臺積電總裁魏哲家在報告會上稱,自去年下半年起,3納米制程便已開始投入量產。受益于手機與HPC市場需求,今年3納米系列產品營收將實現3倍以上的增長,業總營收比例也有望由去年的6%上升到14%-16%之間。
2024-03-13 15:21:2761 據最新報道,全球領先的NAND閃存制造商鎧俠已決定重新審視其先前的減產策略,并計劃在本月內將開工率提升至90%。這一策略調整反映出市場需求的變化和公司對于行業發展的積極預期。
2024-03-07 10:48:35263 芯片燒錄行業領導者-昂科技術近日發布最新的燒錄軟件更新及新增支持的芯片型號列表,其中Macronix旺宏電子的256Mb位串行NOR閃存MX25L25673GM已經被昂科的通用燒錄平臺AP8000所支持。
2024-03-01 19:19:3058 2022年10月起,鎧俠已經減少了在日本四日市和北上市兩家工廠的NAND晶圓投片量達30%。截至目前,鎧俠NAND生產已恢復至原廠產能的兩成左右。
2024-03-01 13:53:55159 我嘗試在藍牙模塊CYBT-343026-01(CYW20706)上下載應用程序到串行閃存,但失敗了。
第一步是按照 AIROC? HCI UART 控制協議文檔(見下文)的指示向模塊發送
2024-03-01 11:59:18
該項合作進一步強化了ADI的多元化制造體系結構,提高了抵御外部風險的能力,有助于推動產品產能的迅速提升和規模化生產,以滿足消費者日益增長的需求。
2024-02-25 15:46:34256 臺積電預期,目前營收總額約 70% 是來自 16 納米以下先進制程技術,隨著 3 納米和 2 納米制程技術的貢獻在未來幾年漸增,比重將會繼續增加,預估未來成熟制程技術占營收總額將不超過 2 成。
2024-02-21 16:33:23320 據悉,臺積電的3 納米工藝將在2023年下半年以N3B為主,單月產能由之前的約6萬片提高至8萬片。2024年起N3E即將上場,月產能將逐步攀升至10萬片,主要客戶涵蓋蘋果以及英特爾、聯發科、高通等多元客戶群。
2024-02-20 09:46:56168 臺積電仍將堅守主打地位,為英偉達供應高達90%的尖端封裝產能。但推測中提到,自2024年第二季度起,英偉達有意將英特爾的產能納入多款產品的制作周期內。
2024-02-01 15:27:23209 ; 沒有這樣的文件或目錄\"。
似乎串行閃存庫尚未設置。在庫管理器1.0下,而我使用的是庫管理器2.0,在管理器2.0下找不到串行閃存庫。
在此先謝謝。
2024-01-24 07:09:52
高比表面積。納米級材料具有較高的比表面積,這意味著相同質量的納米材料相對于宏觀材料具有更多的表面積。高比表面積使得納米材料在吸附、催化和傳感等方面具有獨特的性能和應用。例如,納米催化劑可以提高反應效率,納米材
2024-01-19 14:06:424309 消息來源表示,TSMC 8英寸及12英寸晶圓工廠的利用率已分別回升至70-80%和80%。尤其值得注意的是,28納米制程的利用率已重返80%的常態范圍;而7/6納米與5/4納米制程的利用率更分別達到75%以及接近飽和狀態。
2024-01-17 13:56:19187 喜訊!
繼華秋榮獲2023中國產業數字化百強榜企業
2023深圳行業領袖企業100強后
華秋再次榮獲億邦動力2023產業互****聯網“千峰獎·數字供應鏈
12月1日晚,在2023億邦產業互聯網
2023-12-15 09:57:04
喜訊!
繼華秋榮獲2023中國產業數字化百強榜企業
2023深圳行業領袖企業100強后
華秋再次榮獲億邦動力2023產業互****聯網“千峰獎·數字供應鏈
12月1日晚,在2023億邦產業互聯網
2023-12-15 09:53:36
描述SST26VF064B串行四通道I/O (SQI)閃存器件利用4位多路復用I/O串行接口來提高性能,同時保持標準串行閃存器件的緊湊外形。SST26VF064B還支持與傳統串行外設接口(SPI
2023-12-14 10:37:13
PY25Q128HA是一種串行接口閃存設備,設計用于各種大容量的基于消費者的應用程序,其中程序代碼從閃存隱藏到嵌入式或外部RAM中進行執行。該設備靈活的擦除架構,其頁面擦除粒度也是數據存儲的理想選擇,消除了對額外數據存儲設備的需要。
2023-11-30 16:38:00267 PY25Q64HA是一種串行接口閃存設備,設計用于各種大容量的基于消費者的應用程序,其中程序代碼從閃存隱藏到嵌入式或外部RAM中進行執行。該設備靈活的擦除架構,其頁面擦除粒度也是數據存儲的理想選擇,消除了對額外數據存儲設備的需要。
2023-11-29 16:45:57390 PY25Q32HB是一種串行接口閃存設備,設計用于各種大容量的基于消費者的應用程序,其中程序代碼從閃存隱藏到嵌入式或外部RAM中進行執行。
2023-11-28 17:43:07435 的測量方法等手段來降低PDI值是提高納米材料質量和穩定性的重要途徑之一。七、總結
PDI作為衡量顆粒尺寸分布均勻程度的重要指標,在納米材料制備和生物醫藥領域的應用中具有重要意義。通過控制制備工藝、選擇
2023-11-28 13:38:39
天岳先進、天科合達、三安光電等公司均斥資提高碳化硅晶圓/襯底產能,目前這些中國企業每月的總產能約為6萬片。隨著各公司產能釋放,預計2024年月產能將達到12萬片,年產能150萬。
2023-11-24 15:59:231077 中圖儀器SJ5730系列納米探針式輪廓儀采用超高精度納米衍射光學測量系統、超高直線度研磨級摩擦導軌、高性能直流伺服驅動系統、高性能計算機控制系統技術,分辨率高達0.1nm,系統殘差小于3nm
2023-11-09 09:14:22
TrendForce統計,28納米以上的成熟制程及16納米以下的先進制程,2023~2027年全球晶圓代工產能比重約維持7比3。其中,中國大陸因積極擴增成熟制程產能,全球占比估自29%增至33%,臺灣則估自49%降至42%。
2023-11-02 16:04:0796 日前有媒體報道稱,受三星等存儲原廠減產以及國內閃存龍頭存儲顆粒產能不足的影響,內存和閃存元器件采購成本逐步上漲。
2023-10-16 11:13:05452 納米科技的迅猛發展將我們的視野拓展到了微觀世界,而測量納米級尺寸的物體和現象則成為了時下熱門的研究領域。納米級測量儀器作為一種重要的工具,扮演著重要的角色。那么,如何才能準確測量納米級物體呢?在
2023-10-11 14:37:46
新華財經法蘭克福9月13日電(記者何麗麗)ABB集團首席執行官比約恩·羅森格倫(Bj?rn Rosengren)13日表示,ABB集團將投資2.8億美元在瑞典新建一個工廠,將其在歐洲的生產能力提高
2023-09-19 10:32:40190 ? 近日,北京大學彭練矛院士/張志勇教授團隊 造出一款基于陣列碳納米管的 90nm 碳納米管晶體管 ,具備可以高度集成的能力。 基于該90nm 碳納米管晶體管技術,目前該團隊研發的高靈敏碳納米
2023-09-05 15:10:18537 內,月產能為45,000片,自1992年起,擁有超過20年晶圓代工服務經驗,于2008年自華邦電子分割后,完全專注于晶圓代工。新唐晶圓代工廠目前提供0.35微米以上工藝,包括一般邏輯(Generic
2023-08-11 14:20:51
臺積電公司的m3系列處理器和下一代iphone用a17 3納米工程制造生物處理器芯片,蘋果已經為公司的3納米1年左右廢棄了生產能力,生產期間結束之前,其他芯片制造商供應”。
2023-08-09 11:46:56319 描述 DS90UB947-Q1 是一款 OpenLDI 到 FPD-Link III 橋接器件,與 FPD-Link IIIDS90UB940-Q1/DS90UB948-Q1解串器配合
2023-08-08 14:22:50
據《電子時報》報道,三星提出的512gb nand閃存晶片單價為1.60美元,比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示,由于上下nand閃存的庫存緩慢,很難說服上調價格。
2023-08-02 11:56:24762 這些字段,不需要開發者自行去填充。本文使用hpm6200evk開發板,flash器件是華邦的W25Q64JV。使用hpm_sdk進行開發。
SPI四線模式,統稱也就QSPI。
本文是作者在使用先楫
2023-06-28 20:01:33
臺積電董事長魏哲家近日在股東大會上表示:“臺積電先進工程在南京批量生產3納米工程后,將致力于擴充生產能力。目前正在建設2納米工廠,預計2025年批量生產。”他首次表示,1.4納米工程的下一代也將在
2023-06-27 09:36:58400 臺積電的7納米工藝產能利用率不如5納米工藝。5納米工藝的產能利用率從原來的50%多增加到70%至80%左右,而7納米工藝的產能利用率也從30%至40%的水平逐步提高至50%左右。
2023-06-20 15:41:0817376 綠色封裝。
憑借內部電路的獨特設計,LM431BQ 對輸出電容的大小幾乎沒有任何限制,可以使用大電容,抗干擾能力強。
廣大客戶現可通過華秋商城購買圣邦微系列產品!作為本土“元器件電商”的“探索者
2023-06-02 14:13:38
中芯國際是中國大陸最大的半導體制造企業之一,主要業務是為其他半導體公司生產晶片。暫時中斷28納米芯片的生產擴大,將致力于提高12納米節點的生產能力。smic的決定是出于經濟上的原因。
2023-06-01 10:50:211485 你好
我們想將 Winbond QSPI Flash 與 iMXRT685 一起使用。(FlexSPI)
上面的閃存部件 W25X40CLSNIG 是否兼容 iMXRT685 FlexSPI 閃存?
RT685: MIMXRT685SFVKB
SPI-NORFlash:W25X40CLSNIG(華邦)
2023-06-01 09:03:36
我需要為生產目的對 ESP8285 IC 進行閃存編程。我正在尋找可以在 3 秒內完成此操作的 SPI 閃存編程器,而不是通常需要 24 秒/芯片的串行方法。
有人知道嗎?
2023-05-31 10:11:19
嗨,我正在通過 UART 建立連接,我使用
來更改 UART 的引腳以與另一個設備進行通信。(我不能使用原始引腳,因為串行編程問題導致第二個設備崩潰)
在我使用
之后,UART 的 2 個引腳
2023-05-31 08:53:23
和 26(U0TXD,U0RXD)。有與 SD_Data_2 和 3(引腳 18 和 19)的連接,所以我的問題是 - 我可以使用 18 和 19 通過串行連接進入閃存模式,還是我有一塊不是為訪問通常的串行引腳而設計的板?在無法訪問 25 和 26 的情況下,他們如何在生產環境中閃現這個東西?
2023-05-26 10:02:03
HPM6750IVM1是否可以支持華邦的SDRAM W9825G2JB?
如果支持,是否需要修改軟件?
2023-05-26 06:00:44
為了避免在一些用于測試 ESP8266 固件的串行終端和一些閃存編程工具之間切換,我制作了自己的小 win 程序,它將這兩個任務合并到一個 exe 中。
如果 USB2UART 橋的 RTS
2023-05-24 07:39:04
我對從 S32G274A 控制 Micron MT35XU512ABA QSPI 串行 NOR 閃存感到頭疼。
該板是定制板(不是 NXP RDB2 或 EVP 之一)。
我使用 NXP
2023-05-18 08:48:37
我有一個帶有兩個 rt600 處理器的設置,其中只有一個連接了閃存。
我想從閃存啟動一個處理器,然后該處理器通過串行連接將圖像發送到另一個處理器。
兩個圖像都需要經過身份驗證。我已經成功地為第一個
2023-05-18 06:56:48
我想在 RT685 上測試主引導串行模式。我有 MIMXRT685-EVK。
最后,我想要兩臺 RT685,一臺連接閃存,然后通過串行啟動啟動另一臺。現在我只想測試串行啟動。
我假設如果我將軟件鏈接
2023-05-12 06:30:39
500 毫秒在閃存上切換一次,所以有東西在運行。我的理解是,對于未初始化的閃存,它最終應該會故障轉移到串行下載器。使用 blhost 嘗試與其交談毫無進展(無回復)。我已經將 BOOTMODE 更改
2023-05-09 07:42:23
OCSiAl通過技術革新,提升了單壁碳納米管粉料的產能,同時推出了新一代的高固含導電產品,相較現有產品,固含提升在2倍以上,進一步降低單壁碳納米管的使用成本,提升性價比。
2023-04-20 09:34:461282 請給我指出 RT1176 支持的 QSPI 閃存設備列表?比如是否支持華邦#W25Q32JV器件?
2023-04-20 08:03:06
我正在嘗試使用 MCUXpresso 安全配置工具通過 UART 閃存 MIMXRT1064。所有必要的配置都已完成。引導模式設置為串行下載器 (01)。處理器連接正確。我們反復遇到同樣的錯誤。是否有任何其他配置或設置需要完成?請幫助
2023-04-14 06:39:09
帶多I/O SPI的3V四路串行閃存
2023-04-06 11:13:39
4 Mbit SPI串行閃存
2023-04-04 20:31:37
16位串行閃存 SOP8_150MIL
2023-03-31 12:05:19
512 Kbit SPI串行閃存
2023-03-28 18:25:33
16M位串行閃存
2023-03-28 16:48:13
帶雙、四SPI的3V 64M位串行閃存
2023-03-28 15:18:30
帶雙/四SPI的3V 256M位串行閃存
2023-03-28 15:18:04
512K位[x 1]CMOS串行閃存
2023-03-28 15:17:15
64GB 嵌入式納米SD NAND閃存
2023-03-28 13:04:38
128GB 嵌入式納米SD NAND閃存
2023-03-28 13:04:37
16M BIT 串行接口閃存
2023-03-28 13:02:32
16M BIT 串行接口閃存
2023-03-28 13:02:29
32M BIT 串行接口閃存
2023-03-28 13:02:29
32M BIT 串行接口閃存
2023-03-28 13:02:29
8M BIT 串行接口閃存
2023-03-28 13:02:29
128M BIT 串行接口閃存
2023-03-28 13:02:28
64M BIT 串行接口閃存
2023-03-28 13:02:28
超低功耗64M位串行多I/O閃存
2023-03-28 12:53:08
超低功耗,8 m位串行多I/O閃存
2023-03-28 12:53:08
超低功耗,8 m位串行多I/O閃存
2023-03-28 12:53:08
超低功耗128M位串行多I/O閃存
2023-03-28 12:53:07
超低功耗16M位串行多I/O閃存
2023-03-28 12:53:07
超低功耗32M位串行多I/O閃存
2023-03-28 12:53:07
超低功耗32M位串行多I/O閃存
2023-03-28 12:53:07
超低功耗64M位串行多I/O閃存
2023-03-28 12:53:07
超低功耗,8 m位串行多I/O閃存
2023-03-28 12:53:07
8M位串行NOR閃存,1024K字節
2023-03-28 12:50:24
16 Mbit SPI串行閃存
2023-03-28 00:21:26
128Mb,3V,多I/O串行閃存
2023-03-28 00:18:32
3V 4位串行NOR閃存,帶雙和四芯SPI SOP8
2023-03-28 00:18:22
3.3V均勻扇區雙和四路串行閃存
2023-03-28 00:18:17
3.3V均勻扇區雙和四路串行閃存
2023-03-27 13:53:23
32 Mbit數據閃存(帶額外1位)2.3V最小SPI串行閃存
2023-03-27 13:53:05
3.3V均勻扇區雙和四串行閃存
2023-03-27 13:40:15
3.3V均勻扇區雙和四路串行閃存
2023-03-27 13:26:46
串行閃存與雙/四spi
2023-03-27 11:56:46
3.3V均勻扇區雙和四串行閃存
2023-03-27 10:55:25
3.3V均勻扇區雙和四串行閃存
2023-03-25 02:16:54
3.3V均勻扇區雙和四串行閃存
2023-03-25 02:06:57
3.3V均勻扇區雙和四串行閃存
2023-03-25 02:06:56
1Gb、3V多I/O串行閃存功能
2023-03-24 15:00:26
串行閃存與4kb扇區和雙輸出spi
2023-03-24 14:01:43
我正在嘗試編寫代碼來測試 LPC54s018-EVK 上的串行閃存。我需要首先確認逐個扇區擦除閃存是可行且有效的,然后繼續我測試的其他階段。(我不想一次擦除整個芯片,因為我們的主要軟件需要從閃存中
2023-03-23 06:06:43
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