JEDEC 固態(tài)技術協(xié)會，微電子產(chǎn)業(yè)標準全球領導制定機構，今天宣布正式發(fā)布JEDEC DDR3L規(guī)范。這是廣受期待的DDR3存儲器標準JESD79-3 的附件。這是DDR3作為當今DRAM主導性標準演變的繼續(xù)
2010-08-05 09:10:50
3509 本文探討了各種不含鹵素（halogen-free）的DDR4插座的開發(fā)工作，并且根據(jù)嚴格的JEDEC DDR4規(guī)范和IEC 61249-2無鹵素依從性，討論了不同的外殼材料選項。##針腳保持力將端子
2014-08-04 17:21:243982 
DDR4內(nèi)存已經(jīng)問世有很長一段時間了，Intel在IDF上表示，明年這一產(chǎn)品將迎來爆發(fā)期。
2015-08-24 08:23:551098 內(nèi)存標準制定組織JEDEC周四表示，新一代DDR5內(nèi)存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開始，計劃明年定稿。
2017-04-01 07:49:522187 相對于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內(nèi)存下部設計為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡，這樣的設計可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:441485 
據(jù)報道，長鑫存儲官方網(wǎng)站已經(jīng)公開列出了自家的DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4X內(nèi)存芯片，都符合國際通行標準規(guī)范，目前已經(jīng)處于售前咨詢階段（Contact Sales）。 長鑫特別強調(diào)
2020-02-27 09:01:118110 今年2月底，長鑫存儲官方宣布，符合國際標準規(guī)范的自產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4內(nèi)存芯片全面開始供貨，這也是DDR4內(nèi)存第一次實現(xiàn)真正國產(chǎn)，并采用國產(chǎn)第一代10nm級工藝制造
2020-05-22 11:47:378324 JEDEC固態(tài)存儲協(xié)會于今日正式發(fā)布了DDR5SDRAM標準（JESD79-5），為全球計算機拉開新時代序幕。 簡言之，DDR5內(nèi)存芯片Bank數(shù)量翻番到32，每Bank的自刷新速度翻番
2020-07-16 10:00:056976 求大神賜個全面的3D PCB封裝庫（PCB封裝附帶3D模型）！！！~
2015-08-06 19:08:43
。幾何三角剖分的原理使得計算被掃描物體表面上每個點的XYZ坐標成為可能（見圖01）。然后，獲得的點云數(shù)據(jù)用于被掃描物體表面詳細3D模型的計算構造。圖01：使用DLP? 技術的結(jié)構光 可編程圖形結(jié)構光
2018-08-30 14:51:20
3D顯示技術的原理是什么？3D顯示技術有哪些應用？3D拍好了到底怎么樣傳輸？
2021-05-31 06:53:03
good，3d封裝，感謝樓主無償奉獻！！
2015-06-22 10:35:56
技術的瓶頸，可能需要很長的時間才能出來。就當我們都對DDR5不報希望的時候，結(jié)果它就悄悄的來了。從2017年就已經(jīng)傳出消息說JEDEC就宣稱將在2018年完成DDR5內(nèi)存的最終標準，而我們熟知的幾家
2021-08-12 15:42:06
還未接觸過DDR4，在LAYOUT顆粒設計中，布局布線上DDR3與DDR4有沒有區(qū)別？有哪些區(qū)別？
2019-03-07 10:11:39
DDR4 DESIGNDDR4 DESIGNDDR4 DESIGN拿走拿走！
2015-04-24 18:06:37
DDR4,DDR3,DDR2,DDR1及SDRAM有什么不同之處?
2021-03-12 06:22:08
DDR4 SDRAM結(jié)構和尋址DDR4 SDRAM的封裝和尋址新的改變功能快捷鍵合理的創(chuàng)建標題，有助于目錄的生成如何改變文本的樣式插入鏈接與圖片如何插入一段漂亮的代碼片生成一個適合你的列表創(chuàng)建一個
2021-07-29 06:58:22
（UG583）“UltraScale架構PCB設計用戶指南”的V1.10表示（通常）DDR4接口信號reset_n不需要滿足適用于地址/命令/控制組中其他信號的偏移約束。但是，在專門引用DDR4
2020-08-27 17:10:06
DDR4就一定比DDR3好嗎？
2021-06-18 06:22:29
DDR4的工作原理以及尋址方式DDR4是什么？DDR4全稱，DDR4-DRAM，與其他DDRDRAM一樣，是當前電子系統(tǒng)架構中使用最為廣泛的的RAM存儲器。這句話可以分解出3個關鍵字：存儲器
2021-11-11 07:13:53
；?增加ACT_n控制指令為增強數(shù)據(jù)讀寫可靠性增加的變更點主要有：?DBI；?Error Detection；1 電源變化DDR3與DDR4的96 Ball封裝pin定義...
2021-11-12 08:07:07
Detection；1 電源變化DDR3與DDR4的96 Ball封裝pin定義對比如圖1所示，DDR3中存在VDD、VDDQ、VREFDQ、VREFCA四種電源，其中VDD=VDDQ=1.5V
2019-11-12 12:40:17
DDR4內(nèi)存峰會，而這也標志著DDR4標準制定工作的展開。一般認為這樣的會議召開之后新產(chǎn)品將會在3年左右的時間內(nèi)上市，而這也意味著我們將可能在2011年的時候使用上DDR4內(nèi)存，最快也有可能會提前到2010
2011-02-27 16:47:17
`AD16的3D封裝庫問題以前采用封裝庫向?qū)傻?b class="flag-6" style="color: red">3D元件庫，都有芯片管腳的，如下圖：可是現(xiàn)在什么設置都沒有改變，怎么生成的3D庫就沒有管腳了呢？請問是什么原因？需要怎么處理，才能和原來一樣？謝謝！沒管腳的就是下面的樣子：`
2019-09-26 21:28:33
給PCB添加了3D模型之后，讓封裝旋轉(zhuǎn)45度，自己填加的3D模型旋轉(zhuǎn)45度后，代表3D模型的機械層不會和PCB重合；而用封裝向?qū)М嫷哪Ｐ蜁蚉CB重合。請問這個改怎么解決？雖然旋轉(zhuǎn)45度之后，在3D 模式下，3D圖也是旋轉(zhuǎn)了45度，但是在2D模式下的機械層看著很不舒服。
2017-07-20 22:46:11
筆記本內(nèi)存怎么選？LPDDR3一定不如DDR4嗎？真的是這樣嗎？這兩者有對比性嗎？
2021-06-18 06:37:32
MT40A512M16LY-075E:B MT40A1G8SA-075:EMT29F64G08CBABAWP:BMT40A256M16GE-083E IT:BMT40A512M8RH-083E:B 鎂光DDR4 時時發(fā)集團亞洲有限公司 QQ:535553245
2019-02-18 10:51:21
嗨，我正在嘗試在Kintex UltraScale（KCU105）中實現(xiàn)DDR4內(nèi)存，但是（DDR4 SDRAM（MIG））中的特定部分不可用。部分是：MT401G16HBA-083E：我應該為實現(xiàn)這個內(nèi)存做什么。？注意：我正在使用VIVADO 2016.1謝謝Luis。
2020-04-26 13:58:08
想請教一下大神們，allegro如何制作3D封裝庫的
2018-05-09 08:33:17
`CFMS2018近日成功舉辦，來自三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長江存儲等全球存儲業(yè)大咖，與行業(yè)人士共同探討3D NAND技術的發(fā)展未來。我們來看看他們都說了什么。三星：看好在UFS市場的絕對優(yōu)勢
2018-09-20 17:57:05
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2021-05-08 17:42:19
當3D電影已成為影院觀影的首選，當3D打印已普及到雙耳無線藍牙耳機，一種叫“3D微波”的技術也悄然而生。初次聽到“3D微波”，你可能會一臉茫然，這個3D微波是應用在哪個場景？是不是用這種技術的微波爐1秒鐘就能把飯煮熟？O M G!我覺得很有必要給大家科普一下！
2019-07-02 06:30:41
演愈烈，內(nèi)存的性能成為新的瓶頸。早在2017年，負責計算機內(nèi)存技術標準的組織JEDEC就宣稱將在2018年完成DDR5內(nèi)存的最終標準，美光、三星等內(nèi)存廠商在2018年也就開始研發(fā)16GB的DDR5產(chǎn)品
2022-10-26 16:37:40
可以達到128GB，媲美SSD了。功耗更低功耗方面，DDR3內(nèi)存采用1.5V標準電壓，DDR4功耗明顯降低，電壓降到1.2V甚至更低，功耗下降了，更省電，并且可以減少內(nèi)存的發(fā)熱。DDR4和DDR3內(nèi)存可以
2019-07-25 14:08:13
增強信號的完整性、改善資料傳輸及儲存的可靠性。根據(jù)宏旺半導體對存儲市場的觀察，DDR一代與DDR2在市面上已將很少見了，臺式機的內(nèi)存條普遍已經(jīng)使用DDR4了，DDR3在機頂盒、光貓、智能電視等領域依舊
2019-08-01 10:17:46
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2021-07-15 19:36:21
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2021-12-27 19:25:08
。3D打印所帶來的可能性是無限的。 3D打印機的成本從不到1000美元到超過十萬美元不等。較低價位的3D打印機通常被稱為桌面型或個人3D打印機。桌面3D打印機面臨的挑戰(zhàn)之一是在保持價格合理的同時保證打印
2022-11-08 07:55:44
`求解如圖，我在AD16導入step文件后，在封裝庫能看到3D元件，但是更新到PCB后卻看不到3D模型`
2019-05-10 15:42:46
大家好，有誰知道如何從.mem文件初始化加密的ddr4內(nèi)存模型？在參考fromxapp1180項目時，發(fā)現(xiàn)使用以下命令初始化ddr3內(nèi)存： $ readmemh（ “ddr3
2020-05-11 09:17:30
將 DDR4 內(nèi)存添加到 imx8mp
2023-04-20 10:59:17
AD 在3D顯示下，怎么去除3D封裝的顯示，我只看焊盤，有時候封裝會遮掩底部的焊盤
2019-09-23 00:42:42
大家好，我做FPGA開發(fā)，需要用到大的內(nèi)存，ise12只有美光和現(xiàn)代的庫，我對美光內(nèi)存使用有如下疑惑：美光2G內(nèi)存位寬16位，速率可達200M，4G內(nèi)存怎么才8位，速率還慢，才125M~150MHz.這樣的話，用更多的內(nèi)存反而降低性能？
2013-06-22 21:46:08
DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別文所有權歸作者Aircity所有1什么是DDRDDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙比特翻轉(zhuǎn)”。DDR是一種技術，中國大陸工程師
2021-09-14 09:04:30
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2021-01-30 17:36:35
回收DDR4，收購DDR4,24h開心財富熱線：趙生--135-3012-2202QQ-8798-21252 帝歐電子長期專業(yè)高價回收flash， 回收DDR，回收手機字庫。回收全新flash，回收
2021-09-08 14:59:58
規(guī)范誕生了，JEDEC固態(tài)技術協(xié)會在2012年10月公布了下一代內(nèi)存規(guī)格DDR4的標準規(guī)范“JEDEC DDR4(JESD79-4)”。DDR4和目前的DDR3相比，它的頻率幾乎翻番，性能顯著提高
2012-12-30 18:45:31
我用ALTIUM10 畫PCB封裝 從網(wǎng)上下載的3D模型怎么導入的時候顯示不了，前幾天還可以顯示 現(xiàn)在一個都顯示不了， 是不是弄錯了， 手動畫3D 又能顯示方塊模型 導入的時候就一點效果都沒有像沒有導入3D模型一樣， 求大師指點。
2016-07-12 22:48:20
年初，英特爾和美光在3D存儲芯片市場上的合作走到了盡頭。在3D Xpoint技術上，英特爾率先在2017年完成了3D Xpoint的商業(yè)化，推出了傲騰，而2019年11月，美光也終于拿出了自己
2020-03-19 14:04:57
DDR4。帝歐趙生***QQ1816233102/764029970郵箱dealic@163.com。回收三星DDR，回收海力士DDR，回收南亞DDR，回收爾必達DDR，回收美光DDR，回收DDR
2021-03-17 17:59:10
DDR4和DDR3的區(qū)別在哪里？DDR4內(nèi)存與DDR3內(nèi)存相比，有哪些優(yōu)勢呢？
2021-06-18 08:58:23
PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32
DDR4,什么是DDR4
DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動態(tài)隨即訪問的內(nèi)存美國JEDEC 的固態(tài)技術協(xié)會于2000 年6 月公
2010-03-24 16:08:393146 JEDEC固態(tài)技術協(xié)會，日前宣布，JC-64.8固態(tài)硬盤標準小組委員會將瞄準傳統(tǒng)硬盤尺寸之外的應用制定固態(tài)硬盤標準。基于在固態(tài)硬盤標準制定領域的領先地位，在最近發(fā)布的固態(tài)硬盤標準JESD218和JESD219取得成功之后，非傳統(tǒng)固態(tài)硬盤應用的標準化由小尺寸消費電子設
2011-01-17 09:41:12608 全球微電子產(chǎn)業(yè)的領導標準制定機構JEDEC 固態(tài)技術協(xié)會今天發(fā)布了《微電子封裝及封蓋檢驗標準》的重要更新版JESD9B
2011-06-27 08:40:321678 JEDEC 固態(tài)技術協(xié)會，全球微電子產(chǎn)業(yè)標準領導制定機構日前公布了廣為業(yè)界期待的DDR4(雙倍數(shù)據(jù)速率4)內(nèi)存標準的關鍵屬性。 預計將于2012年中期發(fā)布的JEDEC DDR4內(nèi)存標準與之前幾代的技術
2011-08-24 08:57:461708 美光科技今天表示，正在與標準化組織JEDEC合作，爭取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術的標準化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術。
2011-12-18 14:37:381296 微電子產(chǎn)業(yè)標準機構JEDEC固態(tài)技術協(xié)會終于發(fā)布了下一代同步DDR內(nèi)存的技術標準：DDR4，它的數(shù)據(jù)傳輸速度將比DDR3快一倍，且功耗更低。JEDEC的DDR4技術標準的公布是數(shù)年來世界各地的內(nèi)存
2012-09-30 20:30:561648 DDR4是JEDEC組織關于DRAM器件的下一代標準。DDR4主要是針對需要高帶寬低功耗的場合。這些需求導致了DDR4芯片引入了一些新的特點，這些新的特點，導致在系統(tǒng)設計中，引入一些新的設計需求
2017-10-13 20:13:18
10 雖然新一代電腦/智能手機用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，下面我們再來看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3，新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項核心改變：
2017-11-08 15:42:2330895 您可能剛把計算機升級到DDR4的內(nèi)存，也有可能仍然在使用DDR3的內(nèi)存。不過不管怎樣，DDR5內(nèi)存要來了。 2017年3月，JEDEC協(xié)會宣布將在2018年正式發(fā)布DDR5的技術規(guī)范。目前，DDR
2017-11-15 16:36:0340425 
據(jù)報道，近日芝奇推出Trident Z RGB DDR4-4700套裝被稱之為是目前頻率最高的DDR4內(nèi)存套裝，采用三星B-die顆粒，開啟XMP功能就可以達到4700MHz的工作頻率。
2018-02-06 11:47:381558 近日，Intel官方正式發(fā)布了傲騰DDR4內(nèi)存條，代號Apache Pass，英文全稱為Optane DC Persistent Memory（直譯：傲騰數(shù)據(jù)中心專用非易失內(nèi)存）。
2018-06-20 07:47:002851 
本文主要介紹了DDR4封裝規(guī)格.
2018-06-26 08:00:0056 關鍵詞：JEDEC , DDR4 , 技術標準 微電子產(chǎn)業(yè)標準機構JEDEC固態(tài)技術協(xié)會終于發(fā)布了下一代同步DDR內(nèi)存的技術標準：DDR4，它的數(shù)據(jù)傳輸速度將比DDR3快一倍，且功耗更低
2018-09-30 00:15:012117 本文介紹了DDR4技術的特點，并簡單介紹了ANSYS工具用來仿真DDR4的過程。文章中主要介紹的對象為DDR4 3200MHz內(nèi)存，因為硬件極客對DDR4性能的不斷深挖，目前已經(jīng)有接近5000MHz的量產(chǎn)內(nèi)存。
2018-10-14 10:37:2823341 2018年11 月 15日 – 宜鼎今日發(fā)布全新強固型DDR4 2666寬溫系列內(nèi)存產(chǎn)品，特別專注于各種工業(yè)嚴苛條件中的邊緣應用。宜鼎國際DRAM全球事業(yè)處副總張偉民表示，DDR4 2666將于
2018-11-16 08:40:111156 在安捷倫最新的測試解決方案之一Infinium 90000X系列示波器上驗證，UltraScale FPGA上運行的2400 Mb / s DDR4內(nèi)存接口設計具有出色的信號質(zhì)量和JEDEC兼容性。
2018-11-30 06:01:006708 從SDR到DDR4，連接器如何趕上內(nèi)存進化的步伐？
2019-07-02 15:30:132809 隨著紫光、合肥長鑫正式進軍DRAM內(nèi)存行業(yè)，國產(chǎn)自主的DRAM芯片未來也會迎來一波爆發(fā)。除此之外，紫光旗下的西安國芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā)，他們將在集邦科技的2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會上公開展示自研的內(nèi)存，包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 14:54:143029 日前瀾起科技董事長楊崇和在參與活動時表態(tài)，公司正積極參與DDR5內(nèi)存標準的制定。
2019-12-16 15:41:082998 瀾起科技是國內(nèi)為數(shù)不多的設計DDR內(nèi)存接口芯片的公司之一，該公司成立于2004年，是全球內(nèi)存接口芯片的主要供應商之一，憑借領先的技術水平，在DDR4階段逐步確立了行業(yè)領先優(yōu)勢，公司2018年營業(yè)收入175，766.46萬元，凈利潤73，687.84萬元。
2019-12-16 16:10:001135 2 月 28 日訊，國產(chǎn)首枚 DDR4 內(nèi)存現(xiàn)已面世。在長鑫存儲的官方網(wǎng)站上，目前已經(jīng)公開列出了自家的 DDR4 內(nèi)存芯片、DDR4 內(nèi)存條、LPDDR4X 內(nèi)存芯片，全部產(chǎn)品都符合國際通行標準規(guī)范。
2020-03-02 11:18:281061 江波龍電子旗下嵌入式存儲品牌FORESEE再添新成員，正式發(fā)布首款內(nèi)存產(chǎn)品，宣布正式進入內(nèi)存領域。 江波龍正式進入內(nèi)存領域，F(xiàn)ORESEE DDR4高端商用內(nèi)存條新品首發(fā) FORESEE DDR4
2020-04-16 12:04:224860 美國政府周一證實，將會修改禁止美國企業(yè)與華為進行生意往來的禁令，允許其合作制定下一代5G網(wǎng)絡標準。美國政府去年將華為列入美國商務部的所謂“實體名單”，以國家安全為由限制向該公司出售美國的商品和技術。
2020-06-16 16:24:172207 中應該都不支持DDR5，現(xiàn)階段更是沒有任何產(chǎn)品能夠支持。 不過根據(jù)最新消息顯示，今年預計會有不少廠商推出DDR5內(nèi)存的產(chǎn)品，但是真正大規(guī)模量產(chǎn)還是需要等到明年。雖然現(xiàn)在用不上，但我們還是可以看看DDR5內(nèi)存的性能。目前JEDEC官方組織還沒有公布有關DDR5內(nèi)
2020-07-30 15:27:122481 近日，據(jù)嘉合勁威官網(wǎng)消息，國內(nèi)首款中國芯的DDR4內(nèi)存條——光威弈PRO DDR4內(nèi)存條已在深圳坪山大規(guī)模量產(chǎn)。
2020-07-22 14:14:471683 第十一代酷睿桌面版不斷泄露消息，所以正式產(chǎn)品還沒上市就讓人沒了新鮮感，也許正是這個原因，很多小伙伴的好奇的目光開始轉(zhuǎn)向了更下一代平臺，特別是DDR5內(nèi)存。它到底和DDR4有啥不同，我們要不要
2021-02-27 12:13:5418074 
嘉合勁威（阿斯加特/光威品牌母公司）今天宣布，旗下的“神可”（Sinker）系列DDR4內(nèi)存產(chǎn)品已經(jīng)通過統(tǒng)信軟件的認證。
2021-01-28 11:02:101663 ，和普通用戶無關。 現(xiàn)在，JEDEC固態(tài)技術標準協(xié)會發(fā)布了DDR4 NVDIMM-P非易失內(nèi)存標準規(guī)范，序列編號JESD304-4.01，也可以在斷電后不丟失數(shù)據(jù)，而且完全兼容DDR4內(nèi)存標準。 根據(jù)規(guī)范，這種新內(nèi)存兼容普通的DIMM內(nèi)存標準、固件，可以最大程度減少對于現(xiàn)有設備、平臺的更改，同
2021-02-19 10:04:021546 迪賽康DDR4/DDR5 Interposr測試板專門為內(nèi)存顆粒測試設計，阻抗一致性優(yōu)異，極低延遲，最高速率支持6.4Gbps，可以用于78pin和96pin/102pin封裝的DDR4和DDR5顆粒測試。
2022-10-10 09:33:483592 本文檔定義了DDR4 SDRAM規(guī)范，包括特性、功能、交流和直流特性、封裝和球/信號分配。本標準旨在定義符合JEDEC 2 Gb的最低要求x4、x8和x16 DDR4 SDRAM設備通過16 Gb
2022-11-29 10:00:1720 ARES RGB DDR4?臺式電腦內(nèi)存 ? ? ?
2022-04-25 10:32:00276 
DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術，它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512821 DDR4 3200和3600是內(nèi)存模塊的頻率標準，表示其頻率值，具有以下差異
2023-09-26 15:24:189009 摘要：本文將對DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術進行詳細的比較，分析它們的技術特性、性能差異以及適用場景。通過對比這兩種內(nèi)存技術，為讀者在購買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101089 3是目前使用最為廣泛的計算機內(nèi)存標準，它已經(jīng)服務了計算機用戶多年。但是，DDR4內(nèi)存隨著技術的進步，成為了更好的內(nèi)存選擇。本文將詳細介紹DDR4和DDR3內(nèi)存的各種區(qū)別。 1. 工作頻率 DDR3內(nèi)存的標準工作頻率為1600MHz，而DDR4內(nèi)存標準則為2133MHz。這意味著DDR4內(nèi)存的傳輸速度
2023-10-30 09:22:003905
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