隨著電力電子器件產業日益受到國家重視，國家對企業和科研機構的扶持力度也在逐漸增大。我國電力電子行業在科研和產業化不斷取得突破的同時，也面臨著諸多亟待克服的困難。

　　電力電子器件技術直接關系到變流技術的發展與進步，是建設節約型社會和創新型國家的關鍵技術。近幾年來，電力電子器件技術水平不斷提高，應用領域日益廣泛，逐漸成為了國民經濟發展中基礎性的支柱型產業之一。

　　國家政策支持重點明確

　　隨著我國特高壓直流輸電、高壓變頻、交流傳動機車/動車組、城市軌道交通等技術發展和市場需求的增加，對5英寸及6英寸晶閘管、IGCT（集成門極換流晶閘管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）的需求非常緊迫，而且需求量也非常大。預計國內每年需要5英寸、6英寸晶閘管、IGCT、IGBT的總量將達到50 萬只以上。但目前國內市場所需的高端電力電子器件主要依賴進口。以IGBT為例，全球IGBT主要供應商集中在英飛凌、三菱、ABB、富士等少數幾家，我國只有少數小功率IGBT的封裝線，還不具備研發、制造管芯的能力和大功率IGBT的封裝能力，因此在技術上受制于人，這對國民經濟的健康發展與國家安全極其不利。

　　為貫徹落實“十一五”高技術產業發展規劃和信息產業發展規劃，全面落實科學發展觀，推進節能降耗，促進電力電子技術和產業的發展，根據國家發改委2007 年發布的《關于組織實施新型電力電子器件產業化專項有關問題的通知》，國家將實施電力電子器件產業專項，提高新型電力電子器件技術和工藝水平，促進產業發展，滿足市場需求，以技術進步和產業升級推進節能降耗;推動產、學、研、用相結合，突破核心基礎器件發展的關鍵技術，完善電力電子產業鏈，促進具有自主知識產權的芯片和技術的推廣應用;培育骨干企業，增強企業自主創新能力。支持的重點包括以下方面：在芯片產業化方面，主要支持IGBT、金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）、快恢復二極管（FRD）、功率集成電路（PIC）、IGCT等產品的芯片設計、制造、封裝測試和模塊組裝;在模塊產業化方面，主要支持電力電子器件系統集成模塊，智能功率模塊（IPM）和用戶專用功率模塊（ASPM）;在應用裝置產業化方面，重點圍繞電機節能、照明節能、交通、電力、冶金等領域需求，支持應用具有自主知識產權芯片和技術的電力電子裝置。