英飛凌近日在2013應用電力電子會議暨展覽會(APEC)中宣布推出DrBlade:全球第一款采用創新芯片嵌入式封裝技術的集成式器件,它集成了DC/DC 驅動器及MOSFET VR功率級。
2013-03-27 15:08:031216 本文提供了來自英飛凌的兩個文件Infineon_therm.sin 和 OptiMOS_n.sin,其中在OptiMOS_n.sin這個單個模板中文件中包含了286個模型。
2023-12-06 11:32:46505 本應用筆記介紹了通過利用英飛凌OptiMOS?3解決方案的優化表幫助選擇最佳MOSFET的方法。
2011-12-06 11:33:287366 英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)通過專注于解決當前電源管理設計面臨的挑戰,來實現系統創新和組件水平的改進。源極底置是符合行業標準的全新封裝概念。英飛凌已推出第一批
2020-02-18 17:50:081494 OptiMOS SD 40 V低電壓功率 MOSFET 提供兩種版本:標準版和中央柵極版。中央柵極版針對多部裝置并聯作業進行了優化。
2020-11-04 11:20:371482 【 2023 年 5 月 12 日,德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361026 。英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET,進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產品陣容,此舉旨在提供功率半導體行業標桿解決方案,在更小的封裝尺寸內實現更高的效率和更加優異的性能。新產品廣
2023-09-06 14:18:431205 :IFNNY)順應系統層面的發展趨勢,推出業界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務器、計算、數據中心和人工智能應用上提升DC-DC轉換率
2023-12-12 18:04:37494 電子發燒友網報道(文/梁浩斌)近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術,據官方介紹,這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術,相比上一代產品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181486 特色10V to 32V in, output 25V @ 1AAchieving efficiency of 90% across entire operation range, 96% peak
2018-09-21 08:47:08
描述此參考設計提供 20V 至 25V 的可調輸出電壓和 10V 至 14V 的輸入電壓范圍。它還具有將轉換器輸入電流限制在 70mA 至 135mA 之間的功能。可調值取決于 VID 接口,此接口可以是分立的,也可以是集成的。主要特色可調輸出電壓可調輸入電流限制
2018-08-19 06:48:52
3~25V與10安3~15V電壓可調電壓電路原理圖詳解
2020-04-16 20:47:01
多種輸入源提供高達 600mA 連續輸出電流,輸入源包括單節或多節電池以及太陽能電池板和超級電容器。其 2.4V 至 25V 輸入電壓范圍和 1V 至 25V 輸出范圍 (LTC3130 是可調
2018-10-10 17:31:43
散熱性能。結論通過推出適用于200 V和250 V電壓級的OptiMOS 3器件,如今,英飛凌科技的產品已經覆蓋從25V至250V的整個電壓范圍。無論任何電壓等級,OptiMOS 3都具備一流的靜態
2018-12-07 10:21:41
,英飛凌成功完成了全新40V 和 60V MOSFET的開發工作。 與OptiMOS?3技術直接比較,結果表明,新一代MOSFET不僅可極大地降低通態電阻RDS(on),還可大幅改進開關特性。 阻斷電壓為
2018-12-06 09:46:29
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:45 編輯
英飛凌科技推出XMC4000單片機家族
2012-08-17 13:27:22
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:45 編輯
英飛凌科技推出XMC4000單片機家族2
2012-08-17 13:29:28
1.DC 3~60V ,限制輸出在3~25v之內,就是大于25V的輸入限制輸出到25v左右,如何設計電路,謝謝了!!!用簡單的穩壓二極管發熱太大了吧,有沒有別的方法 ,謝謝了2.或者有其他更好的方法,DC 3~60V 轉成5v給后面的單片機數碼管供電,如何設計電路,謝謝了??!
2016-11-17 09:42:15
員所需要的。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor簡稱FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET(尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN)此款
2012-04-28 10:21:32
LT3462,高轉換比,3.3V至25V反相轉換器,功耗低至55mm2,效率高于70%
2019-08-16 06:55:39
` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2019-2-28 10:52 編輯
Taiyo Yuden C0G 01005 25V MLCCs特征:箱體尺寸:0.4mm×0.2mm×0.2mm
2019-02-28 09:32:19
/DC開關電源的設計開發。2009年加入英飛凌科技(中國)有限公司。任系統應用工程師,負責英飛凌功率半導體器件的應用和方案推廣。演講內容介紹:英飛凌新的OptiMOS產品為MOSFET分離器件設立了一個
2012-07-13 10:50:22
我需要從英飛凌推出MOSFET IPW90R120C3這里的MOSFET規格VDS @ TJ=25°C 900 VRdson @ TJ=25°C: 0.12ohmQg = 270nC驅動器
2018-09-01 09:53:17
低成本可調數顯穩壓電源(1.3V~25V)proteus仿真資料
2012-08-20 11:10:08
供電為9V電池,是否可以通過兩個MAX668實現正、負25V電源系統?或者還有其它解決方案?
2015-12-02 14:49:46
DN268- 微型降壓穩壓器可接受3.6V至25V的輸入并消除散熱器
2019-07-31 07:35:41
求幫忙推薦一款升壓電路芯片,要求輸入不超過15V,輸出7V~25V可調,謝謝!
2017-09-25 15:53:04
要求輸入9V輸出25V,電流能達到2A以上,最好能恒壓和恒流之間可以切換
2014-10-06 22:30:10
手頭有一個項目汽車上用的12V系統,在選擇電源端電解電容的時候懵逼了,因為產品尺寸的限制和電容容量的要求1000uf 只找到25V 1000UF 12.5*20 的電解電容,但是我看公司里的產品
2019-10-17 08:50:14
達100A的電流處理能力等特性,使該系列產品在40至80V電壓等級的低電阻MOSFET應用方面樹立了全新的標準。OptiMOS 3產品用于要求高效率和高功率密度的功率轉換和電源管理系統,應用范圍廣泛
2018-12-07 10:23:12
您好!目前使用ADP7182希望從-25V轉成-1.8V, 調整adj分壓電阻為60.4KOhm 與 110KOhm後僅能得到-2.5V. 請問有其他的建議可以達到期望的輸出值嗎? 謝謝
2018-08-19 07:54:45
大家好:我的板子里現在需要一個±25V和±15V電源,且噪聲要求5mV以下,做精密測量噪聲越小越好。我現在的方案是利用DC POWER SUPPLY DF1731SL3A提供±25V,然后按(圖一
2018-10-16 06:28:07
大家好:
我的板子里現在需要一個±25V和±15V電源,且噪聲要求5mV以下,做精密測量噪聲越小越好。我現在的方案是利用DC POWER SUPPLY DF1731SL3A提供±25V,然后按(圖一
2024-01-08 11:26:17
輸入12V,輸出25V,6A的開關電源電路
2019-05-09 11:31:13
輸入12V,輸出25V,10A的開關電源電路
2019-05-10 08:24:16
輸入是25V,濾波電容耐壓值選擇35V 的鉭電容合適嗎,第一次好像就炸了,跪求回帖,不勝感激。
2018-01-31 08:31:45
驅動25A/12V的mosfet,IR2103S需要多大的自舉電容
2021-01-28 12:07:56
2.5V至25V可調穩壓輸出電源電路
2008-12-07 16:34:501894
10A,25V直流固體繼電器電路圖
2009-04-13 09:00:351730 英飛凌欲借新一代超結MOSFET樹立硬開關應用基準
英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個產品系列的優勢,可降低設
2009-06-23 21:17:44594 瑞薩科技推出用于筆記本CPU電源、與DrMOS相兼容的DrMOS
株式會社瑞薩科技(以下簡稱瑞薩)宣布推出R2J20653ANP,一款適用于筆記本電腦用CPU及存儲器等器件中穩壓器(VR
2010-01-08 08:51:101087 英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件,進一步擴大OptiMOSTM產品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統
2010-01-26 09:22:57827 符合DrMOS規定的新款器件
Vishay Intertechnology, Inc.推出集成的DrMOS解決方案 --- SiC762CD。在緊湊的PowerPAK MLP 6x6的40腳封裝內,該器件集成了對PWM信號優化的高邊和低
2010-02-23 16:09:19915 新功率器件讓服務器能效達到93%
為提高計算和電信產品的能效,英飛凌科技股份公司近日宣布,公司將在2010年應用電力電子會議和產品展示會上,推出OptiMOS 25V器件
2010-03-01 11:45:37514 基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強大的第二代溝槽技術,OptiMOS-T2器件成為大電流汽車電機驅動應用、電動助力轉向(EPS)系統和汽車啟停系統的理想解決方案。
出于成
2010-08-09 09:08:22557 Vishay宣布,推出具有為PWM優化的高邊和低邊N溝道MOSFET、全功能MOSFET驅動IC、自舉二極管的集成DrMOS解決方案---SiC779CD
2011-05-12 08:51:141383 兆半導體公司開發出一系列Generation II XS DrMOS (集成式驅動器 + MOSFET) 器件,這些器件能夠提供高效率和高功率密度,可讓設計人員滿足不同應用的特定設計需求
2011-05-27 08:51:061064 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產品系列。全新的40V OptiMOS P2產品為能效改進、碳減排和成本節約樹立了行業新標桿,從而進一步
2011-09-13 08:33:16692 英飛凌科技推出采用先進溝槽技術制程的最新單一P通道40V汽車電源MOSFET系列產品。新型40V OptiMOS P2產品為提升能源效率、減少CO2排放及節省成本設立新的基準
2011-09-28 19:35:41648 英飛凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451013 Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8,其額定電壓為25V,適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設計。
2012-01-11 09:12:44774 Maxim Integrated Products推出±25V超擺幅模擬復用器(MAX14778)和模擬開關(MAX14759–MAX14764),能夠在3V至5.5V電源供電條件下切換/復用較寬范圍的信號。
2012-03-26 14:58:00962 e絡盟日前宣布新增來自全球半導體和系統解決方案領先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產品,進一步擴充其功率MOSFET產品組合。
2015-03-02 17:37:381390 2015年3月24日,德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)今日推出了OptiMOS? 5 25V和30V產品家族,它們是采用標準分立式封裝的新一代功率MOSFET。
2015-04-01 14:06:081313 本文檔的主要內容詳細介紹的是25v電壓表的驅動程序免費下載。
2019-05-06 11:42:457 英飛凌革命性OptiMOS產品的P溝道功率MOSFET之一,在導通電阻的開關系統設計中,能經受極高的質量考驗以滿足高性能的需求;加入增強模式,可根據不同應用場景選擇Normal Level
2019-09-24 11:37:513180 電容25V指的是該電容最高耐壓25V,使用該電容時,加在電容兩端的電壓不允許超過25V。
2019-12-08 10:37:5015369 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET,標志著公司進一步增強了在低壓SiC領域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 LT1938:25V、2.2A、2.8 MHz降壓開關穩壓器數據表
2021-04-28 14:23:130 LT1076HV演示電路-降壓開關穩壓器(25V至5V@1.5A)
2021-06-16 18:40:1728 OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新穎的設計理念, 具有更低的導通電阻和同類產品中更佳的優值系數 (FOM)。
2021-12-03 10:50:381073 英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出了新一代OptiMOS? 源極底置(Source-Down,簡稱SD)功率MOSFET,為解決終端應用中的設計挑戰提供切實可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:382073 英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產品系列,旨在為分立功率MOSFET技術樹立全新的行業標準。
2022-03-14 17:39:161650 OptiMOS 已經成為采用英飛凌獨特技術的中低耐壓 MOSFET 的商標,有多種耐壓、RDS(on)、封裝,適用于汽車和消費類應用。英飛凌在功率半導體領域的市場占有率位居全球第一,特別是在汽車
2022-08-19 15:05:053319 使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優化電源設計
2022-12-29 10:02:53785 未來電力電子系統的設計將持續推進,以實現最高水平的性能和功率密度。為順應這一發展趨勢,英飛凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET,電壓范圍涵蓋
2023-02-16 16:27:22758 采用 NextPowerS3 技術的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、2.09 mΩ、179 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R0-25YLD
2023-02-16 20:45:110 25 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN7R7-25QL
2023-02-17 19:14:340 25 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN6R2-25QL
2023-02-17 19:14:590 采用 NextPowerS3 技術的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、1.0 mΩ、240 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R0-25YLD
2023-02-17 20:02:200 采用 NextPowerS3 技術的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、1.81 mΩ、150 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R5-25MLH
2023-02-20 19:33:440 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、4.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN4R0-25YLC
2023-02-22 18:48:320 采用 NextPowerS3 技術的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、0.85 mΩ、300 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN0R9-25YLD
2023-02-22 18:52:290 采用 NextPowerS3 技術的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、2.1 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R0-25MLD
2023-02-22 18:52:470 采用 NextPowerS3 技術的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、3.72 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN3R5-25MLD
2023-02-22 18:53:180 采用 NextPowerS3 技術的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、5.3 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN5R3-25MLD
2023-02-22 18:54:380 采用 NextPowerS3 技術的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、5.69 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN5R4-25YLD
2023-02-22 18:54:570 采用 NextPowerS3 技術的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、6.75 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R0-25YLD
2023-02-22 18:55:170 采用 NextPowerS3 技術的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、6.8 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R1-25MLD
2023-02-22 18:55:320 采用 NextPower 技術的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、6.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R5-25YLC
2023-02-22 18:58:220 采用 NextPower 技術的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、6.1 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R0-25YLB
2023-02-22 18:58:530 采用 NextPower 技術的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、3.15 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R9-25YLC
2023-02-22 19:01:280 采用 NextPower 技術的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、2.4 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R2-25YLC
2023-02-22 19:01:590 采用 NextPower 技術的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、1.3 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R2-25YLC
2023-02-22 19:03:140 采用 NextPower 技術的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、1.15 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R1-25YLC
2023-02-22 19:03:250 采用 NextPower 技術的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、0.99 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN0R9-25YLC
2023-02-22 19:03:390 本文介紹最新的驅動器+ MOSFET (DrMOS)技術及其在穩壓器模塊(VRM)應用中的優勢。單片DrMOS器件使電源系統能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能,進而增強最終應用的整體性能。
2023-06-14 14:25:171548 英飛凌科技汽車 MOSFET 產品線高級副總裁 Axel Hahn 表示:“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標桿。
2023-06-26 13:10:00302 采用OptiMOS 7 技術的40V車規MOSFET產品系列,進一步提升比導通電阻,減小RDSON*A,即在同樣的晶圓面積下實現更低的RDSON,或者說在更小的晶圓面積下實現相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12678 全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優化了用于高性能設計的成熟OptiMOS技術。新產品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝,具備先進的硅技術、穩定可靠的封裝與極低的熱阻(RthJC最大值為3.2 K/W)。
2023-10-13 16:25:12518 英飛凌推出業內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統和應用優化,主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363
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