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電子發燒友網>業界新聞>行業新聞>多晶硅“門檻”定調:2010或成行業分水嶺

多晶硅“門檻”定調:2010或成行業分水嶺

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LTC3524EUF#TRPBF是一款驅動器

LTC?3524 是一款集成 BIAS 和白光 LED 功率轉換器解決方案,以用于中小尺寸的多晶硅薄膜晶體管 (TFT) 液晶 (LCD) 顯示屏。該器件采用單節鋰離子/鋰聚合物電池任何 2.5V
2023-05-15 17:04:32

NPT2010 射頻晶體管

NPT2010MACOM 的 NPT2010 是一款射頻晶體管,頻率 DC 至 2.2 GHz,功率 50 dBm,功率(W)100 W,飽和功率 50.5 dBm,增益 17 dB。標簽:法蘭
2023-04-14 15:36:07

光伏電站的光伏板電壓是多少

光伏電站的光伏板電壓是變化的,因為它受到多個因素的影響。一般來說,標準的單晶或多晶硅太陽能電池板的額定電壓為大約 30 ~ 40 伏特。
2023-04-11 15:28:0422601

光耦MOC3063驅動可控

如圖所示:1.單片機給IO口發送一個高電平后光耦3063會立即導通還是在交流電壓的過零點導通2.如果光耦在輸入電壓的過零點導通,是否可以認為可控兩端的電壓為零,此時可控不導通,那如果是這樣請問這個電路可控是何時導通的,又是和是關斷的 。導通是可控T2和G極之間的電壓為多少,怎么理解
2023-04-10 21:59:00

吉時利2010七位半萬用表介紹

吉時利2010|Keithley|K2010|七位半萬用表
2023-04-08 20:19:321430

半導體行業之刻蝕工藝技術

DRAM柵工藝中,在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層,然后再使用氯元素刻蝕多晶硅
2023-04-07 09:48:162195

車載將成CMOS圖像傳感器市場分水嶺,產業界準備好了么?

2020年和2021年,隨著消費電子的需求激增,CMOS圖像傳感器市場獲得了爆發式增長。可在2022年,多個主營領域受到了沖擊,使得CMOS圖像傳感器不同細分市場占比出現調整。
2023-04-03 11:10:30776

多晶硅蝕刻工藝講解

下圖顯示了Intel的第6代晶體管(6T)SRAM尺寸縮小時間表,以及多晶硅柵刻蝕技術后從90nm到22nm技術節點6TSRAM單元的SEM圖像俯視視圖。可以看出,SRAM的布局從65nm節點已發生
2023-04-03 09:39:402451

SMPA2010 功率放大器

SMPA2010 級聯,醫學。力量SMPA2010 功率放大器是一種分立式混合設計,它使用薄膜制造工藝實現精確的這種單級 GaAs FET 反饋放大器設計,在寬帶頻率范圍內顯示出令人印象
2023-03-30 16:59:21

U2010B

U2010B
2023-03-29 17:57:53

單片機控制可控調壓簡介

導通。以BTA41為例,其電路符號及封裝如下:  G極為控制極,當G極有正向(負向)脈沖時,雙向可控導通,直到交流信號過零點時關斷,如下圖所示。  因此,要通過單片機控制輸出電壓,首先需要檢測交流信號
2023-03-23 15:19:30

智能網聯汽車產業發展態勢如何?

根據國際汽車工程師學會(SAE)自動駕駛等級劃分,自動駕駛技術分為L0-L5六級。其中,L0-L2屬于ADAS(高級輔助駕駛系統)范疇,仍然需要駕駛員駕駛;L3是分水嶺,從L3開始,汽車才真正進入到自動駕駛范疇;
2023-03-23 11:28:362340

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