英飛凌欲借新一代超結(jié)MOSFET樹立硬開關(guān)應(yīng)用基準(zhǔn)

英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產(chǎn)品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個(gè)產(chǎn)品系列的優(yōu)勢(shì)，可降低設(shè)計(jì)難度，適用于諸如PC、筆記本電腦、上網(wǎng)本或手機(jī)、照明（高壓氣體放電燈）以及LCD電視和游戲機(jī)等消費(fèi)應(yīng)用的電源或適配器，甚至是太陽能電源市場(chǎng)。

英飛凌全球開關(guān)電源高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理Thomas Schmidt介紹，C6在輕載條件下具有非常好的效率，由于具有比C3更低的導(dǎo)通電阻、更小的輸出電容、更穩(wěn)健的體二極管以及更小的反向恢復(fù)電荷，使其在成本、開關(guān)損耗、質(zhì)量保證等方面更有競爭優(yōu)勢(shì)。Thomas Schmidt強(qiáng)調(diào)，CoolMOS C6系列將成為硬開關(guān)應(yīng)用的基準(zhǔn)。另一方面，存儲(chǔ)在輸出電容中的極低電能和出類拔萃的硬換流耐受性，使C6器件成為諧振開關(guān)產(chǎn)品的理想選擇。因此，C6的面市也將使C3在未來2至3年內(nèi)逐漸退市。

但由于500/600V CP系列可滿足服務(wù)器、電信電源等應(yīng)用更低開關(guān)損耗和更低導(dǎo)通電阻的需求，因此英飛凌是希望C6未來與CP系列在不同應(yīng)用領(lǐng)域的高壓MOSFET市場(chǎng)上兩頭作戰(zhàn)。電源廠商可受益于超結(jié)CP系列的優(yōu)勢(shì)——包括極低電容損耗和極低單位面積導(dǎo)通電阻等，設(shè)計(jì)出更高效、更緊湊、更輕更高散熱效率的電源產(chǎn)品。與此同時(shí)，開關(guān)控制性能和抗電路板寄生電感和電容特性性能也得到大幅提升。相對(duì)于CP系列的設(shè)計(jì)而言，CoolMOS C6簡化了PCB系統(tǒng)布局。具體而言，這意味著在CoolMOS C6系列內(nèi)，柵極電荷、電壓/電流斜率和內(nèi)部柵極電阻達(dá)到了優(yōu)化和諧狀態(tài)，即使低至零歐姆的柵極電阻，也不會(huì)產(chǎn)生過高的電壓或電流斜率。而C6器件具備出色的體二極管硬換流抗受能力，因此可避免使用昂貴的快速體二極管組件，也可使諸如PFC（功率因數(shù)校正）級(jí)或PWM（脈寬調(diào)制）級(jí)等功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的功效得到大幅提升。

C6系列是英飛凌推出的第五代CoolMOS超結(jié)MOSFET，它同時(shí)擁有包括超低單位面積導(dǎo)通電阻在內(nèi)的補(bǔ)償器件的優(yōu)勢(shì)。據(jù)了解，超結(jié)(superjunction)技術(shù)因?yàn)樵趯?dǎo)通時(shí)可使載流子更快速流動(dòng)，因此比諸如IR HEXFET等結(jié)構(gòu)具有更高效率。而目前在超結(jié)功率器件領(lǐng)域的玩家還包括ST、飛兆和日本東芝。Thomas Schmidt自信地表示，英飛凌從1990年就已開始提供其第一代超結(jié)功率器件，因此在超結(jié)功率技術(shù)上具有領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，他認(rèn)為其他廠商在超結(jié)功率產(chǎn)品的未來研發(fā)過程中一定會(huì)重復(fù)英飛凌所遇到過的困難。

另外，業(yè)界對(duì)GaN功率市場(chǎng)摩拳擦掌，但《電子工程專輯》記者了解到英飛凌未在GaN功率器件上有任何動(dòng)作。Thomas Schmidt對(duì)此解釋道，英飛凌其實(shí)也對(duì)GaN技術(shù)非常關(guān)注，因?yàn)镮R承諾GaN功率技術(shù)能大幅度降低功率器件的成本，只可惜相關(guān)產(chǎn)品的面市一再拖延，因此對(duì)GaN功率技術(shù)目前還處于觀望期。