柵(Gate)是一種控制元件,通常用于場效應晶體管(FET)中,比如金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)等。
2024-03-13 11:41:42222 如下硅與石墨復配的負極材料的背散SEM,圓圈標的地方是硅嗎?如果不是還請大佬指點一下,那些位置是硅?
2024-03-12 08:53:37
值得注意的是,全新的AI Explorer功能備受關注。據悉,它即將成為AI PC與普通PC的分水嶺,并提供獨特的AI先前操作搜索服務,這與微軟曾經推出的Windows 10時間軸服務相仿。
2024-03-11 09:28:46261 Intel 硅光子Intel?硅光子將硅集成電路和半導體激光兩個重要發明結合在一起。與傳統電子產品相比,它可以實現更遠距離的數據傳輸。它利用了Intel?大批量硅制造的效率。特性為數據中心及其他領域
2024-02-27 12:19:00
人工破碎就是工人用碳化鎢錘多晶硅棒進行錘擊達到粉碎的目的。碳化鎢的硬度僅次于鉆石,能夠保持鋒利的邊緣和形狀,即使在高強度使用下也不容易磨損。
2024-02-27 10:17:40181 關注和應用。本報告旨在探討PFA晶圓夾在芯片制造中的具體應用。 PFA晶圓夾是一種用于半導體多晶硅行業的特殊夾具,而PFA材質良好的性能常常應用于半導體行業 那么有什么特點呢?一起來看看吧: 1.耐高溫性:PFA晶圓夾可以耐受高溫
2024-02-23 15:21:52151 淺談安科瑞有源濾波器在多晶硅行業中的應用 張穎姣 安科瑞電氣股份有限公司 上海嘉定 201801 摘要:本文結合青海黃河水電多晶硅項目中的有源濾波器使用效果進行應用分析,結果表明有源濾波器在多晶硅
2024-02-22 14:46:52120 從行業發展階段來看,AI手機也將成為繼功能機、智能手機之后,手機行業的第三階段。
2024-02-22 09:13:45180 inFET 技術有幾個含義。最重要的是,硅鰭片的高度和寬度尺寸是由制造工藝決定的,而不是由電路設計者決定的。這意味著每個晶體管的寬度尺寸是由柵極多晶硅穿過的鰭的數量而不是擴散形狀的寬度來設置的。
2024-02-21 18:19:30172 梯隊的廠商們還在成熟工藝上穩扎穩打。 ? 早在兩年前,我們還會將28nm視作成熟工藝以及先進工藝的分水嶺。但隨著3nm的推出,以及即將到來的2nm,成熟工藝的定義已經發生了變化,分水嶺已然換成了T2和T3晶圓廠不愿投入的7nm/8nm工藝
2024-02-21 00:17:002598 電力企業造成了較大的經濟損失甚至是人身傷亡。
內蒙東立“年產4.8萬噸多晶硅”項目,占地占地700畝畝,項目共分二期建設,東立光伏年產4.8萬噸多晶硅項目總投資116億元,規劃建設7500兆瓦
2024-02-20 11:04:57
,單晶光伏板和多晶光伏板的材料不同。單晶光伏板由高純度硅材料制成,硅材料由純凈的硅石經過高溫熔煉而來,再經過拉晶、切片、拋光等步驟制成單晶硅片。而多晶光伏板采用的是多晶硅材料,制備工藝相對簡單一些,直接從熔融
2024-02-03 09:19:22651 多晶硅(polysilicon)是太陽能電池、儲能設備和半導體領域中廣泛使用的關鍵材料。
2024-01-23 17:16:18199 多晶硅是一種重要的半導體材料,在許多領域都有廣泛的應用。以下是多晶硅的一些主要用途。 太陽能電池板制造:多晶硅是太陽能電池板制造的關鍵材料之一。它可以通過將硅礦石熔化、形成硅棒并切割成薄片,進而制備
2024-01-23 16:01:47666 光伏板單晶和多晶哪個發電多? 太陽能光伏板是利用太陽光的能量轉換為電能的裝置。而光伏板的發電效率是一個衡量其性能的重要指標。單晶和多晶是光伏電池的兩種常見制造工藝,它們在發電效率上有所不同。在這
2024-01-23 14:58:14349 2023年是技術發展的分水嶺,生成式人工智能成為主流。隨著我們進入2024年,預計生成式人工智能格局將迅速演化,引入一系列有望改變技術及其應用的趨勢,包括多模態人工智能模型、小語言模型、自主代理等。
2024-01-23 09:50:25580 高質量的p型隧道氧化物鈍化觸點(p型TOPCon)是進一步提高TOPCon硅太陽能電池效率的可行技術方案。化學氣相沉積技術路線可以制備摻雜多晶硅層,成為制備TOPCon結構最有前途的工業路線之一
2024-01-18 08:32:38287 在MEMS器件設計過程中電學性能是重中之重。MEMS大多數由襯底、介質層和金屬層組成,硅襯底、多晶硅和金屬均與電學性能密不可分。
2024-01-13 10:38:201064 來源:物聯網智庫,謝謝 編輯:感知芯視界 Link 根據智次方·物聯網智庫的判斷,2024年將是AIoT產業發展的分水嶺,智能物聯2.0開啟,產業將進入“通感智值一體化”的新階段,啟動新一輪的強勢
2024-01-10 10:59:38173 SEMI-e 第六屆深圳國際半導體技術暨應用展覽會將持續關注產業核心技術和發展前沿,向20多個應用領域提供一站式采購與技術交流平臺。
2023-12-25 16:43:54284 光伏產業鏈涵蓋多晶硅料、硅片、電池片、組件以及電站五個環節。產業鏈以硅材料為主線,具體包括:上游為高純度多晶硅料以及硅片生產;中游為光伏電池片及組件生產;下游為光伏發電的應用端即集中式和分布式電站。
2023-12-13 09:39:08254 外延工藝的介紹,單晶和多晶以及外延生長的方法介紹。
2023-11-30 18:18:16877 9月份,西安智多晶微電子有限公司再傳好消息,智多晶微電子完成了數億人民幣的E輪融資,此次智多晶微電子的E輪融資由尚頎資本(上汽集團金融平臺上汽金控旗下私募股權投資機構)在管基金、上汽金控旗下上汽
2023-11-30 17:37:25789 名為貝嶺LC2251CKCTR的1.5A 2MHz 5.5V同步降壓轉換器。貝嶺LC2251CKCTR是一款高性能的同步降壓轉換器,它具有1.5A的輸出電流,工作頻
2023-11-28 16:21:19
太陽能光伏板的主要材料是硅,通常采用單晶硅、多晶硅或非晶硅等不同類型的硅片制成,以吸收和轉換太陽光為電能。
2023-11-25 09:34:20849 多晶硅層用作電荷俘獲層是RF-SOI中提高器件射頻性能的關鍵技術,晶粒大小、取向、晶界分布、多晶硅電阻率等參數與電荷俘獲性能有密切的關系;此外,由于多晶硅/硅的復合結構,使得硅晶圓應力極難控制。
2023-11-21 15:22:10410 據報道,內蒙古鑫華半導體科技有限公司有關負責人表示,該項目投資約28億元,產值約24億元,可生產1萬噸電子級硅。鑫華是目前國內最大的半導體多晶硅供應企業。
2023-11-17 14:55:25677 IPP-2010 型號簡介IPP(Innovative Power Products )的IPP-2010 是一款插入式 90 度混合耦合器,工作頻率為 88 至 108 MHz
2023-11-08 20:55:30
,適用于單晶硅、多晶硅、非晶薄膜、染料敏化、有機、III-V 族半導體等各種不同類型的太陽電池。太陽光模擬器不僅應用于太陽能電池研究,還可用于光電響應型器件測試,表面
2023-11-04 15:44:27
電子發燒友網站提供《如何生產多晶硅太陽能電池.doc》資料免費下載
2023-11-02 10:09:500 可以直接用光耦三極管來控制可控硅的g極嗎?之前沒用過,可以把可控硅理解為一個大功率高速開關嗎
2023-11-02 06:51:06
成立于2008年,是一家致力于電子元器件行業的代理分銷機構,經營的產品有:集成電路、單片機、二極管、三極管、MOS管、可控硅、數據收發模塊等。公司主要代理銷售芯茂
2023-10-26 10:38:11
硅,我們都知道。但是芯片制程中的硅,有的用的是單晶硅,有的用的是多晶硅。多晶硅與單晶硅的性能差別很大,那么他們各有哪些優良性質?有哪些應用?又是怎樣制造出來的呢?
2023-10-26 09:47:01501 請教各位大神,如圖,這個是延遲關斷燈的電路,請問這個電路開始按下開關的時候,可控硅是怎么打開的,電路的上可控硅的G極我看不出來有正向的電壓啊。。。。2個穩壓管的參數我是隨便寫的,可以的話幫忙算下穩壓管大概多少值的。手上沒工具測。
2023-10-24 16:05:18
有沒有簡單一些的辦法實現可控硅直流關斷技術
2023-10-10 07:21:55
集成電路封裝測試行業具有資本密集、技術更新速度快的特點,資金門檻和技術門檻較高,業務規模及資金優勢尤為重要。
2023-10-09 11:16:23511 儲能便攜電源充電的時候,有一種充電方式是太陽能板充電。這種充電方式非常適合在遠離都市沒有電源的環境下利用太陽光進行充電,身在曠野也不用擔心用電問題,這是戶外電源非常受旅友喜歡的一個原因。
2023-10-07 10:37:08431 實用可控硅電路集合
2023-09-26 14:19:22
L3是智能駕駛產業鏈關鍵分水嶺。根據億歐智庫的數據,2020年L2級自動駕駛滲透率為9%,2021年為18%,2022年L2及以上的自動駕駛的滲透率有望提升至25%,2025年預計提升至37%,L3及以上滲透率達5%。
2023-09-25 17:47:28880 2023-09-18 17:04:381 太陽能電池(光伏電池):是光伏組件的核心部分,將太陽光轉化為電能。常見的光伏電池包括單晶硅、多晶硅和薄膜硅等。
2023-09-03 10:46:53445 的尺寸和更輕的重量。 傳統硅晶體管有兩種類型的損耗:傳導損耗和開關損耗。 功率晶體管是開關電源中功率損耗的主要原因。 為了遏制這些損失,GaN 晶體管(取代舊的硅技術)的開發已引起電力電子行業的關注
2023-08-21 17:06:18
將跟循匯川技術測試臺行業總經理黨亞輝與測試臺行業技術總工趙歐先生的分享,一同探尋匯川技術在汽車測試領域的前沿成果和價值。 2019年始, 匯川以行業化能力助推測試臺業務高質量發展 2019年是匯川測試臺業務時間分水嶺,
2023-08-18 17:05:02444 開關電源常用的開關管有哪些類型 開關電源的開關管是構成開關電源的核心部分,其主要功能是對高電壓、大電流進行開關控制,實現輸入電源與輸出負載之間的轉換。常見的開關管類型包括多晶硅管、背陰極場效應管
2023-08-18 14:07:132241 JJG506-2010直流比較儀式電橋
2023-08-15 14:42:460 實際使用的材料多由多晶體組成,多晶體材料是由許多取向不同的小單晶體,即晶粒組成的。晶粒和晶粒之間的過渡區域就稱為晶界
2023-08-11 10:20:381077 中國的光模塊廠商很多很多,多得遠遠超過大多數人的想象,而這中間,90%以上的規模都很小,甚至有些說他們是小作坊也不為過。那么,這個產業的門檻真的是如此之低嗎?這篇文章主要來解答這個疑問。
2023-08-08 14:35:18794 100%、零百加速4.2秒、輪邊扭矩超過1.6萬牛·米,行業領先的越野性能背后,猛士擁有一批‘黑科技’。”猛士科技CEO曹東杰介紹,背靠東風集團“三電”技術、電子電氣架構和智能化技術研發的前沿成果,在高端電動越野車市場,來自武漢的猛士具備
2023-08-04 18:25:01319 2023年上半年以多晶硅致密料、單晶硅片M10、單晶PERC電池片M10為例,價格分別下降71.43%、51.97%、34.26%。 年內多晶硅致密料最高價位于2月,硅片最高價位于4月中旬,電池
2023-07-17 15:34:51639 多晶硅 本周多晶硅復投料價格61-70元/千克,致密料價格58-67元/千克,多晶硅價格大穩小動。 隨著6月底多筆萬噸大單簽訂多晶硅生產企業庫存壓力顯著減少,市場價格觸底言論盛行,多家貿易商進場囤貨
2023-07-14 16:15:57191 2023年上半年,國內光伏市場“劇烈動蕩”,在市場各個主材環節過剩的大背景下,光伏上游價格出現“雪崩”,SMM價格追蹤顯示截至6月30日,國內多晶硅價格較上半年高點跌幅達到72.2%,182mm硅片
2023-07-13 15:02:291519 IGBT單胞結構參數:溝道長度4.3μm,溝道寬度2E4μm,多晶硅區半寬度13μm,窗口區半寬度12μm
2023-07-05 10:40:22585 編者注:TSV是通過在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通;TSV技術通過銅、鎢、多晶硅等導電物質的填充,實現硅通孔的垂直電氣互聯,這項技術是目前唯一的垂直電互連技術,是實現3D先進封裝的關鍵技術之一。
2023-07-03 09:45:342001 融合數字技術和電力電子技術,邁向數字能源新時代,共建綠色美好未來
2023-06-29 18:46:28703 在DRAM生產中,離子注入技術被應用于減少多晶硅和硅襯底之間的接觸電阻,這種工藝是利用高流量的P型離子將接觸孔的硅或多晶硅進行重摻雜。
2023-06-19 09:59:27317 的電壓,其漏極漂移區為10-20μm,或大約40-80V/μm。這大大高于硅20V/μm的理論極限。然而,氮化鎵器件目前仍然遠遠低于約300V/μm的禁帶寬度極限,這為未來的優化和改進,留下了巨大的空間
2023-06-15 15:53:16
什么是單晶硅,什么是多晶硅,二者究竟是怎么形成的,單晶硅和多晶硅有什么區別,多晶矽與單晶硅的主要差異體現在物理性質方面,主要包括力學性質、電學性質等方面,下面具體來了解下。
2023-06-12 16:44:423975 ME設備越過門檻運動試驗裝置 本設備符合標準GB 9706.1-2020 醫用
2023-06-12 10:02:04
當晶體管尺寸縮小時,多晶硅內摻雜物的擴散效應可能會影響器件的性能。
2023-06-11 09:09:19727 儀器等領域,其中, 通訊設備和消費類電子是當下電源管理IC最大的終端應用市場。因為低端電源管理IC行業的技術準入門檻較低,價格戰愈發激烈;同時伴隨著新能源、AIoT、人工智能、機器人等新興應用領域的發展
2023-06-09 14:52:24
單晶硅光伏板和多晶硅光伏板都是太陽能電池板的類型,其主要區別在于材料。
單晶硅光伏板是由單個晶體制成的硅片組成。該類型的太陽能電池板具有較高的轉換效率和穩定性,因此在太陽能發電領域中應用較為廣泛。但是,制造過程成本較高,價格較貴。
2023-06-08 16:04:414914 BSIM5模型從基本的一維MOSFET物理學出發,推導出基本的電荷和通道電流方程,然后將其擴展到準二維和三維情況,包括短通道、窄通道、多晶硅耗盡和量子力學效應。
2023-06-08 09:01:57860 ZXTN2010ZQ 產品簡介DIODES 的 ZXTN2010ZQ 這種采用 SOT89 外形封裝的新型低飽和 60V NPN 晶體管具有極低的導通狀態損耗,使其非常適合用于 DC-DC
2023-06-07 20:39:05
ZXTN2010Z 產品簡介DIODES 的 ZXTN2010Z 這種采用 SOT89 外形封裝的新型低飽和 60V NPN 晶體管具有極低的導通狀態損耗,使其非常適合
2023-06-07 20:32:27
ZXTN2010G 產品簡介DIODES 的 ZXTN2010G 這款新型低飽和 60V NPN 晶體管采用 SOT223 封裝,導通狀態損耗極低,非常適合用于 DC-DC
2023-06-07 20:25:43
ZXTN2010A 產品簡介DIODES 的 ZXTN2010A 這種采用 E 線輪廓封裝的新型低飽和 60V NPN 晶體管提供極低的導通狀態損耗,使其非常適合用于 DC-DC 電路以及
2023-06-07 20:09:36
硅的堿性刻蝕液:氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺(TMAH)溶液,晶片加工中,會用到強堿作表面腐蝕或減薄,器件生產中,則傾向于弱堿,如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒,一部分機理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011596 多晶硅 晶7元/千克,多晶硅致密料主流價格110-123元/千克,多晶硅價格指數106.23元/千克。 多晶硅價格再度走跌,多晶硅庫存持續走高目前已經逼近13萬大關,硅片價格的走跌一定程度加速
2023-06-05 09:53:13918 審核編輯?黃宇
2023-06-05 09:52:18153 Marvell?88E2010-A1-BUS4C000是個充分符合IEEE802.3bz標準化的1端口(88E2010)或4端口(88E2040L)物理層(PHY)設備產品
2023-06-02 13:45:55242 審核編輯?黃宇
2023-06-01 09:38:20245 審核編輯?黃宇
2023-05-31 10:04:53149 init_boot
生成線以將 u-boot-imx8qxp.imx 閃存到 bootloader0 的分區
生成行以將 partition-table.img 閃存到 gpt 分區
生成行以將
2023-05-29 07:22:06
密鑰的跟蹤器。
我計劃使用 CPU 的硅 ID 作為 SAM 主密鑰,以便將它們綁定在一起
是否有為 SAM 創建主密鑰的行業標準方法?
2023-05-18 14:53:23
單晶爐,全自動直拉單晶生長爐,是一種在惰性氣體(氮氣、氦氣為主)環境中,用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生長無錯位單晶的設備。
2023-05-16 09:48:515624 LTC?3524 是一款集成 BIAS 和白光 LED 功率轉換器解決方案,以用于中小尺寸的多晶硅薄膜晶體管 (TFT) 液晶 (LCD) 顯示屏。該器件采用單節鋰離子/鋰聚合物電池或任何 2.5V
2023-05-15 17:04:32
NPT2010MACOM 的 NPT2010 是一款射頻晶體管,頻率 DC 至 2.2 GHz,功率 50 dBm,功率(W)100 W,飽和功率 50.5 dBm,增益 17 dB。標簽:法蘭
2023-04-14 15:36:07
光伏電站的光伏板電壓是變化的,因為它受到多個因素的影響。一般來說,標準的單晶或多晶硅太陽能電池板的額定電壓為大約 30 ~ 40 伏特。
2023-04-11 15:28:0422601 如圖所示:1.單片機給IO口發送一個高電平后光耦3063會立即導通還是在交流電壓的過零點導通2.如果光耦在輸入電壓的過零點導通,是否可以認為可控硅兩端的電壓為零,此時可控硅不導通,那如果是這樣請問這個電路可控硅是何時導通的,又是和是關斷的 。導通是可控硅T2和G極之間的電壓為多少,怎么理解
2023-04-10 21:59:00
吉時利2010|Keithley|K2010|七位半萬用表
2023-04-08 20:19:321430 DRAM柵工藝中,在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層,然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:162195 2020年和2021年,隨著消費電子的需求激增,CMOS圖像傳感器市場獲得了爆發式增長。可在2022年,多個主營領域受到了沖擊,使得CMOS圖像傳感器不同細分市場占比出現調整。
2023-04-03 11:10:30776 下圖顯示了Intel的第6代晶體管(6T)SRAM尺寸縮小時間表,以及多晶硅柵刻蝕技術后從90nm到22nm技術節點6TSRAM單元的SEM圖像俯視視圖。可以看出,SRAM的布局從65nm節點已發生
2023-04-03 09:39:402451 SMPA2010 級聯,醫學。力量SMPA2010 功率放大器是一種分立式混合設計,它使用薄膜制造工藝實現精確的這種單級 GaAs FET 反饋放大器設計,在寬帶頻率范圍內顯示出令人印象
2023-03-30 16:59:21
U2010B
2023-03-29 17:57:53
導通。以BTA41為例,其電路符號及封裝如下: G極為控制極,當G極有正向(或負向)脈沖時,雙向可控硅導通,直到交流信號過零點時關斷,如下圖所示。 因此,要通過單片機控制輸出電壓,首先需要檢測交流信號
2023-03-23 15:19:30
根據國際汽車工程師學會(SAE)自動駕駛等級劃分,自動駕駛技術分為L0-L5六級。其中,L0-L2屬于ADAS(高級輔助駕駛系統)范疇,仍然需要駕駛員駕駛;L3是分水嶺,從L3開始,汽車才真正進入到自動駕駛范疇;
2023-03-23 11:28:362340
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