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2024-03-22 14:00:57
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有-5V輸入電壓能力的20V、4A雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器UCC27444數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-22 13:46:040 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《電隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器UCC21750-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-22 10:38:520 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于SiC/IGBT器件和汽車應(yīng)用的單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器UCC5350-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-22 10:17:510 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《38-V 1.2-A 單通道 LED 背光燈驅(qū)動(dòng)器TPS92360數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-22 10:03:130 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有UVLO的5A、5A光耦兼容單通道功能隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器UCC23113數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-22 09:59:350 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《汽車類 4A、6A 增強(qiáng)型隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器UCC21551x-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 11:40:320 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有單通道降壓穩(wěn)壓器、由串行接口控制的7通道電機(jī)驅(qū)動(dòng)器TPIC2030數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-19 09:50:400 電橋電路柵驅(qū)動(dòng)器和MOSFET柵驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品介紹
2024-03-19 09:43:36
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《單通道高速MOSFET驅(qū)動(dòng)器TPS2816-Q1 TPS2817-Q1 TPS2818-Q1 TPS2819-Q1 TPS2828-Q1 TPS2829-Q1數(shù)據(jù)表 .pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-14 09:28:320 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《單通道高速MOSFET驅(qū)動(dòng)器TPS28xx數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-14 09:25:460 ? 熱關(guān)斷保護(hù)：170°C? 采用 SOP-8 封裝 描述：SCT52245是一款寬電源、雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于功率MOSFET和IGBT
2024-03-13 14:41:18
描述：SCT63141是一款高度集成的電源管理IC，可實(shí)現(xiàn)高性能、高效率和成本效益的無線電源發(fā)射系統(tǒng)，支持高達(dá)15W的功率傳輸。該器件集成了5V-LDO、4-MOSFET全橋功率級(jí)、柵極驅(qū)動(dòng)器
2024-03-13 13:54:46
榮湃半導(dǎo)體近日宣布推出其最新研發(fā)的Pai8265xx系列柵極驅(qū)動(dòng)器，該系列驅(qū)動(dòng)器基于電容隔離技術(shù)，集成了多種保護(hù)功能，專為驅(qū)動(dòng)SiC、IGBT和MOSFET等功率管而設(shè)計(jì)。這款產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著榮湃半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新再次取得突破。
2024-03-12 11:11:52248 意法半導(dǎo)體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計(jì)上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《超低工作電壓單通道H橋驅(qū)動(dòng)器FS116L數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-08 09:10:331 驅(qū)動(dòng)器和控制器的發(fā)展。因此，電路設(shè)計(jì)人員經(jīng)常求助于為硅MOSFETs設(shè)計(jì)的通用柵極驅(qū)動(dòng)器，從而需要仔細(xì)考慮各種因素以獲得最佳性能。 GaN晶體管與Si MOSFETs 與硅MOSFETs相比，eGaN FETs表現(xiàn)出不同的特性，影響其與專為后者設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器一起工作。一些主要差
2024-03-05 14:28:16406 
GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優(yōu)勢(shì)，為電力電子產(chǎn)業(yè)帶來了革命性的變化。然而，GaN技術(shù)的快速發(fā)展有時(shí)超出了專門為GaN設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器和控制器的發(fā)展。因此，電路設(shè)計(jì)師經(jīng)常轉(zhuǎn)向?yàn)楣鐼OSFETs設(shè)計(jì)的通用柵極驅(qū)動(dòng)器，這就需要仔細(xì)考慮多個(gè)因素以實(shí)現(xiàn)最佳性能。
2024-02-29 17:54:08189 
意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
本文通過分析低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的等效電路來計(jì)算如何合理的選取RGATE電阻的阻值，既要保持MOS管的良好開關(guān)性能，還要有效抑制振鈴的產(chǎn)生。
2024-02-26 18:14:341240 
由于IGBT高電壓、大電流和高頻特性，IGBT需要一個(gè)專門的驅(qū)動(dòng)電路來控制其開通和關(guān)斷。本文將介紹IGBT驅(qū)動(dòng)電路。 一、IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用 IGBT驅(qū)動(dòng)電路的主要作用是向IGBT提供適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">柵極
2024-01-17 13:56:55553 
必易微新推出的柵極驅(qū)動(dòng)器 KP85402，專為家用電器和工業(yè)新能源等應(yīng)用場(chǎng)景而設(shè)計(jì)。這款產(chǎn)品旨在為客戶提供一個(gè)高可靠性、低成本的解決方案，以滿足各種柵極驅(qū)動(dòng)需求。
2024-01-08 15:33:25390 非對(duì)稱穩(wěn)壓輸出適合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共柵柵極驅(qū)動(dòng) - 現(xiàn)在，借助新型 R24C2T25 DC/DC 轉(zhuǎn)換器為 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共柵柵極驅(qū)動(dòng)器供電變得空前簡(jiǎn)單。
2023-12-21 11:46:42334 報(bào)告內(nèi)容包含：
效率和功率密度推動(dòng)變革
基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器功能
驅(qū)動(dòng)器演進(jìn)以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅(qū)動(dòng)器進(jìn)化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
、詳實(shí)、細(xì)致的比較分析。 一、基本概念 MOSFET和IGBT都是用于功率電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件。它們的主要區(qū)別在于結(jié)構(gòu)和工作原理。 MOSFET：MOSFET是一種由金屬氧化物絕緣體（MOS）構(gòu)成的雙極性晶體管。它由源極、漏極和柵極組成。在MOSFET中，源極和漏極之間的電流由柵極的電壓控制
2023-12-15 15:25:35366 IGBT7與IGBT4在伺服驅(qū)動(dòng)器中的對(duì)比測(cè)試
2023-12-14 11:31:08232 
圣邦微電子推出 SGM48541/2/3/4/5 系列，一款耐受 -10V 輸入電壓的單通道高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器。 該系列器件被廣泛應(yīng)用于 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、太陽能和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的功率 MOSFET
2023-12-13 10:10:01271 IGBT柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，關(guān)鍵元件該怎么選？
2023-11-30 18:02:38294 
是MOSFET的控制電路，它對(duì)于MOSFET的工作狀態(tài)和性能有著重要的影響。以下是關(guān)于MOSFET柵極電路常見的作用以及電壓對(duì)電流的影響的詳細(xì)介紹。 1. 控制MOSFET的導(dǎo)通與截止： MOSFET的柵極電壓決定了通道電流的大小，從而決定MOSFET的導(dǎo)通與截止。當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓時(shí)，
2023-11-29 17:46:40571 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《單通道柵極驅(qū)動(dòng)器ADuM4135應(yīng)用筆記.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-29 11:00:580 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ADuM4135：提供米勒箝位的單電源/雙電源 高電壓隔離IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-29 09:37:154 使用隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)指南（一）
2023-11-28 16:18:10272 
深度剖析 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)注意事項(xiàng)
2023-11-24 14:48:25220 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《實(shí)現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)基礎(chǔ).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-22 16:57:320 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器 提供隔離功能的最大功率限制.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-22 16:48:150 本應(yīng)用報(bào)告旨在展示一種為高速開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)的高性能柵極驅(qū)動(dòng)電路 應(yīng)用非常重要。這是一個(gè)內(nèi)容詳實(shí)的主題集，可為您提供解決最常見設(shè)計(jì)難題的“一站式服務(wù)”。因此，它可為具有不同經(jīng)驗(yàn)的電子產(chǎn)品工程師提供強(qiáng)大
2023-11-17 16:56:163 川土微電子CA-IS3215/6-Q1適用于SiC/IGBT 的具有主動(dòng)保護(hù)功能、高 CMTI、15A 拉/灌電流的單通道增強(qiáng)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器新品發(fā)布！
2023-11-15 09:49:43573 
柵極驅(qū)動(dòng) 單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器 SOP8_300MIL Vinput=3V~17V
2023-11-06 10:41:04
MD18011X，光耦兼容的單通道隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器系列，是茂睿芯功率驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品推出的新型產(chǎn)品系列，可廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源、光伏逆變器、伺服、變頻器等系統(tǒng)。它們具備5700VRMS增強(qiáng)型隔離等級(jí)，主要
2023-10-26 16:31:51711 
MD18011X，光耦兼容的單通道隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器系列，是茂睿芯功率驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品推出的新型產(chǎn)品系列，可廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源、光伏逆變器、伺服、變頻器等系統(tǒng)。它們具備5700VRMS增強(qiáng)型隔離等級(jí)，主要
2023-10-26 16:02:08347 
MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121369 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件對(duì)其特性有什么影響？ IGBT是晶體管的一種，它是一種高壓、高電流的開關(guān)器件，常用于高功率電子應(yīng)用中。IGBT是一種三極管，由一個(gè)PN結(jié)組成的集成電路
2023-10-19 17:08:14622 額外的電路通常比專用 SiC 占用更多的空間。因此，高端設(shè)計(jì)通常選擇專用的 SiC 核心驅(qū)動(dòng)器，這會(huì)考慮到更快的開關(guān)、過壓條件以及噪聲和 EMI 等問題。他說：“你總是可以使用標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)器，但你必須用額外的電路來補(bǔ)充它，通常這就是權(quán)衡。”
2023-10-09 14:21:40423 
本應(yīng)用筆記介紹了采用表面貼裝封裝的 n 通道雙 MOSFET 的低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。它描述了使用不同電壓應(yīng)用的設(shè)計(jì)，以及自適應(yīng) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，這是驅(qū)動(dòng)雙 n 溝道半橋的第三種方法。
2023-10-05 15:20:00615 
驅(qū)動(dòng)光耦產(chǎn)品線，近期新增一款輸出電流為2.5A的智能柵極驅(qū)動(dòng)光耦 TLP5222 。它是一款可為MOSFET或IGBT等功率器件提供過流保護(hù)的隔離柵極驅(qū)動(dòng)IC，內(nèi)置保護(hù)操作自動(dòng)恢復(fù)的功能。該器件主要用來實(shí)現(xiàn)逆變器、交流伺服器，光伏逆變器等的智
2023-09-28 17:40:02526 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 11:27:500 單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動(dòng)器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強(qiáng)大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)、節(jié)省了空間，并增強(qiáng)了節(jié)能型動(dòng)力系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
下的虛假開關(guān)。對(duì)于這兩個(gè)通道，該器件可以提供高達(dá)4A的強(qiáng)大柵極控制信號(hào)，其雙輸出引腳為柵極驅(qū)動(dòng)提供了額外的靈活性。有源Miller鉗位功能可在半橋拓?fù)涞目焖贀Q向期間避免柵極峰。
2023-09-05 06:59:59
設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)N通道功率MOSFET或IGBT，其工作電壓最高可達(dá)650V。
特性
?650V無芯變壓器隔離驅(qū)動(dòng)器IC
?軌到軌輸出
?保護(hù)功能
?浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)
?雙通道欠壓鎖定
?3.3V和5V TTL
2023-08-24 18:21:45
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GD316x故障管理、診斷、中斷和優(yōu)先級(jí)表 先進(jìn)IGBT和碳化硅柵極驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-17 14:22:085 MOSFET的獨(dú)特器件特性意味著它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特性后，設(shè)計(jì)人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關(guān)性能的柵極驅(qū)動(dòng)器。在這篇文章中，我們討論了SiC MOSFET器件的特點(diǎn)以及它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的要求，然后介紹了一種能夠解決這些問題和其它系統(tǒng)級(jí)考慮因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:57740 
在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，柵極驅(qū)動(dòng)器或“預(yù)驅(qū)動(dòng)器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用，以提供驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的大電流。在選擇驅(qū)動(dòng)器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關(guān)無源元件時(shí)，有很多需要考量的設(shè)計(jì)因素。如果對(duì)這個(gè)過程了解不透徹，將導(dǎo)致實(shí)現(xiàn)方式的差強(qiáng)人意。
2023-08-02 18:18:34808 
本用例將討論隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器在便攜式發(fā)電站中的應(yīng)用。
2023-08-02 11:41:49372 
新品6.5A，2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板（配SiCMOSFET）EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半橋電路，用兩個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)IC1ED3142MU12F來驅(qū)動(dòng)IGBT
2023-07-31 17:55:56430 
這是使用IC MD7120作為MOSFET驅(qū)動(dòng)器的D類功率音頻放大器的電路設(shè)計(jì)。 MD7120 用于驅(qū)動(dòng)在 H 橋開關(guān)兩側(cè)運(yùn)行的四個(gè) N 溝道 MOSFET 晶體管。它由控制器邏輯電路、電平轉(zhuǎn)換器
2023-07-28 16:20:50801 
介紹
在設(shè)計(jì)電源開關(guān)系統(tǒng)（例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器或電源）時(shí)，設(shè)計(jì)人員必須做出重要決定。什么電機(jī)或變壓器符合系統(tǒng)要求？什么是最好的MOSFET或IGBT來匹配該電機(jī)或變壓器？以及哪種柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 最適合
2023-07-24 15:51:430 承受并保護(hù)負(fù)供電電壓下的負(fù)載，并阻止反向電流，有助于簡(jiǎn)化汽車ISO7637保護(hù)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。 SCT53600控制器為外部n通道MOSFET提供了一個(gè)充電泵門驅(qū)動(dòng)器。該裝置將外部MOSFET的正向電壓降調(diào)節(jié)到20 mV，允許平穩(wěn)、無環(huán)操作，在反向事件期間提供非常快速的MOSFET關(guān)閉（ SCT53600在關(guān)機(jī)
2023-07-21 09:40:351374 
則兩全其美，可實(shí)現(xiàn)在高壓下的高頻開關(guān)。然而，SiC MOSFET的獨(dú)特器件特性意味著它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特
2023-07-18 19:05:01462 
寬供電電壓、雙通道、高速、低測(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，包括功率MOSFET，IGBT。單個(gè)通道能夠提供高達(dá)4A拉電流和4A灌電流的軌到軌驅(qū)
2023-07-18 09:01:27330 
IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極形成一個(gè)非線性電容。給柵極電容充電會(huì)使功率器件導(dǎo)通，并允許電流在其漏極和源極引腳之間流動(dòng)，而放電則會(huì)使器件關(guān)斷，漏極和源極引腳上就可以阻斷大電壓。
2023-07-14 14:54:071579 
柵極驅(qū)動(dòng)器是一種電子器件，它能夠?qū)⑿盘?hào)電平作為輸入，通過放大和轉(zhuǎn)換等過程，產(chǎn)生適合于驅(qū)動(dòng)下級(jí)器件的電源信號(hào)。柵極驅(qū)動(dòng)器廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，如顯示器、LED燈、電源逆變器等。
2023-07-14 14:48:441357 PT5619 在 同一顆芯片中同時(shí)集成了三個(gè) 90V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 ，特別適合于 三相電機(jī)應(yīng)用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅(qū)動(dòng) 。
2023-07-11 16:12:24434 
SCT52A40是一種寬電源，高頻柵極驅(qū)動(dòng)器，包括高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器，用于半橋、全橋和降壓電路和驅(qū)動(dòng)離散N型MOSFET的轉(zhuǎn)換器。4A峰值電流和匯電流能力可提高功率轉(zhuǎn)換器的功率效率
2023-07-03 17:31:24396 
該芯片是一款單通道低側(cè)GaN FET和邏輯電平MOSFET驅(qū)動(dòng)器，可應(yīng)用于LiDAR、飛行時(shí)間、面部識(shí)別和低側(cè)驅(qū)動(dòng)的功率轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。
2023-06-30 09:58:50263 TFB0527是一個(gè)半橋式柵極驅(qū)動(dòng)器，內(nèi)部集成了自舉二極管，能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n通道mosfet和igbt。TF半導(dǎo)體的先進(jìn)工藝，使浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器操作到100V的引導(dǎo)
2023-06-28 17:08:12
TFB0504是一個(gè)半橋式柵極驅(qū)動(dòng)器，內(nèi)部集成了自舉二極管，能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n通道mosfet和igbt。TF半導(dǎo)體的先進(jìn)工藝，使浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器操作到100V的引導(dǎo)
2023-06-27 17:01:42
TF2184是一種高壓、高速柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠在半橋配置中驅(qū)動(dòng)n通道MOSFET和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF2184的高側(cè)能夠在引導(dǎo)
2023-06-25 16:25:20
寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供? NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器）的使用指南 。本文為
2023-06-25 14:35:02377 
常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)器件，而MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件。 圖 1.1 所示為雙極晶體管。要在集電極中產(chǎn)生電流，必須在基極端子和發(fā)射極端子之間施加電流。
2023-06-25 12:24:00556 
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 IGBT晶體管的結(jié)構(gòu)要比 MOSFET 或雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 復(fù)雜得多。它結(jié)合了這兩種器件的特點(diǎn)，并且有三個(gè)端子：一個(gè)柵極、一個(gè)集電極和一個(gè)發(fā)射極。就柵極驅(qū)動(dòng)而言，該器件
2023-06-21 19:15:01398 
NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，內(nèi)置電流隔離功能，用于在高功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性。 上篇 中我們介紹了NCD(V)5700x的輸入(IN)和輸出(OUT)信號(hào)、輸入偏置
2023-06-16 11:35:011246 
NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，內(nèi)置電流隔離功能，用于在高功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性。上篇中我們介紹了NCD(V)5700x的輸入(IN)和輸出(OUT)信號(hào)、輸入偏置電源
2023-06-16 11:33:38714 
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，內(nèi)置電流隔離功能，用于在高功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性。 其特性包括：互補(bǔ)輸入（IN+ 和 IN-），開漏故障（ ）和就緒
2023-06-12 19:15:02570 
摘要：CM3003是一款高性價(jià)比的MOS管和IGBT管柵極驅(qū)動(dòng)器芯片，具有邏輯信號(hào)輸入處理、欠壓保護(hù)、電平位移、脈沖濾波和輸出驅(qū)動(dòng)等功能。該芯片適用于無刷電機(jī)控制器和電源DC-DC中的驅(qū)動(dòng)電路
2023-06-08 14:32:41706 
電源是電子設(shè)備的基礎(chǔ)，其中的柵極驅(qū)動(dòng)器是穩(wěn)定提供設(shè)備電源的關(guān)鍵。柵極驅(qū)動(dòng)器是一種功率放大器，它接受來自控制器芯片的低功率輸入，并為高功率晶體管（例如IGBT或功率MOSFET）的柵極產(chǎn)生高電流驅(qū)動(dòng)
2023-06-08 14:03:09362 常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)器件，而MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件。
2023-05-22 09:54:02518 
常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)器件，而MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件。
2023-05-22 09:52:08747 
半導(dǎo)體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件，具有開關(guān)速度快、易于驅(qū)動(dòng)、損耗低等優(yōu)勢(shì)。IGBT全稱是絕緣柵極
2023-05-18 09:51:583446 
功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
為了操作 MOSFET，通常須將一個(gè)電壓施加于柵極（相對(duì)于源極或發(fā)射極）。使用專用驅(qū)動(dòng)器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流。
2023-05-17 10:21:391475 
柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電柵極驅(qū)動(dòng)器的原理及應(yīng)用分析用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
2023-05-17 10:14:526256 
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開通損耗嗎？柵極電阻的值會(huì)在開通過程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
MS1681 是一個(gè)單通道視頻緩沖器，它內(nèi)部集成6dB 增益的軌到軌輸出驅(qū)動(dòng)器和6 階輸出重建濾波器。
2023-05-11 10:00:53476 
? 川土微電子CA-IS3221/3222 隔離柵極驅(qū)動(dòng)器、CA-IS3221-Q1/3222-Q1車規(guī)級(jí)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器新品發(fā)布 01產(chǎn)品概述 CA-IS322X系列產(chǎn)品為雙通道、隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器
2023-04-24 18:31:401791 
TMI8723是一款專為H橋驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路。它能夠驅(qū)動(dòng)由四個(gè)高達(dá)40V的N溝道功率MOSFET組成的H橋。TMI8723集成了一個(gè)可調(diào)節(jié)的電荷泵來產(chǎn)生柵極驅(qū)動(dòng)功率，峰值和源極電流可以是500mA和250mA。同時(shí)，TMI8723可以通過引腳VDS設(shè)置過電流點(diǎn)的值。
2023-04-20 15:00:311 您好，我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅(qū)動(dòng)器，但我們遇到了設(shè)備故障和損壞高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器的問題。首先，是否有任何關(guān)于正確設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器輸出的應(yīng)用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
，工程師們需要選用合適的柵極驅(qū)動(dòng)器，提高UPS的轉(zhuǎn)換效率和響應(yīng)速度，以滿足不斷增長(zhǎng)的UPS市場(chǎng)需求。高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器是一種電路，用于控制半導(dǎo)體開關(guān)（例如MOSFET或IGBT）的導(dǎo)通和斷開，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電路的控制和調(diào)節(jié)。正確選擇高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器
2023-04-11 12:39:14279 
前面我們也聊到過IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，雖然今天聊的可能有些重復(fù)，但是感覺人到中年，最討厭的就是記憶力不夠用，就當(dāng)回顧和加重記憶吧。
2023-04-06 17:38:291595 
半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心。這些系統(tǒng)利用許多門控半導(dǎo)體器件，如普通晶體管、FET、BJT、MOSFET、IGBT等作為開關(guān)模式電源（SMPS）、通用電源（UPS）和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的開關(guān)元件。電力電子的現(xiàn)代技術(shù)發(fā)展通常跟隨功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展。
2023-04-04 10:23:45546 功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
2023-04-04 09:58:391001 MADR-009269-000100用于 GaAs FET 或 PIN 二極管開關(guān)和衰減器的單驅(qū)動(dòng)器MADR-009269-000100 是一款單通道 CMOS 驅(qū)動(dòng)器，用于將 TTL 控制輸入轉(zhuǎn)換
2023-03-31 13:39:01
MADRCC0005Switches & Atten 單人MACOM 的 MADRCC0005 是一款單通道驅(qū)動(dòng)器，用于將 TTL 控制輸入轉(zhuǎn)換為 GaAs FET 微波開關(guān)和衰減器的互補(bǔ)柵極電壓
2023-03-31 13:27:24
MADRCC0006 Switches & Atten 單人MADRCC0006 是一款單通道驅(qū)動(dòng)器，用于將 TTL 控制輸入轉(zhuǎn)換為 GaAs FET 微波開關(guān)和衰減器的柵極控制電壓。高速
2023-03-31 13:17:07
新品X3CompactPOLARIS(1ED314x)-6.5A,3kV(rms)單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器X3Compact(1ED31xx)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器系列，容易使用，最近發(fā)布的柵極驅(qū)動(dòng)器系列
2023-03-31 10:49:16735 單通道驅(qū)動(dòng)器
2023-03-28 18:24:30
高達(dá)24V電源，4-A單通道高速低側(cè)驅(qū)動(dòng)器
2023-03-28 13:05:14
單通道功MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片
2023-03-28 00:16:51
，因此，選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流，同時(shí)選用時(shí)應(yīng)該降額使用。額定工作電壓、電壓波動(dòng)的范圍、最大工作電壓決定了IGBT模塊的額定電壓；驅(qū)動(dòng)器的外殼結(jié)構(gòu)以及排布方式也是IGBT選型的重要考慮因素。原作者：漂流的青春 車載控制器開發(fā)及測(cè)試
2023-03-23 16:01:54
LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，選用高達(dá) 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個(gè)擔(dān)任全面增強(qiáng)外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)的內(nèi)部充電泵，因此使其可以無限期地堅(jiān)持導(dǎo)通。
2023-03-23 09:46:45514
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