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電子發(fā)燒友網(wǎng)>業(yè)界新聞>廠商新聞>Ramtron和ROHM簽署F-RAM產(chǎn)品制造協(xié)定

Ramtron和ROHM簽署F-RAM產(chǎn)品制造協(xié)定

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ROHM開發(fā)出配備VCSEL的小型接近傳感器“RPR-0720”,有助于無線耳機(jī)等可穿戴設(shè)備小型化和增加電池容量

全球知名半導(dǎo)體制造ROHM(總部位于日本京都市)面向包括無線耳機(jī)和智能手表等可穿戴設(shè)備在內(nèi)的需要脫戴檢測(cè)和接近檢測(cè)的各種應(yīng)用,開發(fā)出2.0mm×1.0mm尺寸的小型接近傳感器“RPR-0720
2023-08-04 15:52:09441

從精確運(yùn)動(dòng)控制入手,加速制造業(yè)的低碳轉(zhuǎn)型

如今,消費(fèi)者熱衷于使用低碳產(chǎn)品和服務(wù),各國(guó)政府也紛紛出臺(tái)相關(guān)法規(guī),以減少碳排放并實(shí)現(xiàn)凈零排放。在追求這一目標(biāo)的過程中,工業(yè)制造企業(yè)有望借助新技術(shù)加速制造業(yè)低碳轉(zhuǎn)型。本文將深入探討減少工業(yè)碳排放的兩大
2023-07-31 17:48:19292

AMEYA360:ROHM羅姆授權(quán)代理有哪些?

羅姆(ROHM)株式會(huì)社是全球知名的半導(dǎo)體廠商之一,總部所在地設(shè)在日本京都市,1958年作為小電子零部件生產(chǎn)商在京都起家的羅姆,于1967年和1969年逐步進(jìn)入了晶體管、二極管領(lǐng)域和IC等半導(dǎo)體領(lǐng)域
2023-07-27 16:22:18431

FIFO和RAM,到底用哪個(gè)?

在FPGA的設(shè)計(jì)中的,內(nèi)部的FIFO和RAM是兩種非常常見的存儲(chǔ)單元
2023-07-11 17:23:33956

羅克韋爾自動(dòng)化與鎂伽科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,助力打造新一代工業(yè)4.0智能制造數(shù)字化工廠

框架內(nèi),為企業(yè)提供先進(jìn)制造技術(shù)與服務(wù),打造高效制造、卓越運(yùn)營(yíng)的數(shù)字化工廠。 ▲ 鎂伽科技與羅克韋爾自動(dòng)化簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議 羅克韋爾自動(dòng)化作為工業(yè)自動(dòng)化、信息化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型領(lǐng)域的全球優(yōu)秀企業(yè)之一,通過自動(dòng)化、數(shù)字化和智能
2023-06-26 08:25:03768

Xilinx分布式RAM和塊RAM—單口、雙口、簡(jiǎn)單雙口、真雙口的區(qū)別

單口 RAM(Single RAM)、雙口 RAM(Dual RAM)、簡(jiǎn)單雙口 RAM(Simple-Dual RAM)、真雙口 RAM(True-Dual RAM)有什么不同?
2023-06-25 17:47:111968

新聞 | 羅姆與緯湃科技簽署SiC功率元器件長(zhǎng)期供貨合作協(xié)議

SiC(碳化硅)功率元器件領(lǐng)域的先進(jìn)企業(yè) ROHM Co., Ltd. (以下簡(jiǎn)稱“羅姆”)于2023年6月19日與全球先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)和電動(dòng)化解決方案大型制造商緯湃科技(以下簡(jiǎn)稱“Vitesco
2023-06-21 08:10:02287

羅姆與緯湃科技簽署SiC功率元器件長(zhǎng)期供貨合作協(xié)議

SiC(碳化硅)功率元器件領(lǐng)域的先進(jìn)企業(yè)ROHM Co., Ltd. (以下簡(jiǎn)稱“羅姆”)于2023年6月19日與全球先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)和電動(dòng)化解決方案大型制造商緯湃科技(以下簡(jiǎn)稱“Vitesco”)簽署
2023-06-20 16:14:54139

接地電阻柜是如何生產(chǎn)制造

元器件, 例如電流互感器、變壓器、繼電器、電器開關(guān)及接線等等。 這些電器元器件都需要精心挑選以確保產(chǎn)品的質(zhì)量和使用壽命。 三、制造組裝 在材料準(zhǔn)備完成之后,就需要進(jìn)行接地電阻柜的組裝了。 此階段的重點(diǎn)
2023-06-08 11:04:41

易靈思RAM使用指南

易靈思RAM在使用時(shí)可以會(huì)遇到一些問題,這里把常用的問題總結(jié)下。
2023-06-07 09:19:401021

RAM29M29 串聯(lián)射頻適配器

為 25 攝氏度。有關(guān) RAM29M29 的更多詳細(xì)信息,請(qǐng)參見下文。產(chǎn)品規(guī)格產(chǎn)品詳情零件號(hào)RAM29M29制造商馬基微波爐描述2.92 毫米 - 公頭到 2.9
2023-05-26 17:17:16

RAM24F24 串聯(lián)射頻適配器

dB,溫度為 25 攝氏度。有關(guān) RAM24F24 的更多詳細(xì)信息,請(qǐng)參見下文。產(chǎn)品規(guī)格產(chǎn)品詳情零件號(hào)RAM24F24制造商馬基微波爐描述2.4 毫米 - 公頭
2023-05-26 17:13:09

RAM24M24 串聯(lián)射頻適配器

攝氏度。有關(guān) RAM24M24 的更多詳細(xì)信息,請(qǐng)參見下文。產(chǎn)品規(guī)格產(chǎn)品詳情零件號(hào)RAM24M24制造商馬基微波爐描述2.4 毫米 - 公頭到 2.4 毫米 - 公
2023-05-26 16:59:10

RAM29F29 串聯(lián)射頻適配器

攝氏度。有關(guān) RAM29F29 的更多詳細(xì)信息,請(qǐng)參見下文。產(chǎn)品規(guī)格產(chǎn)品詳情零件號(hào)RAM29F29制造商馬基微波爐描述2.92 毫米 - 公頭到 2.92 毫米 -
2023-05-26 16:57:07

ROHM開始量產(chǎn)具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT!

非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)的效率提升和小型化 全球知名半導(dǎo)體制造ROHM(以下簡(jiǎn)稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT
2023-05-25 00:25:01322

ROHM具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT

全球知名半導(dǎo)體制造ROHM(以下簡(jiǎn)稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn),這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。
2023-05-24 15:19:34447

ROHM具有業(yè)界高性能的650V耐壓GaN HEMT

全球知名半導(dǎo)體制造ROHM(以下簡(jiǎn)稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)
2023-05-18 16:34:23463

RAM是如何工作的?為什么RAM被稱為隨機(jī)存取?

計(jì)算機(jī)關(guān)閉時(shí),RAM 中存儲(chǔ)的信息會(huì)丟失,而長(zhǎng)期存儲(chǔ)設(shè)備(SSD 或HDD)中的數(shù)據(jù)會(huì)保留。
2023-05-05 15:35:541733

服務(wù)器RAM模塊-可靠性和穩(wěn)定性至關(guān)重要

和消費(fèi)者RAM之間的主要區(qū)別在于芯片的質(zhì)量和數(shù)量。服務(wù)器RAM需要一天24小時(shí)運(yùn)行,因此產(chǎn)品中使用的芯片必須是高質(zhì)量的,并且在預(yù)制造時(shí)經(jīng)過精心挑選。有不同的服務(wù)器RAM模塊 - ECC UDIMM模塊(無緩沖ECC),注冊(cè)RDIMM模塊和LRDIMM或負(fù)載降低DIMM模塊。
2023-05-04 11:15:081348

ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET

ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372

ROHM Solution Simulator工具欄的功能和基本操作

ROHM Solution Simulator的用戶界面和電路圖工具欄圖標(biāo)都采用常見圖標(biāo)形式,直觀易操作。如果您想快速了解操作方法等,請(qǐng)使用“用戶操作手冊(cè)(PDF)”。
2023-04-28 14:11:22485

FPGA雙端口RAM的使用簡(jiǎn)述

RAM :隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(random access memory,RAM)又稱作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”。
2023-04-25 15:58:205062

ROHM關(guān)于MOSFET管的研討會(huì)

也將達(dá)到飛躍式增長(zhǎng)。 如果您想更進(jìn)一步了解MOSFET的相關(guān)信息, 4月26日(周三)上午10點(diǎn) 由全球知名半導(dǎo)體品牌ROHM組織的這場(chǎng)直播研討會(huì)千萬不要錯(cuò)過啦!本次研討會(huì)將從 MOSFET的基礎(chǔ)知識(shí)、特性講解、選型要點(diǎn),到產(chǎn)品介紹和實(shí)際電路案例 等各方面開展介紹,
2023-04-18 08:57:11295

ROHM業(yè)界超小短波紅外(SWIR) 器件

全球知名半導(dǎo)體制造ROHM (總部位于日本京都市) 針對(duì)需要進(jìn)行物質(zhì)檢測(cè)的便攜設(shè)備、可穿戴和 可聽戴設(shè)備, 確立了 1608 尺寸( 1.6mm×0.8mm ) 業(yè)界超小的短波紅外*1 (以下簡(jiǎn)稱SWIR: Short Wavelength Infrared)器件量產(chǎn)技術(shù)。
2023-04-13 09:12:14433

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于APEX Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的,采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483

ROHM 業(yè)界超小短波紅外(SWIR) 器件

全球知名半導(dǎo)體制造ROHM? (總部位于日本京都市) 針對(duì)需要進(jìn)行物質(zhì)檢測(cè)的便攜設(shè)備、可穿戴和 可聽戴設(shè)備, 確立了 1608 尺寸( 1.6mm×0.8mm?) 業(yè)界超小的短波紅外
2023-04-07 15:38:496181

ROHM | R60xxRNx系列概述

全球知名半導(dǎo)體制造ROHM? (總部位于日本京都市)在其600V耐壓Super?Junction? MOSFET*1?“PrestoMOSm”產(chǎn)品陣容中,又新增“R60xxRNx系列”3款新產(chǎn)品
2023-04-07 15:36:36831

新聞 | ROHM開發(fā)出12W級(jí)額定功率的0.85mm業(yè)界超薄金屬板分流電阻器“PSR350”

非常適用于車載和工業(yè)設(shè)備的雙面散熱功率模塊! 即將推出15W級(jí)額定功率業(yè)界超小“PSR330”和“PSR100”的0.2mΩ產(chǎn)品 全球知名半導(dǎo)體制造ROHM(總部位于日本京都市)面向車載和工業(yè)設(shè)備
2023-04-04 12:40:05411

iMXRT1172處理器是否支持ISSI制造的SDRAM IS42S16320F-6BLI?

在我們的項(xiàng)目中,我們使用 ISSI 的 SDRAM IS42S16320F-6BLI 為 iMXRT1172 處理器制造,而在 imxRT1176 評(píng)估套件中使用 WINBOND 的 SDRAM
2023-04-03 08:41:30

RAM-MOUNT-09E

CLAMPBASE,RAM-202U,ANDSOCKET
2023-03-30 17:27:26

手機(jī)上的ROM和RAM技術(shù)原理

ROM和RAM的區(qū)別是什么?ROM和RAM都是一種存儲(chǔ)技術(shù),只是兩者原理不同,RAM為隨機(jī)存儲(chǔ),掉電不會(huì)保存數(shù)據(jù),而ROM可以在掉電的情況下,依然保存原有的數(shù)據(jù)。ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器
2023-03-30 14:53:271938

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

全球知名半導(dǎo)體制造ROHM(總部位于日本京都市)的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡(jiǎn)稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13

有沒有在S23K148上運(yùn)行的PTP(Precision Time Protocol) 協(xié)定代號(hào)?

有沒有在S23K148上運(yùn)行的PTP(Precision Time Protocol) 協(xié)定代號(hào)?
2023-03-28 07:06:53

FM24CL16B-GTR

4-Kbit(512×8)串行(I2C)F-RAM
2023-03-27 13:53:15

FM25040B-GTR

4 Kbit (512 × 8) 串行 (SPI) F-RAM
2023-03-27 13:53:11

FM24CL64B-G

64 Kbit(8K×8)串行(I2C)F-RAM
2023-03-27 13:52:43

FM24V02A-GTR

256 Kbit (32K × 8) 串行 (I2C) F-RAM
2023-03-27 13:45:21

FM24W256-GTR

256 K位 (32 K × 8) 串行 (I2C) F-RAM
2023-03-27 12:55:59

FM25V10-GTR

1 Mbit(128 K × 8) 串行 (SPI) F-RAM
2023-03-27 11:55:16

FM25V20A-GTR

2-Mbit(256 K × 8) 串行 (SPI) F-RAM
2023-03-27 11:55:14

已全部加載完成

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