電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李彎彎）據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，近期業(yè)界傳出消息稱，消費(fèi)端庫存比預(yù)期多，IC設(shè)計(jì)業(yè)近期恐難扭轉(zhuǎn)劣勢(shì)，今年第三季度恐出現(xiàn)罕見的“旺季不旺”的景象，特別是與手機(jī)消費(fèi)應(yīng)用端緊密關(guān)聯(lián)、營收占比超過
2023-04-26 09:14:13
1420 、深圳成功舉辦。在此次研討會(huì)上，思爾芯副總裁陳正國發(fā)表了精彩演講。他強(qiáng)調(diào)：“大模型算力芯片設(shè)計(jì)往往呈現(xiàn)出幾個(gè)特征，多核架構(gòu)設(shè)計(jì)規(guī)模更龐大，內(nèi)存帶寬與內(nèi)存容量需求更高、
2024-03-21 08:22:1959 
內(nèi)存泄漏問題只有在使用堆內(nèi)存的時(shí)候才會(huì)出現(xiàn)，棧內(nèi)存不存在內(nèi)存泄漏問題，因?yàn)闂?b class="flag-6" style="color: red">內(nèi)存會(huì)自動(dòng)分配和釋放。C語言代碼中堆內(nèi)存的申請(qǐng)函數(shù)是malloc。
2024-03-19 11:38:1555 
來源：Ambarella安霸 何小林 近年來，人工智能應(yīng)用正經(jīng)歷一輪快速的發(fā)展與普及，而以ChatGPT等先進(jìn)的大模型技術(shù)在此過程中起到了關(guān)鍵作用。這些模型對(duì)計(jì)算能力的需求不斷攀升，催生了AI芯片
2024-03-06 19:51:3868 
請(qǐng)問各位，我們?cè)瓉硐胗肁D7760來實(shí)現(xiàn)采集功能，但多次測(cè)試后發(fā)現(xiàn)，AD7760的功能并不能滿足我們的需求，請(qǐng)問一下，那些芯片可以代替AD7760。
我們的需求：
1、24位分辨率；
2、用多器件
2024-03-06 06:00:06
站群服務(wù)器的內(nèi)存需求取決于網(wǎng)站的數(shù)量和流量，以及服務(wù)器需要運(yùn)行的應(yīng)用和服務(wù)。RAKsmart小編為您整理發(fā)布站群服務(wù)器需要多大內(nèi)存以及站群服務(wù)器內(nèi)存需求的考慮因素。
2024-03-04 09:48:08131 產(chǎn)品概述 IBM Rational DOORS可實(shí)現(xiàn)對(duì)整個(gè)產(chǎn)品的全生命周期需求管理，覆蓋從需求、到設(shè)計(jì)以及測(cè)試階段，是一款被廣泛使用的企業(yè)級(jí)專業(yè)
2024-02-29 15:48:51
服務(wù)器內(nèi)存條和普通內(nèi)存條的區(qū)別? 服務(wù)器內(nèi)存條和普通內(nèi)存條是計(jì)算機(jī)中常見的兩種內(nèi)存設(shè)備。它們?cè)谠O(shè)計(jì)、功能和應(yīng)用方面存在一些顯著的區(qū)別。 1.物理特性 普通內(nèi)存條通常采用DIMM封裝形式，而服務(wù)器
2024-02-19 10:19:58466 瀾起科技近日在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)分享了關(guān)于DDR5內(nèi)存子代RCD芯片的最新動(dòng)態(tài)。據(jù)瀾起科技預(yù)測(cè)，DDR5第二子代RCD芯片的需求將在2024年超過第一子代RCD芯片。更進(jìn)一步，DDR5第三子代RCD芯片
2024-02-02 10:27:35232 究其原因，該公司解釋為2023年電子元件行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇，導(dǎo)致主要產(chǎn)品售價(jià)降低；同時(shí)，東晶電子還準(zhǔn)備對(duì)存貨跌價(jià)預(yù)備金進(jìn)行大約2，700萬元到3，700萬元的預(yù)計(jì)。
2024-01-31 09:45:57180 
近日，臺(tái)積電在法人說明會(huì)上表示，由于人工智能（AI）芯片先進(jìn)封裝需求持續(xù)強(qiáng)勁，目前產(chǎn)能無法滿足客戶的需求，供不應(yīng)求的狀況可能延續(xù)到2025年。為了應(yīng)對(duì)這一需求，臺(tái)積電今年將持續(xù)擴(kuò)充先進(jìn)封裝產(chǎn)能。
2024-01-22 15:59:49331 系統(tǒng)內(nèi)存和運(yùn)行內(nèi)存都是計(jì)算機(jī)中重要的概念，它們?cè)谟?jì)算機(jī)的存儲(chǔ)和運(yùn)行方面起著不可或缺的作用。雖然它們與計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)和運(yùn)行息息相關(guān)，但是它們具有不同的功能和實(shí)現(xiàn)方式。接下來我將詳細(xì)介紹系統(tǒng)內(nèi)存和運(yùn)行內(nèi)存
2024-01-15 16:32:25461 CMD184：卓越的寬帶GaN MMIC功率放大器芯片，滿足各種高端應(yīng)用需求華灃恒霖電子，作為業(yè)界領(lǐng)先的專業(yè)分銷商，深知在高端應(yīng)用領(lǐng)域，對(duì)于高性能、高可靠性的功率放大器的需求日益增長(zhǎng)。今天，我們非常
2024-01-14 16:53:48
內(nèi)存管理子系統(tǒng)可能是linux內(nèi)核中最為復(fù)雜的一個(gè)子系統(tǒng)，其支持的功能需求眾多，如頁面映射、頁面分配、頁面回收、頁面交換、冷熱頁面、緊急頁面、頁面碎片管理、頁面緩存、頁面統(tǒng)計(jì)等，而且對(duì)性能也有很高
2024-01-04 09:24:37279 
由于內(nèi)存接口芯片的大規(guī)模商用要經(jīng)過下游廠商的多重認(rèn)證，還要攻克低功耗內(nèi)存接口芯片的核心技術(shù)難關(guān)，從 DDR4 世代開始，全球內(nèi)存接口芯片廠商僅剩 Rambus、瀾起科技和瑞薩（原 IDT）三家廠商。
2024-01-02 10:36:52194 
據(jù)最新傳聞，英偉達(dá)正在籌劃發(fā)布兩款搭載HBM3E內(nèi)存的新品——包括141GB HBM3E的H200 GPU及GH200超級(jí)芯片，這也進(jìn)一步說明了對(duì)于HBM內(nèi)存的大量需求。
2024-01-02 09:27:04229 DDR是運(yùn)行內(nèi)存芯片，其運(yùn)行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性，因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識(shí)上采用了工作頻率×2的方法。
DDR芯片的工作原理
2023-12-25 14:02:58
DDR是運(yùn)行內(nèi)存芯片，其運(yùn)行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性，因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識(shí)上采用了工作頻率×2的方法。
DDR芯片的工作原理
2023-12-25 13:58:55
內(nèi)存溢出與內(nèi)存泄漏：定義、區(qū)別與解決方案? 內(nèi)存溢出和內(nèi)存泄漏是計(jì)算機(jī)科學(xué)中常見的問題，在開發(fā)和調(diào)試過程中經(jīng)常會(huì)遇到。本文將詳細(xì)介紹內(nèi)存溢出和內(nèi)存泄漏的定義、區(qū)別以及解決方案。 一、內(nèi)存溢出的定義
2023-12-19 14:10:12880 IBM 的新型模擬內(nèi)存芯片證明了 AI 操作的性能和能源效率都是可能的。
2023-12-18 10:09:30268 數(shù)據(jù)量、復(fù)雜度在增加，HBM內(nèi)存被徹底帶火。這種高帶寬高速的內(nèi)存十分適合于AI訓(xùn)練場(chǎng)景。最近，內(nèi)存芯片廠商已經(jīng)不約而同地切入HBM3E競(jìng)爭(zhēng)當(dāng)中。內(nèi)存控制器IP廠商Rambus也率先發(fā)布HBM3內(nèi)存
2023-12-13 15:33:48885 
JVM（Java虛擬機(jī)）是Java程序的運(yùn)行平臺(tái)，它負(fù)責(zé)將Java程序轉(zhuǎn)換成機(jī)器碼并在計(jì)算機(jī)上執(zhí)行。在JVM中，內(nèi)存模型和內(nèi)存結(jié)構(gòu)是兩個(gè)重要的概念，本文將詳細(xì)介紹它們。 一、JVM內(nèi)存模型 JVM
2023-12-05 11:08:39320 在Java應(yīng)用程序中，JVM（Java虛擬機(jī)）內(nèi)存溢出是指Java應(yīng)用程序試圖分配的內(nèi)存超過了JVM所允許的最大內(nèi)存大小，導(dǎo)致程序無法正常執(zhí)行。內(nèi)存溢出通常是由以下幾個(gè)原因引起的：內(nèi)存泄漏、對(duì)象大小
2023-12-05 11:05:52475 為滿足對(duì)高效內(nèi)存性能日益增長(zhǎng)的需求，DDR5相比其前身DDR4實(shí)現(xiàn)了性能的大幅提升，具體為傳輸速度更快、能耗更低、穩(wěn)定性提高、內(nèi)存密度更大和存取效率提高等。
2023-12-05 10:50:40211 
aipc為了提高整體性能，需要更多的帶寬需要的內(nèi)存，所以aipc ddr5一代反復(fù)滲透率的增加，加快速度更高的ddr5內(nèi)存可以增加的需要，因此，ckd芯片的加快，ckd未來更多的羊可以提高芯片的全部需求。
2023-11-23 14:49:47493 Java內(nèi)存溢出（Memory overflow）是指Java虛擬機(jī)（JVM）中的堆內(nèi)存無法滿足對(duì)象分配的需求，導(dǎo)致程序拋出OutOfMemoryError異常。內(nèi)存溢出是Java開發(fā)
2023-11-23 14:46:07537 經(jīng)歷漫長(zhǎng)的下行周期之后，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)價(jià)格止跌，部分型號(hào)存儲(chǔ)芯片價(jià)格出現(xiàn)反彈，該行業(yè)的疲軟需求可能終于觸底。
2023-11-14 10:47:57617 內(nèi)存池的定義 1.池化技術(shù) 池 是在計(jì)算機(jī)技術(shù)中經(jīng)常使用的一種設(shè)計(jì)模式，其內(nèi)涵在于：將程序中需要經(jīng)常使用的核心資源 先申請(qǐng)出來，放到一個(gè)池內(nèi)，由程序自己管理，這樣可以提高資源的使用效率，也可以保證
2023-11-13 15:23:11261 
作為 C++ 程序員，內(nèi)存泄露始終是懸在頭上的一顆炸彈。在過去幾年的 C++ 開發(fā)過程中，由于我們采用了一些技術(shù)，我們的程序發(fā)生內(nèi)存泄露的情況屈指可數(shù)。今天就在這里向大家做一個(gè)簡(jiǎn)單的介紹。 內(nèi)存
2023-11-13 14:13:25192 
造輪子內(nèi)存池原因引入 作為C/C++程序員, 相較JAVA程序員的一個(gè)重大特征是我們可以直接訪問內(nèi)存, 自己管理內(nèi)存, 這個(gè)可以說是我們的特色, 也是我們的苦楚了. java可以有虛擬機(jī)幫助管理內(nèi)存
2023-11-13 11:51:42397 
分配需求，如下圖所示： 內(nèi)存外部碎片導(dǎo)致實(shí)際占用物理頁不多，但是已無法申請(qǐng)>=4個(gè)頁連續(xù)內(nèi)存，理想當(dāng)中我們希望內(nèi)存沒有外部碎片，如下圖所示： 內(nèi)核并未為此目標(biāo)設(shè)計(jì)新的內(nèi)存分配算法（伙伴系統(tǒng)足夠簡(jiǎn)單和高效），其選擇在
2023-11-11 11:17:55903 
為什么要用內(nèi)存池 為什么要用內(nèi)存池？首先，在7 * 24h的服務(wù)器中如果不使用內(nèi)存池，而使用malloc和free，那么就非常容易產(chǎn)生內(nèi)存碎片，早晚都會(huì)申請(qǐng)內(nèi)存失??；并且在比較復(fù)雜的代碼或者繼承
2023-11-10 17:19:26268 
1. 內(nèi)存管理功能問題 由于C++語言對(duì)內(nèi)存有主動(dòng)控制權(quán)，內(nèi)存使用靈活和效率高，但代價(jià)是不小心使用就會(huì)導(dǎo)致以下內(nèi)存錯(cuò)誤： ? memory overrun：寫內(nèi)存越界 ? double free
2023-11-10 15:29:11577 
內(nèi)存泄漏原因
內(nèi)存泄漏在C/C++這種不帶GC(Garbage Collection)的語言里，是一個(gè)經(jīng)常發(fā)生的問題。因?yàn)闆]有GC，所以分配的
內(nèi)存需要程序員自己調(diào)用釋放。
內(nèi)存泄漏的根本原因是程序?qū)τ?/div>
2023-11-10 15:06:53328 
一、Linux內(nèi)存管理概述 Linux內(nèi)存管理是指對(duì)系統(tǒng)內(nèi)存的分配、釋放、映射、管理、交換、壓縮等一系列操作的管理。在Linux中，內(nèi)存被劃分為多個(gè)區(qū)域，每個(gè)區(qū)域有不同的作用，包括內(nèi)核空間、用戶空間
2023-11-10 14:58:37217 
1. 內(nèi)存溢出 內(nèi)存溢出 OOM （out of memory），是指程序在申請(qǐng)內(nèi)存時(shí)，沒有足夠的內(nèi)存空間供其使用，出現(xiàn)out of memory；比如申請(qǐng)了一個(gè)int,但給它存了long才能存下
2023-11-10 11:04:41301 
需求方面，2023下半年移動(dòng)DRAM（內(nèi)存）及NAND Flash閃存（eMMC、UFS）除了受傳統(tǒng)旺季帶動(dòng)，華為Mate 60系列等也刺激其他中國智能手機(jī)品牌擴(kuò)大生產(chǎn)目標(biāo)，短時(shí)間內(nèi)涌入的需求也成為推動(dòng)第四季度合約價(jià)漲勢(shì)的原因之一。
2023-11-09 16:15:27336 本項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)了一個(gè)高并發(fā)內(nèi)存池，參考了Google的開源項(xiàng)目tcmalloc實(shí)現(xiàn)的簡(jiǎn)易版；其功能就是實(shí)現(xiàn)高效的多線程內(nèi)存管理。由功能可知，高并發(fā)指的是高效的多線程，而內(nèi)存池則是實(shí)現(xiàn)內(nèi)存管理的。 內(nèi)存
2023-11-09 11:16:57231 
業(yè)界人士認(rèn)為，最近手機(jī)應(yīng)用的需求表現(xiàn)確實(shí)比筆記本電腦、電視等應(yīng)用好。進(jìn)入明年，上半年通常是淡季，第2季可能會(huì)開始逐漸加溫，評(píng)估明年下半年旺季的手機(jī)供應(yīng)鏈表現(xiàn)，應(yīng)當(dāng)會(huì)優(yōu)于今年下半與明年上半。
2023-11-06 16:22:24286 關(guān)于內(nèi)存，從軟件的角度去查看，其實(shí)作為一個(gè)軟件程序員，大多數(shù)對(duì)這個(gè)維度的接觸還是蠻多的。linux中有個(gè)free命令，其就是查看系統(tǒng)內(nèi)存的情況。 free命令的選項(xiàng)也比較簡(jiǎn)單，常用的參數(shù)命令如下
2023-10-30 17:41:28358 
JavaScript 代碼中常見的內(nèi)存泄漏的常見來源： 研究內(nèi)存泄漏問題就相當(dāng)于尋找符合垃圾回收機(jī)制的編程方式，有效避免對(duì)象引用的問題。
2023-10-27 11:30:4894 
內(nèi)存分頁 分段的好處是能產(chǎn)生連續(xù)的內(nèi)存空間，但是會(huì)出現(xiàn)大量內(nèi)存碎片與內(nèi)存交換效率低的問題 先思考一下怎么解決這兩個(gè)問題，內(nèi)存碎片是由多個(gè)不連續(xù)的小物理內(nèi)存空間造成，如果把這些不連續(xù)的小物理內(nèi)存
2023-10-09 16:57:20457 
首先，內(nèi)存請(qǐng)求與閃存內(nèi)存之間存在顆粒度不匹配。這導(dǎo)致了在閃存上需要存在明顯的流量放大，除了已有的閃存間接性需求[23,33]之外：例如，將64B的緩存行刷新到CXL啟用的閃存，將導(dǎo)致16KiB的閃存內(nèi)存頁面讀取、64B更新和16KiB的閃存程序?qū)懭氲搅硪粋€(gè)位置（假設(shè)16KiB的頁面級(jí)映射）。
2023-10-09 16:46:20375 
內(nèi)存分段 程序包含若干個(gè)邏輯分段，如可由代碼段、數(shù)據(jù)段、棧段、堆段組成，每個(gè)分段都有不同的屬性，所以內(nèi)存以分段的形式把這些段分離出來進(jìn)行管理 在內(nèi)存分段方式下，虛擬地址和物理地址是如何映射的？ 分段
2023-10-09 16:28:25538 
什么是內(nèi)存 我們想準(zhǔn)備運(yùn)行程序進(jìn)程需要經(jīng)過那幾個(gè)步驟，這里猜測(cè)一下。 首先要去申請(qǐng)內(nèi)存，操作系統(tǒng)根據(jù)現(xiàn)在剩余的地毯空間與你地毯的規(guī)模劃分一塊相應(yīng)大小的內(nèi)存給你，接著你就可以愉快的運(yùn)行程序進(jìn)程
2023-10-09 16:23:42433 
內(nèi)存占用分析 每顆芯片在出廠時(shí)，其bootrom就已經(jīng)固化在芯片內(nèi)部，假設(shè)bootrom的地址是0x0，即上電后，會(huì)從0x0地址處開始運(yùn)行程序。 在啟動(dòng)RISC-VLinux之前，需要先運(yùn)行
2023-10-08 10:38:58391 
什么是內(nèi)存碎片？ 內(nèi)存碎片在Linux很早的時(shí)候就已經(jīng)出現(xiàn)了，了解早期內(nèi)存碎片產(chǎn)生的歷史，有利于我們對(duì)它的理解。 假設(shè)現(xiàn)在有一塊32MB大小的內(nèi)存，一開始操作系統(tǒng)使用了最小的一塊——4MB大小，剩余
2023-10-08 10:12:38326 
A53專用 + 4GB TPU專用 + 4GB VPP/VPU專用。
設(shè)備內(nèi)存（Device Memory）和系統(tǒng)內(nèi)存（Host Memory）： 根據(jù)BM168x產(chǎn)品類型或工作模式的不同，設(shè)備內(nèi)存
2023-09-19 07:47:54
malloc在申請(qǐng)內(nèi)存的時(shí)候，需要指定內(nèi)存的大小，申請(qǐng)成功則返回這塊內(nèi)存的地址，但是free的時(shí)候，只需要指定釋放的內(nèi)存的起始地址，系統(tǒng)就知道從這個(gè)地址開始需要釋放多少個(gè)字節(jié)。
2023-09-15 17:05:58898 
芯片的需求定義主要包括市場(chǎng)需求文檔（Market Requirements Document，MRD）和產(chǎn)品需求文檔（Product Requirements Document，PRD）。 市場(chǎng)需求
2023-09-14 17:02:46891 9月12日，據(jù)《韓國經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)導(dǎo)，三星電子近期與客戶（谷歌等手機(jī)制造商）簽署了內(nèi)存芯片供應(yīng)協(xié)議，DRAM和NAND閃存芯片價(jià)格較現(xiàn)有合同價(jià)格上調(diào)10%-20％。三星電子預(yù)計(jì)，從第四季度起存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)或?qū)⒐┎粦?yīng)求。
2023-09-14 10:56:18206 PLC的處理速度和響應(yīng)時(shí)間，以滿足實(shí)時(shí)性需求。 （2）硬件成本和體積：PLC通常是嵌入式系統(tǒng)，在設(shè)計(jì)中需要考慮硬件成本和尺寸的限制。較小的內(nèi)存容量可以降低存儲(chǔ)器芯片的成本，并減小整體PLC設(shè)備的尺寸。 （3）控制邏輯復(fù)雜性：雖然PLC負(fù)責(zé)
2023-09-12 09:55:02349 最新的32Gb DDR5內(nèi)存芯片，繼續(xù)采用12nm級(jí)別工藝制造，相比三星1983年推出的4Kb容量的第一款內(nèi)存產(chǎn)品，容量已經(jīng)增加了50多萬倍！
2023-09-04 14:28:11264 內(nèi)存芯片在驅(qū)動(dòng)ic市場(chǎng)和ic技術(shù)發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。市場(chǎng)上兩個(gè)主要的內(nèi)存產(chǎn)品分別是DRAM和NAND。
2023-09-01 09:43:093285 
后--并使我的程序崩潰？
·對(duì)于給定的指針，它是否仍然有效，它被分配到哪里，以及內(nèi)存塊有多大？
·我的程序是否正在釋放或釋放無效指針？
·我的讀取或寫入是否超出了分配和覆蓋內(nèi)存的末尾？
如果是，在哪里？
回答這些問題可以解決許多無法解釋的崩潰。
從列出的問題類型中確保代碼清晰也可以提高軟件質(zhì)量。
2023-08-28 08:05:03
對(duì)硅晶圓產(chǎn)業(yè)需求不振的原因，業(yè)內(nèi)人士指出，主要原因是家電需求不振、ic設(shè)計(jì)的報(bào)酬，各晶片廠，對(duì)于第三季度前途沒有普遍保守旺季效應(yīng)明顯，在存儲(chǔ)器工廠減產(chǎn)周期，各大晶圓廠，存儲(chǔ)器工廠的庫存持續(xù)刷新了歷史最高紀(jì)錄。
2023-08-21 11:41:30322 TPU內(nèi)存（一）
2023-08-18 11:29:26379 
TPU內(nèi)存（二）
2023-08-18 11:29:25234 
NVIDIA官方宣布了新一代GH200 Grace Hopper超級(jí)芯片平臺(tái)，全球首發(fā)采用HBM3e高帶寬內(nèi)存，可滿足世界上最復(fù)雜的生成式AI負(fù)載需求。
2023-08-10 09:37:12890 
編寫有效的代碼需要了解堆棧和堆內(nèi)存，這使其成為學(xué)習(xí)編程的重要組成部分。不僅如此，新程序員或職場(chǎng)老手都應(yīng)該完全熟悉堆棧內(nèi)存和堆內(nèi)存之間的區(qū)別，以便編寫有效且優(yōu)化的代碼。
2023-08-07 12:23:00346 
解決問題：malloc在申請(qǐng)內(nèi)存的時(shí)候，內(nèi)存碎片問題會(huì)導(dǎo)致原本內(nèi)存大小足夠，卻申請(qǐng)大內(nèi)存失敗。
2023-08-06 16:58:02887 
全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)面臨供過于求，存儲(chǔ)模組價(jià)格跌至谷底。市場(chǎng)寄望生成式人工智能(Generative AI)帶動(dòng)存儲(chǔ)需求回溫，但分析師直言，AI應(yīng)用在整個(gè)存儲(chǔ)市場(chǎng)只占很小比例，其他非AI需求還是很差，光靠AI難以解決跌價(jià)問題。
2023-08-03 09:52:57193 LX Semicon因主力產(chǎn)品顯示驅(qū)動(dòng)芯片（DDI）需求減少，今年第二季度業(yè)績(jī)不佳。但下半年電視制造商的庫存水平逐漸健全，智能手機(jī)市場(chǎng)進(jìn)入新產(chǎn)品上市的旺季，業(yè)績(jī)有望增長(zhǎng)。
2023-07-30 15:25:54351 內(nèi)存碎片 在看 FreeRTOS的內(nèi)存分配方法之前我們先來看一下什么叫做內(nèi)存碎片，看名字就知道是小塊的、碎片化的內(nèi)存。那么內(nèi)存碎片是怎么來的呢？內(nèi)存碎片是伴隨著內(nèi)存申請(qǐng)和釋放而來的，如圖所示
2023-07-30 10:29:05499 
DDR是運(yùn)行內(nèi)存芯片，其運(yùn)行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性，因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識(shí)上采用了工作頻率×2的方法。 ? DDR芯片
2023-07-28 13:12:061877 
Linux 內(nèi)存是后臺(tái)開發(fā)人員，需要深入了解的計(jì)算機(jī)資源。合理的使用內(nèi)存，有助于提升機(jī)器的性能和穩(wěn)定性。本文主要介紹**Linu****x 內(nèi)存組織結(jié)構(gòu)和頁面布局，內(nèi)存碎片產(chǎn)生原因和優(yōu)化算法
2023-07-25 14:43:45490 
華為日前展出了基于計(jì)算、存儲(chǔ)能力的EDA解決方案。行業(yè)認(rèn)為，算力芯片復(fù)雜度和數(shù)量需求急劇上升，變相提升了EDA需求，進(jìn)而對(duì)集群計(jì)算能力提出進(jìn)一步要求。
2023-07-25 09:47:25715 1. Rambus：專注內(nèi)存接口芯片的創(chuàng)新廠商 1.1. 內(nèi)存接口芯片專家，兩大業(yè)務(wù)條線產(chǎn)品矩陣完善 Rambus 是全球領(lǐng)先的互連類芯片與硅 IP 解決方案提供商，面向人工智能、數(shù)據(jù)中 心、汽車
2023-07-06 11:03:07783 如果我們將兩個(gè)4G內(nèi)存插入內(nèi)存插槽，得到的內(nèi)存地址空間是0到8G嗎？是不是0到4G是第一根內(nèi)存，4到8G是第二根內(nèi)存呢？實(shí)際情況相差甚遠(yuǎn)，內(nèi)存在物理地址空間的映射是分散的。
2023-06-30 15:59:271847 
各位老鐵，有沒有M451系列芯片IAP或ISP的例子或文檔？
比如M451芯片，通過RS232讀到要更新的程序，然后寫入到M451 APROM中,再指定程序從APROM運(yùn)行。
2023-06-25 06:22:38
大家好，我是雜燴君。 C 語言內(nèi)存問題，難在于定位，定位到了就好解決了。 這篇筆記我們來聊聊踩內(nèi)存。踩內(nèi)存，通過字面理解即可。本來是操作這一塊內(nèi)存，因?yàn)樵O(shè)計(jì)失誤操作到了相鄰內(nèi)存，篡改了相鄰內(nèi)存的數(shù)據(jù)
2023-06-22 11:37:00227 
一、如何控制單片機(jī)？ 單片機(jī)的內(nèi)存映射圖解析 這里以STM32F429芯片為例，講解下單片機(jī)芯片內(nèi)存映射圖。從此圖中可以看到芯片的外設(shè)被分配了512M的空間，然而真正的外設(shè)其實(shí)沒有使用到512M
2023-06-22 10:33:00747 
只有在堆內(nèi)存里面才會(huì)發(fā)生內(nèi)存泄漏的問題，在棧內(nèi)存中不會(huì)發(fā)生內(nèi)存泄漏。因?yàn)闂?b class="flag-6" style="color: red">內(nèi)存在自動(dòng)分配空間之后，還會(huì)自動(dòng)釋放空間。 什么是堆內(nèi)存？存儲(chǔ)方式是什么樣的呢？ 首先我們先來介紹一下堆內(nèi)存在 C 代碼
2023-06-22 10:29:00679 
一、如何控制單片機(jī)？ 單片機(jī)的內(nèi)存映射圖解析 這里以STM32F429芯片為例，講解下單片機(jī)芯片內(nèi)存映射圖。從此圖中可以看到芯片的外設(shè)被分配了512M的空間，然而真正的外設(shè)其實(shí)沒有使用到512M
2023-06-22 10:18:00886 本文介紹 Armv8-A 架構(gòu)的內(nèi)存序模型，并介紹 arm 的各種內(nèi)存屏障。本文還會(huì)指出一些需要明確內(nèi)存保序的場(chǎng)景，并指明如何使用內(nèi)存屏障以讓程序運(yùn)行正確。
2023-06-15 18:19:37861 
只有在堆內(nèi)存里面才會(huì)發(fā)生內(nèi)存泄漏的問題，在棧內(nèi)存中不會(huì)發(fā)生內(nèi)存泄漏。因?yàn)闂?b class="flag-6" style="color: red">內(nèi)存在自動(dòng)分配空間之后，還會(huì)自動(dòng)釋放空間。
2023-06-11 17:31:45358 
我正在使用 ESP8266 并想計(jì)算所有可用內(nèi)存的校驗(yàn)和或哈希值。我試圖自己解決這個(gè)問題，但沒有成功。因此，我希望我能在這里得到一些幫助或提示。在下文中，我嘗試描述到目前為止我嘗試過的內(nèi)容。
首先
2023-06-07 06:43:39
板載128Mbyte內(nèi)存或256M內(nèi)存 2. 網(wǎng)絡(luò)傳輸高速，實(shí)時(shí)，確定 3. 高速光纖網(wǎng)絡(luò)波特率可達(dá)2.125G 4. 低延遲率：節(jié)點(diǎn)間百納秒級(jí)延遲
2023-06-02 15:15:37
和筆記本。內(nèi)存模組的類型決定了所需的內(nèi)存接口芯片和內(nèi)存模組配套芯片。 ? ? ? 內(nèi)存進(jìn)入 DDR5 新世代，標(biāo)準(zhǔn)升級(jí)拉動(dòng)相關(guān)芯片需求。與 DDR4 相比， DDR5 的優(yōu)勢(shì)可簡(jiǎn)單地概括為： （ 1）速度
2023-05-29 14:07:381359 
BGA芯片X-ray檢測(cè)設(shè)備是電子行業(yè)中最重要的檢測(cè)設(shè)備，它主要用于檢測(cè)BGA芯片的焊接質(zhì)量，從而保證電子產(chǎn)品的質(zhì)量。BGA芯片X-ray檢測(cè)設(shè)備市場(chǎng)需求十分廣泛，具體包括： 一、檢測(cè)質(zhì)量需求 隨著
2023-05-22 17:22:53396 
芯片制造商的投資放緩是盈利低迷的主要原因。內(nèi)存芯片制造商尤其受到智能手機(jī)和服務(wù)器需求下滑以及價(jià)格暴跌的沉重打擊。4 月下旬，韓國內(nèi)存芯片制造商 SK 海力士下調(diào)了今年內(nèi)存市場(chǎng)的增長(zhǎng)預(yù)測(cè)。Lam Research 預(yù)計(jì)今年芯片制造設(shè)備市場(chǎng)將萎縮 25% 或更多，超過此前預(yù)計(jì)的約 20% 的降幅。
2023-05-22 14:17:23352 共享內(nèi)存是使用__shared__內(nèi)存空間說明符分配的。
2023-05-19 15:32:52736 
電腦U盤內(nèi)存芯片與PCB板的粘接加固用底部填充膠案例由漢思新材料提供涉及部件：內(nèi)存芯片與PCB板的粘接加固問題點(diǎn)：超聲波熔接外殼后功能測(cè)試不良15%應(yīng)用產(chǎn)品：HS710底填膠方案亮點(diǎn)：運(yùn)用HS710
2023-04-25 16:44:32515 
得益于ChatGPT等AI產(chǎn)品對(duì)高性能存儲(chǔ)芯片的需求，三星、SK海力士的高帶寬內(nèi)存接單量大增。在AI產(chǎn)品的推動(dòng)下，“超大存儲(chǔ)”已經(jīng)成為手機(jī)行業(yè)的新賽道。
2023-04-24 09:06:28449 常用內(nèi)存管理需求：靜態(tài)分配的變量(RAM)，任務(wù)堆棧，動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器管理malloc/free
2023-04-19 11:20:461290 
。然而，我很難找到描述 LPC55S69 的兩個(gè)內(nèi)核如何訪問芯片上的靜態(tài) RAM 和閃存資源的應(yīng)用說明或技術(shù)規(guī)范。NXP 是否提供此類應(yīng)用說明？我在哪里可以找到這個(gè)？我用各種搜索短語搜索了論壇，例如“雙關(guān)心內(nèi)存
2023-04-12 08:54:14
系統(tǒng)在啟動(dòng)（空閑）后處于穩(wěn)定狀態(tài)時(shí)應(yīng)該不會(huì)有太大變化。對(duì)于我的測(cè)試，WiFi 已啟用并連接到接入點(diǎn)，但沒有發(fā)生明顯的流量。我一直看到，較舊的 ESP32 Rev 3 芯片系統(tǒng)顯示的可用內(nèi)存比
2023-04-12 06:38:05
用途。” 這似乎暗示相關(guān)的引腳（SD_DATA0-3、SD_CLK、GPIO16）被嵌入式PSRAM使用，不能連接到外部閃存或emmc。任何人都可以確認(rèn)是否是這種情況？但是如果不使用這些 PIN，外部閃存將無法將內(nèi)存映射到 cpu 內(nèi)存空間。
2023-04-12 06:01:59
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