“非易失性存儲器”作為新一代國際公認存儲技術，越來越受到世界各國高度重視。從7日在滬召開的第十一屆非易失性存儲器國際研討會上獲悉，上海在這一領域的研究已躋身國際先進水平。

　　與易失性存儲器相比，非易失性存儲器具有高速、高密度、可微縮、低功耗、抗輻射、斷電后仍然能夠保持數據等諸多優點。隨著技術發展，非易失性存儲器分為相變存儲器、磁性存儲器、電阻式存儲器、鐵電存儲器等諸多類型。

　　中國科學院上海微系統所、中芯國際、micro-chip是產學研結合的團隊，一直致力于研究我國自主的相變存儲芯片和存儲產品。

　　據中科院上海微系統所宋志棠研究員介紹，由上海微系統所、中芯國際和micro-chip組成的聯合研究團隊在相變存儲器芯片的工程化研究方面已經取得突破性進展，研制出8Mb測試芯片，并實現全部存儲功能，8英寸整片Bit優良率超過99%，開發出自主IP的雙溝道隔離二極管陣列，成功實現了工藝集成和相關功能的演示，并建立了8英寸整片測試系統。

　　在此基礎上，上海微系統所與中芯國際建立了12英寸專用PCRAM平臺。12英寸40納米相變存儲器的產業化關鍵技術也取得了重要進展，完成了第一版芯片的設計，并進入關鍵的工藝開發;初步完成了尺寸為60-70納米的相變材料填充和拋光、刻蝕等單項工藝開發。

　　第十一屆非易失性存儲器國際研討會由國際電子電氣工程師學會主辦，中國科學院上海微系統與信息技術研究所和新加坡數據存儲研究院共同承辦，是國際非易失性存儲器領域第一次在中國召開的權威會議。來自美國、法國、德國、西班牙、俄羅斯等10個國家和地區200多位專家學者和業內人士參加了此次會議。在為期三天的會議期間將舉行10場大會報告和交流報告，圍繞非易失性存儲器領域的最新發展進行學術交流和研討。