瑞薩電子宣布開發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時(shí)的標(biāo)稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:02
1252 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:241159 近日，德州儀器 （TI） 推出了業(yè)內(nèi)速度最快的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 的柵極驅(qū)動(dòng)器的工作電壓可達(dá)到600V。
2015-10-16 16:32:111114 Limited?（AOS,?納斯達(dá)克代碼:AOSL)推出 600V aMOS7? 超結(jié)高壓MOSFET。 aMOS7? 是 AOS最新一代高壓 MOSFET平臺(tái)，旨在滿足服務(wù)器、工作站、通信電源整流器
2023-05-11 13:52:15665 
線。該器件采用超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)，耐壓600V，適用于數(shù)據(jù)中心、開關(guān)電源和光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品，于今日開始批量出貨。 ? ? 通過對(duì)柵極設(shè)計(jì)和工藝進(jìn)行優(yōu)化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比，600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的
2023-06-13 16:38:50712 
默認(rèn)輸出2、集成500V高壓MOSFET和高壓啟動(dòng)電路3、超低系統(tǒng)成本4、支持降壓和升降壓電路5、開關(guān)式峰值電流模式控制6、超低待機(jī)功耗小于50mW7、超低工作電流，支持小VDD電容8、集成31KHz
2020-09-09 14:50:57
XD308H是一款18-600VDC 超寬輸入電壓范圍的高壓降壓型DC/DC電源芯片，可適應(yīng)12-380VAC超寬電壓輸入(外部加整流濾波)，最大輸出電流可以達(dá)到500mA，內(nèi)部集成全面完善的保護(hù)
2017-07-06 08:48:03
需求：將鋰電池3.7V升壓成500V的5KHz交流電去點(diǎn)亮EL線
現(xiàn)有電路
原理：
在Q1關(guān)斷期間，導(dǎo)通Q2，電感儲(chǔ)能；關(guān)斷Q2后，電感產(chǎn)生反向電動(dòng)勢(shì)，給EL燈的等效電容C1充電；理論上可以升到D1
2023-06-28 19:43:57
描述這款簡(jiǎn)單的隔離型反激式設(shè)計(jì)可在 200mA 的條件下將 50V 至 600V 的輸入電壓轉(zhuǎn)換成 15V。LM5021-1 控制器因其脈沖跳躍模式而適用于綠色環(huán)保模式轉(zhuǎn)換器。由于脈沖跳躍模式的最大
2018-12-14 15:37:05
大家好。在CC模式測(cè)試期間，我可以詢問安捷倫校準(zhǔn)中心在其6035A 500V / 2A 1000W電源上用作負(fù)載調(diào)節(jié)/負(fù)載效應(yīng)的短路開關(guān)。您是使用電子開關(guān)還是重型機(jī)械開關(guān)（以創(chuàng)建短路）電路）從
2019-04-02 15:47:32
一、簡(jiǎn)介90V-220V輸入小體積LED恒流驅(qū)動(dòng)芯片集成了500V功率MOS、高壓自供電電路以及采樣電路，無需啟動(dòng)電阻以及反饋電阻。準(zhǔn)諧振工作模式簡(jiǎn)化了PCB的設(shè)計(jì)，系統(tǒng)只需要幾個(gè)的外圍元件，大大
2020-10-29 16:05:19
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
公司產(chǎn)品打算做CE認(rèn)證，其中一項(xiàng)測(cè)試就是能抵抗500V的浪涌電壓。測(cè)試公司會(huì)用他們的設(shè)備連接我們的設(shè)備，12V的輸入，500V的浪涌電壓持續(xù)1.2ms。于是我們?cè)谄渲屑尤肓薚VS，如圖所示。D18
2019-11-12 11:10:07
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
各位大師 請(qǐng)教個(gè)問題本人有臺(tái)開關(guān)電源600V/3A。整流后經(jīng)四個(gè)大容，四個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管組成的對(duì)管，后經(jīng)變壓器，再經(jīng)整流。開電沒問題。只要工作就燒開關(guān)管，大功率場(chǎng)效應(yīng)管，兩個(gè)對(duì)管。問問是怎么回事，會(huì)是哪里造成的。
2013-10-11 00:34:27
最近在做一個(gè)項(xiàng)目，直流輸出有600V，輸出與控制板完全隔離，現(xiàn)在我想通過電阻分壓的方式對(duì)其進(jìn)行采樣。分別對(duì)輸出+和輸出-作分壓采樣。但是因?yàn)檩敵龅叵鄬?duì)板子地是懸浮的，所以分壓電路設(shè)計(jì)上難把握。請(qǐng)問板上大聲有沒有有經(jīng)驗(yàn)的或有想法的不吝賜教。另外問一下有沒有用過隔離式直流電壓采樣器件的嗎
2015-09-29 16:25:27
極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料，SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場(chǎng)較大、熱導(dǎo)率較高的特點(diǎn)，SiC
2019-10-24 14:25:15
DC12V-AH8669內(nèi)部集成600V高壓MOSFET，以滿足高電壓沖擊的需求。不同于典型的PWM控制方式。220V轉(zhuǎn)換12產(chǎn)品開關(guān)
2021-11-17 06:18:33
輸出、數(shù)控直流偏置調(diào)節(jié)、輸出 ON/OFF 開關(guān)壓擺率600V/us 500V/us 500V/us 450V/us 450V/us最大輸出功率80W 160W 320W 155W 310W`
2017-09-26 18:09:48
10KA(ROHS)ARR-BM600L-CA8 陶瓷放電二極管600V 10KA (ROHS)ARR-BP600M-CA8 陶瓷放電二極管600V 20KA (ROHS) ARR-BP800M-CA8
2020-06-05 11:52:50
。BP5926X可以兼容幅值為3.3V/5V的PWM 信號(hào)。浮動(dòng)的高壓側(cè)對(duì) GND 耐壓可以達(dá)到 600V，能夠廣泛適應(yīng)于各種 LED 恒流驅(qū)動(dòng)電路。特點(diǎn)? 無極雙路互補(bǔ)調(diào)色? 高壓側(cè)對(duì) GND 耐壓
2020-09-26 11:24:52
DC-DC升壓專用芯片有誰用過，求推薦，輸入電壓是10-40V,輸出電壓是500-600V,路過的各位看下，設(shè)計(jì)電路用，急用！！！
2017-04-28 11:20:24
浪涌做到±500V，經(jīng)常遇到壓敏電阻不工作，導(dǎo)致后面降壓電路燒毀很多，問題是，如何提高這個(gè)電源電路的防雷擊浪涌水平到500V；2、降壓電路圖是我一個(gè)朋友給我的，讓我來適用一下，其中的原理還不甚明白，希望
2020-09-22 13:03:05
產(chǎn)品描述 QQ289 271 5427 DP950XB系列是高度集成的恒流LED功率開關(guān)， 芯片采用了準(zhǔn)諧振的工作模式，無需輔助繞組檢測(cè) 消磁。同時(shí)內(nèi)部集成有高壓500V功率MOSFET和 高壓自供
2019-09-27 15:10:01
1. 特性? 雙管正激電源 600V 高壓驅(qū)動(dòng)? 高端懸浮自舉電源設(shè)計(jì)? HIN、LIN 適應(yīng) 0-20V 輸入電壓? 小于 1uA 靜態(tài)電流? 最高頻率支持 500KHZ? 低端 VCC 電壓范圍
2022-09-09 16:21:19
1. 特性? 高端懸浮自舉電源設(shè)計(jì)，耐壓可達(dá) 600V? 適應(yīng) 5V、3.3V 輸入電壓? 最高頻率支持 500KHZ? VCC 和 VB 端電源帶欠壓保護(hù)? 低端 VCC 電壓范圍 10V-20V
2022-09-13 13:22:59
FAN7391MX是一款單片高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng) IC，可驅(qū)動(dòng)工作在高達(dá) +600 V 電壓的高速 MOSFET 和 IGBT。它具有緩沖輸出級(jí)，所有 NMOS 晶體管設(shè)計(jì)用于實(shí)現(xiàn)高脈沖電流驅(qū)動(dòng)
2022-01-18 10:43:31
GTO一般最高只能做到幾百Hz,但功率較大，已達(dá)到3000A、4500V的容量。GTR目前其額定值已達(dá)1800V/800A/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz
2012-10-24 08:02:09
穩(wěn)壓器IC。 HV9921集成了一個(gè)500V開關(guān)MOSFET，可直接在整流的通用交流線電壓范圍80至265VAC下工作
2019-10-16 08:41:01
穩(wěn)壓器IC。 HV9923集成了一個(gè)500V開關(guān)MOSFET，可直接工作于整流通用交流線電壓范圍80至265VAC
2019-10-16 08:37:46
。高邊連接的MOSFET或IGBT的工作電壓可高達(dá)+600V，IRS26302D廣泛用于通用逆變器和空調(diào)器逆變器以及馬達(dá)控制。它為44腳PLCC封裝工藝。一、IRS26302DJBPF外觀圖
2021-05-18 07:25:34
IRS26302D：保護(hù)式600V三相柵極驅(qū)動(dòng)器
2016-06-21 18:26:25
K2182，F(xiàn)S3KM ，F(xiàn)S5KM，K2662這些耐壓500V的管子，可以用哪款耐壓800V的場(chǎng)效應(yīng)管代換，用K2129代換行嗎？
2019-11-08 12:35:15
產(chǎn)品描述KP3110是一款非隔離型、高集成度且低成本的 PWM功率開關(guān)，適用于降壓型和升降壓型電路。KP3110采用高壓單晶圓工藝，在同一片晶圓上集 成有500V高壓MOSFET和采用開關(guān)式峰值電流
2021-09-09 10:38:22
電源.開關(guān)電源,汽車電子專用高壓貼片電容 產(chǎn)品規(guī)格有： 0805 X7R 100V、250V、500V 系列0805 NPO 100V、250V、500V 系列1206 X7R 100V、250V
2012-05-06 11:26:50
確保高壓側(cè)電源開關(guān)的正確驅(qū)動(dòng)。驅(qū)動(dòng)器使用2個(gè)獨(dú)立輸入。特性：高壓范圍：高達(dá)600 VdV/dt抗擾度±50 V/nsec柵極驅(qū)動(dòng)電源范圍為10 V至20 V高和低驅(qū)動(dòng)輸出輸出源/匯電流能力250 mA
2021-11-23 13:57:47
`我想在PCB上畫一個(gè)激勵(lì)線圈，需要大概500V以上高壓，頻率也要到500KHz-2MHz的單脈沖激勵(lì)，1mm的線間距會(huì)不會(huì)把PCB擊穿？還有線寬是不是也有要求？求大神解惑，剛要去加工，忽然想起來的問題，提前問一波。`
2017-10-27 16:55:48
一、主控芯片——RM90231.產(chǎn)品亮點(diǎn)◆兩端口恒流芯片，無需取樣電阻，專利恒流技術(shù)；◆芯片內(nèi)部限定恒流電流，線路極簡(jiǎn)，無需調(diào)試；◆內(nèi)部集成600V高壓MOSFET；◆內(nèi)置過溫調(diào)節(jié)。2.產(chǎn)品概述
2019-12-24 17:13:28
電壓的自適應(yīng)，從而取得優(yōu)異的線型調(diào)整率和負(fù) 載調(diào)整率。 SIC9552A/9553A/9554A/9555A/9556A內(nèi)部集成了500V功率MOSFET，無需次級(jí)反饋電路，也無需補(bǔ) 償電路，加之精準(zhǔn)
2016-06-16 20:42:44
具有高脈沖電流緩沖級(jí)的設(shè)計(jì)最小驅(qū)動(dòng)器交叉?zhèn)鲗?dǎo)。漂浮的通道可用于驅(qū)動(dòng)N通道電源高壓側(cè)配置的MOSFET或IGBT工作電壓高達(dá)600V。特性：欠壓鎖定，電壓高達(dá)600V耐負(fù)瞬態(tài)電壓，dV/dt柵極驅(qū)動(dòng)電源
2021-05-11 19:40:19
`【最新方案】啟達(dá)CR6247+CR3007_5V2.1A SMPS 工程樣機(jī)測(cè)試報(bào)告CR6247芯片特性：● CR6247 是內(nèi)置 600V 高壓功率 MOSFET，反激式原邊控制 PWM 功率
2017-10-31 15:08:20
輸入900V，輸出500V的高壓穩(wěn)壓電源——三極管串聯(lián)應(yīng)用的典范：
2018-09-13 18:18:07
有兩個(gè)500v 100uf的電容 串聯(lián)在1000v直流電中，想要選取分壓電阻，讓每個(gè)電容分得500v電壓，分壓電阻阻值和功率如何選擇？
補(bǔ)充內(nèi)容 (2016-8-5 09:57):
在線等
2016-08-04 17:44:36
共用 PCB 板 ?LED 電流可外部設(shè)定? 芯片應(yīng)用線路無 EMI 問題? 內(nèi)置 500V 高壓 MOS ? 芯片具有過溫調(diào)節(jié)能力（過溫點(diǎn) 135 度）? 采用 ESOP8、TO252、SOT89-3 封裝
2020-11-09 18:57:28
500V TO-220FIR16N50F16A 500V TO-220FFIR20N50P20A 500V TO-247FIR1N60P 1A 600V TO-92FIR2N60P 2A 600V
2011-08-05 15:16:37
分析C2\C3\D3\D4作用，C1上為什么會(huì)有500V電壓
2020-04-26 21:24:36
心電監(jiān)測(cè)產(chǎn)品，鋰電池供電，USB口充電，卻有項(xiàng)實(shí)驗(yàn)，受電部分（USB口）與應(yīng)用部分（與皮膚接觸的位置）之間加500DC高壓，如何做這個(gè)隔離呢
2016-01-18 09:46:22
/300WChroma63105A電子負(fù)載模塊 500V/10A/300WChroma63106A電子負(fù)載模塊 80V/120A/600WChroma63107A電子負(fù)載模塊 80V/5A & 40A/30W
2017-09-25 14:26:25
現(xiàn)在需要一反向耐壓值為600V，電流為3A的整流橋作為開關(guān)電源的整流器，但是，這個(gè)高壓整流橋的壓降大，這樣引起的功耗就大，由于對(duì)開關(guān)電源的效率有要求，請(qǐng)問有什么辦法可以降低整流橋的功耗嗎？或者，有低壓降的高壓整流橋推薦嗎？
2014-05-13 19:53:40
`本熱擁有大量尼吉康500V470UF點(diǎn)解電容可用逆變器電路，有需要的可聯(lián)系我咨詢，價(jià)格只是半價(jià)。QQ:1946754221`
2017-08-04 19:04:53
問一下，搖表分500V1000V2500V,都在什么情況下使用啊？
2023-11-24 08:04:50
`本人現(xiàn)在需要不少電壓表，最高檢測(cè)600v，現(xiàn)在某寶上有檢測(cè)100v的，不知道接觸過這樣的電壓表的XD怎么改成檢測(cè)600V的`
2017-02-13 19:46:46
浪涌抑制器IC可以保護(hù)> 500V電源浪涌的負(fù)載
2019-07-30 08:22:40
的導(dǎo)通電阻產(chǎn)生的導(dǎo)通壓降仍居高不下，耐壓500V以上的MOSFET 的額定結(jié)溫、額定電流條件下的導(dǎo)通電壓很高，耐壓800V以上的導(dǎo)通電壓高得驚人，導(dǎo)通損耗占MOSFET總損耗的2/3-4/5，使應(yīng)用受到
2020-03-31 17:08:29
各位大大，最近在做雙向逆變，想問一下用2變比的高頻變壓器，高壓側(cè)600V降壓到300v，升壓的時(shí)候可以從300V升壓超過600V嗎，有人說高頻變壓器可以升壓超過原來高壓側(cè)輸入的電壓，請(qǐng)問有懂這個(gè)的能說一下能實(shí)現(xiàn)升壓超過2變比的嗎
2018-03-17 15:26:54
主要特點(diǎn)● 集成 500V 高壓 MOSFET 和高壓啟動(dòng)電路● 多模式控制、無異音工作● 支持降壓和升降壓拓?fù)洹?默認(rèn)12V 輸出（FB 腳懸空）● 待機(jī)功耗低于50mW ● 良好的線性調(diào)整率
2020-08-14 14:32:05
設(shè)計(jì)要求：對(duì)脈沖信號(hào)進(jìn)行放大，脈沖幅度20V, 頻率1MHZ 放到至500V 左右，應(yīng)選何種放大器件？ 高頻大功率三極管可以么？謝謝 賜教！ (附件為脈沖信號(hào)及電路)附件333.png47.1 KB222.png73.5 KB
2018-08-13 06:57:15
運(yùn)放正負(fù)12伏供電，運(yùn)放輸出端連接mosfet的G極。mosfet的D連接500v直流高壓，mosfet的S極連接一個(gè)20歐姆電阻到地，20歐姆電阻連接運(yùn)放反饋端，我想把運(yùn)放個(gè)mosfet進(jìn)行隔離，求方案。求器件。整個(gè)原理其實(shí)就是運(yùn)放控制mosfet實(shí)現(xiàn)電流源。
2018-08-02 08:55:51
到-600V的輸出，反之也是一樣正輸出路有500-600v的電壓輸出。請(qǐng)各位大神分析一下，看怎么能避免這個(gè)負(fù)壓的出現(xiàn)
2018-05-22 15:25:11
有個(gè)硬件設(shè)計(jì)問題。。。一個(gè)471壓敏電阻串聯(lián)一個(gè)1M左右和82K電阻 然后兩端接600V左右的直流電壓。。。我時(shí)間測(cè)量，壓敏電阻兩端的電壓是500V左右，已經(jīng)
2008-12-19 10:17:37
請(qǐng)問怎么實(shí)現(xiàn)12V直流輸入，輸出100~500V連續(xù)可調(diào)電壓？
2016-03-05 17:03:59
請(qǐng)問我想將3.3V直流升為500V直流，怎么實(shí)現(xiàn)？比如選擇什么樣的芯片，用什么電路
2015-06-08 15:50:33
國(guó)際整流器公司推出一系列新一代500V及600V高壓集成電路（HVIC）。這19款新型HVIC采用半橋設(shè)計(jì)，配有高端和低端驅(qū)動(dòng)器，可廣泛適用于包括馬達(dá)控制、照明、開關(guān)電源、音頻和平板顯示器等
2018-08-31 11:23:15
的矛盾。 即便如此，高壓MOSFET在額定結(jié)溫下的導(dǎo)通電阻產(chǎn)生的導(dǎo)通壓降仍居高不下，耐壓500V以上的MOSFET 的額定結(jié)溫、額定電流條件下的導(dǎo)通電壓很高，耐壓800V以上的導(dǎo)通電壓高得驚人，導(dǎo)
2023-02-27 11:52:38
加深理解，最好還是參閱技術(shù)規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)值和特性圖表。【標(biāo)準(zhǔn)SJ MOSFET：AN系列】R50xxANx（500V）R52xxANx系列（520V）R60xxANx系列（600V）R80xxANx系列
2018-12-03 14:27:05
N溝道 漏源電壓(Vdss)：500V 連續(xù)漏極電流(Id)：5A 功率(Pd)：74W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.4Ω@10V,3A 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：4.5V@250uA N溝道,500V,5A,1.4Ω@10V
2022-09-19 14:22:06
類型：N溝道 漏源電壓(Vdss)：500V 連續(xù)漏極電流(Id)：8A 功率(Pd)：125W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：850mΩ@10V,4.8A 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：4V@250uA N溝道,500V,8A,850mΩ@10V
2022-09-19 14:29:39
● 價(jià)格低● 大于600V高壓,穩(wěn)壓輸出● 工作溫度: -40℃~+85℃● 阻燃封裝，滿足UL94-V0 要求●&nb
2022-10-19 09:06:54
Vishay Intertechnology, Inc.推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻達(dá)到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采
2010-07-16 15:05:24
17
500V觸發(fā)電路
2009-02-06 00:21:55690 
600V MOSFET繼續(xù)擴(kuò)展Super Junction FET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出4款新的600V MOSFET
2010-01-26 16:26:181090 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:52777 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 賓夕法尼亞、MALVERN — 2012 年 5 月3 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導(dǎo)通
2012-05-03 17:29:421433 瑞薩電子宣布開發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150m（柵源間電壓為10V時(shí)的標(biāo)稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFETRJL60S5系列，將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓的情
2012-06-26 11:03:40794 里首款MOSFET--- SiHx25N50E，該器件具有與該公司600V和650V E系列器件相同的低導(dǎo)通電阻和低開關(guān)損耗優(yōu)點(diǎn)。
2014-10-09 12:59:191467 
賓夕法尼亞、MALVERN — 2015 年 1 月22 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，其500V系列高壓MOSFET新增11顆新器件，這些器件適合應(yīng)用在功率不超過500W的開關(guān)電源。
2015-01-23 14:05:51886 MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導(dǎo)通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業(yè)和企業(yè)級(jí)電源提供
2017-02-10 15:10:111667 高壓Gatedriver 600V工藝，替代IR2103，替代FD2503，替代SDC9301
2017-11-23 14:17:3233 高壓Gatedriver 600V工藝，替代IR2104，替代FD2504
2017-11-23 14:15:2346 MIC4609 是一款600V 三 相MOSFET/IGBT 驅(qū) 動(dòng) 器。 MIC4609具有300 ns的典型輸入濾波時(shí)間，旨在避免出現(xiàn)意外的脈沖和獲得550 ns的傳播延時(shí)。MIC4609具有 TTL輸入閾值。
2018-07-02 09:24:0011 同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快反向恢復(fù)時(shí)間和業(yè)界超低導(dǎo)通電阻，可進(jìn)一步降低工業(yè)設(shè)備和白色家電的損耗 ROHM的600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS 產(chǎn)品陣容中又新增
2023-07-12 12:10:08437 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 11:27:500 驪微電子是芯朋微一級(jí)代理商，提供ID2304D高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片600V，可兼容代換L6388，更多驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2021-12-29 14:25:499 SVS14N60FJD214A,600V超低內(nèi)阻高壓mos，適用于硬/軟開關(guān)拓?fù)洌喈a(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微MOS管一級(jí)代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-09-05 17:13:067
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