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　　晶片微小化要幾奈米才夠看?英特爾今年量產22奈米元件，臺積電三年內轉進14奈米世代，而國研院國家奈米元件實驗室于今(6)日更發表，導入銀、鍺兩種新元件材料，內建矽基太陽能電池元件，做為未來綠能的10奈米元件世代的重要技術選項，引發國際轟動。

　　英特爾已發表22奈米元件并在今年進入量產，領先各公司約一個世代，臺積電也將在稍后跟進，未來兩三年內亦將陸續轉進14奈米世代。

　　相較于矽，純鍺材料的電晶體運行速度可提升2至4倍，國研院新發表的三角型鍺鰭式電晶體技術，成功克服了矽基材上的鍺通道，會有許多缺陷的問題，因此可實現高速的10奈米電晶體元件。

　　「銀金屬直立導線技術」則以創意，研發出利用底部成長(bottom-up)方式、突破傳統鎢金屬栓塞結構，在尺寸微縮時的制程瓶頸。

　　國研院在美國華盛頓舉行的電子元件領域里最重要的國際會議IEDM中，發表4篇相關論文，包括導入銀、鍺兩種新元件材料、并將被動的元件節能科技提升為主動的自供電力線路模組的內建矽基太陽能電池元件。

　　其中鍺電晶體和矽基太陽能自供電力線路模組，均被大會選為重點宣傳論文，引起國際微電子產學研界的高度重視，將是未來10奈米元件世代的重要技術選項。

　　國研院解釋說，因為銀是目前電阻值最低的金屬(銀的電阻率僅約鎢30%)，以此技術，將可符合10奈米世代的金屬導線制程需求。

　　不過新機臺和新材料，將會是未來10奈米元件世代，最難克服的兩大關鍵，國研院強調，高階整合性機臺，例如微影設備(EUV)單價，就高達30億臺幣，機臺技術門檻甚高，而且需有大型實驗室做先期產品的測試，才能進入此千億產值的材料市場。

　　圖說:導入銀、鍺兩種新元件材料，內建矽基太陽能電池元件，國研院表示，可做為未來綠能的10奈米元件世代的重要技術選項。