電子發燒友網訊：剛過去的一周，電子行業大事精彩上演。與此同時，過去一周廠商動作頻頻，爭相推出各種技術新品助力工程師設計。過去的一周我們到底該掌握哪些資訊要聞和廠商動態、新品趨勢?電子發燒友網將為您對過去的一周新聞焦點進行梳理，總結行業發展趨勢，推出最新一期《電子發燒友網視界：行業每周(9.3-9.9)焦點匯總》，業界焦點、廠商動態、新品推薦，一網打盡，以饗讀者。

　　電池越用越不給力眾所周知的事，但你知道為什么電池會老化嗎？現在就讓我們來看看電池是怎么一步步踏上衰亡之旅的。同時除了制造商，我們消費者又對電池的短命起到了怎樣的作用。最后，我們應該怎樣來防止充電電池的老化呢？想這是為什么嗎？就讓我們一起來揭開這個謎底吧！[詳情]

　　1. 行業動態掃描

　　1.1 OLED電視機緣何遲遲不上市

　　OLED（有機發光二極管）電視機就像電影《銀翼殺手》中的超人羅伊·貝迪（Roy Batty）。在各種展會上可看到的OLED電視機非常薄，最新型號的智能手機與之相比都顯得有些厚，超高的對比度足以挑戰先鋒公司傳奇般的Kuro電視機，而且擁有近180度的可視角度。讓人感到吃驚的是，OLED電視機竟然集所有這些人們渴望的特性與一體。

　　無論生產商是三星、LG還是索尼，OLED電視機都是各個技術展會上的寵兒，但它們尚未真正進入尋常百姓家。一些公司已經在發售小尺寸OLED面板，不過產量有限，但OLED電視機似乎還是遙不可及。今年，LG和三星似乎都下決心要結束這種局面，兩家公司都在1月份的國際消費電子展上展示了55英寸OLED電視機。營銷團隊加快了營銷工作的步伐——三星推出了超級OLED的概念，LG則決定增添一個白色亞像素，推出了“WRGB”的概念，OLED電視機似乎今年將面臨令人激動和光明的未來。我們不僅將能夠購買OLED高清電視機，而且還有多種產品供選擇。

　　LG夏季發售OLED電視機的傳言已經破產，三星“今年下半年”發售OLED電視機的計劃尚未破產，但所剩時間也不多了。索尼已決定今年不推出OLED電視機，計劃明年在大尺寸OLED面板領域與松下合作。在OLED電視機方面，今年柏林消費電子展與去年沒有任何變化。三星和LG仍然展示了尚未上市銷售的OLED電視機產品，當然，它們也沒有停滯不前，LG在大力推廣3D，三星則展示了Multi View技術。

　　我不得不認為OLED技術本身存在問題，OLED面板發光的過程可以認為是一種可控的自殺：電流通過時像素會點亮，為了顯示清晰的圖像而燃燒自己。大尺寸 OLED面板廠商面臨的問題在于使用模式：對于像智能手機這樣的產品，即使是使用最頻繁的用戶也不會使顯示屏每天開數個小時，OLED電視機就需要考慮使用壽命的問題。即使沒有在專心致志地看節目，許多人也會開著電視機。OLED不能適應長時間開機可能是廠商遲遲不推出OLED電視機的原因。

　　LG 表示，該公司55英寸OLED電視機仍然在進行測試，其中重點測試項目是質量和壽命。廠商很早就意識到，OLED電視機圖像質量在開始時不是問題，問題是能在多長時間內維持高水平的圖像質量。當然，這只是影響OLED電視機發售的許多因素之一，其他因素還包括生產過程容錯度低使得廠商不能提高產量。三星和LG已經在OLED電視機的設計和制造上投入巨額資金，它們肯定會考慮通過推出產品收回投資。但至少在目前，OLED電視機仍然只不過是海市蜃樓而已。

　　1.2 450毫米晶圓技術將用于處理器制造

　　9月6下午臺積電宣布，在幾經推遲后，該公司計劃于2018年使用450毫米晶圓來制造處理器。

　　臺積電300毫米晶圓廠運營副總裁JK Wang在***國際半導體展（SEMICON Taiwan）的展前記者會上透露，臺積電準備2013-2014年間做好450毫米晶圓試產工具的準備工作，但至于具體在哪里建廠還在評估中，不過至少最近在臺中科技園新建的Fab 15會兼容450毫米晶圓。

　　臺積電發言人邁克爾·克拉默（Michael Kramer）表示，該公司將于2016年或2017年開始試產450毫米（18英寸）大晶圓，真正的量產要到2018年。工業芯片制造商一直在使用300毫米的盤片式硅晶圓來生產處理器。450毫米的硅晶圓面積是300毫米的2.5倍，可以幫助企業用每片晶圓生產更多的芯片。

　　克拉默表示，這種方式有助于降低成本，在研發費用飆升的情況下，任何能夠降低成本的技術都會很受歡迎。但芯片行業在轉向450毫米晶圓的過程中卻進展緩慢，原因是這一技術需要花費數十億美元開發工具、建設工廠。

　　據部分媒體報道，臺積電計劃于2015年使用450毫米晶圓。“450毫米晶圓被推遲過多次，此前或許有過更早的計劃。”克拉默說，“這一生產方式需要在整個行業內開展很多協調工作。”英特爾（微博）和臺積電最近都向荷蘭芯片工具制造商ASML進行了投資，希望開發包括450毫米晶圓在內的多種技術。如果臺積電能夠實現這一產品路線圖，該公司將會在10納米制造工藝中使用450毫米晶圓技術。這類產品將比目前的28納米芯片具備更高的能耗效率和更快的計算速度。另外，臺積電日前宣布其28nm工藝的良品率已經超過了80％。

　　1.3 快120倍！韓國研發出快速充電鋰電池

　　韓國蔚山科技大學的一個科研小組，開發出一種充電速度比傳統鋰電池快30到120倍的新型鋰電池。這個小組相信，可用它為電動汽車制造一個電池組，這樣給汽車充滿電需要不到一分鐘。

　　充電電池的一個主要問題是電池越大，充電時間越長。通過將大電池分成很小的數個電池，或許就可以解決這個問題。

　　韓國科學家使用陰極材料——標準的鋰錳氧化物（LMO），把它浸泡在一種含有石墨的溶液中。然后，將經石墨浸泡的鋰錳氧化物進行碳化處理，石墨就會變成一個穿越陰極的導電網。這些碳化的石墨網十分有效，像血管一樣運作，使電池的每個部分都能同時充電，致使充電速度快了30到120倍。

　　1.5?“玩轉FPGA 賽靈思（xilinx）FPGA設計大賽”獲獎獎品展示
　　電子發燒友網訊：由賽靈思（xilinx）公司和華強PCB網贊助，電子發燒友網主辦的玩轉FPGA，賽靈思設計大賽已經圓滿結束。本活動獲獎名單已經公布，詳見：玩轉FPGA 賽靈思（xilinx）FPGA設計大賽圓滿結束。本活動的獎品由賽靈思和華強PCB合力提供，在此電子發燒友網小編代表電子發燒友網感謝賽靈思公司和華強PCB網的鼎力支持。接下來，我們就一起來見見咱們獲獎者的獎品的強大陣容吧...

圖 一等獎獎品之iPad 2

圖 Xilinx 給獲獎者寄來的獎品

圖 電子發燒友網衣服樣品

　　2.廠商要聞鏈接

　　2.1?高通28nm制程：基于ARM Cortex-A9的Snapdragon MSM8960

　　1.5GHz的Snapdragon QSD8672已經讓你感到興奮了嗎？那接下來這顆基于ARM Cortex-A9變形的Scorpio雙核架構的Snapdragon MSM8960，應該會讓你更驚艷！據高通聲稱，這顆采用28nm制程的第三世代Snapdragon，將有低于現在3/4的功耗，提升現行處理器5倍以上的效能，并且充分發揮高通在基頻芯片整合專利的優勢，同時整合無線網絡、GPS、藍牙、FM，并且具備LTE、3G多模基頻調制解調器。

　　除了無線通信整合與功耗以外，這顆Snapdragon最大的亮點則是全新的Qualcomm Adreno 300 GPU架構，比現行高通的AdrenoGPU架構強上4倍，據稱可以比美Xbox 360以及PS3（驚！），果然如ARM自己的預測一樣，手持裝置的GPU戰國時代，才正要開始而已。當然發表不代表會很快看到，這顆芯片正式投產會在2011年，正式推出至少也是要2012年左右了。但想到不久的將來就能在手機看到逼近現在家用主機水平的3D圖形表現，還是很值得期待的。

　　2.2 萊迪思宣布iCEblink40評估套件特價促銷

　　電子發燒友網核心提示：萊迪思半導體公司近日宣布之前發布的iCEblink40評估套件特價促銷。新推出的iCEblink40評估套件用于加快低功耗、低成本的萊迪思iCE40 mobileFPGA系列的應用開發。iCE40? mobileFPGA?系列使用非易失性40nm工藝制造，專為需要低功耗、低成本和小尺寸可編程邏輯器件的消費和移動電子應用而優化。

　　易于使用的評估套件

　　使用兩款新的iCEblink?評估套件，工程師們可以輕松地評估和采用非易失性iCE40技術。iCEblink40-HX（高性能）評估套件帶有一片iCE40HX1K-VQ100器件（72個用戶I/O），iCEblink40-LP（低功耗）評估套件帶有一片iCE40LP1K-QN84器件（67用戶I/O）。這兩款器件提供1280邏輯查找表和64K位的片上存儲器。USB供電的iCEblink40評估套件包括的特性如1Mbit SPI閃存、電容式觸摸按鈕、LED和訪問所有用戶的I/O。免費iCEcube2?開發工具控制編程、訪問虛擬I/O功能以及運行包括的演示示例。

　　iCE40 mobileFPGA系列簡介

　　手持式、電池供電的消費電子產品的設計師們期待已久的可編程邏輯解決方案，擁有設計的靈活性和快速的產品上市時間的優勢，以及能夠滿足功耗、邏輯大小、成本和小尺寸要求的功能。這種解決方案現在可從萊迪思的超低功耗mobileFPGA?器件獲得。利用mobileFPGA平臺，移動通信設計師們可以迅速將新的定制的功能推向市場。

　　手持式、電池供電的消費電子產品的設計師們期待已久的可編程邏輯解決方案，擁有設計的靈活性和快速的產品上市時間的優勢，以及能夠滿足功耗、邏輯大小、成本和小尺寸要求的功能。這種解決方案現在可從萊迪思的超低功耗mobileFPGA?器件獲得。利用mobileFPGA平臺，移動通信設計師們可以迅速將新的定制的功能推向市場。

　　低功耗、低成本的HX系列針對平板電腦應用，提供傳感器管理、高速自定義連接和平板電腦分辨率、高清視頻和圖像支持。具有超低功耗和超小封裝尺寸（業界第一款2.5×2.5毫米微型塑料BGA），LP系列是智能手機應用理想的應用處理器伙伴芯片解決方案，為傳感器管理、高速自定義連接和高清視頻和圖像內容整合提供支持。LP和HX系列器件能夠支持各種智能手機和平板電腦，器件的邏輯單元大小從384到8K。

　　2.3?三星狀告LG竊取其18項OLED技術

　　9月5日晚，三星旗下三星移動顯示已向首爾中央地區法院提交一份檔案，稱LGDisplay從三星竊取了18項與OLED顯示屏相關的機密技術以及21項相關細節信息。

　　據悉，對于被泄露給第三方或LGDisplay已應用的三星技術，三星要求LGDisplay就每項技術賠償10億韓元(約合88萬美元)。今年早些時候，三星移動顯示的11名前員工或在職員工遭到逮捕，被控竊取該公司55英寸AMOLED電視機技術，并泄露給LG。

　　三星發表示LGDisplay通過誘使三星的研究員跳槽，一直試圖獲三星的OLED技術和其他商業機密。有消息稱，三星在過去10年間向顯示技術投資了超過1萬億韓元，自稱在全球OLED市場有近99%的份額。

　　LG在今年早些時候表示并不需要三星的技術，因為LG采用完全不同的顯示系統。

　　2.4 華為與英特爾達成合作 加快IT產品解決方案開發

　　9月5日下午消息，華為(微博)與英特爾(微博)今日簽署合作協議，宣布建立IT產品與解決方案的全球戰略合作關系。

　　雙方合作內容包括深入研發合作，構建服務器、存儲、數據中心和云計算產品及解決方案，并且開展市場拓展和品牌營銷活動。協同未來戰略和研發節奏，通過技術協同和聯合創新，加快產品開發。

　　英特爾作為華為的IT產品和解決方案戰略合作伙伴，在產品、技術及解決方案領域支撐華為的成長，包括研發、解決方案構建和渠道拓展。據悉，華為與英特爾合作已經超過10年。

　　2.5?臺積電搶進3D封裝技術 日月光不會直接競爭

　　半導體產業邁入20nm以下制程后，不但封測技術愈加困難、投資門坎也愈來愈高，IC封測龍頭廠日月光（2311）營運長吳田玉表示，臺積電（2330）本身就是看到這一點，才積極投入2.5D及3D IC封裝技術，不過雙方將不會形成直接競爭的關系，未來會形成一定的分工模式。英特爾、臺積電與三星日前宣布加入半導體設備龍頭廠艾司摩爾的「客戶聯合投資項目」，將共同加速下一世代關鍵半導體制造技術極紫外光（EUV）微影技術與450mm（18寸）晶圓微影設備的開發及量產。吳田玉表示，當半導體制程走到20奈米以下后，不但前段設備投資更貴、更難，且風險相當高，這就是為什么3大半導體廠商決定加入戰局。

　　資本支出差距甚大

　　而觀察后段封測產業投資卻僅為前段的5分之1，當前段廠商不斷砸重金投資之際，后段的技術必然會有所落差，這也就是臺積電積極建立2.5D及3D IC封裝技術的關鍵因素。吳田玉認為，以現階段半導體前、后的資本支出差距來看，預料未來10年內，后段封測產業將邁大步伐快速趕上；就日月光本身而言，也會一路追加上去，同時也希望與晶圓代工廠創造共存共榮的環境。他認為，一個新技術的發展，臺積電為了要了解整個3D IC技術，當然會建立一整條到封裝測試的生產線，相同的日月光為了掌握完成技術，也會切入TSV（Through-Silicon Via，矽通孔電極）前段制程，就像在覆晶（Flip Chip）制程剛開始時，臺積電也同時投資很多凸塊（Bumping）制程。吳田玉強調，臺積電與日月光在先進封裝技術上會找到最佳分工模式，不會形成直接競爭的關系，由于設備投資昂貴，日月光不會大舉介入TSV前段制程，而臺積電也不會一路做到最后段的封裝測試制程。

　　找到最佳分工模式

　　力成（6239）董事長蔡篤恭也認為，晶圓制造與封測產業發展先進技術將不會有所沖突或者是相互競爭的情況，對于晶圓制造廠來說，是要把制程往封測前段延伸，封測廠則要往晶圓代工后段制程推進。封測業產除了往先進技術不斷推進外，也各有其不同的策略模式。吳田玉表示，日月光的策略就是要先卡位歐美IDM客戶，取得先馳得點的機會，接下來更將直接參與到終端品牌客戶的設計。

　　3.熱點新品回顧

　　3.1 中興通訊推出首款英特爾芯片智能手機

　　中興通訊(微博)與英特爾公司聯合宣布，將推出其首款基于Intel Inside芯片的智能手機——ZTE Grand X IN，并作為中興通訊旗艦級手機Grand系列的一員，將于9月在歐洲上市。

　　中興通訊是最新一個被英特爾拉進陣營的手機制造商。英特爾今年進軍智能手機芯片后，合作伙伴不多，但在蘋果起訴三星(微博)后，越來越多的業內人士認為，無論是操作系統還是芯片，核心領域的合作伙伴還是越多越好，否則，手機企業容易被一兩家壟斷企業所操控。

　　中興通訊之前就表示過，中興通訊會與幾大手機操作系統廠商合作，此次采用英特爾芯片應該也是此目的，以避免智能手機芯片市場日益被高通(微博)占據。

　　據悉，此次推出的ZTE Grand X IN采用支持英特爾凌動處理器Z2460，以及支持 21 兆 HSPA+ 網絡的英特爾6260 芯片平臺。配備4.3英寸、1,600萬像素的屏幕，同類最佳的800萬像素攝像頭，藍光質量的電影播放以及長使用壽命的1,650 mAh鋰離子電池。它的尺寸為127x65x9.9毫米。

　　3.2 泰科電子推出新款防水Micro USB連接器

　　隨著消費電子產品變得日益輕薄小巧，它們也變得越來越容易因為進水和飄入灰塵而受到損壞。因此，對于Micro USB連接器而言，不僅要確保尺寸和形狀上的相容性，具有相應的防水防塵功能也同樣重要。TE Connectivity（以下簡稱TE）推出了採用防水設計的Micro USB連接器，可以將連接器外殼的開口處和內部縫隙處都密封起來，從而提供了最佳的保護效果，優化了使用者體驗。

　　TE消費電子設備部I/O連接器全球產品經理 Egbert Stellinga表示：「 消費性電子產品中的微處理器、揚聲器、LCD面板和印刷電路板等積體電路器件與零件正日益精密，即便是一滴水或一粒灰塵都有可能會使昂貴的設備造成損害。而在這些現代化的多功能產品中， Micro USB連接器往往又是設備表面最大的連接孔之一、甚至在連接器外殼上也存在著一些比較大的縫隙，而這些都增加了水或灰塵入侵的風險。應市場需求，TE推出了新款多功能防水Micro USB連接器，標誌著TE已經進入了先進Micro USB連接器產品開發的新階段。該零組件能夠保護昂貴的移動設備免受因進水或灰塵飄入而帶來的損壞。」

　　TE此款全新防水Micro USB連接器尺寸為8.2 x 5 x 3.8mm，僅比非防水同類產品稍大一些，而其防水防塵功能則大大減少了維護成本和對售后服務的依賴。該款連接器堅固耐用的表面可將其外殼開口處密封，因此該款連接器可用于完全密封的IP 54手機。它還同時適用于 A型和B型兩種Micro USB插頭，并支援普通USB和USB OTG。產品符合Micro USB 2.0規範，支援高速資料和電力傳輸。另外，SMD焊接支架也從連接器下方提供了額外的支撐力。

　　3.3 Altera推出全系列28nm FPGA產品

　　Altera公司宣佈開始量產出貨28nm FPGA產品系列所有的叁個產品，包括Stratix V、Arria V與Cyclone V元件。Altera 最新推出的是它的低成本、低功率消耗產品系列中容量最大的Cyclone V FPGA，為業界樹立新的里程碑。在這次的新聞宣佈中，Altera提供經過優化的產品級解決方案，包括全系列高端、中端和低成本FPGA，設計滿足用戶的各種產品設計需求，突出其產品優勢，從而也保持了公司在28nm的技術領先優勢。

　　Altera零組件產品行銷資深總監Patrick Dorsey表示：「當今的客戶常希望讓他們的解決方案能夠盡快量產，以加速被使用者採用并產生收益。Altera非常重視所有28-nm系列的產品支持，提供量身訂做的製程技術、體系架構和收發器技術，幫助我們的客戶能夠以最佳的成本、效能與低功率消耗快速地將產品進入量產。」

　　Cyclone V產品系列採用臺積電（TSMC）的28-nm低功率消耗（28LP）製程所開發，可提供客戶針對當今大批量、對成本敏感的應用，在滿足最佳化效能等級的需求下，達到最低的功率消耗與最低的成本。此產品系列也包括各種具有整合式雙核心ARM?架構硬式處理器系統（HPS），可提供比前一代低40%的整體功率消耗。其他的Cyclone V特性還包括：業界絕對最低功率消耗的序列收發器，每個通道只需88-mW的功率消耗；具有整合硬式記憶體控制器的800Mbps DDR3記憶體；具有多功能支援的PCI Express （PCIe） Gen2硬式硅智財（IP）模組。Cyclone V產品系列擁有最廣泛密度範圍的28-nm FPGA，可適用于工業、無線、有線、軍事與汽車產業應用。

　　Arria V 28nm FPGA功率消耗比其前一代產品少40%，并可提供業界擁有最低功率消耗收發器的中階FPGA，在6 Gbps下運作時每通道使用僅低于105mW，在10Gbps下運作時每通道使用則低于165mW。Arria V FPGA可為像是遠距無線電單元、長期演進（LTE）無線通訊設備、演播室用混音器，以及10G/40G線路卡等中階應用，使用最低的整體功率消耗來提供最佳化的效能。

　　3.4 意法半導體（ST）推全新壓力感測器精確3D定位感測技術

　　意法半導體（ST）推出一款能夠精確測量手機等可攜式裝置海拔高度的壓力感測器，新款感測器的上市代表著行動裝置不僅能夠辨識所在樓層，并能幾乎確定所在樓梯臺階位置。

　　行動裝置的精確定位功能是很多新興適地性服務（Location-Based Services ，LBS）的關鍵技術，LBS被業界廣泛認為是行動產業的下一個殺手級應用。實現這類新興服務的挑戰是提供立體識別行動裝置位置的方法，同時滿足各種相互衝突的條件，包括空間分辨率、可靠性和外觀尺寸、穩健性和成本。

　　全球導航衛星系統（Global Navigation Satellite System ，GNSS）是平面定位（經緯度）廣泛採用的解決方案，當行動裝置處于最佳條件，即能夠從四顆（或更多顆）衛星接收訊號時，使行動裝置的平面位置計算準確度達到一公尺以內。意法半導體與CSR聯手開發出的室內導航解決方案可在無衛星訊號條件下確定裝置的3D位置。

　　對于第叁維（垂直高度），氣壓感測技術的分辨率高于GNSS，特別是衛星能見度少于四顆衛星時，因為氣壓隨著高度上升而穩定下降。意法半導體的新一代壓力感測器的量程從260至1260毫巴；260毫巴是大約適10公里的高度（比圣母峰大約高1，500公尺）的典型壓力；1260毫巴是海平面以下大約 1800公尺的深度（大約是世界最深礦井的二分之一）的典型壓力。以3×3mm微型封裝、低工作電壓以及超低功耗為特色，新款感測器適用于智慧型手機、動作型手錶等可攜式裝置，以及氣象觀測臺、汽車和工業應用。 LPS331AP并已被叁星（Samsung）最新、最先進的智慧型手機所採用。

　　意法半導體執行副總裁暨類比、MEMS及感測器事業群總經理Benedetto Vigna表示：「自發起MEMS消費化浪潮以來，我們研發了能夠偵測重力、加速度、角速率和地磁場的感測器，這些感測器可協助智慧型消費性電子產品偵測動作并做出相對應的回應。現在我們推出的氣壓偵測感測器，可協助消費性電子產品確定人或物體的位置是在上升還是下降。」

　　LPS331AP壓力感測器採用意法半導體獨有的VENSENS製程，可把壓力感測器與其它電路製造在同一顆晶片上，無需晶圓與晶圓之間的鍵合，可最大幅度地提升測量可靠性。 LPS331AP內的感測單元是在氣腔上覆蓋彈性硅薄膜，開口間隙可以控制，氣腔內部壓力已提前設定。新產品的薄膜比傳統的硅微加薄膜小很多，內建機械停止器用于防止薄膜斷裂。壓敏電阻器（piezoresistor）是嵌入在薄膜內的微型結構，當薄膜因外部壓力變化而彎曲時，壓敏電阻器將發生變化。經過溫度補償，被偵測到的壓敏電阻器變化可轉換成數位壓力數據，由主處理器透過工業標準I2C或SPI介面讀取。

　　3.5?TDK最近推出新款無線充電藍牙音箱

　　TDK最近推出了一種新的無線充電藍牙音箱，除了通過藍牙播放高品質的聲音之外，該揚聲器可以通過感應電荷墊在任何移動設備上充電。它擁有4個全音域的低音炮喇叭，提供全方位的清晰音頻，并可以調節低音和高音旋鈕。

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　　該款揚聲器可以通過一個3.5mm立體聲插孔或藍牙v2.1來播放。它適用于任何設備上，并擁有無線充電音箱，可提供高達6個小時的播放時間。此外，其防水設計也很方便于外出旅游時攜帶。

　　目前，該款設備已經在TDK的官方網站上售賣，零售價為399.95美元。

　　3.6 Mindspeed擴展其突發模式互阻抗放大器(TIA)系列

　　從2012年9月6日至9月9日，Mindspeed將在于深圳會展中心舉辦的第14屆中國國際光電博覽會(CIOE)1號展館1A76展位上，重點展示其針對GPON OLT應用的M02036突發模式TIA和針對XG-PON1 OLT應用的M02035突發模式TIA。公司也將展示與其搭配的突發模式激光驅動器，以及針對千兆位以太網無源光網絡(GEPON)、GPON、XG-PON和萬兆以太網無源光網絡(10G-EPON)應用的物理層媒質相關(PMD)解決方案系列的其他成員。

　　“Mindspeed為光纖接入網絡提供業界最完整的光PMD組合，”Mindspeed高級副總裁兼高性能模擬(HPA)事業部總經理Hasnain Bajwa表示：“我們持續不斷地提升業內最佳的光網絡性能的標準，同時提供更高層次的集成度和功耗效率。我們的解決方案在加快采用下一代寬帶技術中發揮了舉足輕重的作用。”

　　“CyOptics與Mindspeed在下一代光網絡解決方案領域內已經有很長時間的合作，我們很高興能與Mindspeed在最新的突發模式TIA解決方案上展開合作，” CyOptics公司副總裁兼OEM業務部總經理Kou-Wei Wang表示：“將Mindspeed在突發模式TIA和激光驅動器技術領域內的創新，與我們在單板和混合光子系統集成方面經過驗證的業績結合在一起，使我們能夠為FTTx的部署提供業界最高性能和最高性價比解決方案。”

　　技術參數

　　新的Mindspeed突發模式TIA擁有極佳的光靈敏度，GPON OLT TIA M02036的靈敏度為-33dBm，XG-PON1 OLT TIA M02035的靈敏度為-29dBm。這些TIA具有出色的過載性能并具有大于25 dB寬動態范圍和快速輸出穩定時間。為了提高設計靈活性，兩種TIA輸出可采用單端或差分方式配置。新的M02036和M02035器件同樣帶有一個突發模式平均光功率監測輸出功能，使得接收機能夠報告上游光網絡單元的發射光功率。這樣可免于使用復雜且昂貴的外部電路，在這之前，這些電路為了完成該功能而被OLT模塊采用。