BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工藝技術是將雙極型晶體管、CMOS（互補金屬氧化物半導體）和DMOS（雙擴散金屬氧化物半導體）晶體管技術組合在單個芯片上的高級制造工藝。
2024-03-18 09:47:41
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英特爾為英特爾代工廠（Intel Foundry）的首次亮相舉行了名為Intel Direct Connect的開幕活動，英特爾在活動中全面討論了其進入下一個十年的工藝技術路線圖，包括其14A前沿節點。
2024-03-15 14:55:09249 德州儀器（TI）近日推出兩款創新的功率轉換器件產品系列，旨在幫助工程師在更緊湊的空間內實現更高的功率輸出，從而以更低的成本提供卓越的功率密度。這一突破性的技術進展，無疑將推動汽車和工業系統等領域的技術革新和性能提升。
2024-03-15 09:55:13107 交給代工廠來開發和交付。臺積電是這一階段的關鍵先驅。
半導體的第四個時代——開放式創新平臺
仔細觀察，我們即將回到原點。隨著半導體行業的不斷成熟，工藝復雜性和設計復雜性開始呈爆炸式增長。工藝技術
2024-03-13 16:52:37
Ansys的多物理場簽核解決方案已經成功獲得英特爾代工（Intel Foundry）的認證，這一認證使得Ansys能夠支持對采用英特爾18A工藝技術設計的先進集成電路（IC）進行簽核驗證。18A工藝技術集成了新型RibbonFET晶體管技術和背面供電技術，代表了半導體制造領域的一項重大突破。
2024-03-11 11:25:41254 是德科技與Intel Foundry的這次合作，無疑在半導體和集成電路設計領域引起了廣泛的關注。雙方成功驗證了支持Intel 18A工藝技術的電磁仿真軟件，為設計工程師們提供了更加先進和高效的設計工具。
2024-03-08 10:30:37274 和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關頻率高等諸多優點,因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優點同時也給SiC功率器件的互連封裝帶來了挑戰。
2024-03-07 14:28:43103 
全球領先的半導體解決方案供應商德州儀器（TI）近日宣布推出兩個全新的功率轉換器件產品系列，旨在幫助工程師在有限的空間內實現更高的功率輸出，同時降低成本，提升功率密度。這一創新性的技術突破，無疑將為汽車和工業系統等領域的設計帶來革命性的變革。
2024-03-07 11:21:02343 ，加拿大和墨西哥設立了超過40處分部。Heilind為電子行業各細分市場的原始設備制造商和合約制造商提供支持，供應來自業界頂尖制造商的產品，涵蓋25個不同元器件類別，并特別專注于互連與機電產品。其主要
2024-03-06 16:51:58
共讀好書 杜隆純 何勇 劉洪偉 劉曉鵬 （湖南國芯半導體科技有限公司 湖南省功率半導體創新中心） 摘要： 針對SiC功率器件封裝的高性能和高可靠性要求，文章研究了芯片雙面銀燒結技術與粗銅線超聲鍵合
2024-03-05 08:41:47103 
Cadence近日宣布，其數字和定制/模擬流程在Intel的18A工藝技術上成功通過認證。這一里程碑式的成就意味著Cadence的設計IP將全面支持Intel的代工廠在這一關鍵節點上的工作，并提
2024-02-27 14:02:18159 三星與高通的合作正在不斷深化。高通計劃采納三星代工工廠的尖端全柵極（GAA）工藝技術，以優化和開發下一代ARM Cortex-X CPU。
2024-02-25 15:31:18299 密性等。本文介紹了五種用于MEMS封裝的封帽工藝技術,即平行縫焊、釬焊、激光焊接、超聲焊接和膠粘封帽。總結了不同封帽工藝的特點以及不同MEMS器件對封帽工藝的選擇。本文還介紹了幾種常用的吸附劑類型,針對吸附劑易于飽和問題,給出了封帽工藝解決方案,探
2024-02-25 08:39:28170 
英特爾公司近日宣布，將推出全新的系統級代工服務——英特爾代工（Intel Foundry），以滿足AI時代對先進制程技術的需求。這一舉措標志著英特爾在半導體制造領域的戰略擴張，并為其客戶提供了更廣泛的制程選擇。
2024-02-23 18:23:321028 功率器件，是指用于調控和變換電力的器件。從民生用品到工業設備，京瓷集團一直向市場提供各種高品質、高可靠性的節能型產品。
2024-02-23 09:17:01263 
三星繼續推進工藝技術的進步，近年來首次量產了基于2022年GAA技術的3nm MBCFET ? 。GAA技術不僅能夠大幅減小設備尺寸，降低供電電壓，增強功率效率，同時也能增強驅動電流，進而實現更高的性能表現。
2024-02-22 09:36:01121 是把技術吃透以后把以前的技術共用和拓展，或者組合，公司能夠不斷推出新產品，進軍新的市場。這是技術為產品服務，產品的良好銷售使公司獲得好的利潤，再投入到技術研發中形成良性循環。品牌是薩科微/金航標發展
2024-01-31 11:38:47
近期，中國大陸的晶圓代工廠采取了降低流片價格的策略，旨在吸引更多客戶。這一策略的實施可能導致一些客戶考慮取消訂單，并考慮轉向中國大陸的晶圓代工廠。
2024-01-25 16:37:072004 DOH新工藝技術助力提升功率器件性能及使用壽命
2024-01-11 10:00:33120 
氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結構和原理。 一、氮化鎵功率器件結構 氮化鎵功率器件的主要結構是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:41667 功率器件 (Power Devices) 通常也稱為電力電子器件，是專門用來進行功率處理的半導體器件。功率器件具有承受高電壓、通過大電流的能力，處理電壓的范圍可以從幾十伏到幾千伏，通過電流的能力最高
2024-01-09 09:38:52400 臺積電在規劃其3nm工藝技術時，推出了五種不同的節點，包括N3B、N3E、N3P、N3S和N3X。其中，N3B是首個3nm節點，并已投入量產。
2024-01-08 18:04:57659 V 功率 MOSFET 的半導體制造商，采用全新系統和應用優化的OptiMOS 7 MOSFET 技術。新產品創建行業新基準，我們使客戶能夠在低輸出電壓的 DC-DC 轉換領域邁出新的一步, 釋放更優秀系統效率和性能，賦能未來。
2023-12-29 12:30:49362 
本帖最后由 yy5230 于 2023-12-29 12:02 編輯
AGM Micro發布兼容STM32的MCU產品系列，推出具有低延遲高靈活性的功能模塊MCU產品系列。AGM的FPGA
2023-12-29 10:52:29
TOPCon 電池的制備工序包括清洗制絨、正面硼擴散、BSG 去除和背面刻蝕、氧化層鈍化接觸制備、正面氧化鋁沉積、正背面氮化硅沉積、絲網印刷、燒結和測試分選，約 12 步左右。從技術路徑角度：LPCVD 方式為目前量產的主流工藝，預計 PECVD 路線有望成為未來新方向。
2023-12-26 14:59:112688 
中國&全球領先的MEMS芯片代工企業賽微電子12月24日晚公告，全資子公司瑞典Silex獲得客戶光鏈路交換器件（OCS）批量采購訂單，意味著MEMS-OCS啟動商業化規模量產。 據相關媒體透露
2023-12-26 08:36:02225 
歡迎了解 聶洪林 陳佳榮 任萬春 郭林 蔡少峰 李科 陳鳳甫 蒲俊德 （西南科技大學 四川立泰電子有限公司） 摘要： 探究了引線鍵合工藝的重要參數對功率器件鍵合可靠性的影響機制，進而優化超聲引線鍵合
2023-12-25 08:42:15197 
，但其未來應用前景廣闊，具有很高的實用性。 首先，碳化硅功率器件的材料特性使其成為目前電力電子技術中的熱門研究方向之一。相較于硅基功率器件，碳化硅具有更高的能帶寬度和較大的熱導率，這意味著在高溫或高電壓應用中具有
2023-12-21 11:27:09285 1. 臺積電首次提及 1.4nm 工藝技術，2nm 工藝按計劃 2025 年量產 ? 臺積電在近日舉辦的 IEEE 國際電子器件會議（IEDM）的小組研討會上透露，其 1.4nm 級工藝制程研發已經
2023-12-14 11:16:00733 每一個功率器件都需要一個驅動芯片，合適的驅動芯片總能帶來事半功倍的效果，為客戶提供全面、高效的產品和解決方案
2023-12-04 09:15:04154 
在“通孔插裝軸向元器件引線在印制電路板焊盤上的搭接焊接工藝技術要求”一節里，詳細介紹了搭接焊接的前提，元器件引線搭接焊接成形要求，不同形狀引線的搭接要求，通孔插裝元器件穿孔搭接焊接要求和插裝元器件貼裝焊接缺陷案例。
2023-12-02 10:48:431567 
專為電信應用需求設計。CHA6653-98F選用PHEMT工藝技術，柵極尺寸為0.15um。主要特征寬帶性能：27-34GHZ32dbm飽和功率38dbmOIP323db增益值直流電偏置電壓：Vd=6伏ldq=0.9A封裝尺寸3.61x3.46x0.07mm
2023-11-27 14:46:32
高壓功率器件的開關技術簡單的包括硬開關技術和軟開關技術
2023-11-24 16:09:22534 
模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries公司宣布，新增集成無源器件（IPD）制造能力，最新推出XIPD工藝，進一步增強其在射頻領域的廣泛實力。
2023-11-21 17:03:00385 當年蘋果推出第一代iPhone后，iPhone芯片一直是由三星代工，但2016年iPhone 7開始三星卻被臺積電取代，由臺積電擔任獨家代工廠。這些年來三星晶圓代工事業的4納米制程無論在芯片效能及良率上都落后臺積電一大截，導致許多大客戶都投向臺積電懷抱。
2023-11-20 17:06:15680 保護機制包括每周期的峰值限流、軟啟動、過壓保護和溫度保護。YB2503HV需要非常少的常規外圍器件。采用簡單通用的8腳的ESOP8封裝.獨特的軟開關ZVS技術，讓異步的芯片效率高達93%效率 步芯片外圍
2023-11-04 10:49:40
英特爾和臺積電都打算分別于 2024 年和 2025 年開始使用 GAA 晶體管及其 20A 和 N2（2 納米級）工藝技術。當這些公司推出基于納米片的節點時，三星將在環柵晶體管方面擁有豐富的經驗，這可能對代工廠有利。
2023-11-02 09:25:2587 
2025 年，三星預計將推出 SF2（2nm 級）制造工藝，該工藝不僅依賴 GAA 晶體管，還將采用背面功率傳輸，這在晶體管密度和功率傳輸方面帶來了巨大的好處，
2023-11-01 12:34:14222 
BCD工藝是1986年由ST首次推出的一種單晶片集成工藝技術，這種技術能夠在同一芯片上制作雙極管bipolar，CMOS和DMOS 器件，它的出現大大地減小了芯片的面積。
2023-10-31 16:08:22641 
摘要：萊迪思(Lattice )半導體公司在這應用領域已經推出兩款低成本帶有SERDES的 FPGA器件系列基礎上，日前又推出采用富士通公司先進的低功耗工藝，目前業界首款最低功耗與價格并擁有SERDES 功能的FPGA器件――中檔的、采用65nm工藝技術的 LatticeECP3系列。
2023-10-27 16:54:24234 電子產品裝聯工藝技術詳解
2023-10-27 15:28:22372 
1. 三星透露：已和大客戶接洽2nm 、1.4nm 代工服務 ? 三星旗下晶圓代工部門Samsung Foundry首席技術官Jeong Ki-tae 近日透露，三星盡管成功量產3nm GAA工藝
2023-10-27 11:14:21748 
新思科技（Synopsys, Inc.）近日宣布，面向臺積公司N5A工藝推出業界領先的廣泛車規級接口IP和基礎IP產品組合，攜手臺積公司推動下一代“軟件定義汽車”發展，滿足汽車系統級芯片（SoC）的長期可靠性和高性能計算需求。
2023-10-24 17:24:56505 新思科技接口和基礎 IP 組合已獲多家全球領先企業采用，可為 ADAS 系統級芯片提供高可靠性保障 摘要： 面向臺積公司N5A工藝的新思科技IP產品在汽車溫度等級2級下符合 AEC-Q100 認證
2023-10-23 15:54:07690 光板工藝測試技術是電路板抄板改板過程中常用到的一種制板工藝技術，目的是為了能確保成品電路板的品質。以下我們提供完整的光板工藝測試指導手冊供的大家參考。
2023-10-18 15:05:10174 碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半導體，用于制造電動汽車、電源、電機控制電路和逆變器等高壓應用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169 
科技
成立時間：2006年
業務模式：IDM
簡介：產品線涵蓋分立器件芯片、整流器件、保護器件、小信號、MOSFET、功率模塊、碳化硅等，為客戶提供一攬子產品解決方案。于2018年3月控股一條宜興 6 英寸
2023-10-16 11:00:14
)，均通過HV-H3TRB可靠性試驗，在客戶應用工況下有著極高的效率。 電路拓撲：NPC-I MMG400CF065PD6T5C 0 1 產品特點 采用焊接PIN的GCF封裝（兼容Easy3B
2023-10-12 19:25:01489 
傳統的功率半導體封裝技術是采用鉛或無鉛焊接合金把器件的一個端面貼合在熱沉襯底上，另外的端面與10-20mil鋁線楔或金線鍵合在一起。這種方法在大功率、高溫工作條件下缺乏可靠性，而且不具備足夠的堅固性。
2023-10-09 15:20:58299 
在當今的高科技社會中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術領域的明星產品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優勢在眾多領域得到廣泛應用。然而，為了確保氮化鎵功率器件的性能和可靠性，制定一套科學、規范的測試方案至關重要。
2023-10-08 15:13:23476 
長電科技在功率器件封裝領域積累了數十年的技術經驗，具備全面的功率產品封裝外形，覆蓋IGBT、SiC、GaN等熱門產品的封裝和測試。
2023-10-07 17:41:32398 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優點。如何充分發揮碳化硅器件的這些優勢性能則給封裝技術帶來了新的挑戰：傳統封裝
2023-09-24 10:42:40391 
氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質是外延結構的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結構
2023-09-19 14:50:342680 
采用華虹128通道同測技術
04取得嵌入式非揮發性內存解決方案廠商Cypress 90nm SONOS工藝技術License授權
05多種小型化的封裝類型等行業中，其中WLCSP封裝面積僅為665umx676um ,廣泛用于消費、工業、通訊、醫療
2023-09-15 08:22:26
工藝平臺涵蓋超高壓、車載、先進工業控制和消費類功率器件及模組，以及車載、工業、消費類傳感器，應用領域覆蓋智能電網、新能源汽車、風力發電、光伏儲能、消費電子、5G通信、物聯網、家用電器等行業。
2023-09-14 09:40:031047 
語音芯片和解決方案。累計服務B端客戶5000+家，積累了豐富的芯片應用、技術支持、大批量生產工藝調試和品質保證等經驗。
接下來，小編簡短介紹啟英泰倫是如何全方位支持客戶項目，保障客戶高效完成語音產品
2023-09-07 10:24:13
功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫。當然功率半導體元件除了IGBT之外，還有MOSFET、BIPOLAR等，這些都能用來作為半導體開關，今天單說IGBT的工藝流程。
2023-09-07 09:55:521082 
1 功率分立產品概述
2 IGBT 產品系列
3 HV MOSFET 產品系列
4 SiC MOSFET 產品系列
5 整流器及可控硅產品系列
6 能源應用
2023-09-07 08:01:40
功率器件在工業應用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽 、 IGBT產品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業電源中的應用和總結八個部分。
2023-09-05 06:13:28
封裝技術是一種將芯片與承載基板連接固定、引出管腳并將其塑封成整體功率器件或模塊的工藝，主要起到電氣連接、結構支持和保護、提供散熱途徑等作用[4]。封裝作為模塊集成的核心環節，封裝材料、工藝和結構直接影響到功率模塊的熱、電和電磁干擾等特性。
2023-08-24 11:31:341049 
2006電子元器件搪錫工藝技術要求
2023-08-23 16:48:03
3 碳化硅(SiC)作為一個新興的寬帶隙半導體材料，已經吸引了大量的研究關注。其優越的電氣性能、高溫穩定性和高頻響應使其在功率電子器件領域中具有巨大的應用潛力。但要完全發揮SiC功率器件的潛力，封裝技術同樣至關重要。本文主要探討碳化硅功率器件封裝的三個關鍵技術。
2023-08-15 09:52:11701 
ISO26262 ASIL-D 的車用電池系統。
系統示意圖
關于以上新唐產品，客戶可直接通過華秋商城采購！作為本土“元器件電商”的“探索者”之一，華秋商城致力為全球電子產業創造價值，向客戶提供圍繞“品牌選型
2023-08-11 14:20:51
控制和服務器市場。EF4 器件采用 55nm 低功耗工藝，最多支持 279 個用戶 I/O，滿足客戶板級 IO 擴展應用需求和器件的可靠性和性能要求。安路科技提供豐富的設計工具幫助用戶有效地利用 EF4 平臺實現復雜設計。業界領先的綜合和布局布線工具，為用戶設計高質量產品提供有力保障。
2023-08-09 06:01:19
電動機的技術經濟指標在很大程度上與其制造材料、制造工藝有關。在電動機制造廠中，同樣的設計結構，同一批原材料所制成的產品，其質量往往相差甚大。沒有先進的制造工藝技術，很難生產出先進的產品。今天我們來看看電機制造中的那些關鍵工藝。
2023-08-01 10:35:46294 
隨著晶體管尺寸的不斷微縮，晶圓制造工藝日益復雜，對半導體濕法清洗技術的要求也越來越高。
2023-08-01 10:01:561634 
電子發燒友網站提供《用于電機控制應用的高性能功率器件技術和產品.pdf》資料免費下載
2023-07-31 16:30:260 電子發燒友網站提供《用于高性能電源管理的寬功率器件技術和產品解決方案.pdf》資料免費下載
2023-07-31 16:16:101 森國科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驅動、控制簡單、開關頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運輸能力及低損耗的優點。
2023-07-26 17:34:13355 
季豐電子面向客戶提供完整的半導體工藝可靠性測試、驗證和咨詢服務，可有效縮短制造工藝和器件開發的時間，加速客戶產品投入市場的進程周期。 ? 工藝可靠性業務主要基于行業通用及客戶定制標準、產品、工藝特點
2023-07-23 11:16:121376 
電動機的技術經濟指標在很大程度上與其制造材料、制造工藝有關。在電動機制造廠中，同樣的設計結構，同一批原材料所制成的產品，其質量往往相差甚大。沒有先進的制造工藝技術，很難生產出先進的產品。今天我們來看看電機制造中的那些關鍵工藝。
2023-07-21 17:19:25694 
來源：ACT半導體芯科技 隨著我國集成電路國產化進程的加深、下游應用領域的蓬勃發展以及國內先進封測龍頭企業工藝技術的不斷進步，先進封測行業市場空間將進一步擴大。而能否實現全產業鏈的協同發展，是先進
2023-07-17 20:04:55320 
根據synopsys、cadence digital、siemens和ansys的新聞稿，這些公司目前擁有適用于ifs的intel 16的多種工具。這些工具的設計符合各種客戶應用程序，包括無線頻率和模擬功能（wi-fi， bluetoose）、毫米波、家電、內存、軍事、航空和政府應用程序。
2023-07-14 10:45:34257 在現今電力電子領域，高壓（HV）分立功率半導體器件變得越來越重要，Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si)MOSFET產品系列以滿足發展中的需求。
2023-07-07 10:11:47483 
三星詳細介紹了他們的2納米制造工藝量產計劃和性能水平，并宣布從2025年開始提供8英寸氮化鎵（GaN）功率半導體代工服務，以滿足人工智能技術的需求。這種半導體具有高性能低功耗的特點，在消費類電子、數據中心和汽車等領域將得到廣泛應用。
2023-06-29 14:48:15753 半導體制造支持。我們的全方位代工服務，為汽車、醫療、工業和消費應用提供多種經過生產驗證的行業標準工藝技術。 工藝路線圖 艾邁斯歐司朗通過廣泛的專業工藝，展示自己在模擬和混合信號晶圓制造行業領域的領導地位。特殊工藝
2023-06-27 12:30:02306 
InP 材料在力學方面具有軟脆的特性，導致100 mm（4 英寸）InP 晶圓在化合物半導體工藝中有顯著的形變和碎裂的風險；同時，InP 基化合物半導體光電子器件芯片大部分采用雙面工藝，在晶圓的雙面進行半導體工藝。
2023-06-27 11:29:327380 
小間距LED顯示屏的高清顯示、高刷新頻率、無縫拼接、良好的散熱系統、拆裝方便靈活等特點已經被廣大的行業用戶熟知，但是，再進一步，說到小間距LED屏具體的工藝技術，普通大眾則很少知曉，“只知其一不知其二”，專業知識的匱乏，直接導致了選購盲點的出現。
2023-06-14 15:48:43345 
中國上海， 2023 年 6 月 13 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產品
2023-06-13 16:38:50712 
。此外，提前布局功率器件最先進的技術領域，開展對SiC等寬禁帶半導體功率器件的研究探索，提升公司核心產品競爭力。
上海貝嶺功率器件產品
廣大客戶現可通過華秋商城購買上海貝嶺系列產品！作為本土“元器件電商
2023-06-09 14:52:24
印制電路板是電子產品的關鍵電子互聯件，被譽為“電子產品之母”。隨著電子產品相關技術應用更快發展、迭代、融合，PCB作為承載電子元器件并連接電路的橋梁，為滿足電子信息領域的新技術、新應用的需求，行業將
2023-06-09 14:08:34
功率模組封裝代工 功率模塊封裝是指其中在一個基板上集成有一個或多個開關元件的功率半導體產品，所述開關元件包括絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、二極管、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)、晶閘管
2023-05-31 09:32:31287 UMW)，隸屬于友臺半導體有限公司，于2013 年成立于香港，總部和銷售中心坐落于廣東深圳，是一家集成電路及分立器件芯片研發設計、封裝制造、產品銷售為一體的高新技術企業。產品一直堅持定位高端品質，在國內外
2023-05-26 14:24:29
、智能家居等領域，但是不同領域應用的功率器件特點迥異，需要根據相應需求和產品特性選擇合適的半導體封裝技術，以提升器件性能和可靠性，降低成本，滿足日益增長的市場需求。 據芯謀研究不久前發布的報告顯示，2022年全球功率分立器件
2023-05-25 17:16:42357 電子電路表面組裝技術（SMT：Surface Mount Technology）是現代電子產品先進制造 技術的重要組成部分。
2023-05-25 09:48:121121 年 3 月,注冊資本 50.76 億元人民幣，總部位于浙江紹興，是一家專注于功率、傳感和射頻前端的晶圓代工企業，為客戶提供一站式芯片及模組代工制造服務。 2018 年 5月公司開始建設8英寸特色工藝集成電路制造生產線和一條模組封裝測試生產線， 于 2019 年 12 月開始量產。 公司無
2023-05-25 08:38:40942 
新微半導體40V氮化鎵功率器件工藝平臺擁有較大的工藝窗口，并具有良好的一致性和穩定性的工藝保障。其采用的無金工藝，RC<0.4 Ω·mm；柵極采用自對準工藝，使得柵極形貌良好，且最小線寬低至0.5μm。
2023-05-24 16:24:051698 
在半導體晶圓代工行業內，特色工藝是指以拓展摩爾定律為指導，不完全依賴縮小晶體管特征尺寸（以下簡稱“線寬”），通過聚焦新材料、新結構、新器件的研發創新與運用，并強調特色IP定制能力和技術品類多元性的半導體晶圓制造工藝。
2023-05-17 15:49:56245 
隨著半導體封裝尺寸日益變小，普遍應用于大功率器件上的粗鋁線鍵合技術不再是可行的選擇。
2023-05-08 11:35:12417 
，包括最新的 N3E 和 N2 工藝技術。這一新的生成式設計遷移流程由 Cadence 和臺積電共同開發，旨在實現定制和模擬 IC 設計在臺積電工藝技術之間的自動遷移。與人工遷移相比，已使用該流程的客戶成功地將遷移時間縮短了 2.5 倍。
2023-05-06 15:02:15801 目前，FC-BGA 都是在C4 的設計基礎上，再進行封裝與工藝技術的設計與研發的。
2023-04-28 15:09:20755 
4月26日，長電科技舉辦2023年第二期線上技術論壇，主題聚焦功率器件封裝及應用，與業界交流長電科技在這一領域的技術經驗與創新。
2023-04-27 09:20:01638 使其更容易受到損壞。即使焊點堅固， 但也容易受到損傷。在組裝過程從一道工序轉移到另一道工序，PCB 板的柔軟性也會對焊點施加應力。PCB 布局設計時，應將 BGA 器件的貼裝位置偏離 PCB 邊沿與高應力區域。
原作者：叢 飛 現代電子裝聯工藝技術交流平臺
2023-04-25 18:13:15
設計技術，和將IC、MOS、電阻電容、二極管等多個不同功能的主被動芯片整合成系統的先進封裝技術等。廣大客戶現可通過華秋商城購買晶導微系列產品！作為本土“元器件電商”的“探索者”之一，華秋商城致力為全球電子
2023-04-14 16:00:28
設計技術，和將IC、MOS、電阻電容、二極管等多個不同功能的主被動芯片整合成系統的先進封裝技術等。廣大客戶現可通過華秋商城購買晶導微系列產品！作為本土“元器件電商”的“探索者”之一，華秋商城致力為全球電子
2023-04-14 13:46:39
； 八、組合檢測工藝方案 1、每種檢測技術都有各自的長處和短處。 選擇合適的組合檢測方案是對時間－市場，時間－產量以及時間－利潤等諸多因素的綜合考慮，在產品的不同生產周期要求有不同的檢測工藝方案
2023-04-07 14:41:37
DRAM柵工藝中，在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層，然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:162195 中芯集成是國內領先的特色工藝晶圓代工企業，主要從事MEMS和功率器件等領域的晶圓代工及模組封測業務，為客戶提供一站式系統代工解決方案；而且中芯集成也是目前國內少數可以提供車規級IGBT芯片的晶圓代工
2023-04-06 11:29:281557 KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應用優化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進的溝槽工藝技術來取得能夠和SOT-523等大上許多
2023-04-04 16:10:39987 
128Mbit，3V，采用90nm MirrorBit工藝技術的頁面閃存
2023-03-25 03:30:11
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