英國財政大臣 Philip Hammond 在政府的預(yù)算報告中指出，將撥款 7.4 億英鎊用于 5G 建設(shè)，改善英國網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施。其中 4 億英鎊計劃為英國家庭及商戶安裝 1GB 的高速光纖網(wǎng)絡(luò)，利用政府投資提升整個國家的光纖建設(shè)水平。
2016-11-25 08:47:59
2455 "恩智浦未來科技峰會”是恩智浦規(guī)模最大的高端行業(yè)峰會，旨在通過精彩座談、技術(shù)研討、最新科技和解決方案的展示引領(lǐng)業(yè)界通過技術(shù)創(chuàng)新為世界帶來改變！
2018-09-10 13:37:35
65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
可通過多種方式，其中最有效的是將專門構(gòu)建的專用神經(jīng)處理單元（NPU），或稱為機器學習加速器（MLA）或深度學習加速器（DLA）集成到器件中，以補充CPU計算核心。恩智浦提供廣泛的產(chǎn)品組合，從傳統(tǒng)
2023-02-17 13:51:16
Open RAN（O-RAN）發(fā)展勢頭強勁，在全球迅速普及，恩智浦通過打造增強型參考設(shè)計，助力5G O-RAN的快速部署。這包括采用恩智浦RapidRF Smart LDMOS前端解決方案（稱為
2023-02-28 14:06:45
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）近日為時尚、零售和電子市場推出了其最新的UHF解決方案。基于結(jié)構(gòu)簡單、經(jīng)濟高效的單天線解決方案，UCODE G2iL和G2iL+不僅實現(xiàn)了行業(yè)領(lǐng)先
2019-08-01 08:28:10
恩智浦智能賽車的驅(qū)動模塊定時器應(yīng)該定時多久才能開始打腳，定時一般怎么編寫
2017-03-30 17:27:20
恩智浦智能賽車舵機打腳pwm占空比實際是輸出電壓高低，但在定時器中處理要怎樣進行
2017-03-30 17:38:10
`從以下幾方面詳細介紹恩智浦目前針對USBPD提供的負載開關(guān)產(chǎn)品：1. 恩智浦負載開關(guān)產(chǎn)品的規(guī)格2. 恩智浦負載開關(guān)產(chǎn)品的保護特性3. 恩智浦負載開關(guān)產(chǎn)品和分立方案的比較`
2015-06-03 15:21:07
物聯(lián)網(wǎng)和人工智能（AI-IoT）已經(jīng)到來，如何在這場即將到來的大規(guī)模市場中取勝？恩智浦的無線連接主要體現(xiàn)在哪幾個方面？
2021-06-16 08:30:12
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
萬噸。由于鎵是一種加工副產(chǎn)品，所以成本相對較低，約為每公斤 300 美元，比每公斤約 6 萬美元的黃金要低 200 倍。
德米特里 · 門捷列夫（Dmitri Mendeleev）在1871年預(yù)測了鎵
2023-06-15 15:50:54
的系統(tǒng)級解決方案，其市場潛力剛剛開始被關(guān)注。氮化鎵如今被定位成涵蓋了從無線基站到射頻能量等商業(yè)射頻領(lǐng)域的主流應(yīng)用，它從一項高深的技術(shù)發(fā)展為市場的中流砥柱，這一發(fā)展歷程融合了多種因素，是其一致發(fā)揮作用的結(jié)果
2017-08-15 17:47:34
早已摩拳擦掌，嚴陣以待，紛紛推出了順應(yīng)市場的配件產(chǎn)品。而當各大主流手機廠商把氮化鎵快充做為手機的標準配件時，整個產(chǎn)業(yè)鏈將迎來一個新的發(fā)展高峰。面對氮化鎵快充市場的爆發(fā)，你準備好了嗎？我準備好了，你呢？我們一起加油。
2020-03-18 22:34:23
的節(jié)能。這些電力足以為30多萬個家庭提供一年的電量。 任何可以直接從電網(wǎng)獲得電力的設(shè)備（從智能手機充電器到數(shù)據(jù)中心），或任何可以處理高達數(shù)百伏高電壓的設(shè)備，均可受益于氮化鎵等技術(shù)，從而提高電源管理系統(tǒng)的效率和規(guī)模。（白皮書下載：GaN將能效提高到一個新的水平。）
2020-11-03 08:59:19
的選擇。 生活更環(huán)?！ 榱舜蚱瞥杀竞痛笠?guī)模采用周期，一種新型功率半導體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機會，使其在高電壓應(yīng)用中的貢獻遠遠超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
雙口氮化鎵充電器采用可折疊插腳設(shè)計，對于跨地區(qū)旅客，YOGA 65W 雙口氮化鎵充電器也支持 100-240V 全球電網(wǎng)使用，200-240V 50/60Hz電網(wǎng)下可提供65W（65W
2022-06-14 11:11:16
現(xiàn)在越來越多充電器開始換成氮化鎵充電器了，氮化鎵充電器看起來很小，但是功率一般很大，可以給手機平板，甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么，氮化鎵充電器有哪些優(yōu)點，下文簡單做個分析。一、氮化鎵
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關(guān)電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計使其非常
2023-06-15 15:32:41
本文展示氮化鎵場效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動器可容易地實現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
封裝技術(shù)的效率。三維散熱是GaN封裝的一個很有前景的選擇。
生活更環(huán)保
為了打破成本和大規(guī)模采用周期，一種新型功率半導體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機會
2019-03-14 06:45:11
首先報道了基于氮化鎵雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)、波長為402.5 nm的受激輻射。1996年日本日亞公司中村修二領(lǐng)導研制出世界上第一支GaN基紫光激光器。從此，波長為405 nm的氮化鎵紫光激光器的發(fā)展和應(yīng)用推動
2020-11-27 16:32:53
氮化鎵電源設(shè)計從入門到精通，這個系列直播共分為八講，本篇第六講將為您介紹EMC優(yōu)化和整改技巧，助您完成電源工程師從入門到精通的蛻變。前期回顧（點擊下方內(nèi)容查看上期直播）：- 第一講：元器件選型
2021-12-29 06:31:58
應(yīng)用的發(fā)展歷程無疑是一次最具顛覆性的技術(shù)革新過程，為射頻半導體行業(yè)開創(chuàng)了一個新時代。通過與ST達成的協(xié)議，MACOM硅基氮化鎵技術(shù)將獲得獨特優(yōu)勢，能夠滿足未來4G LTE和5G無線基站基礎(chǔ)設(shè)施對于性能
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實現(xiàn)快速開關(guān)？氮化鎵能否實現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計？
2021-06-17 10:56:45
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
車、工業(yè)電機等領(lǐng)域具有巨大的發(fā)展潛力。本分會的主題涵蓋大尺寸襯底上橫向或縱向氮化鎵器件外延結(jié)構(gòu)與生長、氮化鎵電力電子器件的新結(jié)構(gòu)與新工藝開發(fā)、高效高速氮化鎵功率模塊設(shè)計與制造，氮化鎵功率應(yīng)用與可靠性等。本屆
2018-11-05 09:51:35
電子、汽車和無線基站項目意法半導體獲準使用MACOM的技術(shù)制造并提供硅上氮化鎵射頻率產(chǎn)品預(yù)計硅上氮化鎵具有突破性的成本結(jié)構(gòu)和功率密度將會實現(xiàn)4G/LTE和大規(guī)模MIMO 5G天線中國，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
應(yīng)用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產(chǎn)品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多：半導體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅(qū)動電壓
2017-09-04 15:02:41
多個方面都無法滿足要求。在基站端，由于對高功率的需求，氮化鎵（GaN）因其在耐高溫、優(yōu)異的高頻性能以及低導通損耗、高電流密度的物理特性，是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器（PA）芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
測試背景地點：國外某知名品牌半導體企業(yè)，深圳氮化鎵實驗室測試對象：氮化鎵半橋快充測試原因：因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管，需要對半橋上管控制信號的具體參數(shù)進行摸底測試測試探頭：麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
`SUMITOMO的GaN-HEMT SGN2729-250H-R為S波段雷達應(yīng)用提供2.7至2.9 GHz的高功率，高效率和更高的一致性，具有50V工作電壓和高達120μsec脈沖寬度的脈沖條件
2021-03-30 11:14:59
`SUMITOMO的GaN-HEMT SGN2729-600H-R為S波段雷達應(yīng)用提供2.7至2.9 GHz的高功率，高效率和更高的一致性，具有50V工作電壓和高達120μsec脈沖寬度的脈沖條件
2021-03-30 11:24:16
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
驅(qū)動器的CMTI規(guī)格最低為200 kV/μs，這是隔離驅(qū)動器的最高CMTI規(guī)格。氮化鎵確保適應(yīng)未來變化氮化鎵材料的能特性和無損耗處理高電壓操作的能力，為設(shè)計人員在將來設(shè)計電動汽車時提供了決定性優(yōu)勢，這
2018-07-19 16:30:38
的設(shè)計和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
2寸的芯片，現(xiàn)在已經(jīng)能制造4寸了。業(yè)內(nèi)普遍認為，要大規(guī)模生產(chǎn)功率半導體，至少需要6英寸以上的芯片，因此目前還不能大規(guī)模生產(chǎn)。此外，上述用于小型 AC轉(zhuǎn)換器的氮化鎵功率半導體使用以下的晶片，其最大尺寸為
2023-02-23 15:46:22
包含關(guān)鍵的驅(qū)動、邏輯、保護和電源功能，消除了傳統(tǒng)半橋解決方案中相關(guān)的能量損失、成本過高和設(shè)計復雜的問題。
納微推出的世界上首款氮化鎵功率芯片同時能提供高頻率和高效率，實現(xiàn)了電力電子領(lǐng)域的高速革命
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
實現(xiàn)設(shè)計，同時通過在一個封裝中進行復雜集成來節(jié)省系統(tǒng)級成本，并減少電路板元件數(shù)量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計提供了氮化鎵解決方案
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
，其中第一梯隊有納微、EPC等代表企業(yè)。[color=rgb(51, 51, 51) !important]然而，現(xiàn)在還有什么是阻礙氮化鎵器件發(fā)展的不利因素呢？[color=rgb(51, 51, 51
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案，或者將遇到技術(shù)挫折歸咎為芯片本身設(shè)計問題，盡管不排除芯片可能存在不適用的領(lǐng)域，但是大部分時候是應(yīng)用層面的問題，和芯片沒有關(guān)系。這種情況對新興的第三代半導體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
的測試，讓功率半導體設(shè)備更快上市并盡量減少設(shè)備現(xiàn)場出現(xiàn)的故障。為幫助設(shè)計工程師厘清設(shè)計過程中的諸多細節(jié)問題，泰克與電源行業(yè)專家攜手推出“氮化鎵電源設(shè)計從入門到精通“8節(jié)系列直播課，氮化鎵電源設(shè)計從入門到
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設(shè)計一個高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設(shè)計和PCB布線、電路測試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23
如何實現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個口不可以充電，它是用來轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了，可以外接顯示器，拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
導讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進開關(guān)性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
如何設(shè)計GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
更高，因為所有電流都轉(zhuǎn)換為施加到負載的扭矩。
圖 3：500 ns死區(qū)時間對扭矩信號的影響；電頻率為 27 Hz，可見 6 次諧波。扭矩信號從扭矩傳感器取得。
基于氮化鎵器件的逆變器可以在100
2023-06-25 13:58:54
大幅降低電流在保護板上的損耗，隨著手機充電功率達到200W，電池端的電流達到20A。傳統(tǒng)硅MOS溫升明顯，甚至需要輔助導熱措施來為其散熱。使用氮化鎵代替硅MOS之后，可以無需導熱材料，降低快充過程中
2023-02-21 16:13:41
已經(jīng)非常明朗。而除了熟知的手機廠商之外，各大電商品牌推出的氮化鎵快充產(chǎn)品更是琳瑯滿目，極大豐富了產(chǎn)品的品類，為消費者帶來更多選擇，同時也對推動氮化鎵快充的發(fā)展，起到了重要的作用。今天這篇文章就為大家盤點
2021-04-16 09:33:21
節(jié)能的角度來看，射頻能量能夠通過兩種方法為行業(yè)帶來優(yōu)勢，即降低成本和優(yōu)化控制。除節(jié)能外，氮化鎵和射頻能量的另一個能源優(yōu)勢是非常適合石油工業(yè)中的工業(yè)干燥和加熱應(yīng)用。Suncor等公司已開始通過射頻能量
2018-01-18 10:56:28
實現(xiàn)設(shè)計，同時通過在一個封裝中進行復雜集成來節(jié)省系統(tǒng)級成本，并減少電路板元件數(shù)量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計提供了氮化鎵解決方案
2022-11-10 06:36:09
沖。
由于氮化鎵器件具備優(yōu)越的性能優(yōu)勢，支持基于氮化鎵器件的設(shè)計的生態(tài)系統(tǒng)不斷在發(fā)展，從而有越來越多供應(yīng)商提供新型元件，例如柵極驅(qū)動器、控制器和無源元件，可進一步增強基于氮化鎵器件的系統(tǒng)的性能。
此外
2023-06-25 14:17:47
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
射頻半導體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導體市場領(lǐng)域起主導作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
內(nèi)的波長標準偏差標準為1.3nm，波長范圍為4nm微米。硅襯底氮化鎵基LED外延片的翹曲度很小，2英寸硅襯底LED大多數(shù)在4-5微米左右，6英寸在10微米以下。 2英寸硅襯底大功率LED量產(chǎn)硅4545
2014-01-24 16:08:55
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達1.8
2019-05-09 06:21:14
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數(shù)想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模，有可能實現(xiàn)嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
，是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。
首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業(yè)生涯中，長期擔任副總裁及更高級別的管理職位，并領(lǐng)導研發(fā)工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
3.3兆伏）。 客觀來說，一個額定電壓為600伏的類似氮化鎵功率晶體管的柵極-漏極間隙通常為15到20微米，而我們的是600納米。取得這個結(jié)果之后，功率開關(guān)晶體管的研究開始以驚人的速度發(fā)展。2017年
2023-02-27 15:46:36
就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案，相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案，相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
英國財政部長Philip Hammond宣布將投資3.9億英鎊（4.84億美元）用于推進電動汽車和自動駕駛汽車的發(fā)展。
2016-11-28 17:15:22382 關(guān)鍵詞：華為 路透社消息稱，英國商務(wù)大臣Sajid Javid周二表示，華為已向英國政府承諾，其向該國投資13億英鎊的計劃將繼續(xù)進行，不會受到英國脫歐影響。 Javid在新聞發(fā)布會上表示：“投資者
2018-02-18 12:49:01653 路透社消息，在訪問南非期間，英國首相特蕾莎·梅承諾投資5600萬英鎊用于南非的電池存儲。
2018-09-02 10:59:00393 英國科研與創(chuàng)新署（UKRI）于去年底發(fā)布新的AI和數(shù)據(jù)科學資助計劃，擬通過戰(zhàn)略重點基金（Strategic Priorities Fund）斥資4800多萬英鎊，支持工程、城市規(guī)劃和醫(yī)療健康等領(lǐng)域的發(fā)展。
2019-02-15 15:08:552682 英國電信將向消費者銷售12GB、30GB、60GB和200GB數(shù)據(jù)的四類5G套餐，價格從每月45英鎊起，并提供HUAWEI Mate20 X在內(nèi)的5款智能手機供選擇。
2019-10-13 16:24:00681 該公司上半年的整體業(yè)務(wù)收入為47.1億英鎊，低于去年的48.9億英鎊。在英國和愛爾蘭，這一數(shù)字為19.8億，低于20億英鎊。利潤每年從6000萬英鎊下降到2400萬英鎊。
2020-02-26 15:29:431999 Airband獲1億英鎊 據(jù)外媒Light Reading消息，英國寬帶提供商Airband剛從銀行獲得一筆重大債務(wù)融資，用于加速在英國一些寬帶難以到達的地區(qū)部署光纖到戶（FTTP）網(wǎng)絡(luò)。 該提供
2021-10-30 09:31:591625 英國政府當天在人工智能安全峰會上表示，將把“人工智能研究資源”預(yù)算從當初公布的1億英鎊增加到3億英鎊（3.6357億美元），以確定為快速發(fā)展技術(shù)安全前進的方向。
2023-11-03 09:51:54232 一份聲明稱，新藍圖包括為汽車產(chǎn)業(yè)提供20億英鎊（約25億美元），為航空和航天產(chǎn)業(yè)提供9.75億英鎊，并為電池產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造10萬個新工作崗位。以日產(chǎn)最近發(fā)表的11.2億英鎊的英國電動汽車中心擴張計劃和塔塔汽車最近發(fā)表的40億英鎊在薩默塞特建造一座超級工廠的基礎(chǔ)上。
2023-11-27 09:21:09408
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