日本東北大學宣布，其研究人員開發出了溝道層使用新型碳材料——石墨烯晶體管，導通/截止比達到104以上。石墨烯一般沒有帶隙，因此即使制成晶體管也無法關閉，導通/截止比非常小。東北大學通過此次的技術開發解決了這一課題，而且還可實現超過當前硅半導體技術的晶體管高集成化。詳細介紹該技術的論文已刊登在2012年9月9日發行的學術雜志《Nature Nanotechnology》上。

　　此次的技術是由日本東北大學研究生院工學研究科名譽教授畠山力三及其助教加藤俊顯開發的。之所以能夠用沒有帶隙的石墨烯獲得高導通/截止比，是因為成功地將溝道層的石墨烯合成為被稱為“納米帶（Nanoribbon）”的細帶形狀。將石墨烯制成細帶狀就會產生帶隙，因此才有可能用作邏輯電路的晶體管。

　　此次試制的石墨烯納米帶晶體管的溝道長度約為500nm，導通/截止比為104以上，載流子遷移率約為40cm2/Vs。與原來的石墨烯晶體管相比，導通/截止比實現飛躍性提高。“將來有望微細化至溝道寬數nm、溝道長數十nm的級別”。

　　在Ni熔化前形成石墨烯

　　實現上述性能指標的晶體管制造工藝采用的是“急速加熱擴散等離子體化學氣相沉積（CVD）法”。具體步驟如下：首先在SOI（Si-on- Insulator）基板上用鎳（Ni）薄膜形成源/漏電極和溝道層的圖案。溝道層部分制成被稱為“Ni納米條”的納米帶形狀。然后，在1分鐘內將溫度提高至900～1000℃，同時使用等離子體CVD法，以甲烷（CH4）氣體為基礎，在Ni納米條上形成石墨烯。據介紹，通過控制Ni納米條的形狀，可形成任意形狀的石墨烯納米帶。

　　據東北大學的加藤介紹，此次技術的關鍵點是制造過程中的“急速加熱”和“擴散等離子體”這兩個工序。Ni可作為形成石墨烯的催化劑，這一早已為人所知。而且，以前也有研究人員曾嘗試將Ni制成納米帶狀，并在上面合成石墨烯。但是，這一嘗試并未得到滿意的結果。其原因在于，近1000℃的高溫工藝會使 Ni納米條熔化或升華，將其破壞。

　　因此，此次通過急速加熱和冷卻，并用等離子體使CH4具有高催化活性，提高了石墨烯的合成速度，從而在Ni納米條遭到破壞前就合成了石墨烯。這才為實現突破帶來了機會。

　　石墨烯量子點或為帶隙的形成做出了貢獻

　　在石墨烯納米帶理論中，石墨烯邊緣的形狀左右著帶隙的有無及大小。以前也有觀點認為，必須要以1個原子為單位制作邊緣形狀，否則很難將石墨烯納米帶用于晶體管。

　　但據加藤介紹，此次開發的技術中，“由于一個原子一個原子地制作邊緣形狀非常難，采用的是將多種邊緣形狀隨機混合在一起的方式”。在該技術中，帶隙主要是由納米帶的寬度來決定的。

　　加藤介紹說，不控制邊緣形狀也形成了帶隙的原因可能在于，獲得的帶隙嚴格來說是一種“傳輸帶隙”，而非半導體理論上的帶隙。這是在合成的石墨烯納米帶上，由圓形的“石墨烯量子點”與納米帶組合時出現的帶隙。

　　可以說，不控制邊緣形狀也可獲得帶隙的成果是石墨烯納米帶晶體管在實用化方面的一大進步。