電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR2、DDR3和DDR3L內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 13:58:12
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準(zhǔn)的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 13:53:030 該內(nèi)存速度高達(dá)5600MT/s，并可同時兼容5200和4800 MT/s。據(jù)詳情頁介紹，其工作電壓僅為1.1V，相較于DDR4 3200內(nèi)存，性能提升幅度為1.5倍，且將于本月底開始出貨。
2024-03-13 11:43:05
89 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51916完整DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4存儲器電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:24:340 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:13:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 10:16:450 DDR5內(nèi)存相對于DDR4有更高的內(nèi)部時鐘速度和數(shù)據(jù)傳輸速率，從而提供更高的帶寬。DDR5的傳輸速率可以達(dá)到6400MT/s以上，比DDR4的最高傳輸速率提高了一倍以上。
2024-03-12 11:23:34118 根據(jù)英偉達(dá)(Nvidia)的路線圖，它將推出其下一代black well架構(gòu)很快。該公司總是先推出一個新的架構(gòu)與數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品，然后在幾個月后公布削減的GeForce版本，所以這也是這次的預(yù)期。
2024-03-08 10:28:53318 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TPS65295完整 DDR4 存儲器電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-06 10:17:540 DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大？怎么選擇更好？ DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術(shù)，它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點(diǎn)。下面將詳細(xì)比較這兩種內(nèi)存技術(shù)，以幫助你選擇更適合
2024-01-12 16:43:052848 硬件世界拉斯維加斯現(xiàn)場報道：CES 2024大展期間，雷克沙帶來了豐富的存儲方案，涵蓋SSD、內(nèi)存、存儲卡等，包括頂級的PCIe 5.0 SSD、DDR5高頻內(nèi)存。
2024-01-12 10:32:27282 
據(jù)DRAM產(chǎn)品分類顯示，PC DRAM方面，DDR5訂單需求未得到充分滿足，買方預(yù)期DDR4價格將進(jìn)一步上漲，這激發(fā)了備貨需求。盡管新一代設(shè)備向DDR5轉(zhuǎn)型，但對于DDR4采購量增幅不定。預(yù)計PC DRAM季度合約價變化幅度將在10～15%之間，其中DDR5占據(jù)更大比例。
2024-01-08 14:27:26195 DDR5已經(jīng)開始商用，但是有的產(chǎn)品還才開始使用DDR4。本文分享一些DDR4的測試內(nèi)容。DDR4 和前代的 DDR3 相比， 它的速度大幅提升，最高可以達(dá)到 3200Mb/s,這樣高速的信號，對信號完整性的要求就更加嚴(yán)格，JESD79‐4 規(guī)范也對 DDR4 信號的測量提出了一些要求。
2024-01-08 09:18:24463 
在最為重要的內(nèi)存顆粒上，根據(jù)軟件檢測，這款內(nèi)存采用了編號為“H5CG48AEBDX018”的SK海力士A-die顆粒，與市面上大部分DDR5 7600、DDR5 8000等高速率內(nèi)存使用的顆粒相同，這也意味著該內(nèi)存可能具備優(yōu)秀的超頻潛力。
2024-01-02 14:37:01192 
由于內(nèi)存接口芯片的大規(guī)模商用要經(jīng)過下游廠商的多重認(rèn)證，還要攻克低功耗內(nèi)存接口芯片的核心技術(shù)難關(guān)，從 DDR4 世代開始，全球內(nèi)存接口芯片廠商僅剩 Rambus、瀾起科技和瑞薩（原 IDT）三家廠商。
2024-01-02 10:36:52194 
在DDR4年代，芝奇與阿斯加特成功完成逆襲，從原先的落落無名轉(zhuǎn)變?yōu)槿缃袷艿綇V大DIY玩家追捧的內(nèi)存廠商。
2023-12-29 10:41:00247 
時鐘頻率：可通過倍頻技術(shù)升級的核心頻率。時鐘頻率可以理解為IO Buffer的實際工作頻率，DDR2中時鐘頻率為核心頻率的2倍，DDR3 DDR4中時鐘頻率為核心頻率的4倍。
2023-12-25 18:18:471188 
）
DDR3內(nèi)存條，240引腳（120針對每側(cè)）
DDR4內(nèi)存條，288引腳（144針對每側(cè)）
DDR5內(nèi)存條，288引腳（144針對每側(cè)）
DDR芯片引腳功能如下圖所示：
DDR數(shù)據(jù)線的分組
2023-12-25 14:02:58
）
DDR3內(nèi)存條，240引腳（120針對每側(cè)）
DDR4內(nèi)存條，288引腳（144針對每側(cè)）
DDR5內(nèi)存條，288引腳（144針對每側(cè)）
DDR芯片引腳功能如下圖所示：
DDR數(shù)據(jù)線的分組
2023-12-25 13:58:55
如今，各行業(yè)正在加速向DDR5新紀(jì)元邁進(jìn)，無論是PC、筆記本電腦還是人工智能，都對DDR5有強(qiáng)烈的需求。隨著內(nèi)存市場需求的回暖，內(nèi)存芯片供應(yīng)商們已著手在今年第 4 季度全面拉高 DDR5 產(chǎn)能，逐步取代現(xiàn)今的 DDR4。2024年，DDR5作為一款高附加值的DRAM，將繼續(xù)受到業(yè)界各大廠商的青睞。
2023-12-13 14:31:41304 
PCB的DDR4布線指南和PCB的架構(gòu)改進(jìn)
2023-12-07 15:15:58753 DDR5加速更高速、更高效、更智能的數(shù)字化未來
2023-12-07 15:07:34185 追風(fēng)A60采用新一代DDR5內(nèi)存規(guī)格，相較DDR4，性能提升接近1倍。高配6000MHz頻率實現(xiàn)DDR4 3200MHz的1.6倍傳輸速度和1.9倍傳輸帶寬，讓用戶在使用臺電內(nèi)存條時獲得更快速、更流暢的電腦體驗。
2023-12-05 15:52:49405 
為滿足對高效內(nèi)存性能日益增長的需求，DDR5相比其前身DDR4實現(xiàn)了性能的大幅提升，具體為傳輸速度更快、能耗更低、穩(wěn)定性提高、內(nèi)存密度更大和存取效率提高等。
2023-12-05 10:50:40211 
適用于下一代大功率應(yīng)用的XHP?2封裝
2023-11-29 17:04:50265 
DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)是一種高帶寬的存儲器，今天主要講述一下DDR4在Layout過程中的一些細(xì)節(jié)。在DDR的設(shè)計過程中，DDR的Layout是十分重要的環(huán)節(jié)。
2023-11-29 15:39:101470 
對于ddr5市場的發(fā)展，威剛表示，現(xiàn)階段觀察到需求端春燕來臨，主要來自pc，隨著顧客需求的明顯好轉(zhuǎn)和pc內(nèi)存內(nèi)容的提高，明年上半年ddr5將超過ddr4，形成黃金交叉。目前在現(xiàn)貨市場上，ddr5的單價比ddr4高4-50%，從威強(qiáng)的情況來看，ddr5比重的上升有助于總利潤率。
2023-11-24 10:38:38217 英特爾新一代消費(fèi)型筆電平臺 Meteor Lake 預(yù)計第四季度問世，搭載的 DRAM 便是由 DDR4 升級為 DDR5。
2023-11-10 10:29:51279 瑞薩還分享了即將推出的下一代R-Car產(chǎn)品家族兩款MCU產(chǎn)品規(guī)劃：一款為全新跨界MCU系列，旨在為下一代汽車E/E架構(gòu)中的域和區(qū)域電子控制單元（ECU）打造所需的高性能，這款產(chǎn)品將縮小傳統(tǒng)MCU與先進(jìn)R-Car SoC間的性能差距
2023-11-09 10:49:58170 
DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計算機(jī)的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開始對兩者有了更多的關(guān)注。 DDR
2023-10-30 09:22:003885 在集中削減DDR4產(chǎn)量的同時，主要DRAM芯片制造商正在迅速轉(zhuǎn)向利潤更高的DDR5生產(chǎn)。預(yù)計到2023年底，他們的DDR5內(nèi)存bit銷售額合計將占bit銷售額總額的30-40%。
2023-10-29 15:59:48603 
飛騰派是由飛騰攜手中電港螢火工場研發(fā)的一款面向行業(yè)工程師、學(xué)生和愛好者的開源硬件，采用飛騰嵌入式四核處理器，兼容ARM V8架構(gòu)，板載64位 DDR4內(nèi)存，分為2G和4G兩個版本。主板板載WiFi
2023-10-25 11:44:22
遇到一個比較有意思的問題。一個朋友問我說：他的電腦內(nèi)存壞了，想換一條新的內(nèi)存，換DDR5內(nèi)存條是不是更好？看了他的配置之后，電腦使用的是DDR4的條子。顯然這是不能換的。
2023-10-10 11:18:13605 
做高速鏈路的小伙伴都知道，Stub總是會帶來各種影響，或者導(dǎo)致阻抗突變，或者導(dǎo)致插入損耗曲線上存在諧振，等等。本文介紹了Via stub在DDR4并行鏈路上的表現(xiàn)。下面是論文的全文。
2023-10-09 10:35:30321 
摘要：本文將對DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較，分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場景。通過對比這兩種內(nèi)存技術(shù)，為讀者在購買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101088 DDR4 3200和3600是內(nèi)存模塊的頻率標(biāo)準(zhǔn)，表示其頻率值，具有以下差異
2023-09-26 15:24:188971 相對于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線過渡，這樣的設(shè)計可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:441478 
三星公司計劃在下半年再次削減DRAM制程的產(chǎn)能，而今年以來這一減產(chǎn)主要針對DDR4。業(yè)界普遍預(yù)期，三星的目標(biāo)是在今年年底之前將庫存水平降至合理水平。這一減產(chǎn)舉措可能會導(dǎo)致DDR4市場價格上漲，而目前
2023-09-15 17:42:08996 隨著英特爾和amd將新的pc/筆記本電腦和服務(wù)器平臺更換為ddr4， ddr4的需求開始減少。因此，三星大幅減少ddr4的生產(chǎn)，轉(zhuǎn)向ddr5，試圖鞏固業(yè)界第一的位置。
2023-09-15 11:40:33555 在全默認(rèn)設(shè)置的情況下，影馳HOF OC Lab幻跡S DDR5 8000內(nèi)存的工作速率為DDR5 4800，延遲設(shè)定為40-40-40-76，因此在這個設(shè)置下它的內(nèi)存性能并不突出，與普通的DDR5 4800內(nèi)存相當(dāng)。
2023-09-15 10:40:42750 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Teledyne e2v的宇航級DDR4的硬件設(shè)計指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-13 17:14:551 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于PDN共振峰的最壞情況數(shù)據(jù)模式分析電源完整性對FPGA DDR4存儲器接口中的信號完整性的影響.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-13 09:56:490 三星電機(jī)是韓國最大的半導(dǎo)體封裝基板公司，將在展會上展示大面積、高多層、超薄型的下一代半導(dǎo)體封裝基板，展示其技術(shù)。
2023-09-08 11:03:20241 瀾起科技還介紹說，根據(jù)存儲接口芯片的價格規(guī)律，一般來說，新一代產(chǎn)品由于技術(shù)和性能升級，其起銷價格會比上一代有所提高，上一代產(chǎn)品的售價會逐漸降低。為了保持存儲接口芯片產(chǎn)品的平均售價，使用了持續(xù)的重復(fù)世代。與ddr4代相比，ddr5內(nèi)存接口芯片的初期銷售價格大幅上漲。
2023-09-07 14:43:34705 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《網(wǎng)絡(luò)下一代企業(yè)存儲：NVMe結(jié)構(gòu).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-28 11:39:450 DDR4 3200和DDR4 3600是兩種常見的內(nèi)存頻率規(guī)格，它們在性能上會有一定的差別，但差別大小取決于具體的應(yīng)用場景和系統(tǒng)配置。
2023-08-22 14:45:0528247 的內(nèi)存速度和更低的功耗。 LPDDR4和LPDDR4X的主要區(qū)別在于功耗上的優(yōu)化。 LPDDR4內(nèi)存 LPDDR4內(nèi)存是一種第四代低功耗DDR內(nèi)存，是DDR4和DDR3的改進(jìn)版本。該內(nèi)存的最大優(yōu)點(diǎn)是速度
2023-08-21 17:16:445949 PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32
使用DDR4作為外接存儲單元時，蜂鳥e203的訪問地址為0x40000000,但是經(jīng)過vivado的Block design后使用DDR4，在板子上跑測試DDR4讀寫程序，報store訪問異常
2023-08-11 06:17:58
DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512789 以下內(nèi)存設(shè)備：
?雙倍數(shù)據(jù)速率3（DDR3）SDRAM。
?低壓DDR3 SDRAM。
?雙倍數(shù)據(jù)速率4（DDR4）SDRAM。
2023-08-02 11:55:49
內(nèi)存設(shè)備：
?雙倍數(shù)據(jù)速率3（DDR3）SDRAM。
?低壓DDR3 SDRAM。
?雙倍數(shù)據(jù)速率4（DDR4）SDRAM
2023-08-02 08:30:00
NVIDIA推動中國下一代車輛發(fā)展
2023-08-01 14:52:02564 隨著制程工藝的進(jìn)步，DRAM內(nèi)存芯片也面臨著CPU/GPU一樣的微縮難題，解決辦法就是上EUV光刻機(jī)，但是設(shè)備實在太貴，現(xiàn)在還要榨干DUV工藝最后一滴，DDR5內(nèi)存有望實現(xiàn)單條1TB。
2023-07-31 17:37:07875 
DDR是運(yùn)行內(nèi)存芯片，其運(yùn)行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性，因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識上采用了工作頻率×2的方法。 ? DDR芯片
2023-07-28 13:12:061877 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 09:50:470 DDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器”。DDR是一種技術(shù)，中國大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM，而在中國臺灣以及歐美，工程師習(xí)慣用DRAM來稱呼。
2023-07-16 15:27:103362 
利用下一代處理器實現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)未來演講ppt分享
2023-07-14 17:15:320 數(shù)據(jù)中心 AI 加速器：當(dāng)前一代和下一代演講ppt分享
2023-07-14 17:15:320 下一代硅光子技術(shù)會是什么樣子？
2023-07-05 14:48:56334 
本設(shè)計筆記顯示了用于工作站和服務(wù)器的高速內(nèi)存系統(tǒng)的雙倍數(shù)據(jù)速率 （DDR） 同步 DRAM （SDRAM）。使用MAX1864 xDSL/電纜調(diào)制解調(diào)器電源，電路產(chǎn)生等于并跟蹤VREF的終止電壓（VTT）。
2023-06-26 10:34:36549 
★ DDR內(nèi)存條治具六大特點(diǎn) 有哪些呢？
讓凱智通小編為你解答~
①通用性高：只需換顆粒限位框，即可測試尺寸不同的顆粒；
②操作省力方便：采用手動翻蓋滾軸式結(jié)構(gòu)，相比同類產(chǎn)品減少磨損，達(dá)到更高的機(jī)械
2023-06-15 15:45:22
我正在嘗試基于 LS1028ARDB 評估板開發(fā)定制板。
在我擁有的定制板中，我們已將 DDR4 替換為 DDR3。
我已經(jīng)看到 DDR3 正在使用自定義 RCW + PBI 工作。所以現(xiàn)在我想要
2023-06-01 09:03:54
電容式觸摸屏12.1 英寸顯示屏InfiniiScan 區(qū)域觸摸觸發(fā)器Agilent InfiniiVision DSOX4024A 示波器專為下一代性能而設(shè)計，提供
2023-05-30 08:44:51
和筆記本。內(nèi)存模組的類型決定了所需的內(nèi)存接口芯片和內(nèi)存模組配套芯片。 ? ? ? 內(nèi)存進(jìn)入 DDR5 新世代，標(biāo)準(zhǔn)升級拉動相關(guān)芯片需求。與 DDR4 相比， DDR5 的優(yōu)勢可簡單地概括為： （ 1）速度
2023-05-29 14:07:381359 
1 – DDR3 SDRAM JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) JESD79-3F 狀態(tài)圖和圖 2 – DDR4 SDRAM JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) JESD79-4 狀態(tài)圖所示。
2023-05-26 18:02:27995 
數(shù)據(jù)中心、存儲、汽車和其他新興市場應(yīng)用的增長正在推動下一代內(nèi)存技術(shù)（DDR5、LPDDR5）的發(fā)展。與其前輩一樣，最新的內(nèi)存技術(shù)也使用內(nèi)存控制器和PHY之間的標(biāo)準(zhǔn)接口DFI，以降低集成成本并提
2023-05-26 11:13:401824 
我有一塊自制的imx8mp主板，使用DDR4的型號是：K4ABG165WA-MCWE，單片容量32Gb，主頻3200Mhz，我的主板使用了兩顆芯片，但是使用MX8M_Plus_DDR4_RPA_v9.xlsx無法完成配置
2023-05-17 06:12:25
你好！我用 DDR4 創(chuàng)建了我的自定義 IMX8MM 板。所有 DDR4 測試都在 IMX 配置工具中成功通過。
我正在嘗試通過 Yocto 為我的開發(fā)板制作一個 u-boot。我以
2023-05-09 08:03:48
DDR4內(nèi)存模塊支持單個64位通道(如果考慮ECC，則為72位通道)。相比之下，DDR5內(nèi)存模塊配備了兩個獨(dú)立的32位通道(40位ECC)。
2023-05-08 10:27:441330 內(nèi)存是數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器以及個人計算機(jī)等技術(shù)發(fā)展的重要組成。目前內(nèi)存的發(fā)展是由DDR技術(shù)路線引導(dǎo)，TE Connectivity(以下簡稱“TE”)經(jīng)歷了DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的迭代
2023-05-06 17:33:421392 
Rambus預(yù)計服務(wù)器DDR5將在2023年出現(xiàn)強(qiáng)勁增長。市場調(diào)研機(jī)構(gòu)IDC的數(shù)據(jù)顯示，DDR5的拐點(diǎn)可能會在2024年上半年出現(xiàn)。
2023-05-06 14:52:19342 
/MCK0_B) 感到有點(diǎn)困惑。
在上一代相同的主板上，啟動并運(yùn)行不同的 DDR4 內(nèi)存，我們可以按預(yù)期測量 DDR 時鐘。
我們了解 NXP 是否無法支持特定的內(nèi)存配置，但我們想知道在 LS1046A
2023-05-06 08:20:49
我有 LS1046AFRWY 板的克隆。高速公路板使用 MT40A512M16JY-083E:B（商業(yè)級DDR4）。我的克隆使用 MT40A512M16JY-083E IT:B（工業(yè)級 DDR4
2023-04-24 08:08:20
將 DDR4 內(nèi)存添加到 imx8mp
2023-04-20 10:59:17
NXP IMX8M Mini DDR4 校準(zhǔn)
2023-04-20 07:36:55
DDR5 已占據(jù)整個 DRAM 市場份額的 10%，2024年則將進(jìn)一步擴(kuò)大至 43%。服務(wù)器市場可能最先推廣DDR5，服務(wù)器市場對高性能有著絕對的需求。
2023-04-18 11:36:471604 DDR5在服務(wù)器市場的滲透率正在進(jìn)一步提高，進(jìn)入放量期。
2023-04-15 10:23:171778 電容器............................................. 41.5 速度補(bǔ)償.....................................52 DDR4
2023-04-14 17:03:27
DDR內(nèi)存1代已經(jīng)淡出市場，直接學(xué)習(xí)DDR3 SDRAM感覺有點(diǎn)跳躍；如下是DDR1、DDR2以及DDR3之間的對比。
2023-04-04 17:08:472867 
你能告訴我在哪里可以獲得 i.MX8M Plus 的詳細(xì) DDR4 布局跟蹤路由指南嗎？我在 i.MX8M Plus 硬件開發(fā)人員指南中找不到它。順便問一下，NXP 有帶 DDR4 的 i.MX8M Plus 評估板嗎？
2023-03-31 07:52:02
的操作，但我仍然無法訪問內(nèi)存區(qū)域。我是如何一步一步粗略地做到這一點(diǎn)的：初始化 DDR 控制器 1 和 2 -> 為每個控制器開啟 TZC 網(wǎng)守 -> 應(yīng)用內(nèi)存區(qū)域信息 -> 設(shè)置操作
2023-03-29 07:58:56
武漢萬象奧科HD-G2UL-CORE核心板支持512MB/1GB DDR4配置，本文檔主要評估測試核心板內(nèi)存512MB（DDR4）性能（讀寫速率）。
2023-03-28 18:14:58414 
我一直在研究 BL2 上的 DDR 驅(qū)動程序，并注意到 *** 設(shè)置了對內(nèi)存區(qū)域的訪問，在研究 CW 腳本時也是如此。是否需要初始化 *** 才能訪問 DDR 內(nèi)存？我知道它不需要 MMU，但它與 TZ 一樣嗎？
2023-03-27 07:13:46
你好 我們正在使用 4 * 2GB DDR4 芯片構(gòu)建我們的定制 ls1046a 板。（我們參考LS1046AFRWY，容量翻倍，去掉ECC）首先我生成了 BL2 二進(jìn)制文件制作 PLAT
2023-03-24 08:50:43
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