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電子發燒友網>電源/新能源>電源新聞>英飛凌推出25V OptiMOS調壓MOSFET和DrMOS

英飛凌推出25V OptiMOS調壓MOSFET和DrMOS

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2023-02-22 18:54:570

采用 NextPowerS3 技術的 LFPAK56中的N溝道 25V,6.75 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R0-25YLD

采用 NextPowerS3 技術的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、6.75 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R0-25YLD
2023-02-22 18:55:170

采用 NextPowerS3 技術的 LFPAK33中的N溝道 25V,6.8 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R1-25MLD

采用 NextPowerS3 技術的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、6.8 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R1-25MLD
2023-02-22 18:55:320

采用 NextPower 技術的 LFPAK中的N溝道 25V,6.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R5-25YLC

采用 NextPower 技術的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、6.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R5-25YLC
2023-02-22 18:58:220

采用 NextPower 技術的 LFPAK中的N溝道 25V,6.1 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R0-25YLB

采用 NextPower 技術的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、6.1 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R0-25YLB
2023-02-22 18:58:530

采用 NextPower 技術的 LFPAK中的N溝道 25V,3.15mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R9-25YLC

采用 NextPower 技術的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、3.15 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R9-25YLC
2023-02-22 19:01:280

采用 NextPower 技術的 LFPAK中的N溝道 25V,2.4 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R2-25YLC

采用 NextPower 技術的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、2.4 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R2-25YLC
2023-02-22 19:01:590

采用 NextPower 技術的 LFPAK中的N溝道 25V,1.3 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R2-25YLC

采用 NextPower 技術的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、1.3 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R2-25YLC
2023-02-22 19:03:140

采用 NextPower 技術的 LFPAK中的N溝道 25V,1.15mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R1-25YLC

采用 NextPower 技術的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、1.15 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R1-25YLC
2023-02-22 19:03:250

采用 NextPower 技術的 LFPAK中的N溝道 25V,0.99 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN0R9-25YLC

采用 NextPower 技術的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、0.99 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN0R9-25YLC
2023-02-22 19:03:390

單片驅動器+ MOSFET (DrMOS)技術如何改善電源系統設計

本文介紹最新的驅動器+ MOSFET (DrMOS)技術及其在穩壓器模塊(VRM)應用中的優勢。單片DrMOS器件使電源系統能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能,進而增強最終應用的整體性能。
2023-06-14 14:25:171548

英飛凌推出新一代面向汽車應用的OptiMOS 7 40V MOSFET系列

英飛凌科技汽車 MOSFET 產品線高級副總裁 Axel Hahn 表示:“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標桿。
2023-06-26 13:10:00302

英飛凌推出OptiMOS 7技術的40V車規MOSFET產品系列

采用OptiMOS 7 技術的40V車規MOSFET產品系列,進一步提升比導通電阻,減小RDSON*A,即在同樣的晶圓面積下實現更低的RDSON,或者說在更小的晶圓面積下實現相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12678

英飛凌推出先進的OptiMOS?功率MOSFET,進一步擴大采用PQFN 2x2 mm2封裝的MOSFET器件的產品陣容

全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優化了用于高性能設計的成熟OptiMOS技術。新產品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝,具備先進的硅技術、穩定可靠的封裝與極低的熱阻(RthJC最大值為3.2 K/W)。
2023-10-13 16:25:12518

英飛凌推出首款采用OptiMOS 7技術的15 V溝槽功率MOSFET

英飛凌推出業內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統和應用優化,主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363

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