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IGBT高溫反偏測(cè)試方法

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2023-10-09 15:14:35643

如何使用萬用表測(cè)試 IGBT

通過目視檢查、測(cè)量電氣參數(shù)、評(píng)估柵極驅(qū)動(dòng)和開關(guān)特性以及在應(yīng)力條件下進(jìn)行測(cè)試,可以識(shí)別潛在故障。然而,這種萬用表測(cè)試只能提供有關(guān) IGBT 功能的有限信息。為了對(duì) IGBT 進(jìn)行更全面的評(píng)估,建議進(jìn)行柵極驅(qū)動(dòng)測(cè)試、開關(guān)性能分析等額外測(cè)試
2023-10-09 14:20:02796

R5300 G4服務(wù)器設(shè)置高溫關(guān)機(jī)策略的方法

開啟高溫關(guān)機(jī)策略,能夠避免服務(wù)器過熱損壞,可根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置。本節(jié)描述R5300 G4服務(wù)器設(shè)置高溫關(guān)機(jī)策略的方法
2023-09-25 10:14:17290

高電壓大電流igbt靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)解決方案

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),可提供IV、CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試,具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì),旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測(cè)試需求。
2023-09-19 14:57:28498

IGBT動(dòng)態(tài)斬波雙脈沖測(cè)試實(shí)驗(yàn)及其注意事項(xiàng)

了性能各異的IGBT產(chǎn)品。為了優(yōu)化和驗(yàn)證組件性能以及對(duì)不同IGBT的性能驗(yàn)證,我們引入了雙脈沖測(cè)試方法,借此工具我們可以實(shí)現(xiàn)以下具體功能:
2023-09-15 10:09:32483

igbt測(cè)量好壞方法萬用表

師來說,了解如何檢測(cè)IGBT的質(zhì)量非常重要。而對(duì)于初學(xué)者來說,找到正確的測(cè)試方法可能是一項(xiàng)挑戰(zhàn)。本文旨在提供一份詳盡、詳實(shí)、細(xì)致的文章,介紹如何使用萬用表來測(cè)試IGBT的質(zhì)量。 一、了解什么是IGBT 在深入了解如何測(cè)試IGBT之前,我們需要先了解什么是它。IGBT是一種功率半導(dǎo)體器件,可用于
2023-09-02 11:20:152221

igbt功率管怎么檢測(cè)好壞?

速度。然而,與任何其他電子設(shè)備一樣,IGBT也會(huì)經(jīng)歷性能退化,并可能因各種因素而失效。因此,在將IGBT用于電力電子電路之前,測(cè)試IGBT的良好或不良狀態(tài)至關(guān)重要,以防止對(duì)設(shè)備造成任何潛在的災(zāi)難性損壞,避免損失資金。 在這篇文章中,我們將討論
2023-08-25 15:03:352090

igbt的應(yīng)用領(lǐng)域有哪些

中,例如直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)車、變頻器等。IGBT可以調(diào)節(jié)電力的大小,以便更好地控制電路中的電流和電壓。這種控制方法有助于提高電力電子設(shè)備的效率和控制精度。IGBT還將在電網(wǎng)中廣泛應(yīng)用,用于調(diào)節(jié)電網(wǎng)負(fù)載和平衡電網(wǎng)負(fù)載。此外,它也可以用于智能電網(wǎng)的改
2023-08-25 15:03:263058

小阻值電阻用什么表測(cè)?小阻值電阻的測(cè)試方法

小阻值電阻用什么表測(cè)?小阻值電阻的測(cè)試方法? 小阻值電阻是指電阻值較小的電阻,通常指的是小于1歐姆的電阻。小阻值電阻在電子元器件中使用廣泛,特別是在高精度、高頻率和低噪聲的應(yīng)用中,因此,其測(cè)試方法
2023-08-24 15:17:111892

技術(shù)案例分享:高溫流量測(cè)試丟包問題

利用 SmartBits 對(duì)以太網(wǎng)產(chǎn)品進(jìn)行流量測(cè)試,有兩個(gè)原因可能丟數(shù)據(jù)包:一個(gè)是產(chǎn)品本身存在缺陷;另一個(gè)是SmartBits的晶振快于以太網(wǎng)產(chǎn)品上PHY使用的晶振在高溫下進(jìn)行大量測(cè)試后,可基本排除產(chǎn)品缺陷造成丟數(shù)據(jù)包的可能性以下主要討論晶振快慢對(duì)數(shù)據(jù)傳輸?shù)挠绊憽?/div>
2023-08-23 14:58:19817

PCB飛針測(cè)試幾個(gè)有效的方法

飛針測(cè)試是一個(gè)檢查PCB電性功能的方法(開短路測(cè)試)之一。飛測(cè)試機(jī)是一個(gè)在制造環(huán)境測(cè)試PCB抄板的系統(tǒng)。不是使用在傳統(tǒng)的在線測(cè)試機(jī)上所有的傳統(tǒng)針床(bed-of-nails)界面,飛針測(cè)試使用四到八個(gè)獨(dú)立控制的探針,移動(dòng)到測(cè)試中的元件。
2023-08-21 14:39:03670

PCT高溫水蒸氣壓實(shí)驗(yàn)箱

艾思荔PCT高溫水蒸氣壓實(shí)驗(yàn)箱采用溫度與壓力安全檢知及門禁自動(dòng)鎖定控制系統(tǒng),圓型測(cè)試槽與安全門環(huán)扣結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),當(dāng)內(nèi)箱壓力越大時(shí),壓會(huì)迫使安全門與箱體更加緊密之結(jié)合,故內(nèi)箱壓力必須小于正常壓力時(shí),測(cè)試
2023-08-11 10:35:07

IGBT模塊參數(shù)之NTC熱敏電阻

IGBT結(jié)溫是功率電子器件最重要的參數(shù)之一,器件在運(yùn)行中測(cè)量此溫度是非常困難的。一個(gè)方法是通過使用IGBT模塊內(nèi)部的NTC(熱敏電阻)近似估計(jì)芯片穩(wěn)定工作狀態(tài)的溫度,此方法不適用與測(cè)量快速變化的IGBT溫度。
2023-08-11 09:03:22745

p柱浮空的超結(jié)IGBT器件的設(shè)計(jì)案例

) 。采用深槽刻 蝕和回填工藝制備了 p 柱和 p 體區(qū)分離的超結(jié) IGBT 器件。測(cè)試結(jié)果表明,該器件擊穿電壓高于 660 V,在導(dǎo)通電流 20 A 時(shí),其飽和導(dǎo)通壓降為 1. 7 V,相比于傳統(tǒng)超結(jié) IGBT 器件更低,關(guān)斷 能量為 0. 23 mJ,遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)超結(jié) IGBT 器件的 3. 3 m
2023-08-08 10:20:000

高壓IGBT短路分析和性能改進(jìn)

場 終止 ( FS) 層 n 型注入劑量和集電區(qū)硼注入劑量對(duì) IGBT 芯片內(nèi)部熱點(diǎn)位置變化的影響進(jìn)行了研 究。仿真結(jié)果表明,提高 FS 層 n 型注入劑量可將熱點(diǎn)由元胞溝道轉(zhuǎn)移到 FS /n- 結(jié)附近,有利于 IGBT 抗短路能力的提升; 通過對(duì) FS 層和集電區(qū)注入劑量的優(yōu)化,通態(tài)壓降在常溫和高溫
2023-08-08 10:14:470

IGBT工作原理

IGBT
學(xué)習(xí)電子知識(shí)發(fā)布于 2023-07-26 21:07:56

IGBT—?jiǎng)榆嚱M“心臟”的CPU

IGBT
學(xué)習(xí)電子知識(shí)發(fā)布于 2023-07-26 21:07:39

IGBT模塊的常規(guī)檢查以及常見故障問題維修方法

IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn);當(dāng)前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品,一般所說的IGBT也指IGBT模塊;
2023-07-14 08:55:101659

IGBT如何判斷好壞

IGBT
YS YYDS發(fā)布于 2023-06-21 23:02:28

IGBT的10大用途

IGBT
YS YYDS發(fā)布于 2023-06-21 23:00:58

IGBT的導(dǎo)通與截止

IGBT
YS YYDS發(fā)布于 2023-06-21 22:59:02

IGBT是什么

IGBT
YS YYDS發(fā)布于 2023-06-21 22:58:10

宏展 鋰電池高溫試驗(yàn)方法

考核鋰電池的安Q全性的標(biāo)準(zhǔn)主要有國際標(biāo)準(zhǔn)(如IEC標(biāo)準(zhǔn))、國家或區(qū)域標(biāo)準(zhǔn)(如JIS、CB、EN標(biāo)準(zhǔn)等)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(如UL、IEEE、SJ、QB標(biāo)準(zhǔn)等)三大類。在這些現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)中,規(guī)定的高溫下的測(cè)試方法主要有熱濫用試驗(yàn)、溫度循環(huán)試驗(yàn)高溫放置試驗(yàn)等。
2023-06-20 11:23:00252

鋰電池高溫試驗(yàn)方法

考核鋰電池的安Q全性的標(biāo)準(zhǔn)主要有國際標(biāo)準(zhǔn)(如IEC標(biāo)準(zhǔn))、國家或區(qū)域標(biāo)準(zhǔn)(如JIS、CB、EN標(biāo)準(zhǔn)等)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(如UL、IEEE、SJ、QB標(biāo)準(zhǔn)等)三大類。在這些現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)中,規(guī)定的高溫下的測(cè)試
2023-06-20 09:39:43634

電蜂分享測(cè)試LVDS線材的方法有哪些?

在進(jìn)行LVDS線材測(cè)試時(shí),需要遵循標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試方法和流程,確保測(cè)試條件和測(cè)試步驟的一致性和準(zhǔn)確性。標(biāo)準(zhǔn)化的測(cè)試方法有助于消除人為因素和儀器誤差對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響,提高測(cè)試的可重復(fù)性和可比性。
2023-06-16 17:49:07821

宏展 Lab Companion 電池高溫性能測(cè)試

是密切關(guān)系著消費(fèi)者權(quán)益的,那么,電池高溫性能測(cè)試該如何執(zhí)行呢?1、目的:為測(cè)試人員提供測(cè)試方法及品質(zhì)依據(jù),確保開發(fā)及生產(chǎn)的產(chǎn)品符合規(guī)定的質(zhì)量要求。2、適用范圍:適用于電池產(chǎn)品高溫性能鑒定。3、測(cè)試依據(jù):參
2023-06-16 11:01:05291

磷酸鐵鋰電池測(cè)試高溫性能的注意事項(xiàng)

 磷酸鐵鋰電池是一種新型的高性能鋰離子電池,廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、儲(chǔ)能系統(tǒng)等領(lǐng)域。在研發(fā)和生產(chǎn)過程中,需要對(duì)磷酸鐵鋰電池進(jìn)行高溫性能測(cè)試,以確保其在高溫環(huán)境下的安全可靠性。以下是磷酸鐵鋰電池測(cè)試高溫
2023-06-13 10:01:00724

芯片功能測(cè)試的五種方法

芯片功能測(cè)試常用5種方法有板級(jí)測(cè)試、晶圓CP測(cè)試、封裝后成品FT測(cè)試、系統(tǒng)級(jí)SLT測(cè)試、可靠性測(cè)試
2023-06-09 16:25:42

分享芯片功能測(cè)試的五種方法

芯片功能測(cè)試常用5種方法有板級(jí)測(cè)試、晶圓CP測(cè)試、封裝后成品FT測(cè)試、系統(tǒng)級(jí)SLT測(cè)試、可靠性測(cè)試
2023-06-09 15:46:581659

淺談PCB測(cè)試技術(shù)和測(cè)試方法

今天是關(guān)于 PCB 測(cè)試技術(shù) 、 PCB 測(cè)試方法
2023-06-09 12:39:411870

軍用電子元器件二篩,進(jìn)口元器件可靠性篩選試驗(yàn)

參數(shù)測(cè)試和功能測(cè)試 環(huán)境應(yīng)力檢測(cè):掃頻/隨機(jī)振動(dòng)、低溫/高溫存儲(chǔ)、溫度循環(huán)/溫度沖擊、恒定加速度或跌落、粒子碰撞噪聲檢測(cè)(PIND) 壽命/老化/老煉:老煉前/后電測(cè)試老煉,功率老煉等,專用老煉
2023-06-08 09:17:22

IGBT耐壓測(cè)試的正確方法

IGBT
YS YYDS發(fā)布于 2023-06-06 22:24:59

IGBT是什么

IGBT
YS YYDS發(fā)布于 2023-06-06 22:23:14

IGBT是怎么來的

IGBT
YS YYDS發(fā)布于 2023-06-06 22:21:55

imx6ull工業(yè)級(jí)在80度高溫測(cè)試會(huì)掉電,請(qǐng)問下是否正常?

imx6ull MCIMX6Y2CVM05AB 工業(yè)級(jí)在80度高溫測(cè)試會(huì) power down, 芯片規(guī)格書寫了Temperature Tj -40 to 105
2023-05-31 11:03:37

IGBT中米勒效應(yīng)的影響和處理方法

之前我們?cè)诮榻BMOS和IGBT的文章中也有提到米勒電容和米勒效應(yīng)的概念,在IGBT的導(dǎo)通過程分析的文章中我們也簡單提到過米勒平臺(tái)
2023-05-25 17:24:253986

TJA1128 能承受的最高溫度是多少?

TJA1128 能承受的最高溫度是多少?持續(xù)多長時(shí)間?或者它在整個(gè)生命周期內(nèi)可以承受的最高溫度持續(xù)時(shí)間是多少? 壓力測(cè)試:我有一個(gè)問題,TJA 的溫度在每 8400 秒循環(huán)中保持在 130 度
2023-05-19 09:15:24

高低溫試驗(yàn)箱的標(biāo)準(zhǔn)要求和試驗(yàn)方法

  要滿足高低溫試驗(yàn)箱的標(biāo)準(zhǔn)要求,以及進(jìn)行相應(yīng)的試驗(yàn)方法。   《GB11158-2008高溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件》是一項(xiàng)技術(shù)規(guī)范,適用于高溫試驗(yàn)箱等高溫環(huán)境測(cè)試設(shè)備的設(shè)計(jì)、制造及檢測(cè)。其目的是確保高溫
2023-05-16 10:35:481175

工業(yè)、EV、軌道交通用IGBT模塊的選材及封裝工藝對(duì)比

由下圖我們可以看到,外殼選材上,工業(yè)用IGBT模塊外殼一般采用通用型PBT材料,EV用IGBT模塊外殼采用增強(qiáng)型PBT材料,軌道交通用IGBT模塊外殼采用更耐溫綜合性能更好的PPS材料。工業(yè)、EV、軌道交通用IGBT模塊用的硅膠分別采用普通型凝膠、改進(jìn)型凝膠以及高溫型凝膠。
2023-05-04 11:04:161273

IGBT管的工作原理與帶電測(cè)試

IGBT
YS YYDS發(fā)布于 2023-04-28 12:23:20

IGBT模塊測(cè)量方法

IGBT
YS YYDS發(fā)布于 2023-04-26 18:53:27

IGBT晶圓,如何制備?

IGBT
YS YYDS發(fā)布于 2023-04-26 18:51:37

什么是IGBT?以及它的應(yīng)用

IGBT
YS YYDS發(fā)布于 2023-04-26 18:48:12

手機(jī)需要經(jīng)過高溫試驗(yàn)嗎?

隨著移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展和智能手機(jī)的普及,對(duì)于手機(jī)的環(huán)境可靠性試驗(yàn)愈加重視。環(huán)境可靠性試驗(yàn)涉及多個(gè)方面,主要包括以下幾個(gè)方面:   首先,手機(jī)需要經(jīng)過高溫試驗(yàn),以測(cè)試手機(jī)在高溫環(huán)境下的表現(xiàn)。高溫試驗(yàn)
2023-04-17 15:53:16391

PCBA測(cè)試老化板的方法是什么?

PCBA測(cè)試老化板的方法是什么?
2023-04-14 15:22:57

汽車材料怎么做高溫老化試驗(yàn)

環(huán)境。這種試驗(yàn)可以有效地檢測(cè)材料在高溫環(huán)境下的氧化、裂紋、硬化、顏色變化等現(xiàn)象,從而評(píng)估其耐高溫性能。在高溫老化試驗(yàn)中,需要選擇合適的試驗(yàn)設(shè)備和方法,以確保試驗(yàn)結(jié)
2023-04-07 11:26:09332

半導(dǎo)體器件在高溫環(huán)境下的可靠性

半導(dǎo)體元器件在高溫環(huán)境下的可靠性是制造商和用戶十分關(guān)注的問題。高溫試驗(yàn)是一種常用的測(cè)試方法,通過模擬實(shí)際使用中的高溫環(huán)境,可以評(píng)估元器件在高溫下的性能和可靠性。高溫試驗(yàn)需要仔細(xì)設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)方案,包括選擇
2023-04-07 10:21:03765

PD-TP-5001

測(cè)試點(diǎn),磷青銅線,耐高溫尼龍,黑色
2023-03-31 12:05:34

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