IGBT在二極管鉗位感性負(fù)載條件下的電路如圖1所示,該電路為IGBT常用電路,可作為IGBT開關(guān)特性的測(cè)試電路,評(píng)估IGBT的開通及關(guān)斷行為。
2024-03-15 10:25:51194 IGBT的主要功能在于其能夠作為全控器件,即可以觸發(fā)導(dǎo)通,也可以觸發(fā)關(guān)斷。這使得IGBT在電能變換和控制中起到關(guān)鍵作用。
2024-03-14 16:43:51303 一、前言 輻射抗擾度測(cè)試是對(duì)對(duì)講機(jī)、移動(dòng)電話、便攜式電話和廣播發(fā)射機(jī)等強(qiáng)發(fā)射機(jī)產(chǎn)生的射頻場的模擬。 二、測(cè)試方法 在輻射抗擾度測(cè)試期間,測(cè)試電波暗室中會(huì)產(chǎn)生射頻場。不同的EMC測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)使用不
2024-03-11 15:03:06126 英飛凌新推出的IGBT7單管系列市場熱度不減,本文為大家整理針對(duì)該產(chǎn)品系列的常見問題,一看就懂,牢牢碼住!直播回放鏈接獲取IGBT7都通過了哪些可靠性測(cè)試?答:IGBT不論單管和模塊都需要通過
2024-03-05 08:17:27111 電源高溫高濕存儲(chǔ)測(cè)試時(shí)間長,用電源模塊測(cè)試系統(tǒng)進(jìn)行測(cè)試可以解放人力,提高測(cè)試速度和精度,并以指標(biāo)形式反饋測(cè)試結(jié)果。電源測(cè)試系統(tǒng)靈活性高、兼容性強(qiáng),用戶可以自由選擇儀器型號(hào)、操作簡單,程序開發(fā)和測(cè)試不用集中于一人,實(shí)現(xiàn)高效能測(cè)試。
2024-03-01 15:04:0269 IGBT應(yīng)用于變頻器逆變電路中,存在這么一種情況,IGBT先短路再開通,請(qǐng)問這是一種什么樣的過程?按照字面理解意思就是先把IGBT的C和E短接起來,然后啟動(dòng)變頻器,此時(shí)這種過程就可以稱之為先短路再
2024-02-29 23:08:07
IGBT模塊或者單管應(yīng)用于變頻器的制造,在做變頻器的短路實(shí)驗(yàn)時(shí),在IGBT開通時(shí)刻做出短路動(dòng)作,IGBT的CE電壓會(huì)從零逐漸升高到最大之然后回到母線電壓的一半后達(dá)到穩(wěn)定。
但是在具體波形時(shí),IGBT
2024-02-21 20:12:42
什么是IGBT的退飽和?為什么IGBT會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象? IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件,結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)。它在高電壓和高電流應(yīng)用中具有低開啟電阻、低導(dǎo)通壓降和高開關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn)
2024-02-19 14:33:28472 ,以及普通功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻和高頻開關(guān)能力。IGBT因其獨(dú)特的特性在電力電子、變頻器、UPS(不間斷電源)等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。 然而,由于IGBT技術(shù)本身的復(fù)雜性和高頻、高溫環(huán)境等外部因素的影響,IGBT導(dǎo)通過程中容易出現(xiàn)過流和短路故障,給
2024-02-18 11:14:37247 時(shí)間。 在測(cè)量IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的短路耐受時(shí)間時(shí),我們通常使用一個(gè)特定的測(cè)試電路。該電路中,一個(gè)電容器通過柵極驅(qū)動(dòng)電路與IGBT相連。當(dāng)IGBT處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí),施加電源電壓VCC。 隨后,通過柵極驅(qū)動(dòng)電路使IGBT導(dǎo)通,電容器中積蓄的電
2024-02-06 16:43:251317 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種繼MOSFET和BJT之后的新型功率半導(dǎo)體器件,它的特點(diǎn)是結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低通壓損耗
2024-01-18 17:31:231080 用于確定漏電流的穩(wěn)定性,這與IGBT的場畸變有關(guān)。HTRB 通過高溫反向偏置測(cè)試來增強(qiáng)故障機(jī)制,因此是器件質(zhì)量和可靠性的良好指標(biāo),也可以驗(yàn)證過程控制的有效性。
2024-01-17 09:57:17135 高通WIFI6的IPQ系列芯片非信令測(cè)試常用的測(cè)試方法有兩種
2024-01-17 09:43:20543 因?yàn)樾枰?b class="flag-6" style="color: red">測(cè)試板能夠耐高溫,所以想用簡單的電路測(cè)試一下ADUCM360在120度左右的運(yùn)行情況。
測(cè)試板中:ADUCM360最小系統(tǒng)、測(cè)溫電路和程序參照官網(wǎng)的開發(fā)套件,其他外圍添加了485接口等
2024-01-12 08:02:39
在電子設(shè)備測(cè)試中,電源噪聲測(cè)試是一項(xiàng)非常重要的工作。而同軸線測(cè)電源噪聲測(cè)試方法是一種常用且有效的測(cè)試手段。本文將對(duì)同軸線測(cè)電源噪聲測(cè)試方法進(jìn)行全面詳解,介紹其原理、步驟及注意事項(xiàng),幫助讀者更好地了解
2024-01-11 10:53:41142 的生產(chǎn)過程中,可能會(huì)出現(xiàn)空洞問題,這不僅影響了組裝質(zhì)量,還可能導(dǎo)致設(shè)備故障和電路損壞。因此,解決IGBT真空回流焊空洞問題對(duì)于提高產(chǎn)品性能和可靠性至關(guān)重要。 首先,我們需要了解IGBT真空回流焊空洞問題的原因。空洞通常是由于焊接過程中發(fā)生的氣體嵌入導(dǎo)致的。空氣中的氣體在高溫下
2024-01-09 14:07:59302 讀出的數(shù)據(jù)是角速度,對(duì)時(shí)間進(jìn)行持續(xù)積分得到角度值。但傳感器保持靜止時(shí),讀出的數(shù)據(jù)經(jīng)常會(huì)向一個(gè)方向偏,導(dǎo)致積分值一直在向該方向增加,計(jì)算的角度值會(huì)變化。應(yīng)該通過什么方式解決這個(gè)問題
2024-01-01 07:03:35
高溫老化測(cè)試,就如同電子產(chǎn)品的“煉獄”之旅。在這個(gè)過程中,產(chǎn)品被放置在一個(gè)模擬高溫惡劣環(huán)境的特殊設(shè)備——高溫老化試驗(yàn)箱中。試驗(yàn)箱能夠精確地控制溫度和濕度,以達(dá)到加速產(chǎn)品老化的效果。通過觀測(cè)產(chǎn)品在這種極端環(huán)境下的性能表現(xiàn),工程師們可以評(píng)估其長期使用的可靠性和潛在問題。
2023-12-22 17:21:03415 碳化硅三極管的阻值測(cè)試方法? 碳化硅是一種新型的半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、高電場飽和漂移速度和較小的漏電流等特點(diǎn),在高功率和高溫應(yīng)用中具有廣泛的應(yīng)用前景。碳化硅三極管是基于碳化硅材料制造的一種
2023-12-21 11:27:20318 電磁加熱器IGBT溫度傳感器異常解決方法? 電磁加熱器是一種常見的加熱設(shè)備,通過電磁感應(yīng)產(chǎn)生的磁感應(yīng)力使?fàn)t內(nèi)的金屬材料發(fā)熱。然而,在使用過程中,有時(shí)候會(huì)出現(xiàn)IGBT溫度傳感器異常的情況,影響設(shè)備
2023-12-19 14:10:20797 過大的紋 波電壓對(duì)受電設(shè)備會(huì)造成不良影響,在設(shè)計(jì)制作樣品時(shí),我們要測(cè)試驗(yàn)證電源的輸出紋波電壓是否符合設(shè)計(jì)要求,但是往往 由于測(cè)試方法不對(duì),造成測(cè)試偏差比較大,下面我們介紹紋波電壓的正確測(cè)試方法。
2023-12-15 10:59:50668 IGBT7與IGBT4在伺服驅(qū)動(dòng)器中的對(duì)比測(cè)試
2023-12-14 11:31:08232 一個(gè)正向電壓,從而打開IGBT。然而,隨著正向電壓的增加,漏結(jié)區(qū)的P型區(qū)域擴(kuò)大,導(dǎo)致漏電流增加。 溫度的影響 :IGBT的工作溫度對(duì)其漏電流也有顯著影響。隨著溫度的升高,半導(dǎo)體材料的載流子飽和遷移率增加,從而使得漏電流增大。同時(shí),高溫還
2023-12-13 16:01:59844 焊點(diǎn)推力測(cè)試是一種測(cè)試焊接質(zhì)量的方法,它可以檢測(cè)焊點(diǎn)的強(qiáng)度和耐久性。測(cè)試時(shí),將焊點(diǎn)固定在測(cè)試機(jī)上,然后施加一定的力量來測(cè)試焊點(diǎn)的承載能力。測(cè)試結(jié)果可以用來評(píng)估焊接的質(zhì)量和可靠性,以及確定焊接是否符合
2023-12-11 17:59:52252 一、IGBT工作原理1.什么是IGBTIGBT:IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管
2023-12-08 15:49:06573 IGBT行業(yè)的門檻非常高。除了芯片的設(shè)計(jì)和生產(chǎn),IGBT模塊封裝測(cè)試的開發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術(shù)要求和工藝要求。
2023-12-07 10:05:35709 加速環(huán)境應(yīng)力可靠性測(cè)試:需要對(duì)芯片進(jìn)行加速環(huán)境應(yīng)力測(cè)試,模擬高溫、低溫、濕熱和溫度循環(huán)等極端環(huán)境條件。這些測(cè)試旨在評(píng)估芯片在極端溫度條件下的可靠性和穩(wěn)定性。
2023-12-05 14:05:28565 車用 IGBT 模塊對(duì)產(chǎn)品性能和質(zhì)量的要求要明顯高于消費(fèi)和工控領(lǐng)域, 需要通過嚴(yán)格的車規(guī)認(rèn)證, 汽車 IGBT 模塊測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)主要參照 AEC-Q101 和 AQG-324, 其中溫度沖擊, 功率循環(huán)
2023-12-01 15:48:31189 電流互感器原理及測(cè)試方法
2023-11-28 09:26:54290 可靠性測(cè)試是電源模塊測(cè)試的重要項(xiàng)目之一,以檢測(cè)電源模塊的、質(zhì)量性能以及長期使用的穩(wěn)定性。高溫操作測(cè)試是可靠性測(cè)試的常用方法之一,通過電源模塊測(cè)試系統(tǒng)模擬實(shí)際高溫工作環(huán)境,來檢測(cè)其工作狀態(tài)是否正常。
2023-11-27 14:51:44255 利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路,改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置,即可對(duì)IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管(下文簡稱FRD)的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行測(cè)量與評(píng)估。
2023-11-24 16:52:10521 通過雙脈沖測(cè)試,可以得到IGBT的各項(xiàng)開關(guān)參數(shù)。
2023-11-24 16:36:421605 通常我們對(duì)某款IGBT的認(rèn)識(shí)主要是通過閱讀相應(yīng)的datasheet,數(shù)據(jù)手冊(cè)中所描述的參數(shù)是基于一些已經(jīng)給定的外部參數(shù)條件測(cè)試得來的,而實(shí)際應(yīng)用中的外部參數(shù)都是個(gè)性化的,往往會(huì)有所不同,因此這些參數(shù)有些是不能直接拿來使用的。
2023-11-24 16:16:05683 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《IGBT的保護(hù)電路設(shè)計(jì)方法.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-18 09:39:4710 如何設(shè)計(jì)一個(gè)光電二極管帶反偏的放大電路?
我現(xiàn)在有一個(gè)光電二極管,反偏電壓是直流30V,現(xiàn)在我希望做一個(gè)放大電路,放大此光電二極管的輸出,有參考設(shè)計(jì)嗎?
另外希望是低功耗的設(shè)計(jì),放大器用單電源3V左右,反偏電壓是直流30V,有比較好的推薦電路或芯片嗎?
2023-11-16 07:14:53
IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)有哪些? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種重要的功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各種高能效的電力電子設(shè)備中。為了保證IGBT的可靠性
2023-11-10 15:33:51883 igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件,常被用于
2023-11-10 14:26:281264 對(duì)比不同IGBT的參數(shù)及性能;
獲取IGBT開通和關(guān)斷過程的參數(shù);
評(píng)估驅(qū)動(dòng)電阻是否合適;
開通和關(guān)斷過程是否有不合適的震蕩;
2023-11-10 09:12:32784 用萬用表檢測(cè)IGBT好壞時(shí)一定要將萬用表設(shè)置在R×10KΩ,因?yàn)镽×1KΩ擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低,在檢測(cè)過程中無法使IGBT導(dǎo)通,從而無法判斷IGBT的好壞。
2023-11-09 15:21:571209 什么是igbt短路測(cè)試?igbt短路測(cè)試平臺(tái)? IGBT短路測(cè)試是針對(duì)晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)進(jìn)行的一種測(cè)試方法。IGBT是一種高壓高功率
2023-11-09 09:18:291042 開關(guān)電源帶載測(cè)試也叫開關(guān)電源負(fù)載測(cè)試,是檢測(cè)電源輸出性能的重要測(cè)試方法之一,如輸出電壓、電流、效率、紋波等參數(shù)。通過測(cè)試來評(píng)估開關(guān)電源的輸出穩(wěn)定性,保證電源可以正常工作。
2023-10-27 15:29:19947 各位大佬,請(qǐng)教一下 IGBT 模塊的絕緣耐壓如何測(cè)試?
2023-10-23 10:19:00
驅(qū)動(dòng)電路對(duì)動(dòng)態(tài)均流的影響:驅(qū)動(dòng)電路對(duì)并聯(lián)均流的影響也是顯而易見的,如果并聯(lián)工作的IGBT驅(qū)動(dòng)電路不同步,則先驅(qū)動(dòng)的IGBT要承擔(dān)大得多的動(dòng)態(tài)電流。
2023-10-20 10:31:551219 igbt怎樣導(dǎo)通和關(guān)斷?igbt的導(dǎo)通和關(guān)斷條件 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種晶體管,可以用作開關(guān)。IGBT由P型注入?yún)^(qū)、N型襯底
2023-10-19 17:08:028159 經(jīng)常聽到功率循環(huán)這個(gè)實(shí)驗(yàn),總覺得這個(gè)不是很簡單嗎,不就是IGBT溫度在一定范圍波動(dòng),然后經(jīng)過幾萬次循環(huán),再測(cè)試IGBT的Vcesat或Rth是否異常來確定循環(huán)次數(shù)。
2023-10-19 11:32:24543 的,所用的半導(dǎo)體材料為鍺;當(dāng)一個(gè)接觸正偏(forward biased,即對(duì)于第三個(gè)端點(diǎn)加正電壓),而另一個(gè)接觸反偏(reverse biased)時(shí),可以觀察到把輸入信號(hào)放大的晶體管行為
2023-10-16 11:00:14
市場的檢驗(yàn)
本文概述RK3588平臺(tái)產(chǎn)測(cè)之ArmSoM-W3高溫測(cè)試
2. ArmSoM-W3高溫測(cè)試方案
在70℃高溫環(huán)境中進(jìn)行2000次軟件系統(tǒng)重啟測(cè)試
在70℃高溫環(huán)境中進(jìn)行2000次電源拔插硬件
2023-10-12 09:57:52
IGBT是如今被廣泛應(yīng)用的一款新型復(fù)合電子器件,而IGBT測(cè)試也變的尤為重要,其中動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)是IGBT模塊測(cè)試一項(xiàng)重要內(nèi)容,IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開關(guān)性能的重要依據(jù)。其動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)主要有:主要參數(shù)有開關(guān)參數(shù)、柵極電阻、柵極電荷、寄生電容等。
2023-10-09 15:14:35643 通過目視檢查、測(cè)量電氣參數(shù)、評(píng)估柵極驅(qū)動(dòng)和開關(guān)特性以及在應(yīng)力條件下進(jìn)行測(cè)試,可以識(shí)別潛在故障。然而,這種萬用表測(cè)試只能提供有關(guān) IGBT 功能的有限信息。為了對(duì) IGBT 進(jìn)行更全面的評(píng)估,建議進(jìn)行柵極驅(qū)動(dòng)測(cè)試、開關(guān)性能分析等額外測(cè)試。
2023-10-09 14:20:02796 開啟高溫關(guān)機(jī)策略,能夠避免服務(wù)器過熱損壞,可根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置。本節(jié)描述R5300 G4服務(wù)器設(shè)置高溫關(guān)機(jī)策略的方法。
2023-09-25 10:14:17290 IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),可提供IV、CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試,具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì),旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測(cè)試需求。
2023-09-19 14:57:28498 了性能各異的IGBT產(chǎn)品。為了優(yōu)化和驗(yàn)證組件性能以及對(duì)不同IGBT的性能驗(yàn)證,我們引入了雙脈沖測(cè)試方法,借此工具我們可以實(shí)現(xiàn)以下具體功能:
2023-09-15 10:09:32483 師來說,了解如何檢測(cè)IGBT的質(zhì)量非常重要。而對(duì)于初學(xué)者來說,找到正確的測(cè)試方法可能是一項(xiàng)挑戰(zhàn)。本文旨在提供一份詳盡、詳實(shí)、細(xì)致的文章,介紹如何使用萬用表來測(cè)試IGBT的質(zhì)量。 一、了解什么是IGBT 在深入了解如何測(cè)試IGBT之前,我們需要先了解什么是它。IGBT是一種功率半導(dǎo)體器件,可用于
2023-09-02 11:20:152221 速度。然而,與任何其他電子設(shè)備一樣,IGBT也會(huì)經(jīng)歷性能退化,并可能因各種因素而失效。因此,在將IGBT用于電力電子電路之前,測(cè)試IGBT的良好或不良狀態(tài)至關(guān)重要,以防止對(duì)設(shè)備造成任何潛在的災(zāi)難性損壞,避免損失資金。 在這篇文章中,我們將討論
2023-08-25 15:03:352090 中,例如直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)車、變頻器等。IGBT可以調(diào)節(jié)電力的大小,以便更好地控制電路中的電流和電壓。這種控制方法有助于提高電力電子設(shè)備的效率和控制精度。IGBT還將在電網(wǎng)中廣泛應(yīng)用,用于調(diào)節(jié)電網(wǎng)負(fù)載和平衡電網(wǎng)負(fù)載。此外,它也可以用于智能電網(wǎng)的改
2023-08-25 15:03:263058 小阻值電阻用什么表測(cè)?小阻值電阻的測(cè)試方法? 小阻值電阻是指電阻值較小的電阻,通常指的是小于1歐姆的電阻。小阻值電阻在電子元器件中使用廣泛,特別是在高精度、高頻率和低噪聲的應(yīng)用中,因此,其測(cè)試方法
2023-08-24 15:17:111892 利用 SmartBits 對(duì)以太網(wǎng)產(chǎn)品進(jìn)行流量
測(cè)試,有兩個(gè)原因可能丟數(shù)據(jù)包:一個(gè)是產(chǎn)品本身存在缺陷;另一個(gè)是SmartBits的晶振快于以太網(wǎng)產(chǎn)品上PHY使用的晶振在
高溫下進(jìn)行大量
測(cè)試后,可基本排除產(chǎn)品缺陷造成丟數(shù)據(jù)包的可能性以下主要討論晶振快慢對(duì)數(shù)據(jù)傳輸?shù)挠绊憽?/div>
2023-08-23 14:58:19817 飛針測(cè)試是一個(gè)檢查PCB電性功能的方法(開短路測(cè)試)之一。飛測(cè)試機(jī)是一個(gè)在制造環(huán)境測(cè)試PCB抄板的系統(tǒng)。不是使用在傳統(tǒng)的在線測(cè)試機(jī)上所有的傳統(tǒng)針床(bed-of-nails)界面,飛針測(cè)試使用四到八個(gè)獨(dú)立控制的探針,移動(dòng)到測(cè)試中的元件。
2023-08-21 14:39:03670 艾思荔PCT高溫水蒸氣壓實(shí)驗(yàn)箱采用溫度與壓力安全檢知及門禁自動(dòng)鎖定控制系統(tǒng),圓型測(cè)試槽與安全門環(huán)扣結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),當(dāng)內(nèi)箱壓力越大時(shí),反壓會(huì)迫使安全門與箱體更加緊密之結(jié)合,故內(nèi)箱壓力必須小于正常壓力時(shí),測(cè)試
2023-08-11 10:35:07
IGBT結(jié)溫是功率電子器件最重要的參數(shù)之一,器件在運(yùn)行中測(cè)量此溫度是非常困難的。一個(gè)方法是通過使用IGBT模塊內(nèi)部的NTC(熱敏電阻)近似估計(jì)芯片穩(wěn)定工作狀態(tài)的溫度,此方法不適用與測(cè)量快速變化的IGBT溫度。
2023-08-11 09:03:22745 ) 。采用深槽刻
蝕和回填工藝制備了 p 柱和 p 體區(qū)分離的超結(jié) IGBT 器件。測(cè)試結(jié)果表明,該器件擊穿電壓高于
660 V,在導(dǎo)通電流 20 A 時(shí),其飽和導(dǎo)通壓降為 1. 7 V,相比于傳統(tǒng)超結(jié) IGBT 器件更低,關(guān)斷
能量為 0. 23 mJ,遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)超結(jié) IGBT 器件的 3. 3 m
2023-08-08 10:20:000 場
終止 ( FS) 層 n 型注入劑量和集電區(qū)硼注入劑量對(duì) IGBT 芯片內(nèi)部熱點(diǎn)位置變化的影響進(jìn)行了研
究。仿真結(jié)果表明,提高 FS 層 n 型注入劑量可將熱點(diǎn)由元胞溝道轉(zhuǎn)移到 FS /n-
結(jié)附近,有利于
IGBT 抗短路能力的提升; 通過對(duì) FS 層和集電區(qū)注入劑量的優(yōu)化,通態(tài)壓降在常溫和高溫
2023-08-08 10:14:470 IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn);當(dāng)前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品,一般所說的IGBT也指IGBT模塊;
2023-07-14 08:55:101659 考核鋰電池的安Q全性的標(biāo)準(zhǔn)主要有國際標(biāo)準(zhǔn)(如IEC標(biāo)準(zhǔn))、國家或區(qū)域標(biāo)準(zhǔn)(如JIS、CB、EN標(biāo)準(zhǔn)等)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(如UL、IEEE、SJ、QB標(biāo)準(zhǔn)等)三大類。在這些現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)中,規(guī)定的高溫下的測(cè)試方法主要有熱濫用試驗(yàn)、溫度循環(huán)試驗(yàn)高溫放置試驗(yàn)等。
2023-06-20 11:23:00252 考核鋰電池的安Q全性的標(biāo)準(zhǔn)主要有國際標(biāo)準(zhǔn)(如IEC標(biāo)準(zhǔn))、國家或區(qū)域標(biāo)準(zhǔn)(如JIS、CB、EN標(biāo)準(zhǔn)等)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(如UL、IEEE、SJ、QB標(biāo)準(zhǔn)等)三大類。在這些現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)中,規(guī)定的高溫下的測(cè)試
2023-06-20 09:39:43634 在進(jìn)行LVDS線材測(cè)試時(shí),需要遵循標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試方法和流程,確保測(cè)試條件和測(cè)試步驟的一致性和準(zhǔn)確性。標(biāo)準(zhǔn)化的測(cè)試方法有助于消除人為因素和儀器誤差對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響,提高測(cè)試的可重復(fù)性和可比性。
2023-06-16 17:49:07821 是密切關(guān)系著消費(fèi)者權(quán)益的,那么,電池高溫性能測(cè)試該如何執(zhí)行呢?1、目的:為測(cè)試人員提供測(cè)試方法及品質(zhì)依據(jù),確保開發(fā)及生產(chǎn)的產(chǎn)品符合規(guī)定的質(zhì)量要求。2、適用范圍:適用于電池產(chǎn)品高溫性能鑒定。3、測(cè)試依據(jù):參
2023-06-16 11:01:05291 磷酸鐵鋰電池是一種新型的高性能鋰離子電池,廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、儲(chǔ)能系統(tǒng)等領(lǐng)域。在研發(fā)和生產(chǎn)過程中,需要對(duì)磷酸鐵鋰電池進(jìn)行高溫性能測(cè)試,以確保其在高溫環(huán)境下的安全可靠性。以下是磷酸鐵鋰電池測(cè)試高溫
2023-06-13 10:01:00724 芯片功能測(cè)試常用5種方法有板級(jí)測(cè)試、晶圓CP測(cè)試、封裝后成品FT測(cè)試、系統(tǒng)級(jí)SLT測(cè)試、可靠性測(cè)試。
2023-06-09 16:25:42
芯片功能測(cè)試常用5種方法有板級(jí)測(cè)試、晶圓CP測(cè)試、封裝后成品FT測(cè)試、系統(tǒng)級(jí)SLT測(cè)試、可靠性測(cè)試。
2023-06-09 15:46:581659 今天是關(guān)于 PCB 測(cè)試技術(shù) 、 PCB 測(cè)試方法 。
2023-06-09 12:39:411870 參數(shù)測(cè)試和功能測(cè)試
環(huán)境應(yīng)力檢測(cè):掃頻/隨機(jī)振動(dòng)、低溫/高溫存儲(chǔ)、溫度循環(huán)/溫度沖擊、恒定加速度或跌落、粒子碰撞噪聲檢測(cè)(PIND)
壽命/老化/老煉:老煉前/后電測(cè)試,反偏老煉,功率老煉等,專用老煉
2023-06-08 09:17:22
imx6ull MCIMX6Y2CVM05AB 工業(yè)級(jí)在80度高溫測(cè)試會(huì) power down, 芯片規(guī)格書寫了Temperature
Tj -40 to 105
2023-05-31 11:03:37
之前我們?cè)诮榻BMOS和IGBT的文章中也有提到米勒電容和米勒效應(yīng)的概念,在IGBT的導(dǎo)通過程分析的文章中我們也簡單提到過米勒平臺(tái)
2023-05-25 17:24:253986 TJA1128 能承受的最高溫度是多少?持續(xù)多長時(shí)間?或者它在整個(gè)生命周期內(nèi)可以承受的最高溫度持續(xù)時(shí)間是多少?
壓力測(cè)試:我有一個(gè)問題,TJA 的溫度在每 8400 秒循環(huán)中保持在 130 度
2023-05-19 09:15:24
要滿足高低溫試驗(yàn)箱的標(biāo)準(zhǔn)要求,以及進(jìn)行相應(yīng)的試驗(yàn)方法。
《GB11158-2008高溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件》是一項(xiàng)技術(shù)規(guī)范,適用于高溫試驗(yàn)箱等高溫環(huán)境測(cè)試設(shè)備的設(shè)計(jì)、制造及檢測(cè)。其目的是確保高溫
2023-05-16 10:35:481175 由下圖我們可以看到,外殼選材上,工業(yè)用IGBT模塊外殼一般采用通用型PBT材料,EV用IGBT模塊外殼采用增強(qiáng)型PBT材料,軌道交通用IGBT模塊外殼采用更耐溫綜合性能更好的PPS材料。工業(yè)、EV、軌道交通用IGBT模塊用的硅膠分別采用普通型凝膠、改進(jìn)型凝膠以及高溫型凝膠。
2023-05-04 11:04:161273 隨著移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展和智能手機(jī)的普及,對(duì)于手機(jī)的環(huán)境可靠性試驗(yàn)愈加重視。環(huán)境可靠性試驗(yàn)涉及多個(gè)方面,主要包括以下幾個(gè)方面:
首先,手機(jī)需要經(jīng)過高溫試驗(yàn),以測(cè)試手機(jī)在高溫環(huán)境下的表現(xiàn)。高溫試驗(yàn)
2023-04-17 15:53:16391 PCBA測(cè)試老化板的方法是什么?
2023-04-14 15:22:57
環(huán)境。這種試驗(yàn)可以有效地檢測(cè)材料在高溫環(huán)境下的氧化、裂紋、硬化、顏色變化等現(xiàn)象,從而評(píng)估其耐高溫性能。在高溫老化試驗(yàn)中,需要選擇合適的試驗(yàn)設(shè)備和方法,以確保試驗(yàn)結(jié)
2023-04-07 11:26:09332 半導(dǎo)體元器件在高溫環(huán)境下的可靠性是制造商和用戶十分關(guān)注的問題。高溫試驗(yàn)是一種常用的測(cè)試方法,通過模擬實(shí)際使用中的高溫環(huán)境,可以評(píng)估元器件在高溫下的性能和可靠性。高溫試驗(yàn)需要仔細(xì)設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)方案,包括選擇
2023-04-07 10:21:03765 測(cè)試點(diǎn),磷青銅線,耐高溫尼龍,黑色
2023-03-31 12:05:34
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