫比的,它是高電子移動晶體管(HEMT)。cg2h40045;在28伏軌道上運行;提供一般用途;為各種射頻和微波應用提供寬帶
2023-08-04 16:41:15
45瓦射頻功率 沃爾夫斯派特公司的cg2h40045是無與倫比的,它是高電子移動晶體管(HEMT)。cg2h40045;在28伏軌道上運行;提供一般用途;為各種射頻和微波應用提供寬帶
2023-08-04 16:29:07
45瓦射頻功率 沃爾夫斯派特公司的cg2h40045是無與倫比的,它是高電子移動晶體管(HEMT)。cg2h40045;在28伏軌道上運行;提供一般用途;為各種射頻和微波應用提供寬帶
2023-08-04 16:17:49
35-W射頻功率 沃爾夫斯派特的cg2h40035是無與倫比的;氮化鋇(GAN)高電子移動晶體管(HEMT)。cg2h40035;在28伏軌道上運行;提供一般用途;為各種射頻和微波應用提供
2023-08-04 15:56:50
35-W射頻功率 沃爾夫斯派特的cg2h40035是無與倫比的;氮化鋇(GAN)高電子移動晶體管(HEMT)。cg2h40035;在28伏軌道上運行;提供一般用途;為各種射頻
2023-08-04 15:49:22
35-W射頻功率 沃爾夫斯派特的cg2h40035是無與倫比的;氮化鋇(GAN)高電子移動晶體管(HEMT)。cg2h40035;在28伏軌道上運行;提供一般用途;為各種射頻
2023-08-04 10:04:25
35-W射頻功率 沃爾夫斯派特的cg2h40035是無與倫比的;氮化鋇(GAN)高電子移動晶體管(HEMT)。cg2h40035;在28伏軌道上運行;提供一般用途;為各種射頻和微波應用提供
2023-08-04 09:18:43
30-W；8.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CG2H80030D 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有更優越的性能；包括
2023-08-03 17:00:22
25W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40025 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40025；采用 28
2023-08-03 15:43:09
25W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40025 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40025；采用 28
2023-08-03 15:08:51
25W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40025 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40025；采用 28
2023-08-03 14:55:55
15-W；8.0GHz；GaN HEMT 芯片 Wolfspeed 的 CG2H80015D 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有更優越
2023-08-03 14:06:49
10W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40010 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40010；采用 28
2023-08-03 13:41:45
10W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40010 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H
2023-08-03 13:36:27
10W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40010 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H
2023-08-03 11:58:27
。
排水端子
· 在 FET 中，漏極端子是載流子離開溝道的地方。
· 這類似于雙極結型晶體管中的集電極端子。
· 漏源電壓指定為 VDS。
· 漏極端子可指定為 D。
· 離開漏極端子通道的電流可以指定
2023-08-02 12:26:53
該2通道混音器電路基于2n3904晶體管，該晶體管形成2個前置放大器。2通道混音器電路的第一個前置放大器具有高增益，可用于麥克風輸入，第二個前置放大器可用于控制音頻電平的輸入。
這種雙通道
2023-08-01 17:19:21
ZXTP19100CG 產品簡介DIODES 的 ZXTP19100CG（PNP, 100V, 2A, SOT223）這種采用 SOT223 外形封裝的新型低飽和 PNP 晶體管具有
2023-06-11 16:36:12
ZXTP19060CG 產品簡介DIODES 的 ZXTP19060CG（PNP、60V、5A、SOT223）這種采用 SOT223 外形封裝的新型低飽和 PNP 晶體管具有極低的導通狀態
2023-06-11 14:34:04
微波晶體管按功能分類可分為微波低噪聲晶體管和微波大功率晶體管，低噪聲晶體管和大功率晶體管被用于設計低噪聲放大器和功率放大器。
2023-06-09 10:59:271640 
ZXTN19100CG 產品簡介DIODES 的 ZXTN19100CG 采用 SOT223 外形封裝的這種新型低飽和 NPN 晶體管具有極低的導通狀態損耗，使其非常適合用于 DC-DC
2023-06-07 07:25:22
ZXTN19060CG 產品簡介DIODES 的 ZXTN19060CG 采用 SOT223 外形封裝的這種新型低飽和 NPN 晶體管具有極低的導通狀態損耗，使其非常適合
2023-06-07 07:00:31
當 D0 (GPIO16) 設置為輸出時，我在默認引腳（D1 和 D2）上使用 I2C 時遇到問題。GPIO16 連接到 mosfet 晶體管以驅動兩個 LED。通常 GPIO16 運行良好——我
2023-06-06 06:02:42
晶體管是什么控制型器件 晶體管屬于電流控制電流控制型器件。 晶體管是一種固體半導體器件（包括二極管、三極管、場效應管、晶閘管等，有時特指雙極型器件），具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等多種
2023-05-30 15:32:362179 我正在尋找摩托羅拉收音機 VHF 射頻末級中使用的這些舊射頻晶體管的數據表，有人可以幫我嗎？
2023-05-30 07:40:02
晶體管是什么器件 晶體管泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數字和模擬功能。 1947年12月16日,威廉·肖克利
2023-05-16 11:12:59833 晶體管是什么 晶體管泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數字和模擬功能。 1947年12月16日,威廉·肖克利
2023-05-16 11:06:201133 嗨，
我正在嘗試使用 2N7000 晶體管切換一些 12v 設備。整個電路工作正常，但我的 ESP 變得非常熱（超過 50 C）。目前我在 GPIO 和 GND 之間只有下拉電阻。但是，我認為熱量
2023-04-28 06:59:43
單結晶體管隨著電容的充電放電是如何形成自激振蕩脈沖的？
2023-04-26 15:07:51
差分放大電路輸入共模信號時
為什么說RE對每個晶體管的共模信號有2RE的負反饋效果
這里說的每個晶體管的共模信號是指什么信號 是指輸入信號 還是指ie1 ie2 uoc ?
另外為什么是負的反饋
2023-04-25 16:15:31
雙極結晶體管電路輸入振幅變大為什么會導致失真呢？是什么原因呢？
2023-04-21 16:13:13
我正在尋找零件號“PCAL6408ABSHP”中有關工藝節點和晶體管數量的信息。NXP 網站上是否有一個位置可以找到 NXP 部件號的此類信息？
2023-04-19 09:27:44
西門子S7-200電源怎么看是繼電器輸出還是晶體管輸出呢？
2023-04-18 10:08:03
西門子CPUSR30可以增加晶體管擴展模塊控制步進電機嗎？
2023-04-17 14:13:13
采用晶體管互補對稱輸出時，兩管基極之間有電容相連，為什么？c2有什么用？？
2023-03-31 14:02:55
請問BJT工藝的線性穩壓源為什么多是PNP型晶體管呢？
2023-03-31 11:56:49
有沒有負觸發導通正的晶體管呢？哪位大神知道請賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
我在設計 PCB 時犯了一個錯誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發射極調換了。“正常”方式是有 1：基極，2：發射極，3：集電極，但我需要一個晶體管，1：基極，2：集電極，3：發射極。引腳號與此圖像相關：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉，但我想知道我是否可以正確使用一個。
2023-03-28 06:37:56
電子發燒友App
工商網監
評論