CREE的CMPA1D1J001S是款 1W 封裝類型 MMIC HPA，使用高性能 0.15um GaN on SiC 制作工藝。CMPA1D1J001S 的頻率范圍為 12.7-18 GHz
2024-03-06 09:41:07
CREE的CMPA1D1E025F是款碳化硅單晶上根據氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)；選用 0.25 μm 柵極尺寸制作工藝。與硅相比較
2024-02-27 14:09:50
CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。具備前所未有的輸入，能夠在DC-2.0GHz范圍之內提供最好的的瞬時寬帶性能。與硅或砷化鎵相比較，CGHV40180具有更加優異
2024-01-02 12:05:47
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）在我們談論第三代半導體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:36
1219 CREE的CMPA1E1F060 MMIC HPA系列借助性能卓越0.15um GaN on SiC制作工藝，兼容高至60W的功率。CMPA1E1F060的頻率范圍為13.4-15.5GHz，偏向
2023-12-26 09:52:16
SGN2933-150D-R型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN2933-150D-R提供高功率、高S波段覆蓋2.9至3.3GHz的效率和更大的一致性50V工作和高達脈沖條件的雷達
2023-12-25 12:23:01
SGN2731-320D-R型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN2731-320D-R提供高功率、高S波段覆蓋2.7至3.1GHz的效率和更大的一致性50V工作和高達脈沖條件的雷達
2023-12-25 12:14:59
SGN2729-150D-R型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN2729-150D-R為s波段雷達應用提供高功率、高效率和更高的一致性，覆蓋2.7至2.9 GHz，工作電壓為50V
2023-12-25 12:04:50
SGN26C320I2D 型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN26C320I2D 提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和寬頻帶50V操作，并為您提供更高的增益。此
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EGN35C070I2D型號簡介Sumitomo的GaN HEMT EGN35C070I2D 提供高效率、易于匹配、更大的一致性以及寬帶寬，適用于50V操作的高功率放大器，并提供你的收益更高。此
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SGN27C210I2D 型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN27C210I2D 提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和寬頻帶50V操作，并為您提供更高的增益。此
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2023-12-22 16:29:03
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SGN19C160I2D型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN19C160I2D提供高效率、易于匹配、更大的一致性以及用于50V操作的高功率L波段放大器的寬帶寬，以及給你更高的增益。此
2023-12-22 15:57:02
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2023-12-22 15:49:08
SGC5259-300A-R型號簡介Sumitomo的SGC5259-300A-R是一種高功率GaN HEMT，內部匹配C波段雷達波段，在50Ω系統中提供最佳功率和增益。型號規格
2023-12-21 10:53:02
SGC5259-50A-R型號簡介Sumitomo的SGC5259-50A-R是一種高功率GaN HEMT，內部匹配C波段雷達波段，在50Ω系統中提供最佳功率和增益。型號規格 廠家
2023-12-21 10:45:36
SGK5254-30A-R型號簡介Sumitomo的SGK5254-30A-R是一種高功率GaN HEMT內部匹配C波段雷達波段，以提供50歐姆系統中的最佳功率和增益。型號規格 廠家
2023-12-21 10:18:05
SGNH360M1H型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGNH360M1H 為50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和寬帶寬，并為您提供更高的增益。此新產品非常
2023-12-21 10:02:08
SGN36H120M1H 型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN36H120M1H 為50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和寬帶寬，并為您提供更高
2023-12-21 09:56:42
SGN36H080M1H型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN36H080M1H 為50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和寬帶寬，并為您提供更高的增益。此
2023-12-21 09:50:11
SGN36H050M1H型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN36H050M1H 為50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和寬帶寬，并為您提供更高的增益。此
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SGN26H241M1H型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN26H241M1H 為50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和寬帶寬，并為您提供更高的增益。此
2023-12-21 09:38:56
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2023-12-21 09:33:30
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2023-12-21 09:26:36
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2023-12-21 09:19:29
SGN21H181M1H型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN21H181M1H 為50V高功率L波段放大器提供高效率、易于匹配、更高的一致性和更寬的帶寬，并為您提供更高的增益。此新產品
2023-12-20 19:31:33
SGN21H180M1H型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN21H180M1H為50V高功率L波段放大器提供高效率、易于匹配、更高的一致性和更寬的帶寬，并為您提供更高的增益。此新產品
2023-12-20 19:20:05
SGN19H240M1H型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN19H240M1H為50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和寬帶寬，并為您提供更高的增益。此
2023-12-20 19:12:57
SGN19H181M1H型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN19H181M1H為50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和寬帶寬，并為您提供更高的增益。此
2023-12-20 19:06:21
SGNH240M1H型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGNH240M1H 為50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和寬帶寬，并為您提供更高的增益。此新產品非常
2023-12-20 18:24:01
CREE的CMPA1F1H060 MMIC HPA系列通過性能卓越0.15um GaN on SiC制作工藝，兼容高至80W的功率。CMPA1F1H060的頻率范圍為15.4-17.7GHz，兼容
2023-12-20 09:32:15
SGN3035-150H-R型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN3035-150H-R為50V工作的s波段雷達應用提供了高功率、高效率和更大的一致性。低熱阻允許使用高達5微秒脈沖寬度
2023-12-17 11:25:38
SGN2731-500H-R型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN2731-500H-R具有高功率、高效率和更高的一致性，適用于s波段雷達應用，覆蓋2.7至3.1 GHz，工作電壓為
2023-12-17 11:18:51
SGN2731-130H-R型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN2731-130H-R為50V工作的s波段雷達應用提供了高功率、高效率和更大的一致性。低熱阻允許使用高達5微秒脈沖寬度
2023-12-17 11:12:19
SGN2731-120H-R型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN2731-120H-R提供高為50V操作的S波段雷達應用提供了高功率、高效率和更大的一致性。低點熱阻允許使用高達
2023-12-17 11:04:55
SGN2729-600H-R型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN2729-600H-R為s波段雷達應用提供高功率、高效率和更高的一致性，覆蓋2.7至2.9 GHz，工作電壓為50V
2023-12-17 10:56:07
SGN2729-250H-R型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN2729-250H-R提供高功率、高S波段覆蓋2.7至2.9GHz的效率和更大的一致性50V工作和高達脈沖條件的雷達
2023-12-16 21:29:05
SGN1214-220H-R型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN1214-220H-R提供高功率、高效率、易于匹配和更大的一致性，適用于50V工作的L波段雷達應用，覆蓋1.2至1.4
2023-12-16 21:13:08
SGN350H-R型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN350H-R提供高功率高，適用于L波段雷達應用50V操作和高達150μsec脈沖的脈沖條件寬度和占空比高達10%。型號規格
2023-12-16 20:38:52
報告內容包含：
微帶WBG MMIC工藝
GaN HEMT 結構的生長
GaN HEMT 技術面臨的挑戰
2023-12-14 11:06:58178 
SGM6906VU型號簡介Sumitomo的SGM6906VU是一款50W GaN HEMT模塊，內部匹配X波段雷達波段，在50Ω系統中提供最佳功率和增益。型號規格 廠家
2023-12-14 09:11:35
SGK5867-100C型號簡介Sumitomo的ES/SG5867-100C是一種高功率GaN HEMT，內部匹配標準通信頻帶，在50Ω系統中提供最佳功率和增益。型號規格 廠家
2023-12-13 12:13:43
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管(HEMT)與其他技術相比，CGHV96130F內部適應(IM)FET具有出色的功率附加效率。與砷化鎵相比
2023-12-13 10:10:57
SGN2933-600D-R 型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN2933-600D-R提供高功率、高S波段覆蓋2.9至3.3GHz的效率和更大的一致性50V工作和高達脈沖
2023-12-11 13:25:59
SGC5259-400B-R型號簡介Sumitomo的SGC5259-400B-R是一種高功率GaN HEMT與C波段雷達波段匹配，以提供最佳功率和增益在50歐姆的系統中。型號規格 廠家
2023-12-10 21:17:16
SGC7178-100A型號簡介Sumitomo的SGC7178-100A是一款高功率GaN HEMT，內部匹配C波段應用，可在50Ω系統中提供最佳功率和增益。型號規格 廠家
2023-12-10 21:10:23
SGC7172-30A型號簡介Sumitomo的SGC7172-30A是一種高功率GaN HEMT匹配C波段應用，提供最佳功率和增益在50歐姆的系統中。型號規格 廠家
2023-12-10 21:01:54
SGN3133-260H-R型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN3133-260H-R為50V工作的s波段雷達應用提供了高功率、高效率和更大的一致性。低熱阻允許使用高達200μsec
2023-12-10 20:51:52
SGC7172-120A型號簡介Sumitomo的SGC7172-120A是一種高功率GaN HEMT匹配C波段應用，提供最佳功率和增益在50歐姆的系統中。型號規格 廠家
2023-12-10 20:42:56
SGK5867-30C 型號簡介Sumitomo的SGK5867-30C是一種高功率GaN HEMT與標準通信頻帶匹配，以提供最佳50歐姆系統中的功率和增益。型號規格 廠家
2023-12-10 20:35:27
SGK5872-20C型號簡介Sumitomo的ES/SG5872-20C是一種高功率GaN HEMT與標準通信頻帶匹配，以提供最佳功率和線性。型號規格 廠家
2023-12-10 17:56:39
SGC9395-50B-R型號簡介Sumitomo的SGC9395-50B-R是一種高功率GaN HEMT與X波段雷達波段匹配，以提供最佳功率和增益在50歐姆的系統中。型號規格 廠家
2023-12-10 14:44:02
SGC5259-300B-R型號簡介Sumitomo的SGC5259-300B-R是一種高功率GaN HEMT與C波段雷達波段匹配，以提供最佳功率和增益在50歐姆的系統中。型號規格
2023-12-10 14:37:28
SGC52589-50B-R型號簡介Sumitomo的SGC5259-50B-R是一種高功率GaN HEMT與C波段雷達波段匹配，以提供最佳功率和增益在50歐姆的系統中。型號規格
2023-12-10 14:22:48
GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件，具有很高的電子遷移率、大的電子飽和漂移速度、高的飽和電子流動速度以及較低的電阻
2023-12-07 17:27:20337 一、CGHV60075D5產品描述1.產品特性CGHV60075D5 75 W, 6.0 GHz, GaN HEMT DieDescriptionCree’s
2023-11-07 15:31:11
nitride h鄄igh electron mobility transistor） 的應用可以進一步提高開關頻率， 使變換器的開關頻率達到 500 kHz甚至幾兆赫[1]。 但 GaN HEMT 存在
2023-09-18 07:27:50
Wolfspeed的CG2H40120是款前所未有的類產品；氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。CG2H40120選用28伏電源軌工作；具備通用型應用領域；適合各種射頻和微波應用領域
2023-08-07 17:07:10227 70-W；0.5-3.0GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CG2H30070F 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有輸入匹配功能，可在
2023-08-07 13:43:34
70-W；0.5-3.0GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CG2H30070F 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有輸入匹配功能，可在
2023-08-07 13:41:27
120-W；射頻功率 GaN HEMTWolfspeed 的 CG2H40120 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40120；采用 28 伏電源軌
2023-08-07 09:25:11
120-W；射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40120 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-07 09:22:52
120-W；射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40120 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40120；采用
2023-08-07 09:20:30
120-W; DC – 8000-MHz; 28 V; GaN HEMT Die 沃爾夫斯派特的cg2h80120d是一種氦氮化鈉(GAN)高電動晶體管(HEMT)。甘油酯的性能優于硅或
2023-08-04 17:25:02
60-W; 8.0-GHz; GaN HEMT Die沃爾夫斯派特公司的cg2h80060d是一種氦氮化鎂(GAN)高電動晶體管(HEMT)。甘油酯的性能優于硅或氟化鋇,包括較高的擊穿電壓、較高
2023-08-04 16:58:59
CG2H80045D 沃爾夫斯派特的CG2H80045D是一種氮化鋇(GAN)高電子移動晶體管(HEMT)。甘油酯的性能優于硅或氟化鋇,包括較高的擊穿電壓、較高的飽和電子漂移速度和較高
2023-08-04 16:43:55
45瓦射頻功率 沃爾夫斯派特公司的cg2h40045是無與倫比的,它是高電子移動晶體管(HEMT)。cg2h40045;在28伏軌道上運行;提供一般用途;為各種射頻和微波應用提供寬帶
2023-08-04 16:41:15
45瓦射頻功率 沃爾夫斯派特公司的cg2h40045是無與倫比的,它是高電子移動晶體管(HEMT)。cg2h40045;在28伏軌道上運行;提供一般用途;為各種射頻和微波應用提供寬帶
2023-08-04 16:29:07
45瓦射頻功率 沃爾夫斯派特公司的cg2h40045是無與倫比的,它是高電子移動晶體管(HEMT)。cg2h40045;在28伏軌道上運行;提供一般用途;為各種射頻和微波應用提供寬帶
2023-08-04 16:17:49
35-W射頻功率 沃爾夫斯派特的cg2h40035是無與倫比的;氮化鋇(GAN)高電子移動晶體管(HEMT)。cg2h40035;在28伏軌道上運行;提供一般用途;為各種射頻和微波應用提供
2023-08-04 15:56:50
35-W射頻功率 沃爾夫斯派特的cg2h40035是無與倫比的;氮化鋇(GAN)高電子移動晶體管(HEMT)。cg2h40035;在28伏軌道上運行;提供一般用途;為各種射頻
2023-08-04 15:49:22
35-W射頻功率 沃爾夫斯派特的cg2h40035是無與倫比的;氮化鋇(GAN)高電子移動晶體管(HEMT)。cg2h40035;在28伏軌道上運行;提供一般用途;為各種射頻
2023-08-04 10:04:25
35-W射頻功率 沃爾夫斯派特的cg2h40035是無與倫比的;氮化鋇(GAN)高電子移動晶體管(HEMT)。cg2h40035;在28伏軌道上運行;提供一般用途;為各種射頻和微波應用提供
2023-08-04 09:18:43
30-W；8.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CG2H80030D 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有更優越的性能；包括
2023-08-03 17:00:22
25W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40025 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40025；采用 28
2023-08-03 15:43:09
25W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40025 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40025；采用 28
2023-08-03 15:08:51
25W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40025 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40025；采用 28
2023-08-03 14:55:55
15-W；8.0GHz；GaN HEMT 芯片 Wolfspeed 的 CG2H80015D 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有更優越
2023-08-03 14:06:49
10W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40010 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40010；采用 28
2023-08-03 13:41:45
10W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40010 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H
2023-08-03 13:36:27
10W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40010 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H
2023-08-03 11:58:27
Wolfspeed的CGH35060P1是款致力于高效化需求設計氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)；高增益和寬帶性能；這導致CGH35060P1特別適合3.3–3.6GHzWiMAX
2023-07-19 09:01:11125 說到GaN(氮化鎵)產品，不得不說到一家美國公司:CREE科銳，可以說，講GaN材料應用到極致，并產生商業價值最大化，全球沒有第二家公司超越。 經常聽到一些芯片行業朋友說到CREE公司
2023-07-10 08:54:531834 Wolfspeed的CGH35015是款氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管，致力于802.16-2004?WiMAX穩定連接應用需求設計。GaN?HEMT具備高效率；高增益和寬帶網絡性能；從而
2023-07-06 09:12:4876 以及Class D半橋逆變測試，配套測試設備可實現對系統的效率監測以及GaN器件的溫度監測。測試平臺的電路原理圖如圖2所示，對應系統的實物圖如圖3所示，該測試平臺的驅動IC為Si8274，利用驅動IC
2023-06-25 15:59:21
為了滿足數據中心快速增長的需求，對電源的需求越來越大更高的功率密度和效率。在本文中，我們構造了一個1.5 kW的LLC諧振變換器模塊，它采用了Navitas的集成GaN HEMT ic，完全符合尺寸
2023-06-16 11:01:43
由于GaN和AlGaN材料中擁有較強的極化效應，AlGaN/GaN異質結無需進行調制摻雜就能在界面處形成高濃度的二維電子氣(2DEG)，在此基礎上發展而來的高電子遷移率晶體管(HEMT)是GaN材料
2023-06-14 14:00:551652 
Wolfspeed的CGHV14500是種致力于高效化設計的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)；高增益和寬帶寬性能；這也使得CGHV14500成為了1.2–1.4GHzL波段雷達放大器
2023-06-06 11:19:48541 GaN HEMT（高電子遷移率晶體管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半導體，具有低工作電阻和高抗損性，有望應用于大功率和高頻電子設備。
2023-05-25 15:14:061220 
GaN HEMT 為功率放大器設計者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術的許多改進。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達 8W/mm、fT 高達 25 GHz 和低靜態
2023-05-24 09:40:011374 
CREE的GTVA104001FA是款400瓦GaN?on?SiC高電子遷移率晶體管(HEMT)，適用于960至1215MHz頻率段。GTVA104001FA-V1具備輸入適配性能；高效率;及其具有
2023-05-19 08:57:14443 Wolfspeed的CGHV14250是種致力于高效化設計氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)；高增益和寬帶寬性能；從而使CGHV14250成為1.2–1.4GHzL波段雷達放大器應用領域
2023-04-24 09:12:47258
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