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電子發燒友網>電源/新能源>電源新聞>TI推出通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率MOSFET

TI推出通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率MOSFET

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2010-05-12 18:17:18951

IR推出全新HEXFET功率 SOT-23 MOSFET

全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (InternaTIonal Rectifier) 推出全新HEXFET功率MOSFET系列。該器件采用業界標準SOT-23封裝,具有超低導通電阻 (RDS(on)) ,適用于電池充電
2010-07-22 09:29:411162

Vishay推出尺寸功率SMD LED --- VLMx5

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用小尺寸PLCC2 Plus封裝功率SMD LED --- VLMx51系列,該系列LED具有高光通量和非常低的結至環境熱阻,可用于各種照明應
2010-07-27 10:42:191938

IR推出新款PQFN封裝功率MOSFET PQFN2x2

國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 擴展其封裝系列,推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術
2011-06-16 09:35:042537

常用元器件封裝標準尺寸(精華)

本內容詳細介紹了常用元器件封裝標準尺寸,比較完整的分析了常用元器件封裝標準尺寸的問題,歡迎大家下載
2011-07-22 11:26:341233

TE Connectivity推出創新型小尺寸功率繼電器

TE Connectivity 中的TE繼電器部門,最近推出了一款創新型小尺寸功率繼電器,用于現代光伏發電系統的光伏逆變器中
2011-10-26 14:08:46960

英飛凌科技推出汽車封裝無鉛功率MOSFET

英飛凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451013

AOS推出超薄DFN3X3封裝功率MOSFET

日前,集設計,開發和全球銷售的功率半導體供應商AOS半導體有限公司(AOS),發布了具有行業領先標準的高功率密度和高效能的功率MOSFET,它們的DFN3X3封裝厚度只有超薄的0.8毫米。
2012-05-28 11:30:242463

尺寸功率MOSFET及Schottky二極管封裝在汽車電子的應用

電子發燒友網: 本文主要講述了小尺寸功率 MOSFET 及 Schottky二極管 封裝在 汽車電子 中的應用。在這里,小編給大家稍微介紹一下,該文中主要涉及的幾個概念: 1.MOSFET:金屬-氧化層
2012-06-11 10:18:462139

Vishay推出業內首款通過汽車電子元件標準AEC-Q101認證的非對稱封裝雙芯片MOSFET

的采用非對稱PowerPAK? SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的這兩款器件可用于車載
2013-12-13 15:07:13843

Fairchild推出業內首款8x8 Dual Cool封裝的中壓MOSFET

MOSFET為電源轉換工程師替換體積大的D2-PAK封裝提供了卓越的產品,在尺寸縮減了一半的同時,提供了更高功率密度和更佳效率,且通過封裝上下表面同時流動的氣流提高了散熱性能。
2015-09-01 09:02:501242

東芝的創新型雙面散熱MOSFET封裝DSOP Advance

電源系統中的主開關器件是低電壓功率MOSFET,這些系統需要的功率密度正在不斷增加。為減小系統體積和功率損失,需要大力改進MOSFET封裝散熱性。通過降低器件導通電阻和寄生電容,可降低功率損失。
2018-04-04 11:02:0211789

我國首個12英寸功率半導體項目已完成封裝測試 10月份正式投產

9月20日,重慶日報記者從重慶萬國半導體科技有限公司(以下簡稱重慶萬國)獲悉,全國首個12英寸功率半導體項目已經完成封裝測試,預計10月份正式在渝投產。
2018-09-21 14:47:003369

Vishay推出全新LTO 150厚膜功率電阻器 可直接安裝到散熱器上

Vishay推出一款全新AEC-Q200標準認證的厚膜功率電阻器---LTO 150,采用夾片式TO247封裝,可直接安裝到散熱器上。
2018-07-30 16:57:256236

采用ATPAK封裝功率MOSFET在開關器件設計中的應用

視頻簡介:目前,市場對低能耗和節能型電子產品的需求極大,從而符合及超越政府及行業標準組織的節能要求。功率MOSFET由于開關損耗低,已經成為主要開關器件的標準選擇。功率MOSFET在高速開關、高擊穿
2019-03-06 06:05:003591

英飛凌推出采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25V和30V功率MOSFET,樹立技術新標準

英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產品系列,旨在為分立功率MOSFET技術樹立全新的行業標準
2022-03-14 17:39:161650

安森美推出采用創新Top Cool封裝的新系列MOSFET器件

新的Top Cool器件采用TCPAK57封裝尺寸僅5mm x 7mm,在頂部有一個16.5 mm2的熱焊盤,可以將熱量直接散發到散熱器上,而不是通過傳統的印刷電路板(以下簡稱“PCB”)散熱
2022-11-17 14:13:082932

新品發布 | 安森美推出采用創新Top Cool封裝MOSFET

電機控制和DC-DC轉換。 新的Top Cool器件采用TCPAK57封裝尺寸僅5 mm x 7 mm,在頂部有一個16.5? mm 2 的熱焊盤,可以將熱量直接散發到散熱器上,而不是通過傳統
2022-11-22 19:05:10462

CCPAK - GaN FET頂部散熱方案

。對于當今的大電流、高功率應用和650 V GaN功率場效應晶體管,通常需要更高效的器件散熱方式,甚至已成為強制性的要求。因此,頂部散熱方式的 CCPAK封裝,可以提供更佳散熱性能。
2023-02-09 09:32:44363

英飛凌推出PQFN封裝、雙面散熱、25-150V OptiMOS?源極底置功率MOSFET

未來電力電子系統的設計將持續推進,以實現最高水平的性能和功率密度。為順應這一發展趨勢,英飛凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET,電壓范圍涵蓋
2023-02-16 16:27:22758

詳解高效散熱MOSFET頂部散熱封裝

點擊藍字?關注我們 電源應用中的 MOSFET 大多是表面貼裝器件 (SMD),包括 SO8FL、u8FL 和 LFPAK 等封裝。通常選擇這些 SMD 的原因是它們具有良好的功率能力,同時尺寸較小
2023-03-10 21:50:04798

英飛凌適合高功率應用的QDPAK和DDPAK頂部冷卻封裝注冊為JEDEC標準

為了應對相應的挑戰,英飛凌科技股份公司宣布其高壓MOSFET 適用的 QDPAK 和 DDPAK 頂部冷卻 (TSC) 封裝已成功注冊為 JEDEC 標準
2023-04-13 16:54:252876

FCBGA封裝的CPU芯片散熱性能影響因素研究

摘要:散熱設計是芯片封裝設計中非常重要的一環,直接影響芯片運行時的溫度和可靠性。芯片內部封裝材料的尺寸參數和物理特性對芯片散熱有較大影響,可以用芯片熱阻或結溫的高低來衡量其散熱性能的好壞。通過
2023-04-14 09:23:221127

半導體的常規散熱方法 車用功率MOSFET熱管理設計

頂部散熱元件除了布局優勢外,還具有明顯的散熱優勢,因為這種封裝允許熱量直接耗散到組件的引線框架。鋁具有高熱導率(通常在100~210W/mk之間),因此最常用的散熱器是鋁制的。
2023-04-14 09:28:371076

插件封裝技術VS頂部散熱封裝技術

貼片化是從帶獨立散熱片的插件封裝走向更高功率散熱的第一步。一般貼片封裝散熱主要是靠芯片底部跟PCB(印刷電路板)之間的接觸,利用PCB銅箔把芯片產生的熱量傳導出去。
2023-05-06 11:52:43389

KUU推出SOT-723封裝MOSFET

KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET,特別為空間受限的便攜式應用優化的新一代MOSFET,這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進的溝槽工藝技術來取得能夠和SOT-523等大上許多封裝
2023-04-04 16:10:39988

適用于集成式功率級的頂部和底部散熱方案

雖然穩壓器模塊的額定功率和轉換效率都在不斷提升,然而對其的預期尺寸卻正在不斷減小。因此,有效散熱依然是設計上的一大挑戰。本博客文章討論了Flex Power Modules旗下產品的一些散熱設計選項。
2023-11-24 12:46:49354

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