外延工藝是指在襯底上生長完全排列有序的單晶體層的工藝。一般來講，外延工藝是在單晶襯底上生長一層與原襯底相同晶格取向的晶體層。外延工藝廣泛用于半導體制造，如集成電路工業的外延硅片。MOS 晶體管
2023-02-13 14:35:47
10447 在microLED顯示器和功率器件的驅動下，外延設備的出貨量在未來五年將增長三倍以上。 外延在半導體產業鏈中的位置 化合物半導體外延片正大舉進軍超越摩爾領域 據麥姆斯咨詢介紹，目前，外延生長用于
2020-01-30 09:58:584545 ，熱量是不能及時傳導,易形成局部高溫,進而可能損傷元器件、組件,從而影響系統的可靠性及正常工作周期 。所以慎重選擇電源灌封膠非常重要，可以使用有機硅材質的電源灌封膠，因其優良的物理化學性能和工藝性能成為灌
2019-02-27 17:19:23
硅-硅直接鍵合技術主要應用于SOI、MEMS和大功率器件，按照結構又可以分為兩大類：一類是鍵合襯底材料，包括用于高頻、抗輻射和VSIL的SOI襯底和用于大功率高壓器件的類外延的疏水鍵合N+-N-或
2018-11-23 11:05:56
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發及產業化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
本指南提供了有關Arm SystemReady計劃和SystemReady預硅啟用的常見問題的答案。
信息分為以下幾個部分：
?SystemReady一般常見問題解答回答了有關SystemReady
2023-08-08 06:21:04
有被非硅材料逐漸替代的現象，學術研究人員現在開始專注于開發聚合物和紙基微型器件。利用這些材料開發的器件，不僅工藝環保，而且制作設備簡單、成本較低。相對硅材料，它們大幅縮減了研發經費預算。許多聚合物和紙基
2016-12-09 17:46:21
恩智浦半導體（NXP Semiconductors），近日推出業界領先的QUBIC4 BiCMOS硅技術，鞏固了其在射頻領域的領導地位，實現在高頻率上提供更優的性能和更高集成度的同時，為客戶帶來成本
2019-07-12 08:03:23
嗨，我繞了一圈想弄清楚RN4871上如何啟用不同的電源模式，以及它們對于設備行為的意義，所以我在下面列出了電源模式的參考資料。特別是，我試圖進入最低功率模式，根據數據表繪制1至1.7uA。注意，在
2020-04-17 07:48:38
Verilog設計內外延時
2012-08-15 16:31:14
ch9328的USB端可以外延帶屏蔽的標準USB線嗎，有線長要求嗎？
2022-07-07 06:08:49
各位大俠，小女子在做半導體退火的工藝，不知道哪位做過有n型單晶硅退火？具體參數是什么？任何經驗都可以提，請照顧一下新手，謝謝！:handshake
2011-03-01 09:37:32
清潔 - 表面問題：金屬污染的起源：來源：設備、工藝、材料和人力，Si表面的過渡金屬沉淀是關鍵。去污：可以對一些暴露于堿或其他金屬污染物的基材進行去污。晶片不得含有任何污染薄膜。這通常在硅的 KOH
2021-07-01 09:42:27
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：硅納米柱與金屬輔助化學蝕刻的比較編號：JFSJ-21-015作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：CMOS 單元工藝編號：JFSJ-21-027作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html晶圓生產需要三個一般過程：硅
2021-07-06 09:32:40
可控硅是中頻電源 的心臟，它的正確使用對中頻電源的運行至關重要。一臺中頻電源一年損壞三五只可控硅尚屬正常，如果經常燒硅，電爐停擺，影響生產，就要引起警覺了。可控硅的工作電流從幾百安到幾千安，電壓
2013-10-17 09:37:47
可控硅是中頻電源的心臟，它的正確使用對中頻電源的運行至關重要。一臺中頻電源一年損壞三五只可控硅尚屬正常，如果經常燒硅，電爐停擺，影響生產，就要引起警覺了。可控硅的工作電流從幾百安到幾千安，電壓通常在
2013-10-14 10:26:02
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍寶石硅（SoS）等工藝技術給業界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網絡向
2019-08-02 08:23:59
我想了解關于LED關于外延片生長的結構，謝謝
2013-12-11 12:50:27
與表面驅逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。某種程度來講，等離子清洗實質上是等離子體刻蝕的一種較輕微的情況。進行干式蝕刻工藝的設備包括反應室、電源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反應室。氣體被導入并與等離子體
2018-09-03 09:31:49
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍寶石硅（SoS）等工藝技術給業界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網絡向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍寶石硅（SoS）等工藝技術給業界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網絡向長期
2019-08-20 08:01:20
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 編輯
單晶硅太陽能電池詳細工藝
2012-08-06 11:49:37
可控硅電源采用的串聯諧振，即電壓型諧振頻率跟蹤。因此效率較高、功率因數較高。所以有明顯的節電效果，加熱每噸棒料用電341度。 可控硅電源前級不可控全橋整流，不會在整流段引起波形的變形，沒有關斷角
2014-02-27 11:53:46
通俗的說，可控硅是一個控制電壓的器件，由于可控硅的導通角是可以用電路來控制的，固此隨著輸出電壓Uo的大小變化，可控硅的導通角也隨著變化。加在主變壓器初級的電壓Ui也隨之變化。
2019-10-16 09:01:04
可控硅中頻電源裝置簡稱可控硅中頻裝置,是利用可控硅的開關特性把50Hz的工頻電流變換成中頻電流的一種電源裝置,主要是在感應熔煉,感應加熱,感應淬火等領域中廣泛應用。它的優點是:1) 效率高可控硅電源
2013-12-27 09:11:10
梁上在10 000gn加速度作用下壓阻元件所受的平均應力，如表2所示。 4 壓阻式硅微型加速度傳感器加工工藝 壓阻式傳感器的懸臂梁常采用CVD工藝在硅片上外延生長一層外延層刻蝕而成，文中試用鍵合
2018-11-01 17:23:05
`工廠直銷：13系列，雙向可控硅，單向可控硅，穩壓電源聯系：137-3532-316913系列1300313003D13005D雙向可控硅BT136BT137BT151BT139單向可控硅X04052P4M2P6M穩壓電源TL43178M057805L7805CVL7808CVL7809CVL7812CV`
2020-04-08 20:19:00
中元器件的介質隔離，徹底消除了體硅CMOS電路中的寄生閂鎖效應；采用這種材料制成的集成電路還具有寄生電容小、集成密度高、速度快、工藝簡單、短溝道效應小及特別適用于低壓低功耗電路等優勢，因此可以說SOI
2012-01-12 10:47:00
` 有誰用過SEMILAB的SRP-2000外延片厚度測試儀，關于測試儀的機構和控制部分，尤其是精度部分希望交流，資料可發g-optics@163.com，多謝！`
2018-11-20 20:25:37
問個菜的問題:半導體(或集成電路)工藝 來個人講講 半導體工藝 集成電路工藝 硅工藝 CMOS工藝的概念和區別以及聯系吧。查了一下：集成電路工藝（integrated
2009-09-16 11:51:34
最近在做一個用晶閘管或者可控硅做電源開關的項目，請問在這個電路里可控硅怎么實現開通和關斷？非常感謝！
2017-07-11 22:41:13
幾個問題：一是硅的缺陷比較多，它的發光效率比較差。二是用硅做外延成長時，由于硅本身會吸收光線，因此必須把硅拿掉，用別的基材(不管是用金屬還是其他基材)來做光源的承載體。這里必須做一個基板的轉換，這個工藝本身
2012-03-15 10:20:43
1995年希臘科學家A.G.Nassiopuoulos等人用高分辨率的紫外線照相技術,各向異性的反應離子刻蝕和高溫氧化的后處理工藝,首次在硅平面上刻劃了尺寸小于20nm的硅柱和 硅線的表面結構,觀察到了類似于多孔硅的光激發光現象。
2019-09-26 09:10:15
外延生長法(LPE)外延生長法(epitaxial growth)能生長出和單晶襯底的原子排列同樣的單晶薄膜。在雙極型集成電路中，為了將襯底和器件區域隔離(電絕緣)，在P型襯底上外延生長N型單晶硅層
2019-08-16 11:09:49
表面硅MEMS加工技術是在集成電路平面工藝基礎上發展起來的一種MEMS工藝技術，它利用硅平面上不同材料的順序淀積和選擇腐蝕來形成各種微結構。什么是表面硅MEMS加工技術？表面硅MEMS加工技術先在
2018-11-05 15:42:42
我對工藝不是很懂，在氧化層上直接淀積的話是不是非晶硅？如果要單晶硅的話應該怎么做？（有個思路也可以）
2011-06-23 11:06:36
非隔離開關電源方案，怎樣負壓驅動雙向可控硅啊！
2018-07-30 11:48:27
組件可以通過創建和獲取電源管理鎖來控制功耗編譯時可使用CONFIG_PM_ENABLE選項啟用電源管理功能電源管理配置（摘自官網）啟用電源管理功能將會增加中斷延遲。額外延遲與多個因素有關，例如CPU頻率
2021-12-27 06:11:35
表面組裝技術是以工藝為中心的制造技術。產品種類、功能、性能和品質要求決定工藝，工藝決定設備。不同產品設計要求采用相應的工藝，而不同工藝要求相應的設備。 （1）貼裝工藝與設備，如同計算機軟件
2018-09-06 10:44:00
兩方面： （1）工藝質量 其關鍵做法在于分清工藝和設備特性和參數。對任何一個產品，首先應該有明確的工藝要求，再從工藝要求中推出什么設備特性參數會影響這些工藝特性，明確如何設置和控制這些設備特性參數
2018-09-07 15:18:04
NPN 硅外延三極管型號
2009-11-12 14:28:41
21 硅單晶外延層的質量檢測與分析
表征外延層片質量的主要參數是外延層電阻率、厚度、層錯及位錯密度、少數載流子壽命
2009-03-09 13:55:402682 
IR收購ATMI硅外延服務部
電源管理技術領先供應商國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)宣布收購ATMIInc.(納斯達克：ATMI)的特殊硅外延服務部。目
2009-07-06 08:45:27934 ASM啟用功新的PowerFill外延技術的電源設備
ASM今天推出了其PowerFill(TM)的外延硅(Epi Si)溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PowerFill是一個精
2010-01-23 09:32:32795 采用PowerFill外延硅工藝的電源器件
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PoweRFill是一個精
2010-01-25 09:17:05525 ASM啟用新的PowerFill外延技術的電源設備
ASM International近日推出了其PowerFillTM的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。owerFill是
2010-01-27 08:39:291820 國內光伏企業啟用零污染節能新工藝
3月24日早間消息，總部設在保定的太陽能公司英利綠色能源宣布，今年擴展400兆瓦產能，將總產
2010-03-24 08:35:08482 本內容介紹了LED外延片基礎知識，LED外延片--襯底材料，評價襯底材料必須綜合考慮的因素
2012-01-06 15:29:542743 濟寧高新區聯電科技園核心企業冠銓（山東）光電科技有限公司成功研制出4寸LED 外延片，并生產出第一爐。此次研制成功的4寸外延片，每片產出的芯片數量約為2寸工藝的4倍。
2012-11-26 09:25:461043 如何啟用USB主機到主機設備的API支持Android_英版。
2016-10-12 16:05:100 對于禁用和啟用網卡，找到控制面板的網絡設置里面就可以搞定的，但他們偏偏不，就要用批處理實現，好吧，微軟的 DevCon 工具就可以命令行禁用或啟用網卡，下面是兩個批處理的例子。
2017-09-20 14:37:355 一般來說，GaN 的成長須要很高的溫度來打斷NH3 之N-H 的鍵解，另外一方面由動力學仿真也得知NH3 和MO Gas 會進行反應產生沒有揮發性的副產物。 LED 外延片工藝流程如下： 襯底
2017-10-19 09:42:3811 CMOS工藝流程介紹1.襯底選擇：選擇合適的襯底，或者外延片，本流程是帶外延的襯底；2. 開始：Pad ox
2018-03-16 10:40:16108618 
LED的波長、亮度、正向電壓等主要光電參數基本上取決于外延片材料，因此，外延片材料作為LED工作原理中的核心部分，了解LED外延片技術的發展及工藝非常重要。
2018-11-01 16:41:124524 重慶市大足區人民政府官網信息顯示，近日，聚力成半導體（重慶）有限公司（以下簡稱“聚力成半導體”）一期廠房正式啟用，計劃10月開始外延片的量產，生產線達21條，年產能達12萬片。
2019-06-10 16:43:314390 晶棒長成以后就可以把它切割成一片一片的，也就是外延片。
2020-04-16 17:08:321817 最近做芯片和外延的研究，發現同樣的外延工藝和芯片工藝做出來的芯片性能差別很大，大到改變試驗設計的“世界觀”。基板襯底的質量好壞很關鍵。
2021-08-12 10:55:584302 
組件可以通過創建和獲取電源管理鎖來控制功耗編譯時可使用CONFIG_PM_ENABLE選項啟用電源管理功能電源管理配置（摘自官網）啟用電源管理功能將會增加中斷延遲。額外延遲與多個因素有關，例如CPU頻率、單/雙核模式、是否需要進行頻率切換等（CPU 頻率為 240 MHz 且未啟用頻率調節時，最小額外延遲
2022-01-05 14:38:443 本文研究了外延沉積前原位工藝清洗的效果，該過程包括使用溶解的臭氧來去除晶片表面的有機物，此外，該過程是在原位進行的，沒有像傳統上那樣將晶圓從工藝轉移到沖洗罐。結果表明，與不使用溶解臭氧作為表面處理
2022-04-12 13:25:49559 
CMOS工藝流程介紹，帶圖片。
n阱的形成 1. 外延生長
2022-07-01 11:23:2027 通過圖形化硅氧化或氮化硅掩蔽薄膜生長，可以在掩蔽膜和硅暴露的位置生長外延層。這個過程稱為選擇性外延生長(SEG)。
2022-09-30 15:00:385892 本文聊一下GaN芯片的制備工藝。
GaN-般都是用外延技術制備出來。GaN的外延工藝大家可以看看中村修二的書。
2022-10-19 11:53:401459 固相外延，是指固體源在襯底上生長一層單晶層，如離子注入后的熱退火實際上就是一種固相外延過程。離于注入加工時，硅片的硅原子受到高能注入離子的轟擊
2022-11-09 09:33:5210250 氮化鎵外延片生長工藝較為復雜，多采用兩步生長法，需經過高溫烘烤、緩沖層生長、重結晶、退火處理等流程。兩步生長法通過控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應力而產生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:004345 氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產品。近年來，在國家政策支持下，我國氮化鎵外延片行業規模不斷擴大。
2023-02-06 17:14:353012 通常是指的在藍寶石襯底上用外延的方法（MOCVD）生長的GaN。外延片上面一般都已經做有u-GaN，n-GaN，量子阱，p-GaN。
2023-02-12 14:31:252100 碳化硅(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料,近20 年來隨著外延設備和工藝技術水平不斷 提升,外延膜生長速率和品質逐步提高,碳化硅在新能源汽車、光伏產業、高壓輸配線和智能電站
2023-02-16 10:50:096935 氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝，主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測處理等步驟。
2023-02-20 15:50:3210569 從保障外延片品質入手，提升Micro LED生產效率，降低生產成本外，應用更大尺寸的外延片也是Micro LED成本考量的關鍵。傳統的LED行業普遍在4英寸，而Micro LED的生產工藝會擴大到6乃至8英寸，更大的襯底尺寸可以更好控制Micro LED的成本。
2023-05-10 09:50:04543 在半導體科學技術的發展中，氣相外延發揮了重要作用，該技術已廣泛用于Si半導體器件和集成電路的工業化生產。
2023-05-19 09:06:462467 
外延層是在晶圓的基礎上，經過外延工藝生長出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質外延片，可進一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:092827 
如何計算啟用4個內核的T4241的功率？ 要計算T4241啟用4個內核的功率，需要知道以下信息： 1. T4241的額定電源電壓和電流 2. T4241啟用一個內核的功耗 3. T4241啟用四個
2023-06-01 15:12:47278 在SEMICON China 2023上海展上，中國電科集團攜集成電路、第三代半導體、半導體顯示、光伏及熱工等領域設備和工藝整體解決方案重裝亮相，全面展示了最新實踐和成果。
2023-07-24 10:29:45797 碳化硅功率器件與傳統硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導通型單晶襯底上額外生長高質量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
2023-08-03 11:21:03286 
對于摻雜的SiC外延片，紅外光譜測量膜厚為通用的行業標準。碳化硅襯底與外延層因摻雜濃度的不同導致兩者具有不同的折射率，因此試樣的反射光譜會出現反映外延層厚度信息的連續干涉條紋。
2023-08-05 10:31:47914 
碳化硅功率器件與傳統硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導通型單晶襯底上額外生長高質量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
2023-08-15 14:43:341001 
列陣探測器引起了人們的廣泛關注。為了滿足高性能、雙多色紅外焦平面器件制備的要求，需要對碲鎘汞p型摻雜與激活進行專項研究。使用分子束外延方法直接在碲鎘汞工藝中進行摻雜，As很難占據Te位，一般作為間隙原子或者占據金屬位，
2023-09-26 09:18:14284 
電子發燒友網站提供《LED外延芯片工藝流程及晶片分類.doc》資料免費下載
2023-11-03 09:42:540 外延工藝的介紹，單晶和多晶以及外延生長的方法介紹。
2023-11-30 18:18:16878 
碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工，需要在其上經過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實現，高質量的碳化硅同質外延材料是碳化硅器件研制的基礎，外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實現。
2023-12-15 09:45:53607 
分子束外延(Molecular beam epitaxy，MBE)是一種在超高真空狀態下，進行材料外延技術，下圖為分子束外延的核心組成，包括受熱的襯底和釋放到襯底上的多種元素的分子束。
2024-01-15 18:12:10963 
預計該項目投資總額3.5億元人民幣，將引進碳化硅外延設備及輔助設備共計116套。其中包括一條具備24萬片年產量的6英寸低密度缺陷碳化硅外延材料產線。
2024-02-29 16:24:01217 襯底（substrate）是由半導體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進入晶圓制造環節生產半導體器件，也可以進行外延工藝加工生產外延片。
2024-03-08 11:07:41161 
聚焦碳化硅襯底片和碳化硅外延設備兩大業務。公司已掌握行業領先的8英寸碳化硅襯底技術和工藝，量產晶片的核心位錯達到行業領先水平。
2024-03-22 09:39:2965
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