Qspeed硅二極管能協助克服高成本、低性能的電源設計挑戰

基于項目的各種限制約束，設計人員在元器件選型過程通常會作出這樣或那樣的折衷。譬如，在設計一個電源時，最明顯的是想使用高端一點的元器件來改善效率，但成本有限；提升開關頻率，效率卻又會因此出現下降，更引入EMI問題；嘗試使用最便宜的東西吧，系統成本未必因此而下降，因為可能為了彌補性能，在小元件上省了錢，卻需要更高成本的大元件來彌補；要降低系統工作溫度以提高設計的可靠性，可電路板空間卻捉襟見肘，而且會相應增加成本。

近日，Qspeed半導體推出H系列組件，協助電源廠商以更低成本克服高性能系統的各種挑戰。基于硅工藝的Qspeed半導體工藝二極管，其工藝使用專有的混合了肖特基和PN結的架構，因此相對SiC二極管具有成本優勢，而相對傳統的超快速二極管(ultra-fast diode)又具有性能優勢。

Qspeed半導體首席執行官Mike Heitzman表示，其新款600V H系列二極管，主要用作PFC(功率因數校正)整流器，擁有更低的反向恢復電荷(QRR)，在高溫下將其轉換損失降至最低，是目前市面上最高的轉換效率的硅二極管，因此適用于覆蓋計算機、液晶/等離子電視、通信的前端開關系統以及馬達驅動和電燈鎮流器等多種應用。

由于Qspeed 600V的H系列的3A-12A二極管產品擁有比前代產品更低的QRR溫度系數，能在高溫下將其轉換損失降至最低；還可提供更低的正向電壓降低傳導損耗以及擁有變化幅度較為緩和的恢復波形。因此，它能夠改善PFC模塊效率，而且無需使用或縮小緩沖器(snubber)，從而使系統效率得到提升。此外，由于Qspeed的硅工藝二極管還可帶來更低的操作溫度、更少的組件、減少電路板與散熱片的需求，以及降低電磁干擾（EMI），故適合用來提高電力密度、降低成本以及改善其可靠性。而此新款組件采用內部隔離的TO-220封裝，集成熱敏電阻，更能讓此系列組件擴展至12A。

Mike介紹，由于Qspeed的硅二極管具有優異的轉換效率，一般在縮小PFC MOSFET仍然使系統具有上述優勢。據透露，其一個客戶就做過這樣的比較，由于他們在設計當中使用Qspeed的硅二極管替代了超快速二極管，從而可以使用12A/15A的MOSFET替代原來的21A 的MOSFET，這樣使系統達到了一樣的效果，但系統成本減低的同時，設計的發熱量也明顯減少。