SiC器件可以提高電動汽車的充電模塊性能,包括提高頻率、降低損耗、縮小體積以及提升效率等。這有助于提升電動汽車的整體性能表現。
2024-03-18 18:12:341063 IGBT的開關速度指的是從導通到截止(或反之)所需的時間。快速的開關速度有助于減少功率損耗和提高效率,但過快的開關速度可能會增加電壓和電流的瞬態壓降,導致器件損壞。
2024-03-18 16:24:14376 一項新的研究發現,在微芯片上使用3D反射器堆??梢允篃o線鏈路的數據速率提高三倍,從而有助于加快6G通信的發展。
2024-03-13 16:31:21172 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(以下簡稱“東芝”)近日宣布,其最新研發的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產品特別適用于數據中心和光伏功率調節器等關鍵應用的開關電源,展現了東芝在功率半導體領域的深厚實力與持續創新。
2024-03-12 10:27:36255 能夠降低系統處于待機模式時的功耗;抖頻技術有助于EMI特性。該芯片還內置高壓啟動模塊,保證系統能迅速啟動
2024-03-09 11:09:320 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(東芝)近期宣布,已開始在位于日本西部兵庫縣的姬路運營 - 半導體工廠建設功率半導體后端生產設施。新工廠將于2025年春季開始量產。
2024-03-07 18:26:21585 2023年,東芝半導體的功率器件銷售額估計約為1000億日元,其中35%用于汽車市場,20%用于工業市場。
2024-03-04 18:10:33307 由于快恢復二極管的反向恢復時間短,能迅速截止導通狀態,減小了在開關周期內的開關回路壓降,有助于降低功耗和提高系統性能。
2024-02-29 17:24:26392 中興表示,此次驗收成功將有助于推動Turkcell在現網中大面積使用800G以及其他創新性解決方案。這也使得其可以更好地明確未來光網絡發展的方向。
2024-02-27 09:43:57154 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,在新一代[1]具有超結結構的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI(HSD),
2024-02-22 18:22:41977 ,功率半導體賣得熱火朝天。” 本月早些時候,東芝和羅姆宣布在功率器件領域建立合作關系。 收購帶來的債務成本意味著需要采取削減成本的措施,其四個業務部門——能源、基礎設施、數字解決方案和電子器件業務將得到整合并
2024-01-31 11:44:33203 PSoC Creator 會支持 PSoC 4000T 嗎?
在同一 SDK/IDE 中使用預先加載的示例和主板支持包來完全支持所有 PSoC 4000 器件會很有幫助。
如果 PSoC 4000T 在同一 SDK/IDE 中,它將有助于從較舊的 PSoC 設備轉換為新的 PSoC 4000T。
2024-01-31 06:21:46
電子產品更新換代的速度與時俱進,在性能不斷提高的同時,小型化也已成為不可逆轉的事實和趨勢。
2024-01-19 18:06:49607 的優勢高頻率:碳化硅材料的電子遷移率比硅高,使得碳化硅功率器件能夠承受更高的開關頻率。這有助于減小無源元件的尺寸,提高系統的整體效率。低損耗:碳化硅的導通電阻比硅低,使得碳化硅功率器件在導通狀態下的損耗遠低于硅器件。這有助于減小系統的散熱需求,提高設備的能效。高效率:碳化硅
2024-01-06 14:15:03353 電源散熱技術,都有助于實現電源從組件到系統的全方位突破。因此,基于GaN功率器件來研究高頻、高效和輕量化的宇航電源,將引導新一代宇航電源產品實現性能參數的巨大飛躍,
2024-01-05 17:59:04272 交錯式使用2組開關,因此開關損耗分散,每個開關上的負載減輕,使熱設計更容易。另外,紋波電流更小,有效頻率更高,從而有助于減小濾波器尺寸。這與DC/DC轉換器的雙相驅動原理相同。
2024-01-04 09:16:121026 人工智能芯片通常使用 SRAM 存儲器作為緩沖器(buffers),其可靠性和速度有助于實現高性能。
2024-01-03 17:16:041436 SD NAND是一種可以直接焊接在智能穿戴設備主板上的存儲芯片,其小型化設計有助于緊湊設備尺寸,同時提供可靠的嵌入式存儲解決方案。
這種集成設計減少了空間占用,同時確保設備在高度活動的環境中更為
2024-01-03 00:00:00280 與存儲株式會社("東芝電子設備與存儲")合作生產和增加功率器件產量的計劃得到了經濟產業省的認可,并將作為支持日本政府實現安全穩定的半導體供應目標的一項措施得到支持。ROHM 公司和東芝電子器件和存儲公司將分別在碳化硅(SiC)和硅(Si)功率器件方面加大投資力度,有效
2023-12-26 15:45:38269 碳化硅功率器件的實用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率器件相較于傳統的硅基功率器件具有許多優勢,主要體現在以下幾個方面:材料特性、功率密度、溫度特性和開關速度等。盡管碳化硅功率器件還存在一些挑戰
2023-12-21 11:27:09286 設計過程早期就確定哪些器件應該用電鍍通孔(PTH)、哪些應該用表貼技術(SMT)將有助于PCB的整體規劃。需要考慮的因素有器件成本、可用性、器件面積密度和功耗等等。從制造角度看,表貼器件通常要比通孔器件便宜
2023-12-21 09:04:38
和增產方面的一項合作計劃已得到日本經濟產業省的認可,后者將其視為一項有助于實現日本政府安全、穩定半導體供應目標的舉措而予以大力支持。羅姆和東芝將分別對碳化硅(SiC)和硅(Si)功率器件進行增效投資,有效提升其供應能
2023-12-21 08:15:03204 近日,據路透社消息,東芝和羅姆表示,他們將投資 3883 億日元(27 億美元)聯合生產功率芯片。
2023-12-14 09:30:47413 羅姆、東芝近日聯合宣布,雙方將于功率半導體事業進行合作,共同生產功率半導體。
2023-12-11 15:44:05331 新的APG-85雷達系統將提供更高的可靠性和更低的燃油消耗,同時也能增加10%的功率,有助于提高飛機的靈敏度和反應速度。
2023-12-11 14:09:52432 Vishay 推出五款新型 10 MBd 低功耗高速光耦,有助于工業應用節能。
2023-12-08 09:27:10394 電子發燒友網站提供《ADI全新集成電路有助于監測心率.pdf》資料免費下載
2023-11-24 10:38:110 電子發燒友網報道(文/李寧遠)IPD智能功率器件的稱呼很多,有的稱其為IPS智能電源開關、SMARTMOS、受保護的MOSFET或者智能功率驅動IC??偟膩碚f,它是在單一芯片上集成了輸出階段的功率
2023-11-24 00:07:002140 本文的關鍵要點 ?要想實現碳中和,就需要進一步提高DC-DC轉換器等功率轉換系統的效率。 ? 集IGBT和SiC肖特基勢壘二極管于一身的“Hybrid IGBT”,可同時實現高效率和低成本,有助于
2023-11-15 16:05:02187 多層pcb生產,更有助于高精度布線
2023-11-15 11:02:41227 MOSFET、IGBT、二極管等功率器件中起通流和開關作用的均是功率器件的有源區,那為什么還要在周圍設計一圈終端區浪費芯片的一部分面積呢
2023-11-14 10:05:23560 什么是環路面積?怎么減小走線的環路電感? 環路面積是指電路中電流在閉合路徑上所圍成的面積。環路電感是在電路中由于閉合電流所引起的磁感應強度變化而產生的電動勢。 為了減小走線的環路電感,我們可以采取
2023-11-09 09:30:151415 -通孔式小型封裝有助于減小表貼面積和電機電路板尺寸- ? 中國上海, 2023 年 10 月 26 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出兩款600V小型智能功率器件
2023-10-27 16:18:50791 相比,安裝面積減少了約21%[1]。這有助于減小電機驅動電路板的尺寸。 由于在電力供應不穩定的地區,電源電壓可能會大幅波動,因此電壓從Toshiba以往產品[1]的
2023-10-27 11:13:00301 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出兩款600V小型智能功率器件(IPD)—“TPD4163K”和“TPD4164K”,可用于空調、空氣凈化器和泵等直流無刷電機驅動應用。
2023-10-27 11:05:54657 如何優化PCB走線來減小回路電感和環路面積? 隨著電路設計的復雜性和頻率的不斷提高,電路中的電感和環路造成的影響也越來越明顯。因此,優化PCB走線以減小回路電感和環路面積已經成為了這個領域中的一項
2023-10-23 09:58:561061 ,并抑制功率衰減 [1] ,適用于使用大量繼電器且需要實現高速信號傳輸的半導體測試設備的引腳電子器件。該產品于近日開始支持批量出貨。 TLP3475W采用了東芝經過優化的封裝設計,這有助于降低新型光繼電器的寄生電容和電感。降低插入損耗的同時還可將高頻信
2023-10-17 23:10:02321 這種傳導更高電流的能力與散熱能力相結合,這有助于確保在由電路板制成的設備操作期間不會發生短路。由于這些原因,高功率 PCB 能夠抵抗并適應設備使用的波動溫度。
2023-10-11 15:19:161117 Melexis推出超低功耗霍爾開關MLX92216和MLX92217,具有功耗僅為1微瓦且誤差更小等優勢,有助于準確預測電力成本并延長電池運行時間。
2023-10-07 15:46:16601 Melexis推出超低功耗霍爾開關MLX92216和MLX92217,具有功耗僅為1微瓦且誤差更小等優勢,有助于準確預測電力成本并延長電池運行時間。這兩款磁性器件能用于檢測開/關位置,可取代傳統干簧管開關,成為物聯網(IoT)、工業和白色家電應用的首選。
2023-09-28 12:30:47745 三星dsa期待這種混合工作系統統能夠提高職員的滿意度,并有助于吸引其他地區人才。減少上下班時間也有望有助于防止職員移動。混合工作系統還可以節省部分辦公室運營費用。
2023-09-27 14:15:57518 -與本公司以往產品相比體積減少約3成,有助于智能手機的電源電路小型化- ? ? 太陽誘電株式會社開始了多層型金屬功率電感器MCOIL? LSCN系列“LSCND1412HKTR24ME
2023-09-26 10:56:06502 初粘性測試儀 初粘性測試儀是一款專用于測試各類材料初粘性的設備,如不干膠、標簽和便利貼等。它有助于確保產品的質量和安全性,以及優化生產工藝和提高生產效率。不干膠是一種具有粘性的材料,初粘性
2023-09-20 15:05:04
星形接法
星形接法,線電壓是相電壓的√3倍,線電流等于相電流。
星形接法:有助于降低繞組承受電壓(220V)
星形接法優點:降低絕緣等級,降低了啟動電流。
星形接法缺點:電機功率減小,
小功率電機4KW以下的大部分采用星型接法
2023-09-19 15:21:572153 如今,越來越多的設計人員在各種應用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要,因為它有助于提高功率晶體管的效率,從而減小電源的尺寸并降低工作溫度。
2023-09-13 16:06:07247 國際電力元件、可再生能源管理展覽會)上,參展商重點關注的領域。 為了幫助上述行業更好地發展,東芝半導體在PCIM Asia 2023上不僅展出了具有市場競爭力的功率器件和模塊,同時也將一些創新理念帶入市場,幫助行業更好地發展。 ? 新型雙柵極RC-IEGT結構
2023-09-12 00:25:001509 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出采用有助于降低開關損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅(SiC)MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”,該產品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片,用于支持工業設備應用。
2023-09-07 09:59:32732 植入式裝置,可在給藥的同時感知藥物何時開始被排斥,并能借助人工智能(AI)改變形狀以調整釋放的藥物劑量,同時還可減小疤痕組織的影響,該技術可為患者提供智能、持久、量身定制的治療。 研究團隊最初開發的第一代裝置,沒有考
2023-09-07 09:22:18487 和消費類等產品的應用需求。工程師在使用肖特基勢壘二極管進行電路設計時,可根據不同的應用場合和要求對器件進行選型。正確的選擇有助于提升和優化系統效率,因此在使用之前,了解二極管的結構、各種電氣特性以及封裝型式等必不
2023-09-06 17:40:02262 本技術筆記為采用 HLGA 表面貼裝封裝的 MEMS 傳感器產品提供 PCB 設計和焊接工藝的通用指南。
2023-09-05 08:27:53
本技術筆記為采用 LGA 表面貼裝封裝的 MEMS 傳感器產品提供通用焊接指南。
2023-09-05 07:45:30
點擊“東芝半導體”,馬上加入我們哦! 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布, 推出采用有助于降低開關損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅(SiC)MOSFET---
2023-09-04 15:13:401134 軟開關技術實際上是利用電容與電感的諧振,使開關器件中的電流或電壓按正弦或準正弦規律變化。當電流過零時,使器件關斷,當電壓過零時,使器件開通,實現開關的近似零損耗。同時,有助于提高頻率,提高開關的容量,減小噪聲。
2023-08-30 09:07:354383 表面貼裝型小型封裝有助于減小表貼面積和電機驅動電路板的尺寸
2023-08-28 09:40:39179 氮化鎵功率器件具有較低的導通阻抗和較高的開關速度,使其適用于高功率和高頻率應用,如電源轉換、無線通信、雷達和太陽能逆變器等領域。由于其優異的性能,氮化鎵功率器件在提高功率密度、提高系統效率和減小尺寸方面具有很大的潛力。
2023-08-24 16:09:151942 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,推出兩款采用東芝新型S-TOGL(小型晶體管輪廓鷗翼式引腳)封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:10600 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM(小型晶體管輪廓鷗翼式引腳)封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產品于今日開始支持批量出貨。
2023-08-22 11:03:21557 近日,阿卜杜拉國王科技大學(King Abdullah University,KAUST)了一項研究成果,該成果可能有助于改進下一代電池的陽極材料。
2023-08-08 14:44:28178 由于DC-DC電源模塊通常需要提供較高的電流,以滿足負載的需求,因此建議使用短而粗的輸出線。這有助于減小線路中的電阻和電壓降,以提供更穩定和高效的電源傳輸。
2023-08-07 16:23:523043 解決方案帶來了極高的附加值。采用GaN技術有助于實現上述目標,隨著該項技術商用步伐的加快,在功率轉換應用中也獲得了廣泛運用。 GaN晶體管與硅基晶體管相比的優點 與硅基晶體管相比,GaN功率晶體管有什么優點呢?GaN在品質因數(
2023-08-03 14:43:28225 斷降低成本和縮減尺寸呢? 我們發現,氮化鎵(GaN)是一種新型寬帶隙化合物,為功率轉換解決方案帶來了極高的附加值。采用GaN技術有助于實現上述目標,隨著該項技術商用步伐的加快,在功率轉換應用中也獲得了廣泛運用。? 點擊以下視頻,了解什么
2023-08-03 08:05:01369 碳化硅功率器件主要應用于新能源車的電驅電控系統,相較于傳統硅基 功率半導體器件,碳化硅功率器件在耐壓等級、開關損耗和耐高溫性方面具備許多明顯的優勢,有助于實現新能源車電力電子驅動系統輕量化、高 效化。
2023-08-02 10:49:59363 森國科隆重推出IGBT分立器件新品,兼具功率MOSFET易于驅動、控制簡單、開關頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運輸能力及低損耗的優點。
2023-07-26 17:34:13355 在大氣中對膜層加溫處理,有助于應力釋放和環境氣體分子及膜層分子的熱遷移,可使膜層結構重組。因此,可使膜層折射率、應力、硬度有較大改變。
2023-07-21 14:18:05291 點擊“東芝半導體”,馬上加入我們哦! 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(簡稱“東芝”) 拓展了其車載 -60V P 溝道 MOSFET 的產品線,現已開始量產兩款采用 SOP Advance(WF
2023-07-19 17:35:02374 羅姆和東芝生產有助于減少電動汽車、家電產品及其他產品電力消費的電力半導體配件。羅姆將該領域作為最優先課題,并以到2025年為止,硅電石電力配件的世界市場占有率達到30%為目標。
2023-07-19 10:35:58585 本文將探討孔環,因為更深入的了解孔環有助于確保成功地實現PCB設計。
2023-07-19 10:21:392433 根據ASIC邏輯設計,優化的約束是速度和面積。在物理設計中,我們需要對面積、速度和功率進行優化設計。根據所需的技術節點和策略進行更好的功耗規劃,總是有助于獲得芯片的布局。
2023-07-11 09:31:43352 根據ASIC邏輯設計,優化的約束是速度和面積。在物理設計中,我們需要對面積、速度和功率進行優化設計。根據所需的技術節點和策略進行更好的功耗規劃,總是有助于獲得芯片的布局。
2023-07-09 11:28:33334 RAA2900034H12HPD智能功率器件
2023-07-05 18:58:040 RAA2900024H12HPD智能功率器件
2023-07-05 18:57:440 RAA2900014H12HPD智能功率器件
2023-07-05 18:57:261 Metalenz表示,與UMC的新合作伙伴關系將有助于其超構表面光學器件首次直接推向公開市場。Metalenz成立于2016年,早在2021年就公布了其對智能手機鏡頭的未來愿景,該公司于2022年完成3000萬美元B輪融資。
2023-07-04 16:24:24391 — 采用最新一代工藝,可提供低導通電阻和擴展的安全工作區 — ? 中國上海, 2023 年 6 月 29 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出采用東芝最新一代U-MOS
2023-07-03 14:48:14477 [2]。采用這些技術有助于制造商獲得最高能效等級認證。 ? 文:英飛凌科技Konstantinos Patmanidis、Stefano Ruzza、Claudio Villani 引言 不久前,英飛凌推出
2023-06-30 14:53:27579 點擊“東芝半導體”,馬上加入我們哦! 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布, 推出采用S-VSON4T封裝的光繼電器—“TLP3476S” ,其導通時間與東芝當前產品TLP3475S
2023-06-25 17:40:03260 能力。
· 地線和電源線的布局:與DC到DC電路類似,合理布局USB的地線和電源線,并盡量減少它們之間的距離。使用短而粗的地線和電源線,減小回路面積和環路面積,有助于降低輻射發射。
· USB濾波器
2023-06-14 09:30:14
中國上海, 2023 年 6 月 13 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1,進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產品
2023-06-13 16:38:50712 已經成為設計者追求的新目標,特別是對于每天工作24小時的系統。為了滿足低功耗要求,電路設計人員深知細節決定成敗,需要對每一部分電路的電流進行仔細測算。本文介紹了Maxim芯片在典型系統中的應用,有助于設計人員降低系統功耗。文中給出的實例只是Maxim眾多超低電流器件中的幾個典型例子。
2023-06-10 09:31:23500 全新射頻功率器件頂部冷卻封裝技術有助于打造尺寸更小巧、輕薄的無線單元,部署5G基站更快、更輕松 簡化設計和制造,同時保證性能 ? 荷蘭埃因霍溫 ——2023 年 6 月 9 日 —— 恩智浦半導體
2023-06-09 15:13:22526 中國上海,2023年5月23日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出新TCR1HF系列LDO穩壓器的前三款產品——“TCR1HF18B”、“TCR1HF33B
2023-05-29 11:20:29424 1.Arm 推出新智能手機技術,聯發科簽約使用 ? 據報道,5月29日,Arm推出了用于移動設備的新芯片技術,聯發科表示將在下一代產品中使用該技術,稱新芯片將有助于提高下一代智能手機的性能
2023-05-29 10:51:381129 與硅相比,寬禁帶半導體技術,如 Wolfspeed 的碳化硅(SiC)MOSFET 和肖特基勢壘二極管(SBD)可為電源設計人員帶來諸多優勢。更低的傳導和開關損耗提高了效率,高頻工作有助于減小電感
2023-05-24 10:40:05546 智能電源和智能感知技術的領導者安森美(onsemi,美國納斯達克上市代號:ON),推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅(SiC)M3S器件,助力電力電子工程師實現更出色的能效和更低系統
2023-05-10 16:54:10657 阻僅為240mΩ左右,相比傳統的MOSFET和IGBT等功率器件更低,有助于提高系統效率和降低功率損耗。 2. 高開關速度:GaN:RX65T300 HS2A的開關速度快,可以在微秒級別內完成開關動作
2023-04-20 15:16:01618 下面深入探討了輸配電系統以及有助于優化它們的組件,例如轉換器、機器學習和高級分析、負載管理和配電自動化。在電網系統中,輸電和配電對于確保高效可靠地輸送電力至關重要。多年來,輸配電技術有了顯著改進
2023-04-18 16:11:08
了解和掌握純c語言的ebpf編譯和使用,有助于我們加深對于eBPF技術原理的進一步掌握,也有助于開發符合自己業務需求的高性能的ebpf程序。
2023-04-17 14:05:261116 何將示波器的探頭連接到熱插拔電路,以獲得MOSFET功耗和負載電容的精確值。MAX5976熱插拔方案作為示例器件。
2023-04-13 11:54:341091 如果將圖像輸入深度學習模型,則必須使用批歸一化等技術對圖像進行歸一化,這將有助于標準化網絡的輸入。這將有助于網絡學習得更快、更穩定。批量歸一化有時也會減少泛化誤差。
2023-04-12 08:59:00100 評估,以改善動態特性和可靠性,并開發有助于實現碳中和的更具吸引力的高性能功率半導體器件。新研發的格子花紋嵌入式SBD-SiC MOSFET的示意圖1,2kV級SiC MOSFET特性對比
2023-04-11 15:29:18
CMOS 晶體管有助于控制二維憶阻器上的電流。這有助于實現憶阻器約 500 萬次開關周期的耐用性,與現有的電阻式 RAM和相變存儲器大致相當。如果沒有 CMOS 晶體管,憶阻器只能承受大約 100 個周期。
2023-04-11 10:59:41919 側物聯網應用,包括收集、處理能源和電力相關信息的系統。目標是提高電力的生產和分配效率。有大量的耗能設備具有連接到互聯網的能力。這有助于與公用事業公司溝通,以平衡發電量并優化能耗。這些智能設備支持多種
2023-04-07 09:22:47
的電力。智能電網的示例愿景如圖1所示。 圖1.智能電網的愿景 智能電表有助于提供更好的計費和更好的預測。高效的計費增加了對負責任用電的消費者的激勵。無線物聯網設備有助于收集大量數據,有助于預測
2023-04-06 16:34:25
在IGBT半橋模塊中,適當減小DBC上層銅的面積,會使得DBC對地共模電容減小嗎?如果會的話原理是什么呢?
2023-04-05 13:38:09
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”,其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝,可用于工業設備開關電源,涵蓋數據中心和通信基站等電源應用。該產品于今日開始支持批量出貨。
2023-03-31 10:05:32727 中國上海, 2023 年 3 月 30 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”,其采用最新一代
2023-03-30 13:37:14609 V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的,采用ROHM的這些產品將有助于應用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。另外
2023-03-29 15:06:13
傳感新品 【中科院理化所:研發石墨烯/MXene同軸傳感器,有助于無損抓取易碎物體】 隨著智能機器人在倉儲運輸、人類醫療保健和家庭服務中的廣泛應用,無損高效的機器人抓取變得越來越重要。然而,用于反饋
2023-03-28 15:47:44715
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