受宏觀經(jīng)濟(jì)疲軟影響，2012年半導(dǎo)體市場總體呈現(xiàn)了不景氣。英飛凌科技電源管理與多元化市場部全球總監(jiān)Thomas Schmidt表示，2013年的半導(dǎo)體市場將會(huì)繼續(xù)呈下降趨勢，相反地，功率MOSFET領(lǐng)域則會(huì)在2013年預(yù)計(jì)將增長7.7％，移動(dòng)通信應(yīng)用將是主要?jiǎng)恿Α?/p>

　　Thomas 表示，目前全球約1/3的能源消耗以電的方式被消耗掉，其中美國、歐洲和中國三個(gè)國家/地區(qū)是三大消耗大戶。然而，“大部分的能源實(shí)際上不是被用掉了，而是損失掉的，” Thomas說，“而通過使用電源半導(dǎo)體，可有效減少這部分能源損失?！?他指出，至2030年，半導(dǎo)體解決方案可望幫助節(jié)省27%的能源。

　　“傳統(tǒng)家庭能源消耗主要用于照明、做飯、取暖等，而現(xiàn)在生活中出現(xiàn)了越來越多的電子設(shè)備如多媒體技術(shù)、通信、IT設(shè)備等，” Thomas說，“這些變化應(yīng)該促使我們重新思考，當(dāng)過渡到智能城市時(shí)能源的利用方式，以最大限度地減少非必要的能源消耗，如電源損耗、待機(jī)功耗，使可再生能源的整合利用及和供/需平衡等。” 而解決所有這些問題，智能電網(wǎng)是必要的，而且是具有局部分布式智能、安全、高效及升級可控的現(xiàn)有電網(wǎng)的升級。

　　談到智能電網(wǎng)發(fā)展現(xiàn)狀時(shí)，Thomas指出，“對于建立智能電網(wǎng)來說，僅僅添加‘智能’是不夠的?！?新的智能電網(wǎng)系統(tǒng)需要同時(shí)實(shí)現(xiàn)以下三個(gè)目標(biāo)：減少CO2排放量、電力供需實(shí)現(xiàn)平衡、電網(wǎng)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定性和安全性。 “更低的能源消耗可通過高性能半導(dǎo)體器件來實(shí)現(xiàn)。”他表示，功率半導(dǎo)體在提高整個(gè)電力供應(yīng)鏈的能效方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，從發(fā)電、輸配電到最后的用電。同時(shí)功率半導(dǎo)體可提高電子設(shè)備的電源能效，而在可再生能源領(lǐng)域，它們在將風(fēng)電和太陽能電力接入電網(wǎng)以及減少輸電損耗方面，都發(fā)揮了極其重要的作用。此外，安全性—防止惡意攻擊；各種使電網(wǎng)實(shí)現(xiàn)分布式控制的配套智能設(shè)備、傳感器、微控制器；可減少電力損失并提供可靠能源的高能效半導(dǎo)體，這些因素都是需要考慮的。

　　因此英飛凌未來在智能電網(wǎng)領(lǐng)域，將重點(diǎn)發(fā)展能源效率、移動(dòng)和安全性相關(guān)的業(yè)務(wù)。Thomas介紹說，現(xiàn)在英飛凌的產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋智能電網(wǎng)所有領(lǐng)域，包括：電源轉(zhuǎn)換、先進(jìn)傳輸、智能電表/家居、電動(dòng)汽車和公共交通、高效率及照明。

　　針對這些應(yīng)用，英飛凌在前不久推出旨在提升系統(tǒng)效率同時(shí)兼顧易于使用的最新600V CoolMOS P6產(chǎn)品系列。該產(chǎn)品系列彌合了專注于提供極致性能的技術(shù)（CP）與強(qiáng)調(diào)易于使用的技術(shù)（如C6或E6）之間的鴻溝。P6系列可在服務(wù)器、通信設(shè)備等的整流器、臺(tái)式機(jī)電源和電子游戲機(jī)等應(yīng)用的硬開關(guān)和軟開關(guān)PFC和PWM拓?fù)渲袑?shí)現(xiàn)出色性能。此外，得益于其細(xì)化的產(chǎn)品組合，CoolMOS P6產(chǎn)品系列的性價(jià)比在當(dāng)前市場上的所有超級結(jié)技術(shù)的產(chǎn)品中罕有其匹。

　　Thomas介紹說，得益于其更低的Qg，P6提高了效率，尤其是在輕負(fù)載條件下。他解釋說，像電視機(jī)、電腦這些電子設(shè)備是不需要24小時(shí)開機(jī)的，但是不用時(shí)一般都處于待機(jī)狀態(tài)，即輕負(fù)載狀態(tài)，英飛凌就希望能提高這一狀態(tài)下的效率。該產(chǎn)品系列還具備較高的閾值電壓，實(shí)現(xiàn)提前關(guān)斷，從而提高軟開關(guān)應(yīng)用的效率。由于其性能可靠的體二極管，P6不僅可用于硬開關(guān) PFC，也可用于軟開關(guān)PWM（如LLC）。另外，經(jīng)優(yōu)化的Rg阻值最好地兼顧效率和易于使用性以及對開關(guān)行為的有效控制。較之于先前的技術(shù)， dv/dt從50V/ns提高至100V/ns，確保其更可靠的性能和更高開關(guān)效率。

　　除了P6系列，英飛凌同時(shí)發(fā)布的還有第五代650V thinQ！ SiC 肖特基勢壘二極管。英飛凌將其榮獲專利的擴(kuò)散焊接工藝成功地與更緊湊的全新設(shè)計(jì)和最新的薄晶圓技術(shù)有機(jī)結(jié)合在一起，改進(jìn)了熱特性，并使一個(gè)優(yōu)值系數(shù)（Qc x Vf）與英飛凌前代SiC二極管相比降低了大約30%。其結(jié)果是，新一代產(chǎn)品相對于英飛凌以往各代thinQ！ 產(chǎn)品， PFC升壓級在所有負(fù)載條件下的效率都得到了進(jìn)一步的提升。英飛凌第五代產(chǎn)品的目標(biāo)應(yīng)用是高端服務(wù)器和電信SMPS（開關(guān)模式電源）、PC銀盒和照明應(yīng)用、太陽能逆變器和UPS（不間斷電源）系統(tǒng)等。通過利用新一代器件，這些應(yīng)用不但可以提高能效，而且還可以降低EMI（電磁干擾），提高系統(tǒng)可靠性，以及縮減成本/尺寸——因制冷要求降低。Thomas表示，第五代SiC二極管相對于以往推出的各代產(chǎn)品，可進(jìn)一步改進(jìn)系統(tǒng)能效和功率密度，同時(shí)具有極具吸引力的性價(jià)比。而P6系列與SiC G5系列，經(jīng)優(yōu)化了的功率MOSFET和SiC二極管完美地實(shí)現(xiàn)了能效與易用性之間的平衡。