Kioxia（原東芝存儲），西部數據（WD）聯盟3D NAND閃存使用三星電子技術進行批量生產。 東芝開發的3D NAND技術 BiCS 很早之前，原東芝存儲就在國際會議VLSI研討會
2019-12-13 10:46:07
11441 資料來源：Kioxia Kioxia（原為東芝存儲）有望創建3D NAND閃存的后繼產品，與QLC NAND閃存相比，該產品可提供更高的存儲密度。這項于周四宣布的新技術允許存儲芯片具有更小的單元
2019-12-23 10:32:214222 7月24日國外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術路線-- 在同一個區域記錄層的堆疊在一個閃存芯片放到另一個提供更多的容量之內。
2013-07-25 10:24:23988 據業內人士稱，由于高端智能手機的銷量疲軟，導致第三季度對NAND閃存的需求可能會弱于預期。 7月份NAND的價格下降了5%左右，并可能在8到9月份繼續下降。
2013-07-30 10:37:56965 一周之前，三星公司才剛剛宣布推出了世界上首款擁有3D垂直NAND Flash技術的內存產品。僅僅一個禮拜的時間，同樣是三星公司緊接著又宣布即將推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技術的SSD固態硬盤。
2013-08-15 09:11:161205 最新的3D垂直閃存與傳統的NAND存儲芯片相比，具有包括讀寫速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優勢。
2013-08-29 10:46:512064 
256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲器已經出現在市場上了，TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。
2016-07-13 10:32:436006 2022年4月25日，中國上海 — 20世紀90年代的MP3播放器與如今的智能手機有什么共同之處？如果沒有NAND閃存這一影響力貫穿幾十年的創新技術，這兩者都將不會存在。全球存儲器解決方案領導者
2022-04-25 18:26:212196 
本文轉自公眾號,歡迎關注 開放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開放NAND閃存接口.是一個由100多家
2023-06-21 17:36:325876 
目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場上主要的非易失性閃存技術，但是據我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00471 
重大突破，可能會推動氧基電池技術的重大發展。鋰空氣電池，被認為是鋰離子電池的終極形態，而這個新型鋰氧電池更是鋰空氣電池的升級版，更加強大、更加方便、還更加安全。希望這項技術能夠快點成熟，走上市場！突破七
2016-12-30 19:16:12
3月25日，科技之巔·麻省理工科技評論全球十大突破性技術峰會在北京召開，該峰會是全球最為著名的技術榜單之一，峰會圍繞十大突破性技術在中國落地性最強，并對目前最受關注的領域進行深入解讀。2018年
2018-03-27 16:07:53
2020年全球十大突破技術，2018-12-28 08:11:39盤點這一年的核心技術：22納米光刻機、450公斤人造藍寶石、0.12毫米玻璃、大型航天器回收、盾構機“棄殼返回”、遠距離虹膜識別
2021-07-28 09:17:55
3D NAND技術資料：器件結構及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
IBM Aspera采用了一種不同的方法來應對全球廣域網上大數據移動的挑戰。Aspera沒有優化或加速數據傳輸，而是使用突破性的傳輸技術消除了潛在的瓶頸，充分利用可用的網絡帶寬來最大限度地提高速度，并在沒有理論限制的情況下快速擴展。
2023-08-11 06:51:46
POWER架構已經發展了27年，而從第一顆POWER處理器的誕生到現在也已經過了18年。現在，我們來簡單地回顧一下從1997年開始到現在IBM所采用的十大新技術。1.銅芯片(Copper)，1997
2019-06-24 08:28:32
質量較高，CCD技術主宰著傳感器市場。而與CCD技術相比，CMOS技術具有低能耗、高集成度和低生產成本等對客戶來說極其重要的優勢。特別是，IBM的制造技術路線圖能夠生產其尺寸和性能規格接近當今CCD的CMOS圖像傳感器。 :
2018-11-19 17:04:15
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
速度?，F在，FPGA已經從最初主要應用于原型設計逐漸延伸到最終產品的整個生命周期。業界共識：可編程技術勢在必行。FPGA的下一個技術突破點是什么？
2019-08-13 07:48:48
為什么GaN可以在市場中取得主導地位?簡單來說，相比LDMOS硅技術而言，GaN這一材料技術，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優值，表征高頻器件的材料適合性優值， 硅技術的約翰遜優值僅為1， GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優值為1.44?？隙ǖ卣f，GaN是高頻器件材料技術上的突破。
2019-06-26 06:14:34
LED背光照明的工作原理是什么？LED背照系統的架構怎樣去選擇？LED驅動技術是怎樣降低電視機的能耗的？
2021-05-10 06:41:05
大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我對內存使用有一些疑問： XIP 是否通過 QSPI 支持 NAND 閃存？如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動，則加載程序必須將應用程序復制到
2023-03-29 07:06:44
根據數據表，斯巴達6家族有廣泛的第三方SPI（高達x4）和NOR閃存支持功能豐富的Xilinx平臺閃存和JTAG但是，如果它支持NAND閃存，我不太清楚嗎？我想構建和FPGA + ARM平臺，我當時
2019-05-21 06:43:17
皇家飛利浦電子公司宣布在超薄無鉛封裝技術領域取得重大突破，推出針對邏輯和 RF 應用的兩款新封裝：MicroPak?II 和 SOD882T。MicroPakII 是世界上最小的無鉛邏輯封裝，僅 1.0mm2，管腳間距為 0.35mm。
2019-10-16 06:23:44
東芝推出全球最小嵌入式NAND閃存產品，可用于各種廣泛的數字消費產品【轉】東芝公司宣布推出全球最小級別嵌入式NAND閃存產品，這些產品整合了采用尖端的15納米工藝技術制造的NAND芯片。新產品符合
2018-09-13 14:36:33
什么是SOI技術？在實現CAN收發器EMC優化方面有哪些重大突破？
2021-05-10 06:42:44
大家好我使用 stm32h743 和與 fmc 連接的 nand 閃存。我搜索以查看如何為 nand 創建自己的外部加載器（我找不到任何用于 nand 閃存的外部加載器）。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件適應 nand 閃存 hal 函數和一個鏈接器來構建 .stldr？我走對路了嗎？
2022-12-20 07:17:39
NAND閃存技術已經遠離ML403板支持的CFI兼容性，您無法再找到與Xilinx為ML403板提供的閃存核心兼容的閃存芯片。我目前的項目僅限于Virtex 4平臺，由于速度需求，不能使用帶有MMC
2020-06-17 09:54:32
至 2015 年之間， NAND的市場復合年增長率將達到 7%。技術方面，內存密度因采用 25nm 及以下制程技術，讓制造商能進一步擴大優勢。領先的 NAND 閃存制造商開始用 20-30nm 范圍
2014-04-22 16:29:09
我們正處在汽車技術巨變的大門口。這次不是自動化變革，雖然自動化變革旋即到來。但這次變革是由現有的且快速發展的自動化底層技術推動。即高級駕駛員輔助系統（簡稱 ADAS）實現的防碰撞技術。
2020-05-01 06:45:20
在半導體技術中，與數字技術隨著摩爾定律延續神奇般快速更新迭代不同，模擬技術的進步顯得緩慢，其中電源半導體技術尤其波瀾不驚，在十年前開關電源就已經達到90+%的效率下，似乎關鍵指標難以有大的突破，永遠離不開的性能“老三篇”——效率、尺寸、EMI/噪聲，少有見到一些突破性的新技術面市。
2019-07-16 06:06:05
`華爾街日報發布文章稱，科技產品下一個重大突破將在芯片堆疊領域出現。Apple Watch采用了先進的的3D芯片堆疊封裝技術作為幾乎所有日常電子產品最基礎的一個組件，微芯片正出現一種很有意思的現象
2017-11-23 08:51:12
藍牙低能耗無線技術利用許多智能手段最大限度地降低功耗。藍牙2.1+EDR/3.0+HS版本(通常指“標準藍牙技術”)與藍牙低能耗(BLE)技術有許多共同點：它們都是低成本、短距離、可互操作的魯棒性無線技術，工作在免許可的2.4GHz ISM射頻頻段。
2020-03-10 07:00:39
藍牙低能耗無線技術利用許多智能手段最大限度地降低功耗。藍牙2.1+EDR/3.0+HS版本(通常指“標準藍牙技術”)與藍牙低能耗(BLE)技術有許多共同點：它們都是低成本、短距離、可互操作的魯棒性無線技術，工作在免許可的2.4GHz ISM射頻頻段。
2020-03-09 07:11:38
視頻監控技術在火災報警領域有哪些新突破？
2021-06-01 06:47:05
NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著，1989年
2010-08-30 15:48:01
183 技術領先領先別無所求：Intel NAND閃存新戰略縱覽
在最近舉辦的一次會議上，Intel公司屬下NAND閃存集團的新任老總Tom Rampone透露了有關Intel閃存業務的一個驚人規劃，
2010-02-09 10:50:09497 天合光能在開發單結晶矽電池技術方面有重大突破
天合光能(Trina Solar)宣布，在開發單結晶矽電池技術方面有重大突破，配合公司
2010-02-11 08:29:33765 IBM宣布芯片實現重大突破 可建百萬萬億次電腦
網易科技訊 北京時間3月4日消息 據《自然》雜志報道，IBM的科學家當日宣布，他們用微型硅電路取代銅線實現了芯片間
2010-03-04 08:50:13463 IBM芯片技術獲突破 光信號超級PC將成現實
IBM科學家周三表示，已經研發出一種使用光的設備，而非使用銅線，它可以使電腦芯片進行通信。該研發可以結束電腦芯片電
2010-03-05 11:48:12548 IBM宣布半導體技術重大突破 耗能少傳輸快
IBM研究人員宣布，在半導體傳輸技術上有了重大突破，可大幅提高傳輸速度，并同時減少能源損耗。
此項技術目
2010-03-08 09:34:36556 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 NAND閃存的自適應閃存映射層設計
閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數據存儲設計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:23770 
美光科技公司(MicronTechnology)與英特爾公司近日宣布試制成功了基于行業領先的50納米(nil])制程技術的NAND閃存，這兌現了它們對快速提升技術領先曲線的承諾。樣品通
2010-05-30 11:08:09632 存儲行業面臨的最大挑戰將是技術開發，尤其是NAND閃存的技術開發。
2011-01-12 10:12:55407 “第三代”光伏發電技術，也就是綠色光伏發電技術，特點是綠色、高效、價廉和壽命長。中國第三代光伏發電技術又取得了重大突破。
2011-11-30 09:34:38977 介紹了一種最新DDR NAND閃存技術,它突破了傳統NAND Flash 50 MHz的讀寫頻率限制,提供更好的讀寫速度,以適應高清播放和高清監控等高存儲要求的應用。分析該新型閃存軟硬件接口的設計方法
2011-12-15 17:11:3151 美光在NAND閃存市場的份額首次超過20%， 營業收入增長，使得排名第三的美光縮小與第二名東芝之間的差距。
2012-09-14 09:34:32877 
據國外媒體報道，IBM推出全Flash閃存產品線FlashSystem，之前早在去年10月收購了Flash閃存廠商Texas Memory Systems（TMS），歷經約半年時間完成產品技術整合
2013-05-16 15:48:19930 現在，西數全球首發了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術（下半年出樣，2018年開始量產），除了TLC類型外，其還會支持QLC，這個意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40709 東芝日前發布世界首個基于QLC（四比特單元） BiCS架構的3D NAND閃存芯片。對于閃存技術的未來發展而言，這可謂是相當重大的消息。
2017-07-04 16:30:52740 
引言 NOR Flash和NAND Flash是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Flash因為具有非易失性及可擦除性，在數碼相機、手機、個人數字助理（ PDA）、掌上電腦、MP3播放器等手持設備
2017-10-19 11:32:527 今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉型步伐較慢，低于預期。
2018-06-30 14:34:00362 DVEVM可以啟動或（默認），與非門，或通用異步接收機/發射機（UART）。NOR 閃存提供了一個字節隨機的優點訪問和執行就地技術。NAND閃存不是那么容易用它需要閃存轉換層（FTL）軟件讓它訪問；然而，由于它的價格低，速度快，壽命長，許多客戶想設計NAND閃存代替或NOR閃存。
2018-04-18 15:06:579 昨日長江存儲正式公開了其突破性技術——XtackingTM。據悉，該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產品上市周期。
2018-08-10 09:14:394625 作為NAND行業的新晉者，長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱：長江存儲）昨日公開發布其突破性技術——Xtacking?。該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產品上市周期。
2018-08-13 09:54:001665 從NAND閃存中啟動U-BOOT的設計 隨著嵌入式系統的日趨復雜,它對大容量數據存儲的需求越來越緊迫。而嵌入式設備低功耗、小體積以及低成本的要求,使硬盤無法得到廣泛的應用。NAND閃存 設備就是
2018-09-21 20:06:01485 10 月 29 日，云從科技宣布在語音識別技術上取得重大突破，該技術在全球最大的開源語音識別數據集 Librispeech 上刷新了世界紀錄，錯詞率低至 2.97%，指標提升了 25%，超過微軟、谷歌、阿里、約翰霍普金斯大學等企業及高校 。
2018-11-01 15:13:403604 據悉，近日，漢能砷化鎵（GaAs）技術再獲重大突破。據世界三大再生能源研究機構之一的德國弗勞恩霍夫太陽能系統研究所（Fraunhofer ISE）認證，漢能阿爾塔砷化鎵薄膜單結電池轉換效率達到29.1%，再次刷新世界紀錄。
2018-11-19 15:31:477041 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數據，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元（SLC）、多層單元（MLC）和三層單元（TLC）。顧名思義，在相同
2018-12-17 15:50:241684 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數據，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同
2019-04-17 16:32:345462 
東京日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC)，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術制造的NAND芯片。
2019-06-12 17:13:58660 英特爾透露,2019年第四季度將會推出96層的3D NAND閃存產品,并且還率先在業內展示了用于數據中心級固態盤的144層QLC(四級單元)NAND,預計將于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321074 有關國產閃存技術的發展與突破，相信很多人都在翹首期待，希望我們能夠擁有自己的先進閃存產品，而當長江存儲成功發展出來3D NAND存儲Xtacking架構技術的時候，我們知道，真正的國產存儲即將出現了！
2019-10-31 11:37:07882 四級單元（QLC）NAND正在進入企業領域，它可幫助降低價格，低于目前領先的三級單元（TLC）NAND。四級單元應該會讓NAND閃存在未來幾年保持主流地位，盡管有人預測，存儲級內存（SCM）和持久內存技術最終將取代NAND。SCM和持久內存可彌合NAND與更快更昂貴的DRAM之間的價格和性能差距。
2020-03-06 15:50:003353 12月18日，IBM在其官網上了宣布了一項技術突破。IBM研發部門在歷史悠久的材料科學創新基礎上，成功開發出了新的電池技術。
2019-12-19 16:38:563781 追求存儲密度以降低存儲成本不斷推動著NAND閃存技術的發展。NAND閃存技術已經從最初的SLC時代，跨越MLC、TLC向QLC時代快速演進，并且從最初的2D平面技術全面切換到3D堆疊技術。而3D NAND閃存技術也從最初的32層堆疊，發展到了目前最新一代的高達128層堆疊。
2020-04-14 15:28:031730 
無論消費者還是企業機構，大多數人在談到閃存時，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現實意義上來講，NAND閃存可以說已經成為固態硬盤的代名詞。基于塊尋址結構和高密度，使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 
我們都知道，構成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營，今天小編就來你了解閃存產品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052 IBM Research在其紐約奧爾巴尼技術中心宣布其突破性的2nm技術的消息。 據IBM官方表示，核心指標方面，IBM稱該2nm芯片的晶體管密度（MTr/mm2，每平方毫米多少百萬顆晶體管
2021-05-19 17:38:153689 
美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術，達到了創紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術達到創紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構，可以大幅度提升數據中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:552599 提升。美光全新的176層工藝與先進架構共同促成了此項突破，使數據中心、智能邊緣平臺和移動設備等一系列存儲應用得以受益，實現性能上的大幅提升。 美光技術與產品執行副總裁Scott DeBoer表示：美光的176層NAND樹立了閃存行業的新標桿，與最接近的競爭對手同類產品相比，堆疊層
2020-11-13 17:42:261872 日前，TechInsights高級技術研究員Joengdong Choe在2020年閃存峰會上作了兩次演講，詳細介紹了3D NAND和其他新興存儲器的未來。
2020-11-19 16:11:182910 ? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業的突破性革新已有多年發展歷史，隨著2D NAND容量達到極限，以及晶體管越來越小，NAND的編程時間變長，擦寫次數變少，能夠將內存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:492766 從96層NAND閃存芯片開始，海力士一直在推動4D技術的發展。本文介紹的176層NAND芯片，已經發展到第三代。從制造上來說，其能夠確保業內最佳的每片晶圓產出。
2020-12-15 17:55:342755 本周在IEEE國際電子元件會議上，IBM研究院（IBM Research）公布了在“計算內存架構”方面所取得的一項突破性成果，該架構可以為混合云平臺中的人工智能計算工作負載實現卓越的性能水平。
2020-12-18 16:06:201762 eMMC模塊因為是以NAND閃存技術為基礎而具有預定的使用壽命。它們具備有限的程序/擦除（P/E）周期，即使公司最初按照這些規范進行設計，他們也必須預見到同一系統隨著時間的推移必須應對不斷增加的工作負載挑戰。
2021-01-18 16:21:041831 在2021 IEEE國際電子器件會議(IEDM)上，IBM和三星聯合宣布，他們在半導體設計方面取得一項重大突破。
2022-03-16 09:56:02338 在3D NAND技術賽跑中，三星長期處于領先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經陸續演進至128層。
2022-06-14 15:21:152100 
IBM提出了一種稱為納米片的技術，可以像堆疊閃存cell一樣堆疊晶體管。
2022-07-01 14:48:05647 在NAND閃存的應用中，程序/擦除周期存在一個限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當每個塊的P/E周期達到最大值時，這些塊將變得不可工作，需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時，此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 
圍繞基于NAND閃存的存儲系統的對話已經變得混亂。通常，當人們討論存儲時，他們只談論NAND閃存，而忽略了單獨的，但同樣重要的組件，即控制器。但是為什么需要控制器呢？簡單地說，沒有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863 
在NAND閃存的應用中，編程/擦除周期存在限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當每個塊的P/E周期達到最大值時，這些塊變得不可工作，需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時，此NAND閃存將無法再使用。
2022-11-30 15:00:431519 
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 內存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區，硬盤的一個扇區也為512
2023-06-10 17:21:001983 3D NAND閃存是一種把內存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術。這種技術垂直堆疊了多層數據存儲單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內，容納更高的存儲容量，從而有效節約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:561729 
隨著密度和成本的飛速進步，數字邏輯和 DRAM 的摩爾定律幾乎要失效。但是在NAND 閃存領域并非如此，與半導體行業的其他產品不同，NAND 的成本逐年大幅下降。
2023-07-18 10:13:351206 
三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281 增加3D（三維）NAND閃存密度的方法正在發生變化。這是因為支持傳統高密度技術的基本技術預計將在不久的將來達到其極限。2025 年至 2030 年間，新的基礎技術的引入和轉化很可能會變得更加普遍。
2023-11-30 10:20:26244 
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