)- **通道類型：** N—Channel溝道- **漏極-源極電壓（VDS）：** 40V- **漏極-源極電流（ID）：** 123A- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）
2024-02-19 16:27:26
**NP40N10PDF-VB****絲印：** VBL1104N **品牌：** VBsemi **參數(shù)：** TO263；N—Channel溝道, 100V；45A
2024-02-19 15:14:12
**產(chǎn)品型號(hào)：** SIR462DP-T1-GE3-VB**絲印：** VBQA1308**品牌：** VBsemi**參數(shù)：**- 封裝：DFN8(5X6)- 溝道類型：N-Channel- 額定
2024-02-19 14:42:26
;- N—Channel溝道 - 額定電壓：30V - 最大電流：80A - RDS(ON)：7mΩ @ VGS=10V, VGS=2
2024-02-03 14:24:45
8(5X6) - 溝道類型: N—Channel - 額定電壓(VDS): 100V - 額定電流(ID): 100A - 導(dǎo)
2024-02-03 13:43:26
型號(hào)：STD100N10F7-VB絲印：VBE1101N品牌：VBsemi參數(shù)：- 封裝：TO252- 溝道類型：N—Channel- 最大耐壓：100V- 最大電流：70A- 開態(tài)電阻：RDS
2024-02-03 10:54:37
型號(hào): SI7852ADP-VB絲印: VBQA1806品牌: VBsemi參數(shù):- 封裝: DFN8(5X6)- 溝道類型: N-Channel- 最大電壓(Vds): 80V- 最大電流(Id
2024-02-02 16:57:27
變大。
如果在柵源之間加負(fù)向電壓，溝道電阻會(huì)越來越小失去控制的作用。漏極和源極可以互換。
2、絕緣柵型場效應(yīng)管分為N溝道和P溝道，每一種又分為增強(qiáng)型和耗盡型。
N溝道增強(qiáng)型MOS管在其柵源之間加正向電壓，形成反型
2024-01-30 11:51:42
電壓時(shí)導(dǎo)電溝道是低阻狀態(tài)，加上控制電壓溝道電阻逐漸變大。
2、絕緣柵型場效應(yīng)管分為N溝道和P溝道，每一種又分為增強(qiáng)型和耗盡型。
N溝道增強(qiáng)型MOS管在其柵源之間加正向電壓，形成反型層和導(dǎo)電溝道，溝道電阻
2024-01-30 11:38:27
產(chǎn)品概述 DK5V100R10VN是一款簡單高效率的同步整 流芯片。芯片內(nèi)部集成了100V功率NMOS管，可 以大幅降低二極管導(dǎo)通損耗，提高整機(jī)效率，取 代或替換目前市場上等規(guī)的肖特基
2024-01-27 16:58:41
產(chǎn)品概述 DK5V100R10ST1是一款簡單高效率的同步 整流芯片，只有A，K兩個(gè)引腳，分別對應(yīng)肖特 基二極管PN管腳。芯片內(nèi)部集成了100V功率 NMOS管，可以大幅降低二極管導(dǎo)通損耗
2024-01-27 16:56:04
Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916，采用了創(chuàng)新的雙面散熱 DFN 5 x 6 封裝。這一創(chuàng)新型封裝為 AOS 產(chǎn)品賦予了卓越的散熱性能，使其在長期惡劣的運(yùn)行條件下仍能保持穩(wěn)定的性能。
2024-01-26 18:25:15
1382 H6203G 是一款150V高耐壓芯片支持100V轉(zhuǎn)3.3V 100V轉(zhuǎn)5V 100V轉(zhuǎn)12V。
產(chǎn)品描述
H6203G是一種內(nèi)置150V耐壓MOS，支持輸入高達(dá)120V的高壓降壓開關(guān)控制器，可以向負(fù)載
2024-01-26 14:13:26
產(chǎn)品不適合電動(dòng)車控制器比如80V100A、150A、200A等需要抗大電流沖擊的應(yīng)用領(lǐng)域。最適合用的領(lǐng)域就是芯片+mos管的驅(qū)動(dòng)方式、5A以內(nèi)的普通邏輯開關(guān)或者高頻開關(guān)應(yīng)用。
惠海MOS管在典型應(yīng)用領(lǐng)域
2024-01-20 15:30:35
：- **溝道類型：** N—Channel- **最大溝道電壓：** 60V- **最大持續(xù)電流：** 100A- **導(dǎo)通電阻：** RDS(ON)=3mΩ @
2024-01-02 15:59:28
型號(hào)：MDU1514URH-VB絲印：VBQA1308品牌：VBsemi參數(shù)：- 封裝類型：DFN8(5X6)- 溝道類型：N—Channel- 最大漏電壓（Vds）：30V- 最大漏極電流（Id
2023-12-29 11:22:19
型號(hào): SI7850DP-T1-E3-VB絲印: VBQA1638品牌: VBsemi參數(shù):- 封裝類型: DFN8(5X6)- 溝道類型: N-Channel- 額定電壓: 60V- 最大電流
2023-12-29 11:10:55
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種利用電場效應(yīng)來控制電流的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型，場效應(yīng)晶體管可以分為n溝道和p溝道兩種類型。本文將對n溝道MOS
2023-12-28 15:28:282894 
型號(hào)：CMU12N10-VB絲印：VBFB1101M品牌：VBsemi參數(shù)：- 溝道類型：N溝道- 額定電壓：100V- 最大連續(xù)電流：15A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：115m
2023-12-21 15:47:19
型號(hào)：12N10-VB絲印：VBE1101M品牌：VBsemi參數(shù)：- 溝道類型：N溝道- 額定電壓：100V- 最大連續(xù)電流：18A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：115mΩ @ 10V
2023-12-21 10:55:58
, 5mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 閾值電壓（Vth）：1.79V- 封裝類型：DFN8(5X6)應(yīng)用簡介：MDU1517RH-VB是一款N溝道功率MO
2023-12-20 15:52:36
型號(hào)：ME20N10-VB絲印：VBE1101M品牌：VBsemi參數(shù)：N溝道,100V,18A,RDS(ON),115mΩ@10V,121mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.6Vth(V
2023-12-20 11:10:43
型號(hào)：SUD40N10-25-E3-VB絲印：VBE1104N品牌：VBsemi參數(shù)：N溝道,100V,40A,RDS(ON),30mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.8Vth
2023-12-20 10:39:02
型號(hào)：FDD3672-VB絲印：VBE1104N品牌：VBsemi參數(shù)：N溝道,100V,40A,RDS(ON),30mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.8Vth(V
2023-12-20 10:32:42
型號(hào)：ME15N10-VB絲印：VBE1101M品牌：VBsemi參數(shù)：- 溝道類型：N溝道- 額定電壓：100V- 額定電流：18A- 開通電阻（RDS(ON)）：115mΩ @ 10V
2023-12-19 11:01:35
型號(hào)：SIR802DP-T1-GE3-VB絲印：VBQA1302品牌：VBsemi參數(shù)說明：- MOSFET類型：N溝道- 額定電壓：30V- 最大電流：160A- 導(dǎo)通電阻（RDS
2023-12-14 15:34:43
型號(hào)：SI7478DP-T1-GE3-VB絲印：VBQA1606品牌：VBsemi參數(shù)：- 溝道類型：N溝道- 額定電壓：60V- 最大連續(xù)電流：90A- 靜態(tài)開啟電阻（RDS(ON)）：6
2023-12-14 11:59:15
Ω @ 10Vgs- 閾值電壓（Vth）：3.5V- 封裝類型：TO252應(yīng)用簡介：FQD6N40CTM-VB是一款高耐壓N溝道MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），
2023-12-13 17:18:09
型號(hào)：UT100N03L-VB絲印：VBM1303品牌：VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明：- 類型：N溝道MOSFET- 額定電壓（Vds）：30V- 額定電流（Id）：120A- 導(dǎo)通電阻（RDS
2023-12-13 15:30:53
型號(hào)：15N10 TO252-VB絲印：VBE1101M品牌：VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明：- 溝道類型：N溝道- 額定電壓：100V- 額定電流：18A- 靜態(tài)電阻：115mΩ @ 10V, 121m
2023-12-13 14:29:03
VBsemi推出了ZXMN10A07ZTA型號(hào)的MOS管，該產(chǎn)品以VBI1101M為絲印型號(hào)。這款MOS管屬于N溝道型晶體管，具備出色的性能指標(biāo)。它的最大工作電壓可達(dá)100V，最大工作電流為3.1A
2023-11-30 16:15:59
AOD603A（VBE5638）是一款N+P溝道MOS型晶體管，采用TO252-5封裝。該產(chǎn)品具有±60V的耐壓能力和35A的正向電流承載能力，以及-18A的反向電流承載能力。其導(dǎo)通電阻RDS
2023-11-29 16:53:53
AOD482是由VBsemi品牌推出的一款MOS管產(chǎn)品，絲印型號(hào)為VBE1104N。該產(chǎn)品屬于N溝道類型，可承受最高100V的電壓和40A的電流。其RDS(ON)參數(shù)為30mΩ（在10V工作電壓
2023-11-29 16:52:11
Transistor（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管）的縮寫。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。這里我們以增強(qiáng)型MOS為例分析。
場效應(yīng)管是由源極，漏極，柵極組成，由于襯底的摻雜不同可分為N溝道和P溝道場效應(yīng)管。（溝道
2023-11-28 15:53:49
電路和外置場效應(yīng)晶體管驅(qū)動(dòng)電路等，具有外部元件少，電路簡單等優(yōu)點(diǎn)。
當(dāng)接通輸入電源后，F(xiàn)S4067進(jìn) 入充電狀態(tài)，控制外置N溝道MOSFET導(dǎo)通，電感電流上升，當(dāng)上升到外部電流檢測電阻設(shè)置的上限時(shí)，外置
2023-11-21 12:14:43
請問：CMOS管的功耗與MOS管的導(dǎo)電溝道的關(guān)系？
2023-11-20 07:01:20
Features
? 9V to 100V input voltage range
? 1.5A/5A continuous output current
? 95% Peak Efficiency
2023-11-09 15:48:40
型號(hào) IPD78CN10N G絲印 VBE1106N品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 極性 N溝道 額定電壓 100V 額定電流 25A 開通電阻（RDS(ON)） 55mΩ @ 10V
2023-11-06 10:34:32
Ω @ 10V, 20Vgs (±V) 閾值電壓 3.2V 封裝類型 TO252詳細(xì)參數(shù)說明 PSMN025100D是一款N溝道MOS管，適用于最大100V的工作電壓，最大
2023-11-03 15:21:13
1.9Vth (V) 封裝類型 DFN8 (5X6)應(yīng)用簡介 SIR422DPT1GE3是一款N溝道MOSFET，適用于各種電源管理和功率放大器應(yīng)用。具有較高的
2023-11-03 13:55:28
型號(hào) STD10NF10T4絲印 VBE1101M品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 100V 最大電流 18A 導(dǎo)通電阻 115mΩ@10V, 121m
2023-11-03 13:44:15
型號(hào) CMD12N10絲印 VBE1101M品牌 VBsemi參數(shù) 頻道類型 N溝道 額定電壓 100V 額定電流 18A RDS(ON) 115mΩ @ 10V，121m
2023-11-03 11:03:51
型號(hào) FDT86113LZ絲印 VBJ1101M品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 100V 最大電流 5A 導(dǎo)通電阻 100mΩ@10V, 120m
2023-11-02 11:37:02
;100V 額定電流(ID) 70A 開通電阻(RDS(ON)) 18mΩ@10V, 22mΩ@4.5V &nbs
2023-11-02 11:26:58
型號(hào) 15N10 TO251絲印 VBFB1101M品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 100V 最大電流 15A 導(dǎo)通電阻 115mΩ @10V
2023-11-01 13:45:32
型號(hào) RSD050N10TL絲印 VBE1101M品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 100V 最大電流 18A 導(dǎo)通電阻 115mΩ @10V
2023-10-31 14:54:56
型號(hào) FDC3512絲印 VB7101M品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 100V 最大電流 3.2A 導(dǎo)通電阻 100mΩ @10V, 127m
2023-10-31 10:23:37
)；TO263該產(chǎn)品具有以下詳細(xì)參數(shù)說明 類型 N溝道功率場效應(yīng)管 最大耐壓 100V 最大漏極電流 45A 導(dǎo)通時(shí)的電阻（RDS(ON)） 32mΩ@10V
2023-10-31 10:12:53
CED12N10詳細(xì)參數(shù)說明 極性 N溝道 額定電壓 100V 額定電流 15A 導(dǎo)通電阻 115mΩ @ 10V, 120mΩ @ 4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 閾值電壓
2023-10-30 16:06:33
型號(hào) FQU13N10L絲印 VBFB1101M品牌 VBsemi參數(shù) 頻道類型 N溝道 額定電壓 100V 額定電流 15A RDS
2023-10-30 14:13:32
供應(yīng)APG095N01 100v 65a 的mos管-G095N01 mos管主要參數(shù)，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供APG095N01 規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2023-10-27 17:14:45
FDC5661N詳細(xì)參數(shù)說明 - 極性 N溝道- 額定電壓 60V- 額定電流 7A- 導(dǎo)通電阻 30mΩ @ 10V, 35mΩ @ 4.5V- 門源電壓 20Vgs (±V
2023-10-27 17:10:05
供應(yīng)APG082N01 n溝道mos管100v 100a-電源適配器mos管規(guī)格書，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供APG082N01規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2023-10-27 16:38:06
0 供應(yīng)APG082N01 100v控制器mos管銓力N通道增強(qiáng)型MOSFET管，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供APG082N01規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2023-10-27 16:35:09
ZXMN6A07ZTA (VBI1695)參數(shù)說明：N溝道，60V，5A，導(dǎo)通電阻76mΩ@10V，88mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓1~3V，封裝：SOT89-3。應(yīng)用簡介
2023-10-27 10:30:17
供應(yīng)AP40N100LK耐壓100v貼片mos管-40N100管子，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP40N100LK規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2023-10-23 17:23:43
特點(diǎn)
9V 至 100V 的輸入電壓范圍功率管 4A 電流限制
2A 連續(xù)負(fù)載電流
93%峰值效率
400μA 工作靜態(tài)電流
集成 100V/400mΩ的 NMOS 管
峰值電流控制模式
300
2023-10-23 15:03:33
DMTH10H4M5LPS 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMTH10H4M5LPS 這款新一代 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地減少 RDS(ON)，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該
2023-09-19 13:30:37
DMTH10H2M5STLW 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMTH10H2M5STLW 這款新一代 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地減少(R DS(ON) )， 同時(shí)保持卓越
2023-09-19 12:36:29
DMTH10H072LPS 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMTH10H072LPS 這款新一代 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON)，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該
2023-09-19 11:55:10
DMTH10H010LCTB 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMTH10H010LCTB 這種新一代N溝道增強(qiáng)型MOSFET設(shè)計(jì)用于最小化RDS（ON），同時(shí)保持卓越的切換表演該設(shè)備是高效電源
2023-09-19 11:39:39
DMTH10H009LPS 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMTH10H009LPS 這款新一代 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON)，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該
2023-09-19 11:26:18
DMT10H4M5LPS 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMT10H4M5LPS 這款新一代 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地減少 RDS(ON)，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件
2023-09-18 13:23:02
DMT10H015LCG 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMT10H015LCG 這款新一代 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地減少 RDS(ON)，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件
2023-09-18 11:23:58
DMT10H010LPS 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMT10H010LPS 這款新一代 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON)，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件
2023-09-18 11:18:46
DMT10H009SCG 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMT10H009SCG 這款新一代 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地減少 RDS(ON)，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件
2023-09-18 11:05:00
DMT10H009LPS 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMT10H009LPS 這款新一代 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON)，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件
2023-09-18 10:56:52
DMT10H009LCG 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMT10H009LCG 這款新一代 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地減少 RDS(ON)，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件
2023-09-18 10:29:47
Features 100V, 75ARDS(ON)
2023-09-02 17:13:59
mos管p溝道n溝道的區(qū)別 MOS管是一種主流的場效應(yīng)晶體管，分為p溝道MOS管和n溝道MOS管兩種類型。這兩種MOS管的區(qū)別主要在于導(dǎo)電性質(zhì)、靜態(tài)特性、輸入電容、噪聲功率和門極結(jié)色散等方面
2023-08-25 15:11:258265 PL8311是寶礫微電子推出的一款36V，1.5A單片式降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器。 PL8311集成了36V 250mΩ高側(cè)和36V，140mΩ低側(cè)MOSFET，可在4.5V至36V寬工作輸入電壓范圍內(nèi)提供
2023-08-23 17:07:49
供應(yīng)AP8205 雙n mos 20v6A 絲印：8205A-銓力mos管，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP8205規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2023-08-22 17:07:51
（Ta=25°C）：70W(Tc) 類型：N溝道 N溝道 600V 4A。應(yīng)用場景：適用于高效率開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和照明應(yīng)用等，可用于電源因數(shù)校正（PFC）電路中
2023-08-21 10:49:56
原廠代理寶礫微
PL83081是一款 PWM 控制器，專為高性能同步 Buck DC/DC 應(yīng)用設(shè)計(jì)，輸入電壓為3.0 V 至24 V。PL83081采用恒開時(shí)間控制。根據(jù) FREQ 引腳和 GND
2023-08-16 11:33:09
的場合可以相互更換。
2.1N4148為小電流開關(guān)管，耐壓100V。
3.1N4007為整流管，1A-1000V。有許多類型的替代模型。
應(yīng)用差異
一般來說，我們在使用續(xù)流二極管時(shí)大多
2023-07-31 16:07:44
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)MSM06065G1碳化硅二極管，耐壓650V 6A DFN5*6封裝，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷 美浦森推出的碳化硅二極管具有更高的過電壓安全裕量，可提升全負(fù)載條件下
2023-07-05 16:00:20
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷MSM06065G1 品牌：美浦森 封裝：DFN5*6
2023-07-05 15:54:11
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)MSM06065G1美浦森 650V6A碳化硅二極管DFN5*6，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷 MSM06065G1 品牌：美浦森 封裝：DFN5
2023-07-05 15:50:06
RBA250N10CHPF-4UA02 100V – 250A – N 溝道功率 MOS FET 應(yīng)用：汽車
2023-07-04 20:37:360 X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備電源線路上的開關(guān)電路和熱插拔電路[1]等應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。 ? ? TPH3R10AQM具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導(dǎo)通電阻，比東芝目前100V產(chǎn)品“
2023-07-03 14:48:14477 
點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布， 推出采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10
2023-06-29 17:40:01368 
供應(yīng)PTS4842 MOS場效應(yīng)管-30V/7.7A雙N溝道高級(jí)功率MOSFET，提供PTS4842雙mos管關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳市驪微電子申請。>>
2023-06-10 14:45:17
供應(yīng)HY3810NA2P 100V180An溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管，提供HY3810NA2P 100v mos管手冊及關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳市驪微電子申請。>>
2023-06-10 14:23:141 供應(yīng)HY3810NA2P TO-220AB 100v耐壓mos管100V/180A N溝道增強(qiáng)型MOSFET，提供HY3810NA2P關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳市驪微電子申請。>>
2023-06-10 14:21:45
供應(yīng)功率mos管10N65L-ML UTC 10A，650V，提供-10n65參數(shù)及代換 ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳市驪微電子申請 。>>
2023-06-09 15:24:46
*附件：power1.pdf
遇到一個(gè)電源板無法供電故障，此電源電路采用P溝道MOS限流保護(hù)設(shè)計(jì)。正常啟動(dòng)時(shí)Q14柵極上電慢，低于源極，MOS管導(dǎo)通，經(jīng)過后級(jí)U9基準(zhǔn)和U27運(yùn)放組成恒壓源電路，限制
2023-06-05 22:50:12
PL30502是寶礫微電子推出的20V同步升壓轉(zhuǎn)換器，內(nèi)置柵極驅(qū)動(dòng)器，可斷開負(fù)載。 PL30502集成了兩個(gè)低導(dǎo)通電阻功率FET：一個(gè)7mΩ的開關(guān)FET和一個(gè)7mΩ的整流FET。PL
2023-05-30 14:54:09
中國—— 意法半導(dǎo)體的STL120N10F8N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導(dǎo)通電阻RDS(on)，優(yōu)值系數(shù) (FoM) 比上一代同類產(chǎn)品提高40%。
2023-05-25 10:08:23330 保護(hù)和過溫保護(hù)。
SL3041 外圍電路簡單，封裝采用ESOP8
特點(diǎn)
3A輸出峰值電流
10V至100V寬工作電壓范圍
內(nèi)置功率MOSFET
110KHZ固定開關(guān)頻率
軟啟動(dòng)
輸出短路保護(hù)
2023-05-24 16:39:12
Boost升壓電路，DC60-DC72大功率用于電動(dòng)車增速使用，MOSFET管燒壞導(dǎo)致短路，這種管子網(wǎng)上找不到啊，可以用什么代替？
LR080N10S3-A
LR080N10S3-D
2023-05-21 11:55:34
描述BL6N120，硅N溝道增強(qiáng)MOSFET，由先進(jìn)的MOSFET獲得降低傳導(dǎo)損耗的技術(shù)，提高開關(guān)性能并增強(qiáng)雪崩能量。晶體管適合用于開關(guān)電源、高速開關(guān)和通用應(yīng)用程序。特點(diǎn)? 快速切換? 低Crss
2023-05-16 16:28:47
MOSFET(MOS管)中的“開關(guān)”時(shí)間可以改變電壓嗎？
2023-05-16 14:26:16
limit of 3.5A, typically. The wide 5Vto 100V input range accommodates a variety
2023-04-21 15:36:47
概述SL3041 是一款內(nèi)部集成有功率MOSFET管可設(shè)定輸出電流的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器。可工作在寬輸入電壓范圍具有優(yōu)良的負(fù)載和線性調(diào)整。寬范圍輸入電壓（10V至100V）可提供最大3A電流的高效率輸出
2023-04-20 10:19:11
PL1201 鋰電充電芯片產(chǎn)品型號(hào)供貨狀態(tài)模式串?dāng)?shù)(s)鋰離子（V）磷酸鐵鋰輸入電壓(V)充電電流(A)靜態(tài)電流（uA）指示燈輸入過壓(V)輸入欠壓(V)封裝PL1201量產(chǎn)Linear Charger14.20/4.35N4.5-241.22Y6.53.9ESOP8DFN3x3-10
2023-04-07 14:11:45
對于N溝道增強(qiáng)型MOS管而言，為何漏源電壓增大到一定反型層會(huì)消失？此時(shí)柵極和襯底間不是仍然有一個(gè)正壓嗎
2023-03-31 15:31:55
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