億美元，在全球市場(chǎng)占比高達(dá)42.2%。2022年中國(guó)功率器件市場(chǎng)增速21%，超過(guò)全球增速19.2%。Omdia預(yù)測(cè)，到2025年中國(guó)功率器件市場(chǎng)規(guī)模將向上增至238億美元。
2023-04-23 00:01:00
3788 
芯片主要企業(yè)在中國(guó)市場(chǎng)排名（按銷(xiāo)量）
2.4.3 近三年中國(guó)市場(chǎng)主要企業(yè)7nm智能座艙芯片銷(xiāo)量（2021-2024）
2.5 中國(guó)市場(chǎng)，近三年7nm智能座艙芯片主要企業(yè)占有率及排名（按收入）
2.5.1
2024-03-16 14:52:46
近日，根據(jù)全球領(lǐng)先的IT市場(chǎng)研究和咨詢公司（IDC）最新發(fā)布的《中國(guó)WLAN市場(chǎng)季度跟蹤報(bào)告，2023Q4》顯示，華為憑借卓越表現(xiàn)，以27.9%的市場(chǎng)份額摘得2023年中國(guó)企業(yè)級(jí)Wi-Fi 6市場(chǎng)桂冠。
2024-03-14 09:41:36106 GGII數(shù)據(jù)顯示，2023年中國(guó)工業(yè)機(jī)器人市場(chǎng)銷(xiāo)量31.6萬(wàn)臺(tái)，同比增長(zhǎng)4.29%，預(yù)計(jì)2024年市場(chǎng)銷(xiāo)量有望突破32萬(wàn)臺(tái)，市場(chǎng)整體延續(xù)微增態(tài)勢(shì)。
2024-02-25 15:49:211116 
在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場(chǎng)使得漏極和源極端子之間有大量電流流動(dòng)。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級(jí)。
2024-02-23 09:38:53343 
2023年中國(guó)折疊屏手機(jī)市場(chǎng)出貨量同比增速再超100%。
2024-02-21 10:36:10334 
引言：EV和充電樁將成為IGBT和MOSFET最大單一產(chǎn)業(yè)鏈市場(chǎng)！EV中的電機(jī)控制系統(tǒng)、引擎控制系統(tǒng)、車(chē)身控制系統(tǒng)均需使用大量的半導(dǎo)體功率器件，它的普及為汽車(chē)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)打開(kāi)了增長(zhǎng)的窗口。充電
2024-02-19 12:28:04191 
的數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2022年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到168億美元，2024年有望達(dá)到190億美元。不過(guò)目前全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)格局主要由英飛凌、安森美、意法半導(dǎo)體、富士、三菱等國(guó)外廠商主導(dǎo)，國(guó)內(nèi)僅有安世
2024-01-23 14:49:46
Omdia的數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2022年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到168億美元，2024年有望達(dá)到190億美元。不過(guò)目前全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)格局主要由英飛凌、安森美、意法半導(dǎo)體、富士、三菱等國(guó)外廠商主導(dǎo)，國(guó)內(nèi)僅有安世
2024-01-23 09:51:28
功率MOSFET是一種廣泛應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換器的高性能開(kāi)關(guān)器件。它具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)速度和良好的熱穩(wěn)定性等特點(diǎn)，因此在各種高壓、高頻、高效率的電源系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。 結(jié)構(gòu)
2024-01-17 17:24:36294 
，未來(lái)也將推動(dòng)中國(guó)經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展。
12月27日，由中國(guó)信息協(xié)會(huì)指導(dǎo)，B2B內(nèi)參、產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)大視野、產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)新研究院聯(lián)合主辦的2023年中國(guó)產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)家年會(huì)暨產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展十周年慶典在北京成功
2024-01-04 11:57:40
2023年，全球制造業(yè)和工業(yè)生產(chǎn)疲軟，主要國(guó)家面臨高通脹和低增長(zhǎng)的局面，疊加地緣政治風(fēng)險(xiǎn)，全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇緩慢，導(dǎo)致工業(yè)機(jī)器人行業(yè)整體需求放緩。預(yù)計(jì)2023年中國(guó)工業(yè)機(jī)器人全年銷(xiāo)量約31.6萬(wàn)臺(tái)，同比增長(zhǎng)4%左右。
2023-12-22 13:46:18698 國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體已在眾多領(lǐng)域應(yīng)用，特別是低端產(chǎn)品，如二極管、三極管、晶閘 管、低壓 MOSFET（非車(chē)規(guī)）等，已初現(xiàn)“規(guī)?；?yīng)、國(guó)產(chǎn)化率相對(duì)較高”等特 點(diǎn)。
2023-12-18 10:36:03264 
如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?
2023-12-06 18:22:24522 
從2023年的市場(chǎng)表現(xiàn)進(jìn)行總結(jié)，展望2024年，洛圖科技（RUNTO）認(rèn)為，明年中國(guó)監(jiān)控?cái)z像頭產(chǎn)品發(fā)展的關(guān)鍵詞將是：多目、帶屏、黑光夜視、4G戶外、看護(hù)老幼及寵物。
2023-12-04 16:39:13690 
功率MOSFET在電力電子設(shè)備中應(yīng)用十分廣泛，因其故障而引起的電子設(shè)備損壞也比較常見(jiàn)。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果，對(duì)于MOSFET的進(jìn)一步推廣應(yīng)用具有重要意義。
2023-12-04 15:57:241113 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
問(wèn)題1：在功率MOSFET管應(yīng)用中，主要考慮哪些參數(shù)？在負(fù)載開(kāi)關(guān)的功率MOSFET管導(dǎo)通時(shí)間計(jì)算，通常取多少比較好？相應(yīng)的PCB設(shè)計(jì)，銅箔面積布設(shè)多大散熱會(huì)比較好？漏極、源極銅箔面積大小是否需要一樣？有公式可以計(jì)算嗎？
2023-12-03 09:30:40408 
支持壓縮代碼、未來(lái)矢量擴(kuò)展和自定義指令添加。同時(shí)，作為一個(gè)新興的指令集，RISC-V也不存在歷史遺留問(wèn)題。
目前有超過(guò)700家中國(guó)芯片相關(guān)企業(yè)在2022年籌集了190億美元，預(yù)計(jì)2030年中國(guó)
2023-12-01 13:17:54
功率MOSFET零電壓軟開(kāi)關(guān)ZVS的基礎(chǔ)認(rèn)識(shí)
2023-11-23 09:06:38407 
由于整體經(jīng)濟(jì)不景氣，終端需求下降，中國(guó)大陸和中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的MCU廠商為了爭(zhēng)奪市場(chǎng)份額，紛紛展開(kāi)價(jià)格戰(zhàn)。然而，隨著市場(chǎng)調(diào)整，降價(jià)行動(dòng)已經(jīng)開(kāi)始放緩。
2023-11-14 16:50:35300 應(yīng)用需求，多元化發(fā)展。
此外，集成了FPGA 架構(gòu)、硬核CPU 子系統(tǒng)（ARM/MIPS/MCU）及其他硬核IP 的芯片已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)“關(guān)鍵點(diǎn)”，它將在今后數(shù)十年中得到廣泛應(yīng)用，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供
2023-11-08 17:19:01
MOSFET中文名為金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管或MOS管，可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管。而功率MOSFET則指處于功率輸出級(jí)的MOSFET器件，通常工作電流大于1A。
2023-11-03 09:38:34196 
越來(lái)越多的中國(guó)廠商開(kāi)始關(guān)注高端全閃產(chǎn)品，推出越來(lái)越多的端到端NVMe全閃存儲(chǔ)，以滿足業(yè)務(wù)場(chǎng)景對(duì)高性能和IOPS的需求。IDC預(yù)測(cè)，2023年中國(guó)全閃存儲(chǔ)市場(chǎng)將保持2.6%以上的增速。
2023-10-30 14:58:43267 
功率MOSFET選型的幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應(yīng)理論技術(shù)文章有很多介紹MOSFET參數(shù)和性能的，這里不作贅述，只對(duì)實(shí)際
2023-10-26 08:02:47373 
在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
2023-10-25 10:43:16765 
和小功率MOSFET類(lèi)似，功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類(lèi);每個(gè)大類(lèi)又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。
2023-10-25 10:42:27493 
汽車(chē)電子MOSFET發(fā)展的一個(gè)最終方向是提高感測(cè)、控制和保護(hù)功率開(kāi)關(guān)的性能。功率器件正集成到智能化車(chē)載系統(tǒng)中。現(xiàn)在在最低功率級(jí)別，MOSFET可以與功率器件上的感測(cè)元件一起使用。
2023-10-20 11:44:58148 
DXT2011P5Q 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的DXT2011P5Q這種雙極結(jié)型晶體管（BJT）設(shè)計(jì)用于滿足汽車(chē)應(yīng)用的要求。產(chǎn)品規(guī)格 品牌
2023-10-18 10:15:43
眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動(dòng)功率，且開(kāi)關(guān)速度優(yōu)異?？梢哉f(shuō)具有“理想開(kāi)關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開(kāi)態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 
一、充電樁市場(chǎng)信息
新能源汽車(chē)滲透率持續(xù)攀升，驅(qū)動(dòng)充電樁行業(yè)發(fā)展：
自2020年下半年以來(lái)，中國(guó)新能源汽車(chē)市場(chǎng)一直保持高速增長(zhǎng)。預(yù)計(jì)2022年中國(guó)新能源汽車(chē)銷(xiāo)量有望突破650萬(wàn)輛以上，預(yù)計(jì)到2025
2023-10-17 17:12:15
控制及新能源發(fā)電等。
中國(guó)新能源汽車(chē)市場(chǎng)自2015年超越美國(guó)成為世界第一大新能源汽車(chē)市場(chǎng)，是全球新能源汽車(chē)市場(chǎng)迅猛增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力。電力電子技術(shù)在新能源汽車(chē)中應(yīng)用廣泛，是汽車(chē)動(dòng)力總成系統(tǒng)高效、快速、穩(wěn)定
2023-10-16 11:00:14
在過(guò)去的十幾年中，大功率場(chǎng)效應(yīng)管引發(fā)了電源工業(yè)的革命，而且大大地促進(jìn)了電子工業(yè)的發(fā)展。由于MOSFET管具有更快的開(kāi)關(guān)速度,電源開(kāi)關(guān)頻率可以做得更高,可以從50kHz提高到200kHz 甚至
2023-09-28 06:33:09
MOSFET功率損耗的詳細(xì)計(jì)算
2023-09-28 06:09:39
ARM架構(gòu)服務(wù)器已逐步成為通用計(jì)算領(lǐng)域新的選擇。 國(guó)內(nèi)ARM生態(tài)發(fā)展迅速，以鯤鵬為代表的ARM架構(gòu)服務(wù)器，市場(chǎng)份額快速提升，預(yù)計(jì)2023年全年中國(guó)服務(wù)器市場(chǎng)ARM占比會(huì)超過(guò)10%。
2023-09-26 10:30:00603 
目前，中國(guó)減速器市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)。根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的報(bào)告，2022年中國(guó)減速器行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到1321億元，同比增長(zhǎng)5.01%。預(yù)計(jì)到2023年，中國(guó)減速器市場(chǎng)規(guī)模將進(jìn)一步增長(zhǎng)至1387億元。
2023-09-25 16:33:15359 2023年9月20日，由工信部中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院、珠海市人民政府以及橫琴粵澳深度合作區(qū)執(zhí)行委員會(huì)共同主辦的2023琴珠澳集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)峰會(huì)暨第十八屆“中國(guó)芯”頒獎(jiǎng)儀式在珠海
2023-09-22 14:46:30
如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?
2023-09-18 16:54:35590 
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
5月18日，中國(guó)衛(wèi)星導(dǎo)航定位協(xié)會(huì)在京發(fā)布《2023中國(guó)衛(wèi)星導(dǎo)航與位置服務(wù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展白皮書(shū)》。白皮書(shū)顯示，2022年我國(guó)衛(wèi)星導(dǎo)航與位置服務(wù)產(chǎn)業(yè)總體產(chǎn)值達(dá)到5007億元人民幣，較2021年增長(zhǎng)6.76
2023-09-11 09:35:53
功率MOSFET是便攜式設(shè)備中大功率開(kāi)關(guān)電源的主要組成部分。此外，對(duì)于散熱量極低的筆記本電腦來(lái)說(shuō)，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計(jì)算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過(guò)多相、同步整流、降壓型CPU核電源中一個(gè)30A單相的分布計(jì)算示例，詳細(xì)說(shuō)明了上述概念。
2023-09-06 09:14:32446 
功率器件在工業(yè)應(yīng)用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽 、 IGBT產(chǎn)品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業(yè)電源中的應(yīng)用和總結(jié)八個(gè)部分。
2023-09-05 06:13:28
CINNO Research發(fā)布研究報(bào)告稱，數(shù)據(jù)顯示，2023年1-6月中國(guó)(含中國(guó)臺(tái)灣)[半導(dǎo)體]項(xiàng)目投資金額約8553億人民幣，同比下滑22.7%，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍處于去庫(kù)存階段，無(wú)論是[MCU
2023-08-30 10:11:29
為了劃分所涉及的功率并創(chuàng)建可以承受更多功率的器件，開(kāi)關(guān)、電阻器和 MOSFET 并聯(lián)連接。
2023-08-29 11:47:48302 
2023 年 RISC-V 中國(guó)峰會(huì)上，倪光南院士表示，“RISC-V 的未來(lái)在中國(guó)，而中國(guó)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)也需要 RISC-V，開(kāi)源的 RISC-V 已成為中國(guó)業(yè)界最受歡迎的芯片架構(gòu)”。大家怎么看呢？
2023-08-26 14:16:43
功率MOSFET數(shù)據(jù)表參數(shù)
2023-08-24 09:13:06552 
7月份IC產(chǎn)量趨勢(shì)放緩之際，國(guó)內(nèi)芯片市場(chǎng)正面臨消費(fèi)需求疲軟和庫(kù)存高企的困境。研究公司Counterpoint的數(shù)據(jù)顯示，第二季度中國(guó)智能手機(jī)銷(xiāo)量同比下降4%，為2014年以來(lái)最低的第二季度銷(xiāo)售數(shù)據(jù)。
2023-08-17 15:26:59506 近日，第十七屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件年會(huì)暨2023年中國(guó)半導(dǎo)體器件技術(shù)創(chuàng)新及產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇在杭州蕭山舉行。大會(huì)公布了2022年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強(qiáng)企業(yè)名單，士蘭微電子再次榮登榜單最前
2023-08-07 11:34:091676 及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、研發(fā)中心建設(shè)及第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)項(xiàng)目等。 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試、銷(xiāo)售為主的半導(dǎo)體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGBT、二極管
2023-07-06 16:45:02520 
上半年中國(guó)經(jīng)濟(jì)整體處于弱復(fù)蘇狀態(tài)。疫情影響明顯消退，需求收縮、供給沖擊、預(yù)期轉(zhuǎn)弱三重壓力略有緩解。但進(jìn)入二季度，經(jīng)濟(jì)恢復(fù)勢(shì)頭有所放緩，內(nèi)生動(dòng)力不強(qiáng)、需求不足的問(wèn)題突出。
2023-07-06 14:49:53470 
研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、研發(fā)中心建設(shè)及第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)項(xiàng)目等。 ? 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試、銷(xiāo)售為主的半導(dǎo)體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGB
2023-07-06 01:16:001409 
MOSFET的漏伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對(duì)應(yīng)GTR的截止區(qū)）;飽和區(qū)（對(duì)應(yīng)于GTR的放大區(qū)）;非飽和區(qū)（對(duì)應(yīng)于GTR的飽和區(qū)）。功率MOSFET在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下工作，即截止區(qū)域和不飽和區(qū)之間的轉(zhuǎn)換
2023-07-04 16:46:37974 
DMN2011UTS 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的DMN2011UTS 該 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))，同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想
2023-06-30 15:10:11
DMN2011UFX 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的DMN2011UFX 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(ON) )，同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能，使其成為高效電源
2023-06-30 14:52:00
DMN2011UFDE 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的DMN2011UFDE 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (R DS(ON) )，同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能，使其成為高效
2023-06-30 12:07:37
功率MOSFET的UIS雪崩損壞有三種模式：熱損壞、寄生三極管導(dǎo)通損壞和VGS尖峰誤觸發(fā)導(dǎo)通損壞。
2023-06-29 15:40:541275 
功率 MOSFET 即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三個(gè)管腳，分別為柵極（ Gate
2023-06-28 08:39:353665 
功率MOSFET最常用于開(kāi)關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開(kāi)關(guān)的作用。
2023-06-27 17:41:20369 
UTC 10N65-ML是一款高壓功率MOSFET，它結(jié)合了先進(jìn)的溝槽MOSFET，設(shè)計(jì)具有更好的特性，如快速開(kāi)關(guān)時(shí)間、低柵極電荷、低導(dǎo)通狀態(tài)電阻和高崎嶇雪崩特性。這種功率MOSFET通常用于開(kāi)關(guān)電源和適配器的高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用。?
2023-06-14 16:45:45
0 內(nèi)，公司工業(yè)級(jí)、車(chē)規(guī)級(jí)電源管理芯片產(chǎn)品數(shù)量持續(xù)增加，進(jìn)一步提升了在工控、通信、汽車(chē)電子電源管理芯片市場(chǎng)的份額。
電源管理芯片在新能源汽車(chē)的應(yīng)用
功率鏈（功率器件業(yè)務(wù)）：
公司已具備獨(dú)立的MOSFET
2023-06-09 15:06:10
內(nèi)，公司工業(yè)級(jí)、車(chē)規(guī)級(jí)電源管理芯片產(chǎn)品數(shù)量持續(xù)增加，進(jìn)一步提升了在工控、通信、汽車(chē)電子電源管理芯片市場(chǎng)的份額。
電源管理芯片在新能源汽車(chē)的應(yīng)用
功率鏈（功率器件業(yè)務(wù)）：
公司已具備獨(dú)立的MOSFET
2023-06-09 14:52:24
功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個(gè)管腳，分別為柵極（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
國(guó)產(chǎn)IC增速快于全球 IC ， 國(guó)產(chǎn)替代空間廣闊
根據(jù) WSTS 的數(shù)據(jù)，2021 年全球 IC 市場(chǎng)規(guī)模高增 28.2%，2022 年全球 IC 市場(chǎng)規(guī)模同比增速放緩至 3.7%，由于需求減弱，且
2023-06-02 14:06:01
器件銷(xiāo)售 2,772.30 億元，2020 年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件銷(xiāo)售 2,966.30 億元，預(yù)計(jì) 2023 年分立器件銷(xiāo)售將達(dá)到 4,428 億元。
分立器件部分細(xì)分市場(chǎng)情況之場(chǎng)效應(yīng)管市場(chǎng)情況
2023-05-26 14:24:29
分享功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路方案大全，希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02
汽車(chē)工業(yè)協(xié)會(huì)（以下簡(jiǎn)稱“中汽協(xié)”）數(shù)據(jù)表明，今年1月至9月，我國(guó)新能源汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)量分別為471.7萬(wàn)輛和456.7萬(wàn)輛，同比分別增長(zhǎng)120%和110%，新能源汽車(chē)的市場(chǎng)占有率已達(dá)23.5%。中國(guó)是世界第一大汽車(chē)生產(chǎn)國(guó)
2023-05-22 15:31:10
據(jù)高工產(chǎn)研鋰電研究所（GGII）數(shù)據(jù)顯示，2022年中國(guó)鋰電池化成電源市場(chǎng)規(guī)模為26.5億元，同比增長(zhǎng)71%。預(yù)計(jì)2025年中國(guó)鋰電池化成電源市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)40億元。
2023-05-22 10:30:401107 
同步整流技術(shù)就是用功率MOSFET代替普通二極管或者肖特基二極管進(jìn)行整流,所以,研究同步整流技術(shù),就必須首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。
2023-05-18 09:10:06421 
MOSFET(MOS管)中的“開(kāi)關(guān)”時(shí)間可以改變電壓?jiǎn)幔?
2023-05-16 14:26:16
功率MOSFET的雪崩強(qiáng)度限值是衡量器件針對(duì)于感性負(fù)載在開(kāi)關(guān)動(dòng)作應(yīng)用中的重要參數(shù)。 清楚地理解雪崩強(qiáng)度的定義，失效的現(xiàn)象及評(píng)估的方法是功率MOSFET電路設(shè)計(jì)必備的能力。 本文將以下面三個(gè)方面進(jìn)行探討。
2023-05-15 16:17:451133 
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)手冊(cè)中會(huì)有一個(gè)看似復(fù)雜的SOA（Safe Operation Area）圖片，這個(gè)安全工作區(qū)域圖告訴我們只有MOSFET工作在曲線內(nèi)才是安全可靠的。如下面的Nexperia的NMOS管PHB32N06LT的SOA圖。
2023-05-15 16:16:311174 
功率MOSFET怎樣關(guān)斷？能否用PWM實(shí)現(xiàn)？怎樣實(shí)現(xiàn)？
2023-05-08 16:16:27
4月25-28日，2023年中國(guó)國(guó)際表計(jì)行業(yè)年度大會(huì)順利舉辦。在這次展會(huì)中，武漢芯源半導(dǎo)體攜CW32家族產(chǎn)品，為表計(jì)行業(yè)參觀者展示了燃?xì)獗怼⑺?、電表、可燃?xì)怏w報(bào)警器等表計(jì)產(chǎn)品應(yīng)用方案，以及料位開(kāi)關(guān)
2023-05-05 14:24:27
據(jù)高工產(chǎn)研鋰電研究所（GGII）調(diào)研統(tǒng)計(jì)，2022年中國(guó)鋰電生產(chǎn)設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模為1000億元，同比增長(zhǎng)70%。
2023-04-17 10:50:462340 及前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2021年我國(guó)半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到3,229億元。就國(guó)內(nèi)市場(chǎng)而言，二極管、三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其
2023-04-14 13:46:39
DAC是運(yùn)放緩沖的嗎？這允許的最大負(fù)載電流是多少？謝謝。
2023-04-11 09:33:35
StorageExhibition -----暨屋頂分布式光伏推進(jìn)大會(huì) 2023年9月14日-16日青島國(guó)際博覽中心 2023年9月14-16日，2023中國(guó)（青島）國(guó)際太陽(yáng)能光伏及儲(chǔ)能展覽會(huì)暨屋頂
2023-04-08 10:36:29
78350-2011
2023-03-29 22:38:13
CT2011-4
2023-03-29 22:02:04
CT2011-6
2023-03-29 22:02:04
M2011B2B1W01
2023-03-29 21:59:34
0309-2011
2023-03-29 21:47:56
TSC2011IYDT
2023-03-29 21:39:28
CT2011-2
2023-03-29 18:59:06
CT2011-0
2023-03-29 18:59:03
501591-2011
2023-03-28 13:54:20
EB2011
2023-03-28 13:50:00
EB2011P-BG
2023-03-28 13:23:18
M2011SS1W03
2023-03-28 13:22:01
3月16日，由中信聯(lián)產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)工委會(huì)指導(dǎo)，B2B內(nèi)參、產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)大視野、產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)CEO私董會(huì)主辦的“2022年中國(guó)產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)峰會(huì)暨2022年中國(guó)產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)百?gòu)?qiáng)企業(yè)頒獎(jiǎng)盛典”在上海隆重舉行，大會(huì)以
2023-03-24 14:05:32
3月16日，由中信聯(lián)產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)工委會(huì)指導(dǎo)，B2B內(nèi)參、產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)大視野、產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)CEO私董會(huì)主辦的“2022年中國(guó)產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)峰會(huì)暨2022年中國(guó)產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)百?gòu)?qiáng)企業(yè)頒獎(jiǎng)盛典”在上海隆重舉行，大會(huì)以
2023-03-24 14:02:16
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論