Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發布業內首款包含可變電阻和內置旋鈕開關的新型面板式電位計---P16S
2012-06-04 13:56:27
1027 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441092 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款采用熱增強型2mm x 2mm PowerPAK? SC-70封裝的單路12V器件--- SiA447DJ，
2012-10-09 11:28:30984 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出業內首款可邦定的薄膜片式電阻---CS44系列
2012-10-18 16:38:35950 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現在4.5V柵極驅動下4.8mΩ最大導通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:401439 Vishay具有業內最低導通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業內最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出新的MPMA系列精密配對電阻。MPMA電阻網絡通過AEC-Q200認證，采用表面模塑SOT-23貼片封裝。
2012-12-13 09:50:181871 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業應用提供基準導通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導通電阻，有助于提升系統效率，還可讓設計人員在多個MOSFET并聯使用時減少產品的組件數量。
2013-01-22 13:27:211206 日前，Vishay Intertechnology為滿足爆破的苛刻要求，推出新型大尺寸電爆破點火片式 （MEPIC） 電阻，通過焦耳效應或閃光點火，使點火時間縮短到250μs以下。器件基于汽車行業
2013-02-25 13:50:51729 日前，Vishay Intertechnology， Inc推出用于功率MOSFET、microBUCK? 功率IC和DrMOS產品的免費在線熱仿真工具ThermaSim 3.0版。為精確分析仿真
2013-03-05 15:52:33815 MOSFET---SiR872ADP，將該公司的ThunderFET?技術的電壓擴展至150V。Vishay Siliconix SiR872ADP在10V和7.5V下的導通電阻低至18mΩ和23mΩ，同時保持低柵極電荷，在10V和7.5V下的典型電荷為31nC和22.8nC。
2013-04-23 11:47:111791 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列高功率、大電流的柵格電阻---GRE2。Vishay Milwaukee GRE2電阻
2015-11-24 10:08:05778 Vishay 宣布，推出了全新的直接水冷繞線電阻系列--- DCRF，可提供9000W的超高功率消耗，并且幾乎沒有外部輻射。Vishay MCB DCRF 系列器件提供從38 mm×178 mm至38 mm×410 mm的六種緊湊尺寸，相較標準繞線電阻該系列是專門為節省空間和提高可靠性而設計的。
2018-06-20 14:41:587919 日前，Vishay推出采用標準電阻安裝尺寸的全新高功率、大電流云母柵格電阻器系列---GREM。
2018-08-07 15:19:427763 ? 1、超級結構 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結構，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導通電阻隨電壓
2023-10-07 09:57:362774 
Vishay 宣布，推出最新系列高壓厚膜片式電阻---CRHP系列，額定功率1.5 W，工作電壓高達3000 V，從1206到2512包括五種小外形尺寸。為提高設計靈活性，Vishay Techno CRHP系列電阻有各種樣式、電極材料、配置和定制尺寸。
2019-03-07 15:55:004627 --- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模擬工藝，導通電阻只有1.5?。與前一代產品和在相同占位內具有近似導通電阻的競爭模擬開關相比，這些器件在關閉
2019-03-08 15:06:392213 日前發布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產品低43%，降低壓降并減小傳導損耗，從而實現更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14846 Vishay 推出通過AEC-Q200認證的新系列高功率薄膜環繞式貼片電阻---PHPA 系列。
2021-09-15 11:48:521696 
Vishay 宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E導通電阻比前一代600
2022-02-21 11:18:05934 
Vishay推出新型VSMP0603超高精度Bulk Metal Z箔 (BMZF) 卷型表面貼裝電阻。該器件是率先采用 0603 芯片尺寸的產品，當溫度范圍在 -55℃至
2008-09-26 13:42:57
汽車級電阻，節省電路板空間，工作電壓為450 V，公差± 0.1 %，TCR低至± 10 ppm/K Vishay 推出0805外形尺寸小型器件，擴充其TNPV e3系列汽車級高壓薄膜扁平片式
2022-03-30 13:58:54
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關鍵詞】：功率損耗,導通電阻
2010-05-06 08:55:20
DirectFET2功率環保封裝 由于采用COOLiRFET硅技術, 40V AUIRF8736M2與上一代設備相比，導通電阻（Rds（on））改善了40%,從而可以將傳導損耗降到最低。雙面冷卻的中罐式
2018-09-28 15:57:04
我在網上一些帖子上面看到，MOS管導通后如果工作在現行放大區的話就有可能燒壞管子，這是因為線性區的ID電流較大，同時RDS也較大，功耗較高所致。但我看了 一下MOS的應用手冊，上面提到的導通后RDS都是mΩ級別的，這個也算是電阻大嘛？這不是與上面的介紹想矛盾嗎？另外，MOS的功耗究竟應該怎么計算呢？
2018-10-25 11:14:39
忽略輸入開關的導通電阻。AD7980的Rin典型值是400Ω，遠大于外部電阻Rext，輸入開關導通電阻為何能忽略？如果考慮Rin，又該如何計算？另外Vstep為什么這樣計算？
2018-08-06 07:49:37
電氣技師和電子制造工程師用接地導通電阻測試儀驗證電器和消費產品（由交流電壓供電）上的裸露金屬是否適當地連接到了其機殼底座。當電器內部發生故障電流時，如果電器沒有適當地連接到已接地的機殼底座，就存在
2017-09-30 09:38:49
上一篇和上上篇介紹了“升降壓轉換器的傳遞函數導出示例”的其1和其2。本文將探討“開關的導通電阻對傳遞函數的影響”。本次也采用同樣的方法展開探討。推導出的傳遞函數同樣為和，同樣按兩個步驟來推導。開關
2018-11-30 11:48:22
求推薦一款導通電阻毫歐級別的常閉型固態繼電器，或者其他的導通電阻很小的也行,不想用電磁繼電器，要求就是常態下是閉合，給電才導通
2021-01-09 09:50:06
` （1）不同耐壓的MOS管的導通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12
測量MOS管的導通電阻除了在選定開關時有用，還在哪些方面有重要的意義？
2012-05-17 10:44:16
我有2個很快的問題。1。AMUX和AMUX定序器的導通電阻和電容是多少？2。SAR和Delta DigMA ADC的采樣電阻和電容是多少？
2019-09-10 15:18:05
請問有人知道MOS管作為開關如何仿真在開啟與中斷狀態下，不同頻率點的導通電阻嗎？我想仿真上圖的SW在Vsw不同狀態下MOS管的導通電阻，用了下面的testbench 使用sp仿真，結果查看ZM的實部，但是出來的結果如下所示：結果都很小并且打開和關斷阻抗大小是相反的，請問有人知道這個是出了什么問題嗎
2021-06-25 07:59:24
使用COOLMOS技術的MOSFET。 IR公司也推出了SUPPER220，SUPPER247封裝的超級MOSFET，額定電流分別為35A，59A，導通電阻分別為 0.082Ω，0.045Ω，150
2023-02-27 11:52:38
Vishay Intertechnology 控股的Siliconix 公司日前宣布推出采用反向導引TO-252 DPAK 封裝的新型TrenchFET 功率MOSFET 系列產品。憑借反向成型的接腳，采取「SUR」封裝的TrenchFET 能使該產品反向
2010-09-05 10:26:59
64 Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
Vishay Siliconix推出業界性能最先進的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強Pow
2009-11-23 17:10:23650 TI具有最低導通電阻的全面集成型負載開關
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負載開關，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 m 標準導通電阻 (rON) 比同類競爭
2009-12-18 09:26:06681 TI 推出具備最低導通電阻的完全整合型負載開關
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:28846 Vishay推出Bulk Metal箔電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出副基準、密封充油的Bulk Metal?箔電阻 --- H和HZ系列，在精度、穩定性和速度上都設定了新的
2010-01-09 09:44:18595 Vishay推出Bulk Metal箔電阻，在精度、穩定性和速度上都有突破
Vishay推出副基準、密封充油的Bulk Metal箔電阻——H和HZ系列，在精度、穩定性和速度上都設定了新的行業基
2010-01-11 08:36:381176 
Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:52777 Vishay推出業內最高容值液鉭電容器DSCC10004
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，
2010-04-09 11:41:36971 Vishay推出新款薄膜貼片電阻
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出為鉆井和航空等極端高溫環境優化的新系列打線式、裸芯片貼片式
2010-04-17 16:12:54676 Vishay推出Power Metal Strip分流電阻的流媒體視頻
Vishay推出為幫助客戶了解如何將Vishay Dale電阻技術用于定制產品，滿足特定用戶的需求，Vishay在其網站(
2010-05-08 16:14:23629 日前，長期為軍工和航天客戶提供高可靠性分立和IC器件的供應商Vishay Intertechnology, Inc.宣布，該公司旗下子公司Vishay Siliconix位于加州Santa Clara的工廠已經通過了DSCC的
2010-07-07 18:08:29710 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通過DSCC檢驗的新款零阻值貼片電阻--RCWPM Jumper，該電阻通過了MIL-PRF-32159的
2010-11-24 09:18:071095 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。
2011-01-26 09:04:081505 日前，Vishay 推出新的PHP系列精密高功率薄膜貼片電阻。這些器件具有低至±25ppm/℃的絕對TCR，低至±0.1%的容差
2011-02-14 09:12:021157 Vishay 宣布推出具有65mm2/ 0.1 in2的業內最小Lug安裝空間的新系列Mini Lug負溫度系數(NTC)熱敏電阻--- NTCALUG03
2011-03-23 10:09:421405 Vishay宣布，推出業界首款綠色、符合RoHS標準（無任何例外）的厚膜矩形貼片電阻--- RCG e3
2011-03-24 10:36:571265 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出可在-55℃～+215℃寬溫范圍內工作的新款精密低TCR薄膜電阻---PLTT
2011-03-28 11:04:301388 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面貼裝Power Metal Strip電阻--- WSK0612。該電阻是業內首個4接頭、1W的檢流電阻，采用小尺寸的0612封裝，具有0.5 mΩ～5mΩ的低阻值。
2011-09-06 09:43:07846 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業內采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:05873 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351491 Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一款新型耐高溫、表面貼裝的環繞式厚膜片式電阻---CHPHT。
2011-12-05 09:05:27770 日前，Vishay 宣布，推出新款采用2512外形尺寸的表面貼裝Power Metal Strip?電阻--- WSLP2512，這種電阻具有高達3W的功率和0.0005Ω的極低阻值。
2012-02-07 11:43:061082 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導通電阻上設立了新的行業基準的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13630 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，發布采用2906尺寸封裝的新款Power Metal Strip?儀表分流電阻--- WSMS2906，該電阻具有3W的功率和最低300μΩ的極低阻值。
2012-02-20 11:55:18533 Vishay宣布，推出新的專業和精密系列寬接頭薄膜片式電阻---MCW 0406 AT，這些電阻是首批采用0406小外形尺寸的此類器件。
2012-03-05 09:34:401019 
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出通過IECQ-CECC認證的無鉛和含鉛厚膜片式電阻。
2012-03-12 09:50:131039 Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業內首款采用小尺寸57mm x 60mm封裝的功率厚膜電阻--- LPS1100
2012-04-12 14:01:471179 日本知名半導體制造商羅姆株式會社面向太陽能發電的功率調節器市場，開發出實現了業內頂級低導通電阻的高耐壓功率MOSFET “R5050DNZ0C9” （500V/50A/typ，34mΩmax45mΩ）。
2012-05-04 11:53:101171 
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET? Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN
2012-05-08 11:09:19806 Mouser Electronics開始供應Vishay Siliconix第一款採用業界最小的晶片級封裝，并將導通電阻降至 1.2V 的 MOSFET。
2012-11-26 09:28:421014 Vishay宣布，推出新系列軸向水泥繞線電阻---Z300-C系列，是業內首個具有12kV定制高壓浪涌承受能力的器件。
2013-01-28 18:31:331381 
日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，將其MCW 0406 AT Precision系列寬端子薄膜片式電阻的歐姆值擴展至1?，是業內采用小尺寸0406封裝的器件中阻值最低的。
2013-02-19 11:23:231244 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級結技術，導通電阻低至30m?、電流達6A～105A，在8種封裝中實現低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:241063 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211075 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列高精度薄膜MELF電阻--- UMB 0207。Vishay Beyschlag UMB
2013-12-03 16:45:391345 Siliconix Si8851EDB是為在移動計算設備中提高效率和節省空間而設計的，在-4.5V和-2.5V柵極驅動下分別具有8.0mΩ和11.0mΩ的極低導通電阻。
2013-12-05 10:30:05898 的采用非對稱PowerPAK? SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的這兩款器件可用于車載
2013-12-13 15:07:13843 日前，Vishay宣布，推出具有業內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 。Vishay Siliconix SiZ340DT把高邊和低邊MOSFET組合在一個小尺寸封裝里，導通電阻比前一代同樣封裝尺寸的器件低57%，功率密度高25%，效率高5%，可節省空間，并簡化高效同步降壓轉換器的設計。
2014-02-10 15:16:51890 TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅動下具有業內最低的導通電阻，在便攜電子產品里能夠節省空間，并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:44885 2015年1月22日，北京訊。日前，德州儀器 （TI） 推出其NexFET? 產品線11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業界最低導通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可應用于熱插拔和ORing應用。
2015-01-22 15:33:263064 Vishay宣布采用0505、0603和2512外形尺寸，用于高功率表面貼裝射頻應用的RCP系列厚膜電阻對外供貨。Vishay Dale器件具有非常高的導熱率，使用主動溫度控制的情況下功率等級可達22W。
2015-07-13 16:40:211450 
Vishay宣布，推出業內首批通過AEC-Q101認證的采用雙片不對稱功率封裝的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，可在汽車應用的高效同步降壓
2016-07-11 14:33:171004 德州儀器（TI）近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管，電阻實現業內最低，比傳統60-V負載開關低90%，同時，使終端系統功耗得以降低。CSD18541F5內置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封裝，其負載開關的封裝體積比SOT-23中的減小80%。
2016-07-18 17:12:361476 Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列高功率、表面貼裝的精密無磁薄膜片式電阻--- PCNM系列。Vishay Dale Thin Film PCNM系列電阻采用氮化鋁襯底，功率等級為2W和6W，外形尺寸分別為1206和2512。
2016-07-18 17:22:541863 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出功率等級達到3W，采用1216外形尺寸的新表面貼裝Power Metal Strip?檢流電阻
2016-11-23 16:48:111697 了高效率的解決方案。這顆器件具有業內最低的優值系數 （FOM 即柵極電荷與導通電阻乘積），該參數是600V MOSFET在功率轉換應用的關鍵指標。
2017-02-10 15:10:111667 Vishay推出一款全新AEC-Q200標準認證的厚膜功率電阻器---LTO 150，采用夾片式TO247封裝，可直接安裝到散熱器上。
2018-07-30 16:57:256236 針對負載箱、動態制動以及電機控制用途，電阻器以標準電阻安裝尺寸提供高達8kW的功率 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用標準電阻
2018-08-25 11:05:002953 關鍵詞：MOSFET , Si8802DB , Si8805EDB , Vishay 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業內采用
2019-01-01 16:29:01380 關鍵詞：Vishay , WSK0612 , 表面貼裝 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款表面貼裝Power Metal
2019-01-07 12:17:01186 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有1.5?低導通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開關--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。
2020-01-09 15:00:141020 日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出了一款符合AEC-Q101要求的N通道60 V MOSFET--- SQJ264EP，這是采用PowerPAK? SO-8L
2020-12-15 16:09:501556 Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術。
2021-04-21 17:50:211274 
Vishay Siliconix SiSS52DN器件采用 PowerPAK1212?8S 封裝，導通電阻低至 0.95 mΩ，優異的 FOM 僅為 29.8?mΩ*nC Vishay 推出多功能
2021-05-28 17:25:572153 Vishay 宣布，推出增強型Vishay Draloric RCC1206 e3厚膜片式電阻，外形尺寸為1206，額定功率0.5 W。
2021-09-23 10:05:441213 
Vishay Draloric RCC1206 e3 器件通過 AEC-Q200 認證節省電路板空間同時減少元件數量，降低加工成本。 Vishay 推出增強型 Vishay Draloric
2021-10-11 15:32:491314 Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:351341 Siliconix n溝道 SiHK045N60EF導通電阻比前代器件降低29 %，為通信、工業和計算應用提供高效、高功率密度解決方案，同時柵極電荷下降60 %，從而使器件導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉換應用中600 V
2022-10-12 15:44:14375 
Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業和計算應用提供高效、高功率密度解決方案，同時柵極電荷下降 60 %，從而使器件導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉換應用中 600V MOSFET 的重要優值系數（FOM）創業界新低。
2022-10-14 16:16:12817 器件可以用作表面貼裝組件。Vishay Draloric 電阻具有高功率等級和出色的抗脈沖性能，是業內首款采用無感型的此類電阻。WSZ 引線型器件技術規格如下表所示。 器件規格表 *經過
2022-11-10 11:25:06608 Vishay ?MCB ISOA 器件通過 AEC-Q200 認證 采用 SOT-227 小型封裝 可直接安裝在散熱器上 具有高脈沖處理能力 功率耗散達 120 W Vishay? 推出一款通過
2023-06-03 08:25:02533 
全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14104
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