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大陸多晶硅廠要與7大廠抗衡

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2023-10-07 10:37:08431

RFID標(biāo)簽的解密

我的項(xiàng)目里要用到一臺(tái)設(shè)備,該設(shè)備限定要用原耗材。在原耗材上有一張柔性RFID芯片,內(nèi)有預(yù)先設(shè)定的數(shù)量,比如50。 每次使用耗材時(shí),設(shè)備要讀芯片內(nèi)的數(shù)量,必須>0才能啟動(dòng),并且每使用一次就會(huì)將芯片
2023-09-26 17:37:11

實(shí)用可控電路集合

實(shí)用可控電路集合
2023-09-26 14:19:22

輪胎硫化至檢測(cè)物流系統(tǒng)# 視覺檢測(cè)#

機(jī)器視覺視覺檢測(cè)
志強(qiáng)視覺科技發(fā)布于 2023-09-20 14:43:53

GB/T 12963-2022 電子級(jí)多晶硅

2023-09-18 17:04:381

XA4057線性充電芯片PDF 原供應(yīng)100%兼容替代TP4057

XA4057線性充電芯片PDF 原供應(yīng)100%兼容替代TP4057
2023-09-07 17:46:53

光伏連接器怎么使用的

太陽(yáng)能電池(光伏電池):是光伏組件的核心部分,將太陽(yáng)光轉(zhuǎn)化為電能。常見的光伏電池包括單晶硅、多晶硅和薄膜硅等。
2023-09-03 10:46:53445

5V升壓充電8.4V PDF 原供應(yīng)100%兼容替代CS5080E

5V升壓充電8.4V PDF 原供應(yīng)100%兼容替代[i]CS5080E
2023-09-01 15:29:11

中國(guó)大陸晶圓廠擴(kuò)產(chǎn),中國(guó)臺(tái)灣檢測(cè)大廠有望受惠

中國(guó)大陸因美國(guó)的半導(dǎo)體禁令和限制,缺乏先進(jìn)制造設(shè)備,部分型號(hào)的DUV光刻機(jī)也面臨進(jìn)口限制。臺(tái)灣媒體報(bào)道說,中國(guó)大陸大陸的fab已于去年1至7月訂購(gòu)了一年的機(jī)器,因此,成熟的制造工程生產(chǎn)能力有望在最近幾個(gè)月內(nèi)陸續(xù)開設(shè),因此,半導(dǎo)體檢查及分析需求將同時(shí)大幅增加。
2023-08-29 11:37:48901

太陽(yáng)能發(fā)電選單晶還是多晶硅

電源電路DIY制作
學(xué)習(xí)電子知識(shí)發(fā)布于 2023-08-24 21:47:13

Include路徑比照原給的范例設(shè)定無法編譯如何解決?

我的Include路徑比照原給的范例設(shè)定(但用絕對(duì)路徑),但還是無法編譯,懇求各為大俠教授路徑的設(shè)定方法了…{:soso_e154:}
2023-08-24 06:11:46

開關(guān)電源常用的開關(guān)管有哪些類型?

開關(guān)電源常用的開關(guān)管有哪些類型 開關(guān)電源的開關(guān)管是構(gòu)成開關(guān)電源的核心部分,其主要功能是對(duì)高電壓、大電流進(jìn)行開關(guān)控制,實(shí)現(xiàn)輸入電源與輸出負(fù)載之間的轉(zhuǎn)換。常見的開關(guān)管類型包括多晶硅管、背陰極場(chǎng)效應(yīng)管
2023-08-18 14:07:132241

多晶體的塑性變形與細(xì)晶強(qiáng)化簡(jiǎn)析

實(shí)際使用的材料多由多晶體組成,多晶體材料是由許多取向不同的小單晶體,即晶粒組成的。晶粒和晶粒之間的過渡區(qū)域就稱為晶界
2023-08-11 10:20:381077

TJX驗(yàn)審核清單

品質(zhì)檢驗(yàn)
jf_38631377發(fā)布于 2023-07-25 11:39:48

ASML:對(duì)中國(guó)大陸***客戶供不應(yīng)求有些訂單排到2024年

行業(yè)芯事
電子發(fā)燒友網(wǎng)官方發(fā)布于 2023-07-20 11:10:33

【周評(píng)】終端觀望情緒走弱,光伏上下游價(jià)格集體反彈?

多晶硅 本周多晶硅復(fù)投料價(jià)格61-70元/千克,致密料價(jià)格58-67元/千克,多晶硅價(jià)格大穩(wěn)小動(dòng)。 隨著6月底多筆萬噸大單簽訂多晶硅生產(chǎn)企業(yè)庫(kù)存壓力顯著減少,市場(chǎng)價(jià)格觸底言論盛行,多家貿(mào)易商進(jìn)場(chǎng)囤貨
2023-07-14 16:15:57191

IGBT輸出IV溫度特性介紹

IGBT單胞結(jié)構(gòu)參數(shù):溝道長(zhǎng)度4.3μm,溝道寬度2E4μm,多晶硅區(qū)半寬度13μm,窗口區(qū)半寬度12μm
2023-07-05 10:40:22585

硅通孔TSV-Through-Silicon Via

編者注:TSV是通過在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通;TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充,實(shí)現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互聯(lián),這項(xiàng)技術(shù)是目前唯一的垂直電互連技術(shù),是實(shí)現(xiàn)3D先進(jìn)封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。
2023-07-03 09:45:342001

9.6 多晶硅薄膜材料

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:42:09

9.5 非晶薄膜材料(下)

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:41:04

離子注入技術(shù)在MOSFET單元陣列之間和連接方面的應(yīng)用

在DRAM生產(chǎn)中,離子注入技術(shù)被應(yīng)用于減少多晶硅和硅襯底之間的接觸電阻,這種工藝是利用高流量的P型離子將接觸孔的硅或多晶硅進(jìn)行重?fù)诫s。
2023-06-19 09:59:27317

之旅|華秋帶你走進(jìn)深圳PCB工廠

流程,為了實(shí)際弄清楚他們手中的PCB板是如何生產(chǎn)出來的,緊接著,大家一起走進(jìn)了華秋生產(chǎn)車間,正式開始了今天的探之旅——更深入、全面地了解他們的產(chǎn)品是怎樣經(jīng)過層層工序,最終送達(dá)到他們手中。 第一步,工藝經(jīng)理余寧
2023-06-16 11:20:41

單晶硅和多晶硅的區(qū)別

什么是單晶硅,什么是多晶硅,二者究竟是怎么形成的,單晶硅和多晶硅有什么區(qū)別,多晶矽與單晶硅的主要差異體現(xiàn)在物理性質(zhì)方面,主要包括力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)等方面,下面具體來了解下。
2023-06-12 16:44:423975

多晶硅內(nèi)摻雜物的擴(kuò)散效應(yīng)

當(dāng)晶體管尺寸縮小時(shí),多晶硅內(nèi)摻雜物的擴(kuò)散效應(yīng)可能會(huì)影響器件的性能。
2023-06-11 09:09:19727

5G技術(shù)大發(fā)展,PCB板工藝和技術(shù)新要求,你都了解嗎

、可靠性、電性能、熱性能和產(chǎn)品品質(zhì)要求嚴(yán)格,而且要求產(chǎn)品使用壽命達(dá)到十年以上,這就對(duì)PCB板工藝和技術(shù)提出了更高要求。 近期,筆者從通訊領(lǐng)域行業(yè)專家的了解并學(xué)習(xí)到通訊產(chǎn)品對(duì)PCB的技術(shù)要求,現(xiàn)在分享給
2023-06-09 14:08:34

多晶硅和單晶硅光伏板哪個(gè)好

單晶硅光伏板和多晶硅光伏板都是太陽(yáng)能電池板的類型,其主要區(qū)別在于材料。   單晶硅光伏板是由單個(gè)晶體制成的硅片組成。該類型的太陽(yáng)能電池板具有較高的轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性,因此在太陽(yáng)能發(fā)電領(lǐng)域中應(yīng)用較為廣泛。但是,制造過程成本較高,價(jià)格較貴。
2023-06-08 16:04:414914

基于反型層電荷的模型

BSIM5模型從基本的一維MOSFET物理學(xué)出發(fā),推導(dǎo)出基本的電荷和通道電流方程,然后將其擴(kuò)展到準(zhǔn)二維和三維情況,包括短通道、窄通道、多晶硅耗盡和量子力學(xué)效應(yīng)。
2023-06-08 09:01:57860

晶片濕法刻蝕方法

硅的堿性刻蝕液:氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺(TMAH)溶液,晶片加工中,會(huì)用到強(qiáng)堿作表面腐蝕或減薄,器件生產(chǎn)中,則傾向于弱堿,如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒,一部分機(jī)理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011596

【周評(píng)】組件大幅走跌,光伏市場(chǎng)價(jià)格混戰(zhàn)!P-N出現(xiàn)同價(jià)!

多晶硅 晶7元/千克,多晶硅致密料主流價(jià)格110-123元/千克,多晶硅價(jià)格指數(shù)106.23元/千克。 多晶硅價(jià)格再度走跌,多晶硅庫(kù)存持續(xù)走高目前已經(jīng)逼近13萬大關(guān),硅片價(jià)格的走跌一定程度加速
2023-06-05 09:53:13918

SMM硅基光伏晨會(huì)紀(jì)要(工業(yè)硅、多晶硅、電池片、組件、光伏玻璃)

審核編輯?黃宇
2023-06-05 09:52:18153

RISC-V軟件生態(tài)計(jì)劃“RISE”啟動(dòng),平頭哥成中國(guó)大陸唯一董事會(huì)成員

董事會(huì)中唯一的中國(guó)大陸芯片公司。RISE創(chuàng)始董事會(huì)13名成員此前,平頭哥已基本完成RISC-V與國(guó)際主流操作系統(tǒng)的全適配:率先在玄鐵RISC-V處理器上成功運(yùn)行安卓12,成果貢獻(xiàn)于AOSP開源體系;推動(dòng)
2023-06-02 15:29:02

SMM硅基光伏晨會(huì)紀(jì)要(多晶硅、電池片、光伏膠膜、光伏玻璃、逆變器)

審核編輯?黃宇
2023-06-01 09:38:20245

5.5太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的物理冶金制備

半導(dǎo)體
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-01 00:07:55

SMM硅基光伏晨會(huì)紀(jì)要(硅石、工業(yè)硅、多晶硅、硅片......)

審核編輯?黃宇
2023-05-31 10:04:53149

半導(dǎo)體工藝設(shè)備之單晶爐工藝流程

單晶爐,全自動(dòng)直拉單晶生長(zhǎng)爐,是一種在惰性氣體(氮?dú)狻⒑鉃橹鳎┉h(huán)境中,用石墨加熱器將多晶硅多晶材料熔化,用直拉法生長(zhǎng)無錯(cuò)位單晶的設(shè)備。
2023-05-16 09:48:515624

為什么旁路電容一定要與芯片的電源引腳盡量靠近呢?

為什么旁路電容一定要與芯片的電源引腳盡量靠近呢?
2023-04-21 17:37:28

電子工業(yè)大米,供需波動(dòng)導(dǎo)致行業(yè)成周期性波動(dòng)

看,中國(guó)大陸廠商合計(jì)市場(chǎng)份額不到10%,但中國(guó)手機(jī)、計(jì)算機(jī)和彩電產(chǎn)量占到全球總產(chǎn)量的90%、90%和70%以上,元器件國(guó)產(chǎn)替代的強(qiáng)烈需求也成為倒逼國(guó)內(nèi)企業(yè)發(fā)展的強(qiáng)勁動(dòng)力。長(zhǎng)期看被動(dòng)元器件作為電子工業(yè)
2023-04-21 16:19:52

光伏電站的光伏板電壓是多少

光伏電站的光伏板電壓是變化的,因?yàn)樗艿蕉鄠€(gè)因素的影響。一般來說,標(biāo)準(zhǔn)的單晶或多晶硅太陽(yáng)能電池板的額定電壓為大約 30 ~ 40 伏特。
2023-04-11 15:28:0422601

光耦MOC3063驅(qū)動(dòng)可控

如圖所示:1.單片機(jī)給IO口發(fā)送一個(gè)高電平后光耦3063會(huì)立即導(dǎo)通還是在交流電壓的過零點(diǎn)導(dǎo)通2.如果光耦在輸入電壓的過零點(diǎn)導(dǎo)通,是否可以認(rèn)為可控兩端的電壓為零,此時(shí)可控不導(dǎo)通,那如果是這樣請(qǐng)問這個(gè)電路可控是何時(shí)導(dǎo)通的,又是和是關(guān)斷的 。導(dǎo)通是可控T2和G極之間的電壓為多少,怎么理解
2023-04-10 21:59:00

半導(dǎo)體行業(yè)之刻蝕工藝技術(shù)

DRAM柵工藝中,在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層,然后再使用氯元素刻蝕多晶硅
2023-04-07 09:48:162195

多晶硅蝕刻工藝講解

下圖顯示了Intel的第6代晶體管(6T)SRAM尺寸縮小時(shí)間表,以及多晶硅柵刻蝕技術(shù)后從90nm到22nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)6TSRAM單元的SEM圖像俯視視圖。可以看出,SRAM的布局從65nm節(jié)點(diǎn)已發(fā)生
2023-04-03 09:39:402451

風(fēng)雷人日常分享#風(fēng)雷儀表 #618

儀器儀表
風(fēng)雷儀表發(fā)布于 2023-03-27 16:31:39

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