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28nm時代,F(xiàn)PGA設(shè)計取決于應(yīng)用需求

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2023-07-18 15:53:04447

臺積電放棄28nm工廠,改建2nm

據(jù)了解,臺積電已將高雄廠敲定2nm計劃向經(jīng)濟(jì)部及高雄市政府提報,希望政府協(xié)助后續(xù)供水及供電作業(yè)。因2nm制程將采用更耗電的極紫外光(EUV)微影設(shè)備,耗電量比位于南科的3nm更大,臺積電高雄廠改為直接切入2nm計劃,是否得重做環(huán)境影響差異分析,將成各界關(guān)注焦點。
2023-07-18 15:19:48682

科普一下先進(jìn)工藝22nm FDSOI和FinFET的基礎(chǔ)知識

泄漏功率仍然是HKMG(High-K Metal Gate)一個主要問題。從下圖看出,在28nm的High-K Metal Gate Stack中,leakage power仍然在總功耗中占據(jù)主導(dǎo)地位。
2023-07-12 16:24:232882

電池保護(hù)IC是多少納米工藝 鋰電池保護(hù)板工作原理及應(yīng)用案例

電池保護(hù)IC(Integrated Circuit)的納米工藝并沒有固定的規(guī)定或標(biāo)準(zhǔn)。電池保護(hù)IC的制造工藝通常與集成電路制造工藝一樣,采用從較大的微米級工藝(如180nm、90nm、65nm等)逐漸進(jìn)化到更先進(jìn)的納米級工藝(如45nm28nm、14nm等)。
2023-07-11 15:42:371169

IP_數(shù)據(jù)表(I-3):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-3):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:21:220

IP_數(shù)據(jù)表(I-10):USB2.0 Transceiver for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-10):USB2.0 Transceiver for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:21:030

IP_數(shù)據(jù)表(Z-1):GPIO for TSMC 28nm HPM/HPC/HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(Z-1):GPIO for TSMC 28nm HPM/HPC/HPC+
2023-07-06 20:19:040

IP_數(shù)據(jù)表(I-20):FPD-Link Transmitter for TSMC 28nm HPC

IP_數(shù)據(jù)表(I-20):FPD-Link Transmitter for TSMC 28nm HPC
2023-07-06 20:18:392

IP_數(shù)據(jù)表(I-19):FPD-Link Receiver for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-19):FPD-Link Receiver for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:18:200

IP_數(shù)據(jù)表(I-6):SATA PHY for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-6):SATA PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:18:070

IP_數(shù)據(jù)表(I-4):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC

IP_數(shù)據(jù)表(I-4):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC
2023-07-06 20:17:540

IP_數(shù)據(jù)表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM

IP_數(shù)據(jù)表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM
2023-07-06 20:17:410

IP_數(shù)據(jù)表(Z-4):1.8V StndardCell for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(Z-4):1.8V StndardCell for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:12:360

IP_數(shù)據(jù)表(I-2):Combo PHY for TSMC 28nm HPM

IP_數(shù)據(jù)表(I-2):Combo PHY for TSMC 28nm HPM
2023-07-06 20:12:261

IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:11:570

IP 數(shù)據(jù)表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+

IP 數(shù)據(jù)表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+
2023-07-05 19:47:130

IP_數(shù)據(jù)表(I-28):MIPI D-PHY Tx/Rx for Samsung 28nm

IP_數(shù)據(jù)表(I-28):MIPI D-PHY Tx/Rx for Samsung 28nm
2023-07-05 19:46:141

IP_數(shù)據(jù)表(I-26):USB2.0 Transceiver for Samsung 28nm

IP_數(shù)據(jù)表(I-26):USB2.0 Transceiver for Samsung 28nm
2023-07-05 19:45:460

中國半導(dǎo)體在成熟制程擴(kuò)張仍屬強勢

中國晶圓代工廠28nm市場,發(fā)展速度迅速。
2023-07-05 18:16:58585

今日看點丨臺積電:不排除在日本生產(chǎn)先進(jìn)芯片 2nm研發(fā)順利;電科裝備實現(xiàn)離子注入裝備28納米工藝制程全覆

示日本工廠將以日本客戶為中心,預(yù)計將有持續(xù)且旺盛的需求。據(jù)此前消息,該工廠規(guī)劃生產(chǎn)22/28nm以及12/16nm芯片,月產(chǎn)能目標(biāo)為5.5萬片晶圓。臺積電在發(fā)布會上強調(diào),2nm制程工藝(N2)研發(fā)順利,能夠按照此前目標(biāo)于2025年量產(chǎn)。此外,張曉強還表示,256M
2023-07-03 10:49:13731

今日看點丨小米印度公司將進(jìn)行業(yè)務(wù)重組;28nm改40nm?印度要求鴻海Vedanta合資晶圓廠重提申請

中,該提案正在荷蘭政府進(jìn)行審查。 ? 2. 28nm 改40nm ?印度要求鴻海Vedanta 合資晶圓廠重提申請 ? 據(jù)報道,鴻海集團(tuán)
2023-06-30 11:08:59934

回顧下功耗的定義及其組成部分并總結(jié)降低功耗的常用方案

隨著工藝節(jié)點的不斷發(fā)展(現(xiàn)在普遍是28nm,22nm,16nm,14nm,甚至有的都在做7nm),芯片的性能需求越來越高,規(guī)模也越來越大
2023-06-29 15:24:111741

PCB的基本原理和工作原理是怎么樣的?

的電磁兼容性(EMC)和電磁屏蔽,以減少干擾和交叉干擾。 通過這些原理,PCB提供了可靠的電路連接、機械支持和信號傳輸功能,是電子設(shè)備中電路設(shè)計和實現(xiàn)的關(guān)鍵組成部分。PCB的原理和設(shè)計取決于具體的應(yīng)用需求和電路設(shè)計要求,并受到制造工藝和質(zhì)量控制的影響。
2023-06-15 14:32:00

求分享NM1200和NM1330詳細(xì)的數(shù)據(jù)手冊

跪求新唐NM1200和NM1330詳細(xì)的數(shù)據(jù)手冊
2023-06-15 08:57:31

小眼睛FPGA盤古100K開發(fā)板概述

套件,MES100P開發(fā)板采用紫光同創(chuàng)28nm工藝的FPGA作為主控芯片(10gos2系列: PG2L100H6IFBG676)板卡電源采用圣邦微(SGM61132)+ 艾諾(EZ8303)解決方案,HDMI接口
2023-06-14 11:20:34393

【視頻】紫光同創(chuàng)Logos2系列PG2L100H關(guān)鍵特性評估板@盤古100K開發(fā)板#小眼睛FPGA盤古系列開發(fā)板

紫光同創(chuàng)Logos2系列PG2L100H關(guān)鍵特性評估板@盤古100K開發(fā)板#小眼睛FPGA盤古系列開發(fā)板#基于紫光同創(chuàng)28nm工藝的Logos2系列PG2L100H芯片,掛載2片16bit數(shù)據(jù)位寬
2023-06-12 18:02:28

【視頻】盤古Logos系列PGL22G關(guān)鍵特性評估板@盤古22K開發(fā)板#紫光同創(chuàng)FPGA開發(fā)板

【視頻】盤古Logos系列PGL22G關(guān)鍵特性評估板@盤古22K開發(fā)板#紫光同創(chuàng)FPGA開發(fā)板#基于紫光同創(chuàng)40nm工藝的FPGA主控芯片(Logos系列: PGL22G-MBG324),掛載
2023-06-12 17:38:43

中芯國際下架14nm工藝的原因 中芯國際看好28nm

的基礎(chǔ)上,實現(xiàn)了國內(nèi)14nm 晶圓芯片零的突破,并在梁孟松等專家的帶領(lǐng)下,向著更加先進(jìn)的芯片制程發(fā)起沖鋒。 然而,最近在中芯國際的公司官網(wǎng)上,有關(guān)于14nm芯片制程的工藝介紹,已經(jīng)全部下架,這讓很多人心存疑惑,作為自家最為先進(jìn)的
2023-06-06 15:34:2117913

聊聊Spartan-7到底有哪些特色與優(yōu)勢

Spartan-7依然延續(xù)了28nm工藝,更加鞏固了Xilinx在28nm的領(lǐng)導(dǎo)地位
2023-05-30 09:02:161651

請問SPC5644的wafer有多少nm

SPC5644的wafer有多少nm
2023-05-25 08:46:07

MIMXRT1060-EVKB USB dev_composite_cdc_msc_disk_freertos示例,為什么這取決于物理sd卡?

插入板載插座時它才會繼續(xù),但磁盤不會出現(xiàn)在連接到 USB 的 PC 上。如果它正在實施 ram 磁盤,為什么這取決于物理 sd 卡? 有沒有人得到這個演示來處理這個配置?
2023-05-22 08:55:45

FPGA應(yīng)用設(shè)計優(yōu)秀電源管理解決方案

FPGA 的輸入電源不是固定的,輸入電壓在很大程度上取決于實際的邏輯電平以及 FPGA 所實現(xiàn)的設(shè)計。
2023-05-15 12:32:37480

MLCC龍頭漲價;車廠砍單芯片;臺積電28nm設(shè)備訂單全部取消!

需求變化,臺積電28nm設(shè)備訂單全部取消! 對于這一消息,臺積電方面表示,相關(guān)制程技術(shù)與時間表依客戶需求及市場動向而定,目前正處法說會前緘默期,不便多做評論,將于法說會說明。 目前28nm工藝代工市場
2023-05-10 10:54:09

505nm、785nm、808nm、940nm激光二極管TO56 封裝、 500mW 100mw

808nm 激光二極管 TO56封裝 500mW XL-808TO56-ZSP-500 、XL-TO18-785-120、XL-9402TO5-ZS-1W、XL-505TO56-ZSP-100
2023-05-09 11:23:07

臺積電放棄28nm擴(kuò)產(chǎn)?

臺積電投資高雄28納米廠傳出計劃生變,供應(yīng)鏈透露高雄廠將改為先進(jìn)制程且擴(kuò)大投資。高雄市長陳其邁強調(diào),臺積電投資高雄方向不變,相關(guān)工程也都順利推動中,相信高雄絕對是臺積電投資臺灣的最佳伙伴
2023-04-19 15:10:47852

【揭秘】紫光盤古系列:盤古100K開發(fā)板

的應(yīng)用特點,開發(fā)的一套全新的國產(chǎn)FPGA開發(fā)套件。MES100P開發(fā)板采用紫光同創(chuàng)28nm工藝的FPGA 作為主控芯片(logos2系列:PG2L100H-6IFBG676),板卡電源采用圣邦微
2023-04-13 16:23:47

英飛凌推出采用28nm芯片技術(shù)的SECORA? Pay 產(chǎn)品組合 具有將出色的交易性能與易于集成的全系統(tǒng)解決方案相結(jié)合

28nm。創(chuàng)新的產(chǎn)品設(shè)計使英飛凌進(jìn)一步突破了支付卡技術(shù)工藝的極限。借此,該產(chǎn)品還為各大區(qū)域市場的支付生態(tài)系統(tǒng)提供一個可靠采購選項的最新技術(shù)。新產(chǎn)品系列在市場同類產(chǎn)品中是首款將領(lǐng)先的 28 nm芯片技術(shù)應(yīng)用于嵌入式非易失性存儲器的產(chǎn)品。其旨在緩解支付行業(yè)在成熟技術(shù)節(jié)點遇到的半導(dǎo)體短缺問題。
2023-04-04 14:16:18755

PN7160性能是取決于VDUP電壓嗎?

只需決定是否應(yīng)將 PN7160 的 VDUP 連接到 5V 或 3V3。使用非對稱天線匹配。我能否期望 3V3 / 15 歐姆匹配的結(jié)果與 5V / 20 歐姆匹配的結(jié)果大致相同,反之亦然?關(guān)于 VDUP 電源電壓是否有任何功能優(yōu)勢或劣勢(例如,在較低電壓下更好的 EMC 性能)。或者必須特別考慮的主題。我會使用匹配粗略計算天線的性能,然后如果存在 EMC 問題,則使用 TXLDO 降低它。
2023-03-30 06:03:20

半導(dǎo)體Chiplet緩解先進(jìn)制程焦慮

摩爾定律在制造端的提升已經(jīng)逼近極限,開始逐步將重心轉(zhuǎn)向封裝端和 設(shè)計端。隨著 AI、數(shù)字經(jīng)濟(jì)等應(yīng)用場景的爆發(fā),對算力的需求更加旺盛, 芯片的性能要求也在不斷提高,業(yè)界芯片的制造工藝從 28nm 向 7nm 以 下發(fā)展,TSMC 甚至已經(jīng)有了 2nm 芯片的風(fēng)險量產(chǎn)規(guī)劃。
2023-03-28 13:49:351544

Chiplet無法規(guī)模化落地的主要技術(shù)難點

隨著 AI、數(shù)字經(jīng)濟(jì)等應(yīng)用場景的爆發(fā),對算力的需求更加旺盛, 芯片的性能要求也在不斷提高,業(yè)界芯片的制造工藝從 28nm 向 7nm 以 下發(fā)展,TSMC 甚至已經(jīng)有了 2nm 芯片的風(fēng)險量產(chǎn)規(guī)劃。
2023-03-28 13:48:15892

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