色哟哟视频在线观看-色哟哟视频在线-色哟哟欧美15最新在线-色哟哟免费在线观看-国产l精品国产亚洲区在线观看-国产l精品国产亚洲区久久

電子發(fā)燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>電源新聞>MOSFET將封裝面積減半-Zetex新款無(wú)鉛型

MOSFET將封裝面積減半-Zetex新款無(wú)鉛型

收藏

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

評(píng)論

查看更多

相關(guān)推薦

mosfet是什么器件

`  誰(shuí)來(lái)闡述一下mosfet是什么器件?`
2019-10-25 16:06:28

mosfet是電壓器件嗎

  誰(shuí)來(lái)闡述一下mosfet是電壓器件嗎
2019-10-25 15:58:03

封裝寄生電感對(duì)MOSFET性能的影響

與電路板布局源極電感Ls2之和。始終必須最大限度地降低封裝源和電路板寄生的源極電感,因?yàn)槎呔鶠殛P(guān)鍵控制要素。較之采用通孔封裝MOSFET,通過(guò)無(wú)引線SMD封裝用于MOSFET,可以最大限度地降低封裝
2018-10-08 15:19:33

無(wú)化挑戰(zhàn)的電子組裝與封裝時(shí)代

一、無(wú)化的起源  金屬用作低溫焊料已有多年的歷史,其優(yōu)點(diǎn)在于錫合金在較低溫度下易熔化,而且的儲(chǔ)量豐富、價(jià)格便宜。但Pb是一種有毒的金屬,已經(jīng)廣為人知:對(duì)人體有害,并且對(duì)自然環(huán)境的破壞性很大
2017-08-09 11:05:55

無(wú)化涵義 電子資料

所謂“無(wú)”,并非絕對(duì)的百分百禁絕的存在,而是要求含量必須減少到低于1000ppm...
2021-04-21 08:03:13

無(wú)回流爐

回流爐 無(wú)回流爐屬于回流焊的一種。早期回流焊的焊料都是用含的材料。隨著環(huán)保思想的深入,人們?cè)絹?lái)越重視無(wú)技術(shù)。在材料上,尤其是焊料上的變化最大。而在工藝方面,影響最大的是焊接工藝。這主要來(lái)自焊料
2014-12-11 14:31:57

無(wú)對(duì)元器件的要求與影響

難。此外,溫度梯度對(duì)元器件的可靠性影響同樣值得關(guān)注。較高的溫度梯度降低元器件內(nèi)部的互連可靠性,主要是由于熱不匹配造成的封裝體與硅芯片之間的分層、裂紋等問(wèn)題。在無(wú)鉛條件下,大的溫度梯度既可能出現(xiàn)在升溫
2010-08-24 19:15:46

無(wú)工藝的標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)展(續(xù)完

【摘要】:無(wú)工藝是一個(gè)技術(shù)涉及面極廣的制造過(guò)程,包涵設(shè)計(jì)、材料、設(shè)備、工藝與可靠性等技術(shù)。因此,無(wú)工藝的標(biāo)準(zhǔn)化工作需要全行業(yè)眾多和研究機(jī)構(gòu)的共同努力。工藝相關(guān)要素的標(biāo)準(zhǔn)化可以大大降低生產(chǎn)成本
2010-04-24 10:08:34

無(wú)法規(guī)制定對(duì)PCB組裝的影響

  歷史背景  1990年代初始,在美國(guó)、歐洲和日本等國(guó),先后立法對(duì)在工業(yè)上的應(yīng)用加以限制,并進(jìn)行無(wú)焊材的研究與相關(guān)技術(shù)的開(kāi)發(fā)工作。  含焊材與鉛合金表面實(shí)裝技術(shù)(SMT),長(zhǎng)期以來(lái),在
2018-08-31 14:27:58

無(wú)焊接

://www.gooxian.com/article/show-1819.htm實(shí)際使用的背景4、無(wú)焊錫及其問(wèn)題無(wú)焊錫問(wèn)題:①上錫能力差:無(wú)焊錫的焊錫擴(kuò)散性差,擴(kuò)散面積差不多是共晶焊錫的1/3;②熔點(diǎn)高:無(wú)焊錫熔點(diǎn)比一般
2017-08-28 09:25:01

無(wú)焊接互連可靠性的取決因素

測(cè)試中)。此外,在跌落測(cè)試中,無(wú)焊接會(huì)發(fā)生更多的PCB破裂。  4)取決于元器件。某些元器件,如塑料封裝的元器件、電解電容器等,受到提高的焊接溫度的影響程度要超過(guò)其它因素。其次,錫絲是使用壽命長(zhǎng)的高端
2018-09-14 16:11:05

無(wú)焊接和焊點(diǎn)的主要特點(diǎn)

無(wú)焊接和焊點(diǎn)的主要特點(diǎn)  (1) 無(wú)焊接的主要特點(diǎn)  (A)高溫、熔點(diǎn)比傳統(tǒng)有共晶焊料高34℃左右。  (B)表面張力大、潤(rùn)濕性差。  (C)工藝窗口小,質(zhì)量控制難度大。  (2) 無(wú)焊點(diǎn)
2018-09-11 16:05:50

無(wú)焊接和焊點(diǎn)的主要特點(diǎn)

本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 14:01 編輯 無(wú)焊接和焊點(diǎn)的主要特點(diǎn)無(wú)焊接和焊點(diǎn)的主要特點(diǎn)  (1) 無(wú)焊接的主要特點(diǎn)  (A)高溫、熔點(diǎn)比傳統(tǒng)有共晶焊料高34
2013-10-10 11:39:54

無(wú)焊接在操作中的常見(jiàn)問(wèn)題

倒裝BGA、CSP內(nèi)部封裝芯片凸點(diǎn)用的焊膏就是Sn-3.5Ag焊接,熔點(diǎn)221℃,如果這樣的器件用于無(wú)焊接,那么器件內(nèi)部的焊點(diǎn)與表面組裝的焊點(diǎn)幾乎同時(shí)再熔化、凝固一次,這對(duì)于器件的可靠性是非
2009-04-07 17:10:11

無(wú)焊接對(duì)助焊劑的要求-購(gòu)線網(wǎng)

。然而釬料珠的數(shù) 量隨著無(wú)VOC助焊劑的使用而增加,其部分原因是因工藝中較高的溫度,使阻焊膜軟化。 但與錫工藝比較,這些釬料球的清除要容易得多。http://www.gooxian.com/購(gòu)線網(wǎng)
2017-07-03 10:16:07

無(wú)焊接技術(shù)的現(xiàn)狀

無(wú)焊接技術(shù)的現(xiàn)狀:無(wú)焊料合金成分的標(biāo)準(zhǔn)化目前還沒(méi)有明確的規(guī)定。IPC等大多數(shù)商業(yè)協(xié)會(huì)的意見(jiàn):含量
2011-08-11 14:22:24

無(wú)焊接的誤區(qū)

無(wú)焊接的誤區(qū)誤區(qū)一:現(xiàn)在已經(jīng)是無(wú)年代了,可好多客戶仍舊用傳統(tǒng)的焊接方法——這就大錯(cuò)特錯(cuò)。目前的現(xiàn)狀是70%——80%的廠家用的以前普通單柄烙鐵(俗稱30W、40W、60W……烙鐵)焊接無(wú)錫線
2010-12-28 21:05:56

無(wú)焊接的起源:

禁止生產(chǎn)或銷售使用有材料焊接的電子生產(chǎn)設(shè)備。據(jù)估計(jì),中國(guó)沒(méi)有多久也采用無(wú)焊接。因此,在這種情況下,電子材料開(kāi)始生產(chǎn)無(wú)焊料。例如:美國(guó) Alpha metal焊絲:reliacore 15的主要組成成分為S nAgCu.
2011-08-11 14:21:59

無(wú)焊點(diǎn)的特點(diǎn)

(A)浸潤(rùn)性差,擴(kuò)展性差。(B)無(wú)焊點(diǎn)外觀粗糙。傳統(tǒng)的檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)與AOI需要升級(jí)。(C)無(wú)焊點(diǎn)中氣孔較多,尤其有焊端與無(wú)焊料混用時(shí),焊端(球)上的有焊料先熔,覆蓋焊盤(pán),助焊劑排不出去,造成
2011-08-11 14:23:51

無(wú)焊錫及其特性

四中列出的許多其它合金,比錫/共晶的熔點(diǎn)183° C要高很多。如,鋅/錫高溫無(wú)焊錫的熔點(diǎn)為198° C。 高熔點(diǎn)焊錫和現(xiàn)在廣泛使用的基板材料,如FR-4,不相融合。另外,返工不得不采用高溫,大大
2010-08-18 19:51:30

無(wú)焊錫和含銀焊錫哪個(gè)好?區(qū)別在哪里?

。這也是無(wú)焊錫絲的其中一個(gè)優(yōu)點(diǎn)了,不過(guò)焊點(diǎn)的光澤色并不代表焊點(diǎn)本身的焊接性能。而含銀無(wú)焊錫絲焊點(diǎn)的光澤色影響焊點(diǎn)外觀的光亮度色澤。由于銀金屬是啞色金屬,并不是光亮金屬,所以含銀無(wú)焊錫絲的焊點(diǎn)光澤
2022-05-17 14:55:40

無(wú)焊錫有什么特點(diǎn)?

世界上,對(duì)無(wú)焊錫替代品的興趣正在戲劇性地增加,主要因?yàn)樵趤喼藓蜌W洲都開(kāi)始迅速地消除含焊錫在電子裝配中的出現(xiàn)。日本的電子制造商已經(jīng)自愿地要求到2001年在國(guó)內(nèi)制造或銷售的產(chǎn)品是無(wú)的。
2020-03-16 09:00:54

無(wú)焊錫的基礎(chǔ)知識(shí)

℃~219℃<br/>217℃~219℃<br/>  ①上錫能力差<br/>  無(wú)焊錫的焊錫擴(kuò)散性差,擴(kuò)散面積差不多是共
2009-08-12 00:24:02

無(wú)環(huán)保焊錫絲的工藝特點(diǎn)

` 無(wú)環(huán)保焊錫絲的工藝特點(diǎn) 無(wú)環(huán)保焊錫絲由于使用了無(wú)焊料替代傳統(tǒng)的錫共晶焊料,,使得無(wú)環(huán)保焊錫絲的工藝具有顯著不同的特點(diǎn)。首先,焊接工藝的溫度顯著提升,工藝窗口急劇縮小。目前普遍使用的無(wú)
2016-05-12 18:27:01

無(wú)錫膏0307具有優(yōu)異的環(huán)保性和優(yōu)異的潤(rùn)濕性?

入選品牌強(qiáng)國(guó)示范工程【焊錫材料】。佳金源廠房占地面積5000多平方米,擁有多臺(tái)現(xiàn)代化的生產(chǎn)設(shè)備、檢測(cè)設(shè)備和實(shí)驗(yàn)設(shè)備。無(wú)焊錫產(chǎn)品全面通過(guò)“SGS”檢測(cè),完全符合歐盟RoHS最新指令、REACH標(biāo)準(zhǔn)......,如有意向咨詢,歡迎致電佳金源!
2022-01-05 15:10:35

無(wú)錫膏溫度曲線儀在pcb裝配中的應(yīng)用

曲線儀自身)。深圳市佳金源工業(yè)科技有限公司主要經(jīng)營(yíng):LED錫膏、有錫膏、有含銀錫膏、不銹鋼板錫膏、SMT錫膏、無(wú)助焊膏、免洗錫絲、無(wú)焊錫絲、有錫絲、無(wú)與有焊錫條,波峰焊錫條、自動(dòng)焊錫線等的錫膏錫線生產(chǎn)廠家。
2021-10-29 11:39:50

無(wú)引線導(dǎo)線封裝概述

  引言 無(wú)引線導(dǎo)線封裝(LLP)是一種基于導(dǎo)線架的晶片級(jí)封裝(CSP),它可以提高芯片的速度、降低熱阻并減小貼裝芯片所需要的PCB面積。由于這種封裝的尺寸小、高度很低,所以此封裝是高密度PCB
2018-09-10 16:37:26

AD828AR有沒(méi)有對(duì)應(yīng)的無(wú)器件?

AD828AR有沒(méi)有對(duì)應(yīng)的無(wú)器件?型號(hào)是? 我在[size=13.3333px]AD828的datasheet里居然沒(méi)找見(jiàn),請(qǐng)幫忙指出在那個(gè)文檔里可以找到?具體在文檔的第幾頁(yè)? 謝謝
2023-11-21 08:03:01

AD8620BR含型號(hào)的焊接溫度是多少?

型號(hào)的焊接溫度是多少?只能查到無(wú)是260℃,謝謝。
2023-12-26 08:05:30

FAI推出最新MOSFET產(chǎn)品

(POL)、高效負(fù)載開(kāi)關(guān)和低端切換、穩(wěn)壓器模塊(VRM)以及ORing功能。設(shè)計(jì)人員使用FDMC8010器件,能夠封裝尺寸從5mmx6mm減小為3.3mmx3.3mm,節(jié)省66%的MOSFET占位面積
2012-04-28 10:21:32

IR發(fā)布AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET

40%,也減少50%的封裝面積,為汽車應(yīng)用提供更小的系統(tǒng)尺寸和成本。  AUIRF8736M2符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),是在IR要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念下研制而成的,采用不含的環(huán)保封裝,并符合
2018-09-28 15:57:04

ISL6208和ISL6208B是高頻雙MOSFET驅(qū)動(dòng)器

MO-220QFN-四平面無(wú)引線-封裝外形DFN-雙平面無(wú)引線-封裝外形-接近芯片規(guī)模的封裝尺寸,提高了PCB的性能效率高,外形更薄無(wú)(符合RoHS)應(yīng)用Intel?和AMD?mobile的核心
2020-10-13 15:21:51

LED無(wú)錫膏的作用和印刷工藝技巧

影響到實(shí)際效果。led無(wú)錫膏印刷工作結(jié)束后,應(yīng)當(dāng)鋼網(wǎng)清理整潔,便于下一次應(yīng)用。想要了解關(guān)于錫膏、無(wú)錫膏、焊錫膏等焊接的問(wèn)題,歡迎伙伴們前來(lái)咨詢深圳市佳金源工業(yè)科技有限公司,一起來(lái)學(xué)習(xí)成長(zhǎng)吧!佳金源品牌的焊錫絲、焊錫膏、焊錫條,隨時(shí)期待伙伴們前來(lái)一起拿走。LED無(wú)錫膏的作用和印刷工藝技巧
2021-09-27 14:55:33

Microchip宣布所有產(chǎn)品采用無(wú)封裝

  Microchip Technology(美國(guó)微芯科技公司)宣布,該公司所有的產(chǎn)品自 2005年1月起采用符合環(huán)保要求的無(wú)焊鍍封裝,以符合即將在全球范圍內(nèi)實(shí)施的***法規(guī)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
2018-11-23 17:05:59

N溝道增強(qiáng)MOSFET TDM31066

提供優(yōu)異的RDS(ON)和低門(mén)電荷。 這個(gè)RDS(ON)<13.5mΩ@ VGS =10V裝置是適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或在PWM應(yīng)用。高功率和電流處理能力應(yīng)用可提供無(wú)產(chǎn)品?PWM應(yīng)用TO-252封裝?負(fù)載開(kāi)關(guān)?電源管理?硬開(kāi)關(guān)和高頻電路[td]`
2019-01-24 11:00:12

N通道增強(qiáng)MOSFET TDM3518

lRDS(ON)<3.1mΩ@ VGS = 4.5V RDS(ON)<1.8MΩ@ VGS =10V l高功率和電流處理能力 l表面貼裝封裝 l可提供無(wú)和綠色器件(符合
2018-09-04 16:36:16

PCB無(wú)焊接工藝步驟有哪些?

要開(kāi)發(fā)一條健全的、高合格品率的PCB無(wú)焊接生產(chǎn)線,需要進(jìn)行仔細(xì)地計(jì)劃,并要為計(jì)劃的實(shí)施作出努力以及嚴(yán)格的工藝監(jiān)視以確保產(chǎn)品的質(zhì)量和使工藝處于受控狀態(tài),這些控制與許多的改變有關(guān),如材料、設(shè)備
2017-05-25 16:11:00

PCB“有”工藝何去何從?

PCB生產(chǎn)中,工藝是一個(gè)極其重要的環(huán)節(jié)。沉金固然好,但沉金的高成本,讓很多人選擇了較為經(jīng)濟(jì)的噴錫。噴錫工藝中,分為“有”和“無(wú)”兩種,這兩者有什么聯(lián)系?又有什么區(qū)別?今天就來(lái)深扒一下。一、發(fā)展
2019-05-07 16:38:18

PCB有噴錫與無(wú)噴錫的區(qū)別

,但卻不知道錫還分為有錫與無(wú)錫兩種。下面小捷哥就給大家詳細(xì)講述一下有噴錫與無(wú)噴錫的區(qū)別。中國(guó)IC交易網(wǎng)PCB有噴錫與無(wú)噴錫的區(qū)別1、從錫的表面看有錫比較亮,無(wú)錫(SAC)比較暗淡。無(wú)
2019-04-25 11:20:53

PCB板有噴錫與無(wú)噴錫的區(qū)別分享!

。很多人都知道噴錫工藝,但卻不知道錫還分為有錫與無(wú)錫兩種。今天就給大家詳細(xì)講述一下有錫與無(wú)錫的區(qū)別,以供大家參考。1、從錫的表面看有錫比較亮,無(wú)錫(SAC)比較暗淡。無(wú)的浸潤(rùn)性要比有的差一點(diǎn)
2019-10-17 21:45:29

SMT最新技術(shù)之CSP及無(wú)技術(shù)

再流工藝窗口比標(biāo)準(zhǔn)Sn/Pb合金要嚴(yán)格得多。   對(duì)于小型無(wú)源元件來(lái)說(shuō),減少表面能同樣也可以減少直立和橋接缺陷的數(shù)量,特別是對(duì)于0402和0201尺寸的封裝。總之,無(wú)組裝的可靠性說(shuō)明,它完全比得上
2013-10-22 11:43:49

SMT有工藝和無(wú)工藝的區(qū)別

值的問(wèn)題。歐盟出臺(tái)的ROHS指令明確要求的含量控制在0.1wt%以下。無(wú)工藝趨勢(shì)首先我們來(lái)看看有無(wú)的趨勢(shì),隨著國(guó)際環(huán)保要求逐步提高,無(wú)工藝成為電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一個(gè)必然過(guò)程。盡管無(wú)工藝已經(jīng)
2016-05-25 10:08:40

SMT有工藝和無(wú)工藝的特點(diǎn)

無(wú)工藝和有工藝技術(shù)特點(diǎn)對(duì)比表: 類別無(wú)工藝特點(diǎn)有工藝特點(diǎn) 焊料合金焊料合金成分有多種焊料合金可供選擇,目前逐步同意為Sn96.5Ag3Cu0.5(SAC305);最好回流焊接和波峰焊接都選擇
2016-05-25 10:10:15

SMT有工藝和無(wú)工藝的特點(diǎn)

無(wú)工藝和有工藝技術(shù)特點(diǎn)對(duì)比表:類別無(wú)工藝特點(diǎn)有工藝特點(diǎn)焊料合金焊料合金成分有多種焊料合金可供選擇,目前逐步同意為Sn96.5Ag3Cu0.5(SAC305);最好回流焊接和波峰焊接都選擇同一
2016-07-14 11:00:51

SiC-MOSFET器件結(jié)構(gòu)和特征

的小型化。  另外,SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng),從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。  與600V~900V的Si-MOSFET相比,SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積
2023-02-07 16:40:49

SiC-MOSFET有什么優(yōu)點(diǎn)

,SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng),從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比,SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積小(可實(shí)現(xiàn)小型封裝),而且體
2019-04-09 04:58:00

SiC功率器件SiC-MOSFET的特點(diǎn)

,SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng),從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比,SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積小(可實(shí)現(xiàn)小型封裝),而且體
2019-05-07 06:21:55

smt無(wú)助焊劑的特點(diǎn)、問(wèn)題與對(duì)策

Sn-Pb焊膏已經(jīng)使用了多年,而且已是成熟的技術(shù)。早期,無(wú)焊膏的做法是簡(jiǎn)單地Pb-Sn焊料、免清洗焊劑和無(wú)鉛合金混合,結(jié)果很糟糕。焊膏中助焊劑和焊料合金間的化學(xué)反應(yīng)影響了焊膏的流變特性(對(duì)印刷性能
2016-08-03 11:11:33

【轉(zhuǎn)】 PCB板材有無(wú)工藝的差別

機(jī)器來(lái)決定。  還有一些用戶不了解有噴錫和無(wú)噴錫的差別,那么下面我們先來(lái)了解下什么是噴錫:線路板表面處理的一種最為常見(jiàn)的焊盤(pán)涂敷形式就是噴錫,噴錫厚度的標(biāo)準(zhǔn)在行業(yè)內(nèi)是20uM但是噴錫又分成有無(wú)
2018-08-02 21:34:53

【轉(zhuǎn)】PCB板有噴錫與無(wú)噴錫的區(qū)別

。很多人都知道噴錫工藝,但卻不知道錫還分為有錫與無(wú)錫兩種。今天就給大家詳細(xì)講述一下有錫與無(wú)錫的區(qū)別,以供大家參考。1、從錫的表面看有錫比較亮,無(wú)錫(SAC)比較暗淡。無(wú)的浸潤(rùn)性要比有的差一點(diǎn)
2018-10-29 22:15:27

【轉(zhuǎn)】PCB板有噴錫與無(wú)噴錫的區(qū)別?

。很多人都知道噴錫工藝,但卻不知道錫還分為有錫與無(wú)錫兩種。今天就給大家詳細(xì)講述一下有錫與無(wú)錫的區(qū)別,以供大家參考。1、從錫的表面看有錫比較亮,無(wú)錫(SAC)比較暗淡。無(wú)的浸潤(rùn)性要比有的差一點(diǎn)
2018-10-17 22:06:33

三類有源醫(yī)療電子有焊料和無(wú)焊料是否有銘文規(guī)定

對(duì)電子產(chǎn)品的焊料是否有無(wú)非常關(guān)注,剛好工作中有遇見(jiàn)一個(gè)問(wèn)題,我們自己研發(fā)的三類有源醫(yī)療器械中電路部分使用的是有焊料,但是組裝完成后是完全密閉在內(nèi)部,不與人體的體液接觸,請(qǐng)哪個(gè)專家給指教下這樣的方案是否可行,是否有銘文規(guī)定三類醫(yī)療器械不能使用有焊料等文件,謝謝
2022-11-29 14:20:54

什么是無(wú)錫膏?無(wú)鉛膏需要什么條件才能燃燒

;4、新開(kāi)發(fā)的無(wú)焊料盡量與各類助焊劑相匹配,并且兼容性要盡可能的強(qiáng);既能夠在活性松香樹(shù)脂助焊劑(RA)的支持下工作,也能夠適用溫和、弱活性松香焊劑(RMA)或不含松香樹(shù)脂的免清洗助焊劑才是
2021-12-09 15:46:02

什么是飛利浦超薄無(wú)封裝技術(shù)?

  皇家飛利浦電子公司宣布在超薄無(wú)封裝技術(shù)領(lǐng)域取得重大突破,推出針對(duì)邏輯和 RF 應(yīng)用的兩款新封裝:MicroPak?II 和 SOD882T。MicroPakII 是世界上最小的無(wú)邏輯封裝,僅 1.0mm2,管腳間距為 0.35mm。
2019-10-16 06:23:44

光耦不通,NMOSFET不通,請(qǐng)大家指點(diǎn)

我實(shí)際搭了一個(gè)NMOSFET FDS9945管來(lái)試驗(yàn)他的性能,結(jié)果發(fā)現(xiàn)光耦PC817 IN2腳不管是高電平還是低電平,Nmosfet的2腳都是高電平,實(shí)測(cè)通過(guò)IO口給IN2高電平信號(hào),IN2
2019-02-12 17:12:04

關(guān)于“無(wú)焊接”選擇材料及方法

`在無(wú)焊接工藝中,焊接材料的選擇是最具挑戰(zhàn)性的。因?yàn)閷?duì)于無(wú)焊接工藝來(lái)說(shuō),無(wú)焊料、焊錫膏、助焊劑等材料的選擇是最關(guān)鍵的。漢赫電子在選擇上述材料時(shí)首先考慮到焊接元件的類型、線路板的類型,以及它們
2016-07-29 09:12:59

凌特同步整流式降壓穩(wěn)壓器采用9mm×9mm QFN封裝

美國(guó)凌特科技(Linear Technology)上市了采用9mm×9mm的64引腳QFN封裝,且連續(xù)輸出電流最大為12A的同步整流式降壓穩(wěn)壓器“LTC3610”(發(fā)布資料)。可應(yīng)用于多節(jié)鋰離子
2018-08-27 15:24:31

分立器件封裝技術(shù)及產(chǎn)品的主要發(fā)展?fàn)顩r

無(wú)封裝分立器件,全綠色封裝等,而且無(wú)化向功率分立器件、玻璃和陶瓷產(chǎn)品轉(zhuǎn)移,提供功率產(chǎn)品的無(wú)封裝,包括高功率模塊、專用或標(biāo)準(zhǔn)功率模塊、功率類型的MOSFET、雙極晶體管、射頻晶體管、肖特基
2018-08-29 10:20:50

創(chuàng)新型MOSFET封裝:大大簡(jiǎn)化您電源的設(shè)計(jì)

`目前,電源工程師面臨的一個(gè)主要難題是,隨著功能的日益增多,商用電子產(chǎn)品的尺寸不斷縮小,留給電源電路的空間越來(lái)越少。解決這個(gè)難題的辦法之一是充分利用在MOSFET技術(shù)和封裝上的進(jìn)步。通過(guò)在更小尺寸
2013-12-23 11:55:35

功率MOSFET結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)

區(qū)。在功率MOSFET的內(nèi)部,由許多這樣的單元,也稱“晶胞”,并聯(lián)而成。硅片的面積越大,所能加工的單元越多,器件的導(dǎo)通電阻越小,能夠通過(guò)的電流就越大;同樣,在單位的面積的硅片上,能夠加工的晶胞越多
2016-10-10 10:58:30

表面組裝工藝和無(wú)表面組裝工藝差別

`含表面組裝工藝和無(wú)表面組裝工藝差別:1、焊錫的物理屬性、熔點(diǎn)、表面張力、氧化的可能性、冶金以及金屬浸析的可能性;2、峰值溫度更高;3、預(yù)熱溫度更高;4、板和元件的無(wú)表面處理(最好是有無(wú)表面
2016-07-13 09:17:36

在PCB組裝中無(wú)焊料的返修

差異,通過(guò)使用焊劑凝膠、筆式焊劑和芯吸焊料等已為用于象分立元件、面陣列封裝等不同元件的無(wú)焊料(Sn/Ag/Cu 或 Sn/Ag )開(kāi)發(fā)出成功的返工方法(即手工和半自動(dòng))。大多數(shù)用于 Sn/Pb 的返工
2013-09-25 10:27:10

在PCB組裝中無(wú)焊料的返工和組裝方法

吸,因此,無(wú)焊料的返工是較困難的,其在 QFP 中的應(yīng)用就是一個(gè)明顯的例子。盡管存在著這些差異,通過(guò)使用焊劑凝膠、筆式焊劑和芯吸焊料等已為用于象分立元件、面陣列封裝等不同元件的無(wú)焊料(Sn/Ag
2018-09-10 15:56:47

如何進(jìn)行無(wú)焊接?

如何進(jìn)行無(wú)焊接?
2021-06-18 07:42:58

如何選擇無(wú)錫膏廠家

如今發(fā)展迅速,越來(lái)越產(chǎn)家競(jìng)爭(zhēng)強(qiáng)烈,很多人都不知道要怎么選擇,個(gè)人感覺(jué),針對(duì)不同需求而定,國(guó)內(nèi)的錫膏是各有千秋,沒(méi)有最好,只有最合適。不錯(cuò)的無(wú)錫膏廠家也就那么幾個(gè),可以考慮下佳金源,他們?cè)谶@個(gè)行業(yè)有
2022-06-07 14:49:31

如何采用D和E金剛石MOSFET開(kāi)發(fā)邏輯電路?

如何采用D和E金剛石MOSFET開(kāi)發(fā)邏輯電路?
2021-06-15 07:20:40

小型大功率封裝MOSFET MPT6適合汽車應(yīng)用

型化。其中,要求MOSFET更加小型、大電流化。ROHM這次開(kāi)發(fā)成功的MPT6 Dual(2元件)系列產(chǎn)品2個(gè)元件裝入MPT6封裝(4540規(guī)格尺寸:4.5×4.0×1.0mm)中,得到與原來(lái)
2018-08-24 16:56:26

微電子封裝無(wú)焊點(diǎn)的可靠性研究進(jìn)展及評(píng)述

【摘要】:在電子電器產(chǎn)品的無(wú)化進(jìn)程中,由于封裝材料與封裝工藝的改變,焊點(diǎn)的可靠性已成為日益突出的問(wèn)題。著重從無(wú)焊點(diǎn)可靠性的影響因素、典型的可靠性問(wèn)題及無(wú)焊點(diǎn)可靠性的評(píng)價(jià)3個(gè)方面闡述了近年來(lái)該
2010-04-24 10:07:59

我司可向顧客提供各種類型的免松香錫絲,無(wú)錫絲符合歐盟ROHS|無(wú)錫線|環(huán)保焊錫絲

、sn63/37焊錫條、sn63/37焊錫膏、錫球、純錫珠、錫粒、無(wú)錫球、錫半球、錫珠、無(wú)焊錫絲、無(wú)焊錫線、無(wú)焊錫條、無(wú)焊錫膏、含銀焊錫絲、含銀焊錫條、焊鋁錫絲、高溫錫絲、高溫錫條、低溫錫線、鍍鎳錫
2021-09-22 10:38:44

新型無(wú)波峰焊機(jī)助力無(wú)化環(huán)保發(fā)展

為適應(yīng)當(dāng)今電子產(chǎn)品向無(wú)化環(huán)保發(fā)展的趨勢(shì),由中國(guó)科學(xué)院西安光學(xué)精密機(jī)械研究所創(chuàng)辦并控股的中科麥特電子技術(shù)設(shè)備有限公司近期研制開(kāi)發(fā)出一種新型無(wú)波峰焊機(jī)。 該產(chǎn)品在設(shè)計(jì)中采用了西安光機(jī)所兩項(xiàng)專利技術(shù)
2018-08-28 16:02:15

新型CSD18541F5 MOSFET縮小您的元件占位面積

的那些家用電器采用的SOT-23 (6.75mm2) 封裝(參見(jiàn)圖2),新型MOSFET的尺寸約有其六分之一左右。它還意味著不僅RDS(ON)降低,還實(shí)現(xiàn)了占位面積大幅減小的優(yōu)點(diǎn),面積比傳統(tǒng)
2018-08-29 16:09:11

是否可以為Virtex系列(XCV400)提供無(wú)部件

是否可以為Virtex系列(XCV400)提供無(wú)部件?什么是Leadfree部件號(hào),如果有的話?
2020-05-29 13:00:33

無(wú)混裝工藝的探討

元器件的焊接質(zhì)量呢?通過(guò)分析元器件引線框架或焊端鍍層的成分,結(jié)合元器件封裝形式來(lái)探討有鉛制程下有無(wú)混裝工藝的相關(guān)問(wèn)題及應(yīng)對(duì)措施。【關(guān)鍵詞】:有無(wú)混裝工藝;;有鉛制程(工藝);;無(wú)元器件
2010-04-24 10:10:01

錫與無(wú)錫可靠性的比較

跌落測(cè)試中,無(wú)焊接會(huì)發(fā)生更多的PCB破裂。麥|斯|艾|姆|P|CB樣板貼片,麥1斯1艾1姆1科1技全國(guó)1首家P|CB樣板打板  4)取決于元器件。某些元器件,如塑料封裝的元器件、電解電容器等,受到
2013-10-10 11:41:02

杰爾鎳內(nèi)涂層的錫銅無(wú)封裝技術(shù)

。    目前,大多數(shù)芯片封裝都會(huì)在銅金屬上覆蓋一層錫與材料。在封裝行業(yè)向無(wú)封裝轉(zhuǎn)移時(shí)時(shí),許多封裝僅在銅表面覆上一層錫,并且通過(guò)電子設(shè)備制造商以遠(yuǎn)高于封裝內(nèi)部材料熔點(diǎn)的溫度下進(jìn)行生產(chǎn)。杰爾系統(tǒng)
2018-11-23 17:08:23

滿足供電需求的新型封裝技術(shù)和MOSFET

了功率密度。圖2 新型MOSFET的平直功率損耗曲線使它可以工作在更高的頻率  理想的封裝技術(shù)  半導(dǎo)體器件在改善功率密度方面受到許多限制。需要被控制器件內(nèi)部的功率消耗以減小它對(duì)電路板面積和器件之間
2012-12-06 14:32:55

耗盡MOSFET的基本概念及主要類型

器件。一旦在MOSFET的柵極端施加電壓,源極溝道的漏極電阻變得更大。當(dāng)柵源電壓增加更多時(shí),從漏極到源極的電流減少,直到電流從漏極到源極的流動(dòng)停止。耗盡MOSFET有兩種類型,分別是P溝道和N溝道
2022-09-13 08:00:00

自動(dòng)焊錫機(jī)商家為什么要選擇無(wú)錫絲呢?

錫絲分為哪些呢?自動(dòng)焊錫機(jī)商家為什么要選擇無(wú)錫絲呢?無(wú)焊錫絲屬于環(huán)保產(chǎn)品,是否大力推廣?
2021-04-20 07:09:06

認(rèn)識(shí)無(wú)焊錫作業(yè)

及其問(wèn)題  無(wú)焊錫問(wèn)題:①上錫能力差:無(wú)焊錫的焊錫擴(kuò)散性差,擴(kuò)散面積差不多是共晶焊錫的1/3;②熔點(diǎn)高:無(wú)焊錫熔點(diǎn)比一般Sn-Pb共晶焊錫高大約34~44℃,這樣電烙鐵烙鐵頭的溫度設(shè)定也要
2017-08-09 10:58:25

請(qǐng)問(wèn)AD828AR有沒(méi)有對(duì)應(yīng)的無(wú)器件?

AD828AR有沒(méi)有對(duì)應(yīng)的無(wú)器件?型號(hào)是?我在[size=13.3333px]AD828的datasheet里居然沒(méi)找見(jiàn),請(qǐng)幫忙指出在那個(gè)文檔里可以找到?具體在文檔的第幾頁(yè)?謝謝
2018-09-06 14:31:50

轉(zhuǎn): 關(guān)于“無(wú)焊接”選擇材料及方法

無(wú)焊接工藝中,焊接材料的選擇是最具挑戰(zhàn)性的。因?yàn)閷?duì)于無(wú)焊接工藝來(lái)說(shuō),無(wú)焊料、焊錫膏、助焊劑等材料的選擇是最關(guān)鍵的。漢赫電子在選擇上述材料時(shí)首先考慮到焊接元件的類型、線路板的類型,以及它們表面
2016-07-29 11:05:36

轉(zhuǎn):含表面工藝和無(wú)表面工藝差別

表面工藝和無(wú)表面工藝差別:1、焊錫的物理屬性、熔點(diǎn)、表面張力、氧化的可能性、冶金以及金屬浸析的可能性;2、峰值溫度更高;3、預(yù)熱溫度更高;4、板和元件的無(wú)表面處理(最好是有無(wú)表面處理);5、焊錫的外觀和表面效應(yīng);6、可焊性的差別,如潤(rùn)濕速度和鋪展情況;7、元件自行定心或?qū)φ哪芰^低。
2016-07-13 16:02:31

適用于便攜消費(fèi)類電子產(chǎn)品的超薄小信號(hào)MOSFET

具有所需特性及功用同時(shí)還支持消費(fèi)者如今希冀的纖薄時(shí)髦設(shè)計(jì)的器件。”    新的NTNS3193NZ和NTNS3A91PZ被以為是業(yè)界最緊湊的小信號(hào)MOSFET,由于它們采用極小
2012-12-07 15:52:50

銳意創(chuàng)新:無(wú)工藝下的新一代通用快速恒溫烙鐵

銳意創(chuàng)新:無(wú)工藝下的新一代通用快速恒溫烙鐵恒溫, 無(wú), 通用, 工藝, 烙鐵作為電子制造大國(guó),中國(guó)電子制造業(yè)目前在無(wú)化電子組裝方面所面臨的挑戰(zhàn)之一是:缺乏針對(duì)數(shù)量龐大的小規(guī)模電子制造企業(yè)為
2009-11-23 21:19:40

BGA封裝和LGA比較

軍事和航天應(yīng)用的錫 BGA 封裝 μModule 產(chǎn)品
2019-07-31 06:13:32

Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET--SiA923EDJ

Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝
2011-03-02 10:19:301341

IR推出新款PQFN封裝功率MOSFET PQFN2x2

國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 擴(kuò)展其封裝系列,推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)
2011-06-16 09:35:042537

Vishay發(fā)布新款TrenchFET功率MOSFET-SiB437EDKT

日前,Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB437EDKT。此外,SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導(dǎo)通的此類器件。
2011-08-18 09:42:40850

年底裁員潮?傳聯(lián)想巴西新廠面積減半重組業(yè)務(wù)

聯(lián)想原計(jì)劃在巴西圣保羅州伊圖市興建一間占地5.2萬(wàn)平方米的制造工廠,現(xiàn)決定遷址至該州郊區(qū)的因達(dá)亞圖巴,而工廠面積減半。據(jù)巴西當(dāng)?shù)孛襟w報(bào)道,聯(lián)想在巴西的員工數(shù)目將由5000人減少至800人,以便“使成本適應(yīng)新的市場(chǎng)現(xiàn)實(shí)”。
2016-12-21 12:53:07272

直流-直流波爾轉(zhuǎn)換使用ZXMN2F34MA Zetex MOSFET

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《直流-直流波爾轉(zhuǎn)換使用ZXMN2F34MA Zetex MOSFET.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 10:33:400

實(shí)現(xiàn)了封裝面積減半的超小型尺寸

實(shí)現(xiàn)了封裝面積減半的超小型尺寸
2023-08-15 14:34:40377

已全部加載完成

主站蜘蛛池模板: 亚洲第一成年网站视频| 蜜芽最新域名解析网站| 99欧美精品| 色妺妺免费影院| 狠狠色色综合站| 40岁东北老阿姨无码| 色爱AV综合区| 精品久久久久久久久免费影院| 91久久夜色精品| 少妇两个奶头喷出奶水了怎么办| 黄色a三级免费看| AV无码久久无遮挡国产麻豆| 挺进老师的紧窄小肉六电影完整版 | 無码一区中文字幕少妇熟女网站| 精品一区二区三区四区五区六区| 99re热视频这里只有精品| 翁止熄痒禁伦短文合集免费视频| 久久久精品久久久久三级| 爆操日本美女| 巨胸美乳中文在线观看| 超级最爽的乱淫片免费| 亚洲免费一区| 欧美人成人亚洲专区中文字幕| 国产偷抇久久精品A片蜜臀AV| 1000部做羞羞事禁片免费视频网站| 日韩精品在线观看免费| 九九精品视频一区二区三区| www.青青草原| 亚洲一区国产| 热巴两次用约老师屁股发底线球| 后式大肥臀国产在线| music radio在线收听| 亚洲精品视频区| 青青草偷拍国产亚洲欧洲| 花蝴蝶免费观看影视| swag合集120部| 亚洲中文字幕乱码熟女在线| 青苹果乐园在线观看电视剧| 久cao在线香蕉| 国产成人精品综合在线观看| 1V1各种PLAY女主被肉|