電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5V 雙向、2:1 (SPDT) 通用開(kāi)關(guān)TMUX1247數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-20 14:11:25
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有1.8V邏輯器件的36V、低導(dǎo)通電阻、2:1 、4通道精密開(kāi)關(guān)TMUX6234數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-20 13:53:000 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有1.8V邏輯控制器的-12V低RON、2:1 (SPDT) 負(fù)電壓開(kāi)關(guān)TMUX4157N 數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-20 11:15:190 JW7112是一款小型、低RON的單通道配電開(kāi)關(guān)，具有可控的開(kāi)啟轉(zhuǎn)換速率。該器件包含一個(gè)N溝道MOSFET，可以在2.8V至16V的輸入電壓范圍內(nèi)工作，并可以支持3A的最大連續(xù)電流。外部可編程
2024-03-18 15:25:18
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《VAUX配電開(kāi)關(guān)TPS2102和TPS2103數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-18 15:05:140 JW7109是一款具有可編程導(dǎo)通上升時(shí)間的低導(dǎo)通電阻雙通道負(fù)載開(kāi)關(guān)，且支持較快的上升斜率，以滿(mǎn)足快速時(shí)序的要求。它包含兩個(gè)N溝道MOSFET，每個(gè)溝道可以提供6A的最大連續(xù)電流。每個(gè)通道可以在
2024-03-18 14:39:12
JW7107S是一款具有可編程導(dǎo)通上升時(shí)間的低導(dǎo)通電阻雙通道負(fù)載開(kāi)關(guān)。它包含兩個(gè)N溝道MOSFET，每個(gè)溝道可以提供6A的最大連續(xù)電流。每個(gè)通道可以在0.8V到5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作。 每個(gè)
2024-03-18 14:36:43
JW7106是一款具有可編程導(dǎo)通上升時(shí)間的低25毫歐電阻單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)。它包含n溝道MOSFET，可以提供6A的最大連續(xù)電流。JW7106可以在0.8V到5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作。 在
2024-03-18 14:30:27
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有熱保護(hù)的 2.7V-18V、79mΩ 導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS22810數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 14:25:100 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有熱保護(hù)功能的TPS22810-Q1 2.7V-18V、79mΩ導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 14:12:160 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有受控開(kāi)通功能的3.6V、500mA、78mΩ導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS2290x數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 14:08:340 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《3.6-V，1-A，44-mΩ導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS22907數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 14:05:430 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5.5V、2A、37mΩ 導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS2291xx數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 13:50:490 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5.5V、2A、導(dǎo)通電阻為 52mΩ 的負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS22918數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 13:47:190 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有可控接通功能的超小型、低導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS22912 數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 13:46:040 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5.5V、2A、導(dǎo)通電阻為 52mΩ 的負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS22918-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 13:42:260 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5.7V，6A，16mΩ 導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS22965數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 11:09:230 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有可控接通功能的TPS22930 超小型、低導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 10:51:390 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5.7V、5A、14mΩ 導(dǎo)通電阻汽車(chē)負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS2295x-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 10:47:540 溫度 傳感器 模擬電壓 輸出
2024-03-14 23:10:17
- 源極閾值和導(dǎo)通電阻特性參數(shù)，如圖 19-1 所示。稍微減少柵極驅(qū)動(dòng)電壓，可以顯著減小漏電流。
對(duì)于 MOSFET，低閾值器件較為常見(jiàn)，其漏－源電壓額定值低于 30V。漏－源額定電壓大于 30V
2024-03-14 09:51:00
與功能區(qū)別： 普通電阻：普通電阻是一種用于限制電流流動(dòng)的元件，其電阻值是固定的，通常用來(lái)控制電路中的電流或電壓。普通電阻通常不會(huì)熔斷，只起到限制電流的作用，不具備過(guò)流保護(hù)功能。 保險(xiǎn)電阻：保險(xiǎn)電阻是一種用于過(guò)流保護(hù)的
2024-03-05 15:48:06
202 Qorvo QPC8015Q SPDT路由開(kāi)關(guān)Qorvo QPC8015Q SPDT路由開(kāi)關(guān)是一款低插入損耗、高隔離度單刀雙擲 (SPDT) 開(kāi)關(guān)，性能經(jīng)過(guò)優(yōu)化，用于低功耗路由和多樣性
2024-02-26 22:54:36
PL2700是一種經(jīng)濟(jì)有效、低電壓、單P-MOSFET負(fù)載開(kāi)關(guān)，為自供電和總線(xiàn)供電的通用串行總線(xiàn)(USB)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。該開(kāi)關(guān)的輸入范圍從2.4V到5.5V，使它非常適合3V和5V系統(tǒng)。該開(kāi)關(guān)
2024-02-25 10:46:250 壓敏電阻的主要特點(diǎn)是，當(dāng)壓敏電阻施加低電壓時(shí)，它具有高電阻，但對(duì)于較高電壓，電阻會(huì)下降。使壓敏電阻導(dǎo)通。因此，它們可用于電涌保護(hù)。
2024-01-30 11:45:55397 碳膜電阻器是將炭在真空高溫條件下分解的結(jié)晶炭蒸鍍沉積在陶瓷骨架上制成的,。這種電阻器的電壓穩(wěn)定性好，造價(jià)低，在普通電子產(chǎn)品中應(yīng)用非常廣泛。
2024-01-21 09:58:07138 
抗浪涌電阻和普通電阻的區(qū)別? 抗浪涌電阻和普通電阻雖然都屬于電阻器件，但在功能、結(jié)構(gòu)和特性方面有很大的區(qū)別。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地從多個(gè)方面對(duì)這兩種電阻進(jìn)行比較分析。 1. 功能區(qū)別: 抗浪涌電阻
2024-01-18 16:16:58564 擬使用具有使能的多個(gè)ADP7118或7112，分別在不同時(shí)間段輸出不同電壓驅(qū)動(dòng)同一個(gè)電阻。這樣，具有使能的ADP7118或7112的輸出端和負(fù)載電阻之間是否還需要采用模擬開(kāi)關(guān)，對(duì)多個(gè)ADP7118或
2024-01-08 07:51:55
近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻達(dá)到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 惠斯通電橋的特點(diǎn)是什么? 惠斯通電橋是一種用于測(cè)量電阻的電路。惠斯通電橋的特點(diǎn)是其高靈敏度和準(zhǔn)確性，因此被廣泛用于電阻、電壓或電流的測(cè)量和校準(zhǔn)。 惠斯通電橋由四個(gè)電阻和一個(gè)檢測(cè)器組成，其中兩個(gè)電阻
2023-12-21 14:02:15450 用萬(wàn)用表如何檢測(cè)普通電阻器？ 萬(wàn)用表是一種多功能測(cè)量工具，用于測(cè)量電流、電壓和電阻。它可以用于檢測(cè)各種類(lèi)型的電阻器，包括普通電阻器。在本文中，我們將介紹如何使用萬(wàn)用表來(lái)檢測(cè)普通電阻器的詳細(xì)步驟
2023-12-20 10:46:24669 電力知識(shí)之?dāng)嗦菲?b class="flag-6" style="color: red">低電壓動(dòng)作特性試驗(yàn)的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)是什么?
斷路器特性測(cè)試儀
斷路器低電壓動(dòng)作特性試驗(yàn)的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)是什么?
斷路器低電壓動(dòng)作特性試驗(yàn)的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)如下:
(1)合閘電磁鐵的最低動(dòng)作電壓應(yīng)不大于
2023-12-19 14:42:21
惠斯通電橋測(cè)電阻的基本原理和方法 惠斯通電橋是一種常用的電阻測(cè)量工具，廣泛應(yīng)用于實(shí)驗(yàn)室和工業(yè)控制領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹惠斯通電橋的基本原理和方法，并說(shuō)明其測(cè)量電阻的優(yōu)勢(shì)和局限性。 一、基本原理
2023-12-15 10:55:392783 描述 RS2057 是單刀雙擲（SPDT）模擬開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)用于在1.8V至5.5V。RS2057設(shè)備可以處理模擬和數(shù)字信號(hào)。它具有高帶寬（300MHz）和低導(dǎo)通電阻（典型值4.5
2023-11-29 11:39:17
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《低電壓邏輯接口設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-27 09:32:250 (Varistor) 的基本原理和結(jié)構(gòu) 電壓敏電阻，又稱(chēng)為壓敏電阻，是一種具有非線(xiàn)性電阻特性的電子元件。它具有低電壓時(shí)的高阻抗性，而在高電壓時(shí)則以非常低的電阻值來(lái)表現(xiàn)。其工作原理基于非線(xiàn)性材料，通常由氧化鋅（ZnO）等半導(dǎo)體陶瓷材料制成。 電壓敏
2023-11-23 11:00:34463 我想實(shí)現(xiàn)信號(hào)的放大和縮小，下面三個(gè)方式有何區(qū)別，哪個(gè)更好
1模擬開(kāi)關(guān)切換電阻加運(yùn)放
2 專(zhuān)運(yùn)可變?cè)鲆娣糯笃? 3 @DAC+運(yùn)放
2023-11-20 08:07:04
對(duì)于評(píng)估低電壓大電流電源的輸出特性時(shí)，應(yīng)該準(zhǔn)備什么樣的電子負(fù)載裝置？另外，當(dāng)POL電源變?yōu)?b class="flag-6" style="color: red">低電壓，超出電子負(fù)載裝置的電壓工作范圍時(shí)，又該如何應(yīng)對(duì)呢？
2023-11-15 16:42:381360 
CH482D、CH483M、CH483X、CH484M、CH481D、CH486F 是基于 RF 工藝的差分高速信號(hào)雙向模擬開(kāi)關(guān)芯片，高帶寬，低導(dǎo)通電阻。
2023-11-03 11:49:55483 
精密電阻和普通電阻的區(qū)別 普通電阻能否代替精密電阻？ 電阻是電子工程中一個(gè)常見(jiàn)的元件，它被用來(lái)控制電流和電壓。精密電阻和普通電阻是電阻中的兩個(gè)主要類(lèi)別，它們之間的區(qū)別在于精度和穩(wěn)定性。本文將詳細(xì)介紹
2023-10-29 11:21:55933 AW35321QNR是艾為電子推出的雙通道單刀雙擲模擬開(kāi)關(guān)。0.5Ω（典型值）超低導(dǎo)通電阻以及只需要單電源供電即可支持負(fù)擺幅信號(hào)的特性使其非常適合應(yīng)用于音頻領(lǐng)域。
2023-10-18 09:21:40788 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)ADRF5301:硅、SPDT開(kāi)關(guān)、37千兆赫至49千兆赫數(shù)據(jù)表相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有ADRF5301:硅、SPDT開(kāi)關(guān)、37千兆赫至49千兆赫數(shù)據(jù)表的引腳
2023-10-11 18:54:02
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)ADRF5144: 10 W平均數(shù),硅SPDT,反射開(kāi)關(guān),1千赫至20千兆赫數(shù)據(jù)表相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有ADRF5144: 10 W平均數(shù),硅SPDT,反射
2023-10-11 18:48:40
穩(wěn)壓，不是本帖的討論范圍，我要探究的，是普通電阻與非線(xiàn)性電阻 對(duì)運(yùn)放狀態(tài)的影響。
2023-10-10 23:32:52
，進(jìn)而使SCR導(dǎo)通。
實(shí)驗(yàn)中：穩(wěn)壓管閾值電壓較大時(shí)SCR可正常導(dǎo)通；但是穩(wěn)壓管閾值小的時(shí)候，SCR始終不通，后端電路一直有漏電流。（如圖所示穩(wěn)壓管閾值電壓為42V）
2023-10-10 08:57:00
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)ADRF5420: 翻轉(zhuǎn)芯片、硅SPDT開(kāi)關(guān)、1千赫至90千赫初步數(shù)據(jù)表相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有ADRF5420: 翻轉(zhuǎn)芯片、硅SPDT開(kāi)關(guān)、1千赫至90千赫
2023-10-09 18:58:42
? 1、超級(jí)結(jié)構(gòu) 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓
2023-10-07 09:57:362774 
過(guò)流保護(hù)為什么要加裝低電壓閉鎖？ 過(guò)流保護(hù)是電力系統(tǒng)中非常重要的一項(xiàng)保護(hù)措施，它是通過(guò)檢測(cè)電路中的電流，當(dāng)電流超過(guò)設(shè)定值時(shí)，立即切斷電路，以保護(hù)設(shè)備和人員的安全。但是在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中，由于各種原因
2023-09-28 16:46:462545 導(dǎo)通電阻測(cè)試就是用來(lái)檢測(cè)導(dǎo)線(xiàn)或連線(xiàn)情況是否正常的一種方法，是指兩個(gè)導(dǎo)體間在一定電壓下通過(guò)的電流所引起的電壓降之比，通俗的說(shuō)就是導(dǎo)線(xiàn)通電后的電阻值。芯片引腳導(dǎo)通性測(cè)試是一個(gè)必要的步驟，用于驗(yàn)證和檢測(cè)芯片引腳之間的連接是否正確，以確保芯片的正常工作。
2023-09-28 14:52:341155 
用4052模擬開(kāi)關(guān)，由于內(nèi)阻過(guò)大可以把2個(gè)模擬開(kāi)關(guān)并聯(lián)使用來(lái)減小電阻嗎
2023-09-27 07:48:11
CW32單片機(jī)低電壓檢測(cè)器的使用介紹
2023-09-18 10:56:26516 
在工作中難免會(huì)遇到信號(hào)切換的問(wèn)題，那么模擬開(kāi)關(guān)便可以很好的解決信號(hào)切換或者量程切換或者時(shí)分復(fù)用等問(wèn)題;模擬開(kāi)關(guān)的工作原理是通過(guò)控制電路中的電流或電壓來(lái)控制電路的開(kāi)關(guān)，當(dāng)電流或電壓達(dá)到一定的閾值時(shí)，模擬開(kāi)關(guān)就會(huì)打開(kāi)或關(guān)閉。
2023-09-14 16:51:551099 
什么是PN結(jié)的導(dǎo)通電壓？? PN結(jié)是半導(dǎo)體器件中最常見(jiàn)的元器件之一，它將p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體的材料在一起，通過(guò)電場(chǎng)使它們連接在一起，并形成一個(gè)電子流的管道。在其中，導(dǎo)通電壓是PN結(jié)的一個(gè)重要參數(shù)
2023-09-13 15:09:292825 相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)電壓，低電壓標(biāo)準(zhǔn)組件庫(kù)的設(shè)計(jì)，面臨了制程變異以及模塊的精準(zhǔn)度等挑戰(zhàn)，皆是設(shè)計(jì)者必須進(jìn)一步考慮要點(diǎn)。M31提出了縮短開(kāi)發(fā)時(shí)程、組件/電路低電壓操作改善方法以及提升低電模塊精準(zhǔn)度方案，能提供具競(jìng)爭(zhēng)力的低電壓標(biāo)準(zhǔn)組件庫(kù)。
2023-09-08 11:04:14768 
摘要：本文介紹了工商業(yè)儲(chǔ)能和儲(chǔ)能電站的差異，分析了工商業(yè)儲(chǔ)能應(yīng)用于臺(tái)區(qū)低電壓治理的可行性和效果。通過(guò)實(shí)例分析和計(jì)算，表明工商業(yè)儲(chǔ)能系統(tǒng)可以有效解決臺(tái)區(qū)低電壓問(wèn)題，提高供電可靠性和電能質(zhì)量。同時(shí)，本文
2023-09-06 09:39:54638 
射頻電阻和普通電阻區(qū)別? 隨著科技的不斷進(jìn)步和應(yīng)用范圍的擴(kuò)大，射頻技術(shù)在越來(lái)越多領(lǐng)域被廣泛使用。在射頻電路中使用的電阻，被稱(chēng)為射頻電阻，而普通電路中使用的電阻，被稱(chēng)為普通電阻。射頻電阻和普通電阻之間
2023-09-02 10:25:431207 模擬電源和開(kāi)關(guān)電源的區(qū)別 模擬電源和開(kāi)關(guān)電源是電源領(lǐng)域兩種不同的電源類(lèi)型。它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理、優(yōu)缺點(diǎn)以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面都有很大的差異。模擬電源主要是通過(guò)一個(gè)電壓調(diào)節(jié)器將輸入電源轉(zhuǎn)換成需要的直流輸出
2023-08-18 15:02:071109 管型號(hào)大全，供讀者參考。 1. IRF510: 這是一款N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管，主要應(yīng)用于低電壓、低功率的開(kāi)關(guān)電源中。其最大漏極電壓為100V，最大漏電流為5.6A，可靠性高、性?xún)r(jià)比較高。 2. IRF540: 這也是一款N溝道MOS管，具有較高的開(kāi)關(guān)速度和較低的導(dǎo)通電阻，適用于
2023-08-18 14:35:337589 開(kāi)關(guān)電源如何改成可調(diào)電壓的? 開(kāi)關(guān)電源是一種廣泛使用的電子產(chǎn)品，它能夠?qū)⒏?b class="flag-6" style="color: red">電壓電源轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定、低電壓的電源，適用于各種電子設(shè)備。但有時(shí)候我們需要能夠調(diào)節(jié)輸出電壓的開(kāi)關(guān)電源，以便更好地適應(yīng)設(shè)備的需求
2023-08-17 17:51:315749 優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)：升級(jí)更換1對(duì)DG211/DG212或2對(duì)dg403低導(dǎo)通電阻< 17Ω典型(35Ω Max)通道間保證匹配的通阻< 2Ω在模擬信號(hào)范圍內(nèi)保證平導(dǎo)電阻Δ3Ω最大值保證電荷注入
2023-08-08 14:46:36
普通電壓探頭是電子測(cè)量領(lǐng)域中廣泛使用的一種探頭。它是一種用于測(cè)量電路中電壓的設(shè)備，通過(guò)將其連接到電路中的測(cè)量點(diǎn)，可以將電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換為可讀取的電信號(hào)。普通電壓探頭的構(gòu)成非常重要，它決定了探頭的性能
2023-08-04 11:37:54407 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DGD2103和DGD2104在IR2103和IR2104中的應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 16:11:121 該模擬開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)用于打開(kāi)或關(guān)閉模擬線(xiàn)路。它由兩個(gè)IC形式的模擬開(kāi)關(guān)組成，由兩個(gè)按鈕開(kāi)關(guān)控制。在待機(jī)模式下，模擬開(kāi)關(guān)控制引腳上的電壓很低。
2023-07-23 11:20:011331 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《HMMC-2007 DC–8 GHz端接SPDT開(kāi)關(guān)產(chǎn)品簡(jiǎn)介.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-19 15:48:000 72V2103-72V2113 數(shù)據(jù)表
2023-07-07 19:23:400 本文回顧了標(biāo)準(zhǔn)CMOS模擬開(kāi)關(guān)的基本結(jié)構(gòu)和通用模擬開(kāi)關(guān)的一些基本參數(shù)，比如導(dǎo)通電阻(RON)、RON平坦度、泄漏、電荷注入和關(guān)斷隔離。文章討論了新型模擬開(kāi)關(guān)的性能改進(jìn)：更好的開(kāi)關(guān)特性、更低的工作電壓
2023-06-12 10:20:151883 
HMC574AMS8E是8引線(xiàn)MSOP封裝中的低成本SPDT開(kāi)關(guān)，用于發(fā)射/接收應(yīng)用，在高入射功率水平下需要非常低的失真。
2023-05-31 11:18:42524 BL1551B是一種單寬帶、快速單極雙擲（SPDT）模擬開(kāi)關(guān)，在VCC=5.0V時(shí)電阻為2.7Ω，寬電源范圍從1.8V到5.5V。它可以用作一個(gè)模擬開(kāi)關(guān)或作為一個(gè)低延遲總線(xiàn)開(kāi)關(guān)。350MHz的高帶寬性能支持高頻應(yīng)用程序。兩個(gè)部分的折斷前功能消除了開(kāi)關(guān)期間的信號(hào)中斷，防止兩個(gè)開(kāi)關(guān)同時(shí)啟用。
2023-05-19 15:47:05707 
列產(chǎn)品的參考資料，助力您快速了解產(chǎn)品各項(xiàng)信息。 點(diǎn)擊下載產(chǎn)品參考資料 與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場(chǎng)上更受歡迎
2023-05-17 13:35:02471 
BL1551B是一種單寬帶、快速單極雙擲（SPDT）模擬開(kāi)關(guān)，在VCC=5.0V時(shí)電阻為2.7Ω，寬電源范圍從1.8V到5.5V。它可以用作一個(gè)模擬開(kāi)關(guān)或作為一個(gè)低延遲總線(xiàn)開(kāi)關(guān)。350MHz的高帶寬
2023-05-16 14:45:16
在開(kāi)關(guān)電源里MOS導(dǎo)通時(shí)D—S之間的電壓為什么接近于0呢？
2023-05-16 14:29:20
新產(chǎn)品不僅利用微細(xì)化工藝提高了器件性能，還通過(guò)采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實(shí)現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻（Ron）*2，相比以往產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06215 
輸出電阻rds和互導(dǎo)gm都會(huì)受到輸出電壓vgs的影響，那么在mos場(chǎng)效應(yīng)管的小信號(hào)模型中，輸出電阻和互導(dǎo)是否會(huì)受到交流信號(hào)的影響不斷變化？
2023-04-28 14:32:13
NTC熱敏電阻最小也有1Ω的電阻，仍有損耗。如果在無(wú)需限制電流的時(shí)候，把電阻短路，那么損耗幾乎為0。開(kāi)關(guān)閉合以后，負(fù)載的輸入端的電容CL充電，電壓逐漸上升。可以把CL的電壓作為判斷條件，如果
2023-04-26 14:41:28798 
，具有頻帶寬、低功耗、低導(dǎo)通電阻、快速切換等特點(diǎn)，適用于通信、視頻、音頻等需要高速切換模擬開(kāi)關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)合，也適用于高速ADC或DAC信號(hào)處理系統(tǒng)。管腳定義序號(hào)符號(hào)定義
2023-04-26 14:39:20482 
MSUSB30/MSUSB30N 是一款高速、低功耗雙刀雙擲 USB 模擬開(kāi)關(guān)芯片，其工作電壓范圍是+1.8V 至+5.5V。其具有低碼間偏移、高通道噪聲隔離度、寬帶寬的特性。 MSUSB30
2023-04-16 20:31:53683 
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電阻
2023-04-11 15:29:18
變頻器低電壓主要是指中間直流回路的低電壓，一般能引起中間直流回路的低電壓的原因來(lái)自?xún)蓚€(gè)方面。
2023-04-08 10:23:371503 ，具有頻帶寬、低功耗、低導(dǎo)通電阻、快速切換等特點(diǎn)，適用于通信、視頻、音頻等需要高速切換模擬開(kāi)關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)合，也適用于高速ADC或DAC信號(hào)處理系統(tǒng)。該產(chǎn)品采用塑封SO
2023-04-03 16:11:37512 硅二極管的死區(qū)電壓和導(dǎo)通電壓分別為多少？反向飽和電流為多少數(shù)量級(jí)？
2023-03-31 11:45:58
雙路通用低電壓比較器
2023-03-28 18:26:20
高電壓，單和雙電源SPDT模擬開(kāi)關(guān)，使能引腳
2023-03-28 18:25:47
低導(dǎo)通電阻雙SPDT模擬開(kāi)關(guān)
2023-03-28 18:12:28
模擬開(kāi)關(guān)芯片 SPDT
2023-03-28 17:23:57
5V、2:1 (SPDT)、3 通道模擬開(kāi)關(guān)
2023-03-28 15:17:25
4.5Ω單臺(tái)雙邊SPST模擬開(kāi)關(guān)
2023-03-28 14:33:44
超低0.5Ω雙SPDT模擬開(kāi)關(guān)
2023-03-28 12:57:42
低導(dǎo)通電阻、低電壓、SPDT模擬開(kāi)關(guān)
2023-03-28 12:45:07
低導(dǎo)通電阻、低電壓、SPDT模擬開(kāi)關(guān)
2023-03-28 12:45:07
雙10-Ω SPDT模擬開(kāi)關(guān)帶欠沖/過(guò)沖電壓保護(hù)
2023-03-24 15:06:20
1.8V~5.5V 0.5?(TYP)超低導(dǎo)通電阻 低電壓 2通道 SPDT模擬開(kāi)關(guān)
2023-03-24 15:01:56
1.8V~5.5V SPDT 0.5Ω低電阻 低電壓 模擬開(kāi)關(guān)
2023-03-24 15:01:55
300MHz,4.5歐姆,1通道單刀雙擲(SPDT)模擬開(kāi)關(guān)
2023-03-24 14:48:48
30MHz,0.6歐姆,1通道單刀雙擲(SPDT)模擬開(kāi)關(guān)
2023-03-24 14:48:47
30MHz,0.6歐姆,1通道單刀雙擲(SPDT)模擬開(kāi)關(guān)
2023-03-24 14:48:47
超低導(dǎo)通電阻，低電壓，雙通道，單刀雙擲模擬開(kāi)關(guān)
2023-03-24 14:48:46
30MHz,0.6歐姆,2通道單刀雙擲(SPDT)模擬開(kāi)關(guān)
2023-03-24 14:48:46
正在加载...
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論