（綜合自金融界 環球時報 彭博社 半導體風向標）

　　今天政策層面有一個大消息，特大消息，那就是我國擬全面支持半導體產業，第三代半導體產業將寫入十四五規劃，利好刺激下半導體、MINILED等科技股全天持續大漲，乾照光電、長方集團、曉程科技、聚燦光電等多股均漲20%；消費概念全天回調，白酒股集體下挫，金徽酒一度逼近跌停，食品股龍頭海天味業大跌逾7%，煌上煌跌約8%；機場航運板塊午后拉升，吉祥航空漲7%；油氣采掘概念部分走高，恒泰艾普大漲20%。

　　美國不斷利用其在全球芯片產業的優勢地位對中國進行封堵，而以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體材料結構穩定，成本低廉，可廣泛應用于現代電子設備中，大力支持發展第三代半導體行業，以期實現產業獨立自主就變得順理成章。

　　消息稱，中國正在規劃制定一套全面的新政策，以發展本國的半導體產業，應對美國政府的限制。

　　報道援引不具名的知情人士消息稱，北京正準備在到 2025 年的 5 年之內，對“第三代半導體”提供廣泛支持。相對于傳統的硅材料，第三代半導體以氮化鎵、碳化硅、硒化鋅等寬帶半導體原料為主，更適合制造耐高溫、耐高壓、耐大電流的高頻大功率器件。

　　報報道，我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業，寫入正在制定中的“十四五”規劃，計劃在2021- 2025 年期間，舉全國之力，在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面，大力支持發展第三代半導體產業，以期實現產業獨立自主，不再受制于人。

　　第三代半導體產業概況

　　1.全球SiC產業格局呈現美、歐、日三足鼎立格局，其中美國一家獨大。隨著中美貿易戰的不斷升級，半導體芯片領域成為了中美必爭之地，伴隨著華為再次被美制裁，高端裝備等領域的國產化勢在必行。此外，SiC材料和器件在軍工國防領域的重要作用，也越來越突出。SiC外延設備在推動產業鏈國產化進程中，意義尤為重大。

　　2.器件發展，材料先行，IDM模式將繼續成為行業主流。SiC將會取代Si作為大部分功率器件的材料，但不會完全替代，因為數字芯片并不適合采用SiC對Si進行替代，因此SiC預計占整個半導體行業10％左右。SiC主要應用在功率半導體上，因此IDM模式能夠確保產品良率、控制成本。

　　3.國內外差距沒有一、二代半導體明顯。先發優勢是半導體行業的特點，Cree高市占率也印證了先發優勢的重要性。相較于Si，國產廠商對SiC研究起步時間與國外廠商相差不多，因此國產廠商有希望追上國外廠商，完成國產替代。

　　企業加速跟進

　　比如第三代半導體材料中的碳化硅，擁有禁帶寬度大、器件極限工作溫度高、臨界擊穿電場強度大、熱導率等顯著的性能優勢，在電動汽車、電源、軍工、航天等領域具有廣闊的市場前景。

　　根據公開的消息我們可以看到，乾照光電作為深圳第三代半導體研究院共建單位之一，致力于MicroLED等半導體前沿技術的研發和產業化。三安光電在長沙設第三代半導體研發及產業化項目，正在建設階段。露笑科技投資100億元建設第三代功率半導體產業園。

　　比如，揚州揚杰電子科技股份有限公司成立于2006年8月2日。2014年1月，公司在深交所創業板掛牌上市。公司集研發、生產、銷售于一體，專業致力于功率半導體芯片及器件制造、集成電路封裝測試等領域的產業發展。

　　公司主營產品為各類電力電子器件芯片、功率二極管、整流橋、大功率模塊、DFN/QFN產品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等，產品廣泛應用于消費類電子、安防、工控、汽車電子、新能源等諸多領域。
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