串接NPN型晶體管的情況。晶體管基極要求注入電流，產生電流的電壓必須高于（Vo+Vbe），約為（Vo+1）。若基極串接一個電阻，則電阻輸入端電壓必須高于（Vo+1）以使電流流過。而最經濟易行的方法
2024-03-06 20:49:11
CREE的CMPA1D1E025F是款碳化硅單晶上根據氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)；選用 0.25 μm 柵極尺寸制作工藝。與硅相比較
2024-02-27 14:09:50
雙極性晶體管是利用兩種離子導電，空穴和自由電子，但是對于一個實際存在的系統，其整體上是呈現電中性的，當其中的電子或者空穴移動形成電流時，與之對應的空穴或者電子為什么不會一起隨著移動？
這個問題困擾
2024-02-21 21:39:24
晶體管并聯時，當需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯使用。因為存在VBE擴散現象，有必要在每一個晶體管的發射極上串聯一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據
2024-01-26 23:07:21
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請問對于這種多發射極或多集電極的晶體管時候該如何分析？按照我的理解，在含有多發射極或多集電極的晶體管電路時，如果多發射極或多集電極的每一極分別接到獨立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半導體元件還有利用一個PN結構成的具有負阻特性的器件一單結晶體管，請問這個單結晶體管是什么？能夠實現負阻特性？
2024-01-21 13:25:27
晶體管在基極和集電極之間并聯電容有什么作用？是為了米勒電容嗎、？但是米勒電容對三極管的開通有害的時候，為什么還要并聯電容？電容不是越并越大，加大了等效米勒電容？
2024-01-19 22:39:57
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
晶體管也就是俗稱三極管，其本質是一個電流放大器，通過基射極電流控制集射極電流。
1、當基射極電流很小可以忽略不計時，此時晶體管基本沒有對基射極電流的放大作用，此時可以認為晶體管處在關斷狀態
2、當基
2024-01-18 16:34:45
對于一個含有晶體管，場效應管，運放的電路，該如何求解他的輸入電阻和輸出電阻，舉例而言，在含有晶體管的電路射極跟隨器中，求解輸出電阻時，為什么要考慮基極的電阻和偏置電路的電阻，此時不應該在基極是二極管
2024-01-10 17:17:56
CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。具備前所未有的輸入，能夠在DC-2.0GHz范圍之內提供最好的的瞬時寬帶性能。與硅或砷化鎵相比較，CGHV40180具有更加優異
2024-01-02 12:05:47
極低Ku波段雷達探測應用以及北斗衛星上行鏈路和通用型數據鏈路應用。在飽和狀態下，CMPA1E1F060能夠實現60W的常見輸出功率和26dB的大信號增益值，并可以在各個平臺中提供。CMPA1E1F060
2023-12-26 09:52:16
的微波射頻性能，使用戶能夠增強新一代系統里的SWaP-C基準。特征高相應增益值全球領先的PAE提供各個平臺應用領域軍工用和商用Ku波段雷達探測產品規格最低頻率(MHz)：13750最高頻率(MHz
2023-12-20 09:32:15
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管(HEMT)與其他技術相比，CGHV96130F內部適應(IM)FET具有出色的功率附加效率。與砷化鎵相比
2023-12-13 10:10:57
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
我在進行AD8138ARM的熱仿真，datasheet中只有結到環境的熱阻JA的數據，我需要結到外殼的熱阻Jc的數據，還有AD8138ARM放大器集成的晶體管數目是多少？
2023-11-21 06:54:43
CGHV59070F以下是本篇文章正文內容，一、 CGHV59070F產品描述1. CGHV59070F產品特性Features? 4.4 - 5.9 GHz Operation? 90
2023-11-07 15:15:59
CMPA0527005F，CREE/科銳，5W, 0.5 - 2.7 GHz, 50 V,高電子遷移率晶體管CMPA0527005F，CREE/科銳，5W, 0.5 - 2.7 GHz, 50 V
2023-10-17 16:12:54
專業圖書47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
CGH40010FCGH40010F 是 Wolfspeed（CREE） 開發的一款無與倫比的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。適用于A類、AB類和線性放大器，能處理多種波形
2023-08-26 15:40:57
Wolfspeed的CGHV40320D是款氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較，GaN具備更優越的性能；CGHV40320D包含較高的擊穿場強；較高的飽和電子漂移速率
2023-08-24 09:02:13
243 Wolfspeed的CGHV35060MP是60W輸入配對；對于S波段性能進行調整的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。CGHV35060MP主要用于2.7至3.1GHz和3.1
2023-08-15 18:28:58251 晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV14800 非常適合 1.2 – 1.4 GHz L 波段雷達放大器應用。封裝選項包括陶瓷/金屬法蘭 (C
2023-08-09 11:51:25
晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV14800 非常適合 1.2 – 1.4 GHz L 波段雷達放大器應用。封裝選項包括陶瓷/金屬法蘭 (C
2023-08-09 11:49:28
晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV14800 非常適合 1.2 – 1.4 GHz L 波段雷達放大器應用。封裝選項包括陶瓷/金屬法蘭 (C
2023-08-09 11:47:47
電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV50200F 成為對流層散射通信的理想選擇；4.4 – 5.0 GHz C 頻段衛星通信應用和超
2023-08-09 09:20:19
電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV50200F 成為對流層散射通信的理想選擇；4.4 – 5.0 GHz C 頻段衛星通信應用和超
2023-08-09 09:18:23
8.8 - 9.6 GHz、300 W、45 V、封裝 GaN 晶體管 Wolfspeed 的 CGHV1A250F 是一款 300 W 封裝晶體管，輸入和輸出端口完全匹配 50 歐姆
2023-08-08 10:35:45
8.8 - 9.6 GHz、300 W、45 V、封裝 GaN 晶體管 Wolfspeed 的 CGHV1A250F 是一款 300 W 封裝晶體管，輸入和輸出端口完全匹配 50 歐姆
2023-08-08 10:25:26
130瓦；8.4 - 9.6 GHz；50歐姆；適用于 X 波段雷達應用的輸入/輸出匹配 GaN HEMTWolfspeed 的 CGHV96130F 是碳化硅 (SiC) 基板上的氮化鎵 (GaN
2023-08-08 10:23:26
) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV37400F 非常適合 3.3 – 3.7 GHz S 波段雷達放大器應用。晶體管的輸入匹
2023-08-07 17:27:44
) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶能力；這使得 CGH31240F 非常適合 2.7 –3.1-GHz；S波段；雷達放大器應用。該晶體管采用陶瓷/金
2023-08-07 17:06:35
電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶能力；這使得 CGH35240 非常適合 3.1 – 3.5-GHz；S波段；雷達放大器應用。該晶體管采用陶瓷/金屬法
2023-08-07 17:01:21
遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶能力；這使得 CGHV35150 非常適合 2.9 – 3.5 GHz S 波段雷達放大器應用。該晶體管采用陶瓷/金屬法蘭和藥
2023-08-07 16:52:50
遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶能力；這使得 CGHV35150 非常適合 2.9 – 3.5 GHz S 波段雷達放大器應用。該晶體管采用陶瓷/金屬法蘭和藥
2023-08-07 16:50:51
遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶能力；這使得 CGHV35150 非常適合 2.9 – 3.5 GHz S 波段雷達放大器應用。該晶體管采用陶瓷/金屬法蘭和藥
2023-08-07 16:45:32
120-W；2.9 - 3.8 GHz；50V；用于 S 波段雷達系統的 GaN HEMTWolfspeed 的 CGHV35120F 是一款專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 16:28:32
350瓦；5200 至 5900 MHz；50 歐姆輸入/輸出匹配；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed CGHV59350是一款高效率設計的GaN HEMT；高增益;
2023-08-07 16:14:15
350瓦；5200 至 5900 MHz；50 歐姆輸入/輸出匹配；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed CGHV59350是一款高效率設計的GaN HEMT；高增益;
2023-08-07 16:12:15
350瓦；5200 至 5900 MHz；50 歐姆輸入/輸出匹配；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed CGHV59350是一款高效率設計的GaN HEMT；高增益;
2023-08-07 16:10:05
70-W；4500 至 5900 MHz；用于 C 波段雷達系統的內部匹配 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGHV59070 是內部匹配的；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管
2023-08-07 15:55:56
70-W；4500 至 5900 MHz；用于 C 波段雷達系統的內部匹配 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGHV59070 是內部匹配的；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管
2023-08-07 15:53:36
70-W；4500 至 5900 MHz；用于 C 波段雷達系統的內部匹配 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGHV59070 是內部匹配的；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管
2023-08-07 15:49:41
200W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGHV40200PP 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV
2023-08-07 14:13:01
180-W；直流 - 2 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有無與倫比的輸入
2023-08-07 14:09:28
180-W；直流 - 2 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有無與倫比的輸入
2023-08-07 14:07:15
100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 13:52:20
100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 13:50:28
100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 13:48:33
100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 13:46:18
遷移率晶體管 (HEMT)，采用小型封裝；塑料 SMT 封裝 4.4mm x 6.5mm。晶體管是寬帶器件，內部沒有輸入或輸出匹配；它可以靈活地應用于從 UHF 到
2023-08-07 13:36:48
遷移率晶體管 (HEMT)，采用小型封裝；塑料 SMT 封裝 4.4mm x 6.5mm。晶體管是寬帶器件，內部沒有輸入或輸出匹配；它可以靈活地應用于從 UHF 到
2023-08-07 13:34:25
遷移率晶體管 (HEMT)，采用小型封裝；塑料 SMT 封裝 4.4mm x 6.5mm。晶體管是寬帶器件，內部沒有輸入或輸出匹配；它可以靈活地應用于從 UHF 到
2023-08-07 11:36:44
遷移率晶體管 (HEMT)，采用小型封裝；塑料 SMT 封裝 4.4mm x 6.5mm。晶體管是寬帶器件，內部沒有輸入或輸出匹配；它可以靈活地應用于從 UHF 到
2023-08-07 11:34:30
波段性能進行優化的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV35060MP 適用于 2.7 至 3.1 GHz 和 3.1 至 3.8 GHz
2023-08-07 11:31:57
50-W；直流 – 4.0 GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管Wolfspeed 的 CGHV40050 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-07 11:29:17
50-W；直流 – 4.0 GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40050 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-07 11:25:21
50-W；直流 – 4.0 GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40050 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-07 11:22:14
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 CGHV27030S 是一款無與倫比的產品；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），效率高；高增益和寬帶寬能力
2023-08-07 11:15:10
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 CGHV27030S 是一款無與倫比的產品；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），效率高；高增益和寬帶寬能力
2023-08-07 11:13:00
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 CGHV27030S 是一款無與倫比的產品；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），效率高；高增益和寬帶寬能力
2023-08-07 11:08:31
30-W；直流 – 6GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40030 是一款無與倫比的產品；專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 10:57:26
30-W；直流 – 6GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40030 是一款無與倫比的產品；專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 10:54:44
30-W；直流 – 6GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40030 是一款無與倫比的產品；專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 10:50:07
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管CGHV27030S 是一款無與倫比的產品；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），效率高；高增益和寬帶寬能力。CGHV
2023-08-07 10:45:27
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 CGHV27030S 是一款無與倫比的產品；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），效率高；高增益和寬帶寬能力
2023-08-07 10:43:16
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 CGHV27030S 是一款無與倫比的產品；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），效率高；高增益和寬帶寬能力
2023-08-07 10:38:36
15瓦；直流 - 6.0 GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV27015S 是一款無與倫比的產品；專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率
2023-08-07 10:21:42
25-W；直流 – 15GHz；40V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV1F025S 是無與倫比的；氮化鎵（GaN）；專為高效率而設計的高電子遷移率晶體管
2023-08-07 09:54:13
25-W；直流 – 15GHz；40V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV1F025S 是無與倫比的；氮化鎵（GaN）；專為高效率而設計的高電子遷移率晶體管
2023-08-07 09:51:08
晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶能力。該設備可部署為L；S; C; X 和 Ku 波段放大器應用。數據表規格基于 C 頻段 (5.5 – 6.
2023-08-07 09:46:19
晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶能力。該設備可部署為L；S; C; X 和 Ku 波段放大器應用。數據表規格基于 C 頻段 (5.5 – 6.
2023-08-07 09:44:15
晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶能力。該設備可部署為L；S; C; X 和 Ku 波段放大器應用。數據表規格基于 C 頻段 (5.5 – 6.
2023-08-07 09:41:27
CGHV40200PP-AMP1
2023-08-03 15:02:33
0 晶體管是一種有源元件，遍布電子電路。它們用作放大器和開關設備。作為放大器，它們用于高電平和低電平、頻率級、振蕩器、調制器、檢測器以及任何需要執行功能的電路中。在數字電路中，它們用作開關。世界上有大量
2023-08-02 12:26:53
Cree 的 CGHV1F006S 是一種無與倫比的氮化鎵 （GaN） 高電子遷移率晶體管 （HEMT） 專為高效率、高增益和寬而設計帶寬功能。該器件可部署為 L、S、C、X 和 Ku 波段放大器
2023-07-28 17:47:260 Wolfspeed的CGHV14500是種致力于高效化設計的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)；高增益和寬帶寬性能；這也使得CGHV14500成為了1.2–1.4GHzL波段雷達放大器
2023-06-06 11:19:48541 CREE的GTVA104001FA是款400瓦GaN?on?SiC高電子遷移率晶體管(HEMT)，適用于960至1215MHz頻率段。GTVA104001FA-V1具備輸入適配性能；高效率;及其具有
2023-05-19 08:57:14443 今天，我們接著來說E波段毫米波雷達的功率。在這之前，先來看一個汽車雷達的有趣應用。
2023-05-04 09:29:302051 
Wolfspeed的CGHV40200PP是前所未有的；氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。CGHV40200PP；應用50伏電流電壓軌工作；提供通用型；CGHV40200PP各種各樣
2023-05-04 09:20:49120 差分放大電路輸入共模信號時
為什么說RE對每個晶體管的共模信號有2RE的負反饋效果
這里說的每個晶體管的共模信號是指什么信號 是指輸入信號 還是指ie1 ie2 uoc ?
另外為什么是負的反饋
2023-04-25 16:15:31
Wolfspeed的CGHV14250是種致力于高效化設計氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)；高增益和寬帶寬性能；從而使CGHV14250成為1.2–1.4GHzL波段雷達放大器應用領域
2023-04-24 09:12:47258 西門子S7-200電源怎么看是繼電器輸出還是晶體管輸出呢？
2023-04-18 10:08:03
Wolfspeed的CGHV60170D是款氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較，CGHV60170D具備更優越的使用性能；包含更高擊穿場強；更高飽和電子偏移速率
2023-04-11 09:11:54169 采用晶體管互補對稱輸出時，兩管基極之間有電容相連，為什么？c2有什么用？？
2023-03-31 14:02:55
有沒有負觸發導通正的晶體管呢？哪位大神知道請賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
我在設計 PCB 時犯了一個錯誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發射極調換了。“正常”方式是有 1：基極，2：發射極，3：集電極，但我需要一個晶體管，1：基極，2：集電極，3：發射極。引腳號與此圖像相關：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉，但我想知道我是否可以正確使用一個。
2023-03-28 06:37:56
Wolfspeed的CGHV40100是前所未有的；氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。CGHV40100；選用50伏電流電壓軌工作；提供一種通用型；各種各樣射頻和微波應用的寬帶
2023-03-27 09:09:27176
電子發燒友App
工商網監
評論