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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>華為的全閃存存儲(chǔ)之路

華為的全閃存存儲(chǔ)之路

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2024-03-22 10:54:1513

AI需求引爆存儲(chǔ)市場(chǎng),2024存儲(chǔ)市場(chǎng)趨勢(shì)如何?CFMS給出預(yù)測(cè)

3月20日,2024年中國閃存市場(chǎng)峰會(huì)CFMS在深圳前海華僑城JW萬豪酒店盛大召開,三星、SK海力士、美光、鎧俠、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等內(nèi)存大廠高管紛紛發(fā)表重磅演講,深圳市閃存市場(chǎng)資訊有限公司總經(jīng)理邰煒先生帶來
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2024-03-19 09:24:17166

數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)的趨勢(shì)

隨著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求的持續(xù)增長(zhǎng),數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)技術(shù)和架構(gòu)不斷發(fā)展以滿足企業(yè)和消費(fèi)者的需求。在本節(jié)中,我們將分析數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)未來的一些關(guān)鍵趨勢(shì)。 一、全閃存存儲(chǔ)陣列 隨著閃存成本的下降以及相對(duì)于傳統(tǒng)硬盤
2024-03-18 17:39:22141

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存儲(chǔ)閃存 2GB
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華為新型磁電存儲(chǔ)設(shè)備引領(lǐng)市場(chǎng),磁光電存儲(chǔ)概念股迎春風(fēng)

在巴塞羅那舉辦的2024年世界移動(dòng)通信大會(huì)上,華為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)品線總裁周躍峰博士詳細(xì)介紹了即將面世的OceanStorArctic磁電存儲(chǔ)產(chǎn)品。
2024-03-14 15:12:591284

華為推出的磁電存儲(chǔ)設(shè)備“OceanStor Arctic”或顛覆存儲(chǔ)器格局!

近日,中國華為公司數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)品線總裁周躍峰博士在巴塞羅那世界移動(dòng)通信大會(huì)上介紹了即將推出的磁電存儲(chǔ)設(shè)備“OceanStor Arctic”。
2024-03-11 15:23:531143

CYUSB3KIT-003如何集成一個(gè)NOR閃存?

我有一個(gè) CYUSB3KIT-003。 我需要集成一個(gè) NOR 閃存,我可以從中將固件讀取到 RAM,然后 NOR 閃存的一部分內(nèi)存應(yīng)該EVAL_2K4W_ACT_BRD_S7作為大容量存儲(chǔ)設(shè)備。 我應(yīng)該采取什么方法?
2024-03-05 07:23:50

曙光存儲(chǔ)推出ParaStor分布式全閃存儲(chǔ)

曙光存儲(chǔ)推出ParaStor分布式全閃存儲(chǔ),攜業(yè)內(nèi)首創(chuàng)技術(shù)XDS,以訓(xùn)練加速、穩(wěn)定性強(qiáng)、性價(jià)比高的獨(dú)特價(jià)值,全維度涵蓋網(wǎng)絡(luò)、計(jì)算和平臺(tái),為千行百業(yè)的AI大模型開發(fā)者提供存儲(chǔ)解決方案。
2024-03-01 11:30:19137

鎧俠正式發(fā)布業(yè)界首款車載UFS 4.0嵌入式閃存

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2024-02-22 16:21:51612

華為推出全新數(shù)據(jù)湖解決方案及全閃存新品

近日,華為在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)新春新品發(fā)布會(huì)上,向全球展示了其全新的數(shù)據(jù)湖解決方案,以及專為商業(yè)市場(chǎng)與分銷市場(chǎng)設(shè)計(jì)的全閃存存儲(chǔ)新品。這些創(chuàng)新產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著華為在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域邁出了重要的一步,旨在幫助金融、政府、運(yùn)營商以及教育科研等行業(yè)更好地管理和利用他們的數(shù)據(jù)資產(chǎn)。
2024-02-21 10:35:01245

華為推出數(shù)據(jù)湖解決方案及全閃存存儲(chǔ)新品

此次發(fā)布的新品包括OceanStor Dorado 2100,這是業(yè)界首款面向非結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)設(shè)計(jì)的A-A架構(gòu)入門級(jí)全閃存NAS,還有對(duì)應(yīng)升級(jí)的SAN存儲(chǔ)OceanStor Dorado 2000和支持SAN&NAS一體化的OceanStor Dorado 3000。
2024-02-20 14:18:32193

Tech Talk:解讀閃存原理與顆粒類型

NAND閃存作為如今各種電子設(shè)備中常見的非易失性存儲(chǔ)器,存在于固態(tài)硬盤(SSD)、USB閃存驅(qū)動(dòng)器和智能手機(jī)存儲(chǔ)等器件。而隨著電腦終端、企業(yè)存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)中心、甚至汽車配件等應(yīng)用場(chǎng)景要求的多樣化
2024-02-05 18:01:17418

CS 創(chuàng)世SD NAND FLASH 存儲(chǔ)芯片,比TF卡更小巧輕便易用的大容量存儲(chǔ),TF卡替代方案

文章目錄介紹創(chuàng)世SD卡引腳與NORFlash存儲(chǔ)比較介紹SDNANDFLASH(SecureDigitalNANDFlash)是一種安全數(shù)字NAND閃存技術(shù),通常用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù),并且具有一些額外的安全
2024-01-24 18:29:55373

佰儲(chǔ)存儲(chǔ)榮獲印度“增長(zhǎng)最快的閃存制造商品牌”

近日,佰儲(chǔ)存儲(chǔ)在印度第15屆DT Awards 2023頒獎(jiǎng)盛典上大放異彩,憑借在存儲(chǔ)技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力以及市場(chǎng)服務(wù)方面的卓越表現(xiàn),成功斬獲“增長(zhǎng)最快的閃存制造商品牌”大獎(jiǎng)。這一榮譽(yù)不僅體現(xiàn)了公司在印度市場(chǎng)的卓越表現(xiàn),更是對(duì)其全球化戰(zhàn)略的有力肯定。
2024-01-24 17:34:59427

佰維存儲(chǔ)斬獲“增長(zhǎng)最快的閃存制造商品牌”大獎(jiǎng)

近日,佰維亮相印度第15屆DT Awards 2023頒獎(jiǎng)盛典,公司憑借在存儲(chǔ)技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力以及市場(chǎng)服務(wù)方面的突出表現(xiàn),斬獲了“增長(zhǎng)最快的閃存制造商品牌”大獎(jiǎng)。
2024-01-24 17:30:15168

微型量子存儲(chǔ)元件的量產(chǎn)之路

光子特別適合傳輸量子信息。光子可用于通過光纜向衛(wèi)星或量子存儲(chǔ)元件發(fā)送量子信息。但光子的量子力學(xué)狀態(tài)必須是盡可能精確地存儲(chǔ),并經(jīng)過一定時(shí)間后再轉(zhuǎn)換回光子。
2024-01-22 14:42:00169

中國全閃存市場(chǎng)有哪些特點(diǎn)與趨勢(shì)?

IDC數(shù)據(jù)表明,傳統(tǒng)企業(yè)存儲(chǔ)系統(tǒng)中的全閃陣列同比下降5.5%,用戶更加青睞端到端NVMe 全閃、分布式全閃等高端全閃存儲(chǔ)。
2024-01-03 10:43:18282

Q3全閃存市場(chǎng),華為超越Dell成為季度第一

華為在2023年第三季度全閃存(SSA)全球市場(chǎng)中表現(xiàn)出色,實(shí)現(xiàn)了驚人的增長(zhǎng),市場(chǎng)份額首次超越Dell,成為全球全閃存市場(chǎng)的季度第一。
2023-12-29 16:18:25522

華為NoF+存儲(chǔ)網(wǎng)絡(luò)解決方案

(RDMA over Converged Ethernet)被廣大存儲(chǔ)廠商所接受,成為業(yè)界NoF的主流。華為推出的NoF+存儲(chǔ)網(wǎng)絡(luò)解決方案,相較于標(biāo)準(zhǔn)NoF方案,在性能、可靠性、易用性上均實(shí)現(xiàn)了顛覆性改進(jìn),是全閃存時(shí)代的最佳選擇。
2023-12-18 16:41:00470

常見的flash閃存主要有哪些類型

  FLASH閃存是一種非易失性內(nèi)存,閃存在沒有電流供應(yīng)的條件下也能夠長(zhǎng)久地保持?jǐn)?shù)據(jù),其存儲(chǔ)特性相當(dāng)于硬盤,這項(xiàng)特性正是閃存得以成為各類便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲(chǔ)介質(zhì)的基礎(chǔ)。
2023-12-15 14:06:27419

NOR FLASH對(duì)計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)有何作用?

NOR FLASH是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),對(duì)計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)具有重大影響,閃存其獨(dú)特的特性和功能影響著計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)的各個(gè)方面
2023-12-05 10:32:31332

STM32F10xxx微控制器的閃存存儲(chǔ)器燒寫手冊(cè)

本編程手冊(cè)介紹了如何燒寫STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx微控制器的閃存存儲(chǔ)器。為方便起見,在本文中除特別說明外,統(tǒng)稱它們?yōu)镾TM32F10xxx。 STM32F10xxx內(nèi)嵌的閃存存儲(chǔ)器可以用于在線編程(ICP)或在程序中編程(IAP)燒寫。
2023-11-28 15:16:562

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)閃速存儲(chǔ)

閃速存儲(chǔ)器 (Flash Memory)簡(jiǎn)稱閃存器或閃存,是一種非易失性存儲(chǔ)器(Non-volatile Memory, NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash)和與非閃存
2023-11-23 09:36:17911

性能超群的含閃存存儲(chǔ)器、8引腳PIC微控制器

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《性能超群的含閃存存儲(chǔ)器、8引腳PIC微控制器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-17 11:02:010

長(zhǎng)江存儲(chǔ)起訴美光!

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在以上起訴書中稱,長(zhǎng)江存儲(chǔ)不再是新秀(upstart),而已成為全球3D NAND市場(chǎng)的重要參與者。長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示,去年11月,分析和跟蹤閃存市場(chǎng)的TechInsights公司得出結(jié)論:長(zhǎng)江存儲(chǔ)是3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,超過了美光。
2023-11-13 16:53:04531

起訴美光!長(zhǎng)江存儲(chǔ)反擊

訴訟旨在解決以下問題的一個(gè)方面:美光試圖通過迫使長(zhǎng)江存儲(chǔ)退出3D NAND Flash(閃存)市場(chǎng)來阻止競(jìng)爭(zhēng)和創(chuàng)新。
2023-11-13 15:47:51289

華為鴻蒙系統(tǒng)

華為鴻蒙系統(tǒng)(HUAWEI Harmony OS),是華為公司在2019年8月9日于東莞舉行的華為開發(fā)者大會(huì)(HDC.2019)上正式發(fā)布的操作系統(tǒng)。 華為鴻蒙系統(tǒng)是一款全新的面向全場(chǎng)景的分布式
2023-11-02 19:39:45

長(zhǎng)江存儲(chǔ)232層閃存揭秘

長(zhǎng)江存儲(chǔ)1Tb TLC芯片的存儲(chǔ)密度已達(dá)15.47Gb每平方毫米,1Tb QLC更是高達(dá)19.8Gb每平方毫米,在兩種閃存類型中都無出其右者。
2023-11-02 11:11:46842

STM32速成筆記(12)—Flash閃存

閃存儲(chǔ)器(flash memory),是一種電子式可清除程序化只讀存儲(chǔ)器的形式,允許在操作中被多次擦或?qū)懙?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器。它是一種非易失性存儲(chǔ)器,即斷電數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失。
2023-10-24 15:19:17498

DEKRA德凱攜手華為智能光伏探討逆變器安全創(chuàng)新之路

近期,DEKRA德凱攜手華為智能光伏,共同參加由光伏行業(yè)媒體PV Tech舉辦的線上研討會(huì),向全球觀眾分享并探討逆變器安全創(chuàng)新之路
2023-10-23 12:30:52400

中芯國際“NAND閃存器件及其形成方法”專利獲授權(quán)

中芯國際方面表示:“nand閃存憑借較高的單元密度和存儲(chǔ)器密度、快速使用和刪除速度等優(yōu)點(diǎn),已成為廣泛使用在閃存上的結(jié)構(gòu)?!蹦壳爸饕糜跀?shù)碼相機(jī)等的閃存卡和mp3播放器。
2023-10-17 09:46:07265

有媒體報(bào)道稱,內(nèi)存和閃存價(jià)格將分別上漲30%、20%

日前有媒體報(bào)道稱,受三星等存儲(chǔ)原廠減產(chǎn)以及國內(nèi)閃存龍頭存儲(chǔ)顆粒產(chǎn)能不足的影響,內(nèi)存和閃存元器件采購成本逐步上漲。
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同時(shí)取代閃存和DRAM,ULTRARAM真有這個(gè)潛力嗎?

非易失性的新技術(shù),力求制造出同時(shí)替代閃存和DRAM的通用存儲(chǔ)。 ? ULTRARAM 與閃存和DRAM的區(qū)別 ? 閃存和DRAM作為已經(jīng)被行業(yè)使用了數(shù)十年的存儲(chǔ)形式,因?yàn)槠涮匦圆煌?,往往只能被分別用于特定場(chǎng)景中。以閃存為例,其具有非易失性、非破壞性讀出和高度擴(kuò)展性等特點(diǎn),但缺點(diǎn)在于
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云端原生的實(shí)現(xiàn),就現(xiàn)在來看,華為的Serverless應(yīng)該是系統(tǒng)地考慮了這個(gè)問題。 而前端的實(shí)現(xiàn),現(xiàn)在官方主推為“Stage模型+ArkTS+API9及以上”應(yīng)用開發(fā),我們認(rèn)為通過以上方式實(shí)現(xiàn)
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如何對(duì)STM8S和STM8A閃存程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)EEPROM進(jìn)行編程

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2023-10-07 16:05:500

STM32F10xxx閃存編程手冊(cè)

本編程手冊(cè)介紹了如何燒寫STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx微控制器的閃存存儲(chǔ)器。為方便起見,在本文中出特別說明外,統(tǒng)稱它們?yōu)镾TM32F10xxx
2023-09-26 06:18:33

倒計(jì)時(shí)1天 | 華為全聯(lián)接大會(huì)2023,聚焦變革之路,共享智能化洞見!

原文標(biāo)題:倒計(jì)時(shí)1天 | 華為全聯(lián)接大會(huì)2023,聚焦變革之路,共享智能化洞見! 文章出處:【微信公眾號(hào):中軟國際】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
2023-09-19 21:00:04548

STM32F2片上閃存介紹

片上閃存特性和系統(tǒng)框圖 ? 存儲(chǔ)空間組織架構(gòu) ? 用戶閃存 ? 系統(tǒng)閃存 ? OTP ? 選項(xiàng)字節(jié) ? 閃存讀接口 ? 等待周期 ? 指令預(yù)取 ? 指令高速緩存 ? 數(shù)據(jù)高速緩存 ? 擦除和編程操作 ? 讀保護(hù)和寫保護(hù) ? STM32F2和STM32F1的閃存特性比較
2023-09-13 07:10:38

STM32F2的存儲(chǔ)器和總線架構(gòu)

系統(tǒng)架構(gòu) ? 多層AHB總線矩陣 ? 存儲(chǔ)空間 ? 存儲(chǔ)器映射 ? 片上SRAM ? 位帶操作 ? 片上閃存 ? 自適應(yīng)閃存加速器(STM32F2新增) ? 啟動(dòng)模式 ? 代碼空間的動(dòng)態(tài)重映射(STM32F2新增) ? 內(nèi)嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58

慧榮科技MonTitanTM平臺(tái)亮相FMW 2023閃存峰會(huì),為企業(yè)級(jí)SSD開發(fā)提速

存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)生態(tài),交流最新技術(shù)與行業(yè)趨勢(shì)。 會(huì)議現(xiàn)場(chǎng),華為、浪潮、Solidum、鎧俠、戴爾、慧榮科技等廠商均展出了旗下創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品。 在慧榮科技與旗下專注于企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)領(lǐng)域子公司寶存科技的展臺(tái)上,可以看到業(yè)界首款采用QLC閃存的ZNS(Zone Namespaces)SSD產(chǎn)品,在
2023-09-06 15:34:29498

使用C16x/ST1進(jìn)行系統(tǒng)內(nèi)閃存編程

。 Keil C166開發(fā)工具版本4.02和更高版本幫助解決了這個(gè)問題! L166鏈接器/定位器現(xiàn)在能夠在閃存存儲(chǔ)功能代碼,同時(shí)允許您定義不同的執(zhí)行地址(通常在RAM中)。 您可以輕松地將代碼復(fù)制到
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華為mate60pro配置參數(shù)表,搭載麒麟9000S的華為Mate60 Pro值得買嗎?

Mate60Pro搭載麒麟9000S處理器,采用5nm工藝制程,性能和能效均有所提升。配備LPDDR5內(nèi)存和UFS3.1閃存,提供出色的運(yùn)行速度和存儲(chǔ)能力。支持5G網(wǎng)絡(luò)和Wi-Fi6E技術(shù),確保高速網(wǎng)絡(luò)連接
2023-08-31 09:39:59

評(píng)估報(bào)告:全閃存HP 3PAR StoreServ 7450存儲(chǔ)系統(tǒng)和第5代16Gb/s光纖通道

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《評(píng)估報(bào)告:全閃存HP 3PAR StoreServ 7450存儲(chǔ)系統(tǒng)和第5代16Gb/s光纖通道.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-30 16:41:370

收入占比超50%,全閃存時(shí)代到底還有多遠(yuǎn)?

閃存存儲(chǔ)的歷史性時(shí)刻到來! Gartner最新數(shù)據(jù)顯示,2023年第一季度全球外部存儲(chǔ)市場(chǎng)同比增長(zhǎng)0.5%;其中,全閃存陣列同比增長(zhǎng)3.6%,市場(chǎng)規(guī)模超過非全閃存陣列,占整個(gè)外部存儲(chǔ)市場(chǎng)收入
2023-08-29 18:30:03204

淺談閃存控制器架構(gòu)

分析閃存控制器的架構(gòu),首先得了解SSD。一般來說SSD的存儲(chǔ)介質(zhì)分為兩種,一種是采用閃存(Flash芯片)作為存儲(chǔ)介質(zhì),另外一種是采用DRAM作為存儲(chǔ)介質(zhì)。我們通常所說的SSD就是基于閃存的固態(tài)硬盤
2023-08-29 16:10:09496

博科結(jié)構(gòu)技術(shù)與純存儲(chǔ)閃存陣列//m20驗(yàn)證測(cè)試報(bào)告

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2023-08-29 15:06:530

日立統(tǒng)一存儲(chǔ)虛擬機(jī)全閃存系統(tǒng)和博科第五代光纖通道SAN

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2023-08-29 09:45:250

光纖通道與iSCSI相比在支持企業(yè)工作負(fù)載的全閃存存儲(chǔ)陣列方面性能優(yōu)勢(shì)

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2023-08-28 16:44:060

實(shí)現(xiàn)閃存存儲(chǔ)優(yōu)勢(shì)的網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

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2023-08-28 11:02:270

云優(yōu)化性能:使用基于閃存存儲(chǔ)的I/O密集型工作負(fù)載

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2023-08-28 10:04:340

華為宣布CANTIAN引擎開源并發(fā)布分布式存儲(chǔ)全閃新品

8月25日,以“在一起,共迎新機(jī)遇”為主題的第三屆華為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)用戶精英論壇在西寧召開。在此次大會(huì)上, 華為正式宣布開源CANTIAN引擎,并推出分布式存儲(chǔ)全閃新品。 同時(shí),華為向與會(huì)客戶匯報(bào)
2023-08-25 18:45:07431

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈,三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281

QLC 全閃存將取代混合存儲(chǔ)?

基于四級(jí)單元(QLC)的存儲(chǔ)陣列采用軟件支持的ASIC或FPGA邏輯(以克服生命周期限制、提高耐用性和性能),目前已部署用于通用塊存儲(chǔ)用例。它們還被部署在備份和災(zāi)難恢復(fù)用例中,在這些用例中,取代 TLC 介質(zhì)設(shè)備陣列的性能并不那么重要。
2023-08-16 10:26:45624

Pure Storage開創(chuàng)行業(yè)先河:以全閃存解決方案滿足各種存儲(chǔ)需求

Storage?(NYSE: PSTG)今日宣布其已實(shí)現(xiàn)一項(xiàng)愿景目標(biāo),即率先成為業(yè)界首家以全閃存解決方案滿足客戶全部存儲(chǔ)需求的技術(shù)提供商。目前只有 Pure Storage 可以真正做到這一點(diǎn),這主要?dú)w功于
2023-08-08 17:38:24733

浪潮信息穩(wěn)居中國全閃存儲(chǔ)市場(chǎng)前二

北京2023年8月7日 /美通社/ -- 日前,IDC公布《2023年第一季度中國企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)跟蹤報(bào)告》,報(bào)告顯示,中國企業(yè)級(jí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場(chǎng)銷售額同比增長(zhǎng)3.45%至70.14億元,全閃存儲(chǔ)銷售額
2023-08-08 12:55:47716

浪潮信息穩(wěn)居中國全閃存儲(chǔ)市場(chǎng)前二

日前,IDC公布《2023年第一季度中國企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)跟蹤報(bào)告》,報(bào)告顯示,中國企業(yè)級(jí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場(chǎng)銷售額同比增長(zhǎng)3.45%至70.14億元,全閃存儲(chǔ)銷售額15億元,市場(chǎng)占比25%,混閃存儲(chǔ)銷售額38
2023-08-07 11:10:02328

pSLC閃存介紹:高性能和耐久性的閃存解決方案

在當(dāng)今科技時(shí)代,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求急劇增長(zhǎng),NAND?閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲(chǔ)解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來,虛擬 SLC(pSLC)閃存技術(shù)的引入,為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來了新的創(chuàng)新。本文將探討 pSLC
2023-08-02 15:16:593365

pSLC 閃存介紹:高性能和耐久性的閃存解決方案

在當(dāng)今科技時(shí)代,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求急劇增長(zhǎng),NAND閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲(chǔ)解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來,虛擬SLC(pSLC)閃存技術(shù)的引入,為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來了新的創(chuàng)新。本文將探討pSLC閃存
2023-08-02 08:15:35790

pSLC閃存的原理、優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

在當(dāng)今科技時(shí)代,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求急劇增長(zhǎng),NAND 閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲(chǔ)解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來,虛擬 SLC(pSLC)閃存技術(shù)的引入,為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來了新的創(chuàng)新。本文將探討 pSLC 閃存的原理、優(yōu)勢(shì)以及在不同領(lǐng)域中的應(yīng)用。
2023-08-01 11:15:471559

DEKRA德凱為華為OceanStor全閃存存儲(chǔ)頒發(fā)全球首個(gè)碳足跡和碳標(biāo)簽證書

今日,全球領(lǐng)先的檢驗(yàn)、檢測(cè)及認(rèn)證機(jī)構(gòu)DEKRA德凱為華為OceanStor全閃存存儲(chǔ)頒發(fā)全球首個(gè)DEKRA德凱存儲(chǔ)產(chǎn)品碳足跡和DEKRA Seal碳標(biāo)簽證書。華為OceanStor全閃存存儲(chǔ)憑借業(yè)界
2023-07-31 17:11:37661

從RAM到閃存:電子設(shè)備中的數(shù)據(jù)如何存儲(chǔ)與訪問?

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是當(dāng)今電子設(shè)備的核心組件,從智能手機(jī)到高性能計(jì)算機(jī),幾乎所有設(shè)備都需要某種形式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。根據(jù)應(yīng)用需求和工作原理,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩大類:內(nèi)存和閃存。本文將介紹這兩大類存儲(chǔ)器的種類和工作原理。
2023-07-31 09:57:32598

相約硅谷,共話存儲(chǔ)——佰維誠邀您蒞臨全球閃存峰會(huì)FMS2023

8月8日-10日, 全球閃存峰會(huì)FMS2023 將在美國加州圣克拉拉會(huì)議中心隆重舉行。作為國際閃存行業(yè)的盛會(huì),F(xiàn)MS2023將展示閃存最新進(jìn)展,聚焦DRAM、DNA數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、UCIe、CXL
2023-07-28 16:35:12278

佰維存儲(chǔ)面向旗艦智能手機(jī)推出UFS3.1高速閃存

手機(jī)“性能鐵三角”——SoC、運(yùn)行內(nèi)存、閃存決定了一款手機(jī)的用戶體驗(yàn)和定位,其中存儲(chǔ)器性能和容量對(duì)用戶體驗(yàn)的影響越來越大。
2023-07-27 17:01:33557

華為GT2手表商家送保護(hù)殼,裝上后瞬間掉價(jià),變成10幾元電子表

華為
學(xué)習(xí)電子知識(shí)發(fā)布于 2023-07-25 22:48:04

拐彎突破美國禁令!長(zhǎng)江存儲(chǔ)神秘閃存曝光

長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)將3D NAND閃存做到了232層堆疊,存儲(chǔ)密度15.47Gb每平方毫米,而且傳輸速度高達(dá)2400MT/s,妥妥的世界第一,結(jié)果被美國一直禁令給攔住了,死死限制在128層,但我們肯定不會(huì)坐以待斃。
2023-07-20 09:44:311233

ufs是內(nèi)存還是閃存 手機(jī)ufs閃存有什么作用

UFS(Universal Flash Storage)是一種用于存儲(chǔ)閃存標(biāo)準(zhǔn),而不是內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。它是一種閃存存儲(chǔ)技術(shù),用于移動(dòng)設(shè)備和其他便攜式電子設(shè)備中的非易失性存儲(chǔ)。
2023-07-18 15:00:0313546

NAND閃存內(nèi)部結(jié)構(gòu)解析

NAND閃存是一種電壓原件,靠其內(nèi)存電壓來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211444

RA6快速設(shè)計(jì)指南 [10] 存儲(chǔ)器 (2)

8 存儲(chǔ)器 8.4 片上閃存 RA6 MCU具有兩部分閃存:代碼閃存和數(shù)據(jù)閃存,各部分的大小和擦寫周期數(shù)因器件而異。閃存控制單元 (FCU) 控制閃存的編程和擦除。閃存應(yīng)用程序命令接口 (FACI
2023-06-26 12:10:03375

華為 mate 50Pro 不開機(jī)

華為
YS YYDS發(fā)布于 2023-06-23 00:38:34

存儲(chǔ)數(shù)據(jù)恢復(fù)】華為OceanStor存儲(chǔ)raid5數(shù)據(jù)恢復(fù)案例

華為OceanStor某型號(hào)存儲(chǔ),十幾塊FC硬盤組建一組RAID5磁盤陣列,配備了一塊熱備盤;上層使用EXT3文件系統(tǒng),配置了oracle數(shù)據(jù)庫。
2023-06-13 15:32:33442

輕騎逐單于,大雪滿弓刀:華為分布式存儲(chǔ)的一騎絕塵

守護(hù)數(shù)字山河,華為存儲(chǔ)刷新IO500紀(jì)錄的時(shí)代意義
2023-06-12 09:37:42763

NAND閃存特點(diǎn)及決定因素

內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit,用戶可以隨機(jī)訪問任何一個(gè)bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁(Page)(可以看到,NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區(qū),硬盤的一個(gè)扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001982

RA6快速設(shè)計(jì)指南 [3] 選項(xiàng)設(shè)置存儲(chǔ)器,時(shí)鐘電路(1)

4 選項(xiàng)設(shè)置存儲(chǔ)器 選項(xiàng)設(shè)置存儲(chǔ)器用于確定復(fù)位后MCU的狀態(tài)。該存儲(chǔ)器分配在閃存中的配置設(shè)置區(qū)域和程序閃存區(qū)域。這兩個(gè)區(qū)域的可用設(shè)置方法不同。Cortex-M33內(nèi)核MCU的選項(xiàng)設(shè)置存儲(chǔ)器可能具有
2023-06-08 17:00:04411

是否有可能將所有沒有段屬性的函數(shù)存儲(chǔ)閃存中而不是指令ram中?

我使用的是 3.0.4 nonos-sdk,由于添加了庫,我的指令 ram 空間不足。 是否有可能將所有沒有段屬性的函數(shù)存儲(chǔ)閃存中而不是指令 ram 中?還是我必須用 ICACHE_FLASH_ATTR 定義每個(gè)函數(shù)?
2023-06-06 06:23:11

如何在imxrt1064的外部閃存存儲(chǔ)gui guider中使用的圖像和字體?

我們?cè)诙ㄖ瓢迳鲜褂?imxrt1064,我們有一個(gè)外部閃存連接 flexspi1。 對(duì)于我們的項(xiàng)目,我們需要在外部閃存存儲(chǔ) lvgl 圖像和字體,因?yàn)槠?b class="flag-6" style="color: red">閃存 (4MB) 的大小不夠 我們正在使用具有外部存儲(chǔ)選項(xiàng)的 gui guider 1.5.1 我們?nèi)绾问褂盟鼇碜x取和寫入外部閃存中的圖像
2023-05-30 07:50:00

UFS – 更快、更安全的閃存存儲(chǔ)

在當(dāng)今智能設(shè)備的互聯(lián)世界中,我們希望更快地訪問我們的數(shù)據(jù),同時(shí)我們希望它得到保護(hù)并免受入侵者的侵害。閃存不僅速度更快,而且安全可靠,其化身為UFS - 通用閃存。此博客深入了解 UFS 設(shè)備的各種安全模式以及如何訪問它們。它還指出了如何使用加密來進(jìn)一步保護(hù)數(shù)據(jù)。
2023-05-26 15:29:051759

IBM存儲(chǔ)推出閃存產(chǎn)品新能力,幫助企業(yè)高效應(yīng)對(duì)數(shù)據(jù)安全威脅

近日,IBM 存儲(chǔ)推出了基于其閃存產(chǎn)品 IBM FlashSystem 的新能力,幫助企業(yè)高效應(yīng)對(duì)數(shù)據(jù)安全威脅。
2023-05-25 16:35:02829

NAND閃存 – 多芯片系統(tǒng)驗(yàn)證的關(guān)鍵元件

NAND閃存上的位密度隨著時(shí)間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元(SLC)閃存。這表明每個(gè)閃存單元存儲(chǔ)一個(gè)位。使用多層單元(MLC),閃存可以為每個(gè)單元存儲(chǔ)兩個(gè)或更多位,因此位密度會(huì)增加
2023-05-25 15:36:031193

你們知道閃存如何工作的嗎

,還是擔(dān)心系統(tǒng)的安全,使用一種稱為閃存的電子存儲(chǔ)器的便攜式存儲(chǔ)設(shè)備是好的解決辦法。 電子存儲(chǔ)器有多種形式,可用于多種用途。 閃存用于在計(jì)算機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和家用視頻游戲機(jī)中方便快捷地存儲(chǔ)信息。 它更像是一個(gè)硬盤驅(qū)動(dòng)器,而不是 RAM。
2023-05-22 17:33:45411

MCP5674F如何讀取或攜帶閃存存儲(chǔ)的內(nèi)容?

如上圖所示,這是程序試圖擦除內(nèi)部閃存的代碼,但問題是它已被正確擦除,無法證明它是可以正確編程的代碼。 或者,如何讀取或攜帶閃存存儲(chǔ)的內(nèi)容?未來我們計(jì)劃通過串口通信接收數(shù)據(jù),存儲(chǔ)在flash中,運(yùn)行bootloader。
2023-05-19 06:01:16

關(guān)于MPC5674F上的閃存ECC模塊的問題求解

================================================ ============================== 在第 2 步代碼中,當(dāng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)閃存中時(shí)會(huì)
2023-05-17 08:20:37

如何對(duì)文件進(jìn)行OTA更新存儲(chǔ)閃存/文件系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)文件?

我們?nèi)绾瓮ㄟ^ . 例如,如果我正在托管一個(gè)從 Flash 提供頁面、css、js 等服務(wù)的網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器,現(xiàn)在使用 http 服務(wù)器我可以對(duì)草圖(.bin 文件)進(jìn)行 OTA,但是我如何對(duì)我的文件進(jìn)行 OTA 更新存儲(chǔ)閃存/文件系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)文件?
2023-05-16 08:25:12

MPC5777C如何從閃存中讀取這些信息?

我想了解我的微控制器 (MPC5777C) 的生產(chǎn)日期以及品牌和型號(hào)信息。我在閃存上看到了 UID 信息。我認(rèn)為這些信息(品牌、型號(hào)、生產(chǎn)年份等)我可以從閃存中讀取。是否可以?哪些地址存儲(chǔ)這些信息?
2023-05-05 06:39:19

當(dāng)芯片處于I2C從屬模式時(shí),有什么方法可以通過AUX更改存儲(chǔ)在內(nèi)部閃存中的設(shè)置?

當(dāng)芯片處于 I2C 從屬模式時(shí),有什么方法可以通過 AUX 更改存儲(chǔ)在內(nèi)部閃存中的設(shè)置(例如模擬的 EDID)?
2023-04-18 06:56:44

存儲(chǔ)芯片將走向何方?存儲(chǔ)芯片的分類

應(yīng)用了閃存堆疊技術(shù)的3D NAND Flash的出現(xiàn),比以往的2D NAND Flash提供了更大存儲(chǔ)空間,滿足了業(yè)界日益增長(zhǎng)的存儲(chǔ)需求,因而成為主流。
2023-04-10 17:35:171440

非易失性存儲(chǔ)器Flash和EEPROM之間的差異與優(yōu)缺點(diǎn)

所花費(fèi)的時(shí)間,但允許開發(fā)人員在需要時(shí)編輯特定部分。閃存能夠擦除大量數(shù)據(jù),從而大大提高了擦除速度,并使設(shè)備可以更緊湊地存儲(chǔ)信息。但是由于這個(gè)原因,它也失去了編輯某些字節(jié)的能力,從而迫使開發(fā)人員在進(jìn)行任何
2023-04-07 16:42:42

MRAM實(shí)現(xiàn)對(duì)車載MCU中嵌入式存儲(chǔ)器的取代

自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn),同時(shí)在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器,因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(chǎng)(見表1)。具體在功能方面,自旋注入MRAM與閃存一樣
2023-04-07 16:41:05

求助,如何將變量存儲(chǔ)閃存中的特定地址位置?

我希望在特定的閃存位置存儲(chǔ)變量/參數(shù)集。我記得我必須 在閃存中使用 __attribute__ 和內(nèi)存地址,但我沒有找到 s32k146 或 s32k sdk 的任何具體示例。
2023-04-04 07:51:52

如何使用CAAM加密/解密數(shù)據(jù)存儲(chǔ)blobfile?

當(dāng)我提到 AN12714 i.MX 加密存儲(chǔ)使用 CAAM 安全密鑰修訂版 0 — 2020 年 2 月 25 日最后,我發(fā)現(xiàn)我的閃存是 Nand,但是NAND 閃存是一個(gè) MTD 設(shè)備,因此
2023-04-03 06:24:34

PC28F00AP30TFA

并行NOR閃存嵌入式存儲(chǔ)
2023-03-24 14:01:23

i.MXRT1176是否可以在執(zhí)行應(yīng)用程序時(shí)寫入NOR閃存?

我正在使用 i.MXRT1176 并計(jì)劃使用 FlexSPI 模塊將固件更新寫入外部 NOR 閃存。該應(yīng)用程序?qū)耐煌獠?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器運(yùn)行,但是,更新將寫入不同的部分。我以前沒有使用過帶有外部程序存儲(chǔ)
2023-03-24 08:08:30

MCUBoot寫入閃存之前將AES密鑰存儲(chǔ)在哪里?

程序會(huì)通過藍(lán)牙將.sb2文件下載到sdcard,然后booloader會(huì)讀取0xB000地址的AES密鑰,解密sdcard中的文件,最終將程序?qū)懭雈lash 0xA000。我想知道在寫入閃存之前將 AES 密鑰存儲(chǔ)在哪里,我應(yīng)該什么時(shí)候?qū)⑺鼘懭?b class="flag-6" style="color: red">閃存才能使整個(gè)更新過程安全?
2023-03-23 08:47:27

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