2015年飛思卡爾比賽剛剛結束，誰那有比賽成績排名？？？2015年飛思卡爾東北賽區的成績排名誰有？？？
2015-07-29 21:17:08
的地方。作為一種寬帶隙晶體管技術，GaN正在創造一個令人興奮的機會，以實現電力電子系統達到新的性能和效率。GaN的固有優勢為工程師開啟了重新考慮功率密度的方法，這些方法在以前并不可能實現，如今能滿足世界
2022-11-14 07:01:09
GaN為5G sub-6GHz大規模MIMO基站應用提供的優勢LDMOS的優勢是什么如何選擇正確的晶體管技術
2021-03-09 07:52:21
與雙極型晶體管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可達14dB以上，而雙極型晶體管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模塊的增益可達60dB左右。這表明對于相同的輸出功率需要更少的器件，從而增大功放的可靠性。
2020-04-07 09:00:33
晶體管在5~6dB,采用
LDMOS管的PA模塊的增益可達60dB左右。這表明對于相同的輸出
功率需要更少的器件，從而增大功放的可靠性?！ ?/div>
2019-06-26 07:33:30
作為高性能射頻解決方案提供商，飛思卡爾射頻部門遍布世界各地。廣泛的器件適用范圍、領先的封裝、能夠同時提供LDMOS、GaN和GaAs器件是其射頻產品的主要優勢。
2019-08-28 06:09:03
飛思卡爾產品應用討論群1041068080，驗證碼：飛思卡爾應用
2009-07-09 14:30:12
想做飛思卡爾比賽，之前沒有做比賽經驗，想問問有沒有參加過的有經驗的，教一下如何著手開始搞比賽，需要準備些什么，現階段需要做些什么工作
2013-09-13 23:33:29
飛思卡爾 codewarrior 資料
2013-08-28 11:19:29
本公司致力于飛思卡爾mcu多年，目前充電樁 電焊機 車機等終端廠家合作多家，主要是飛思卡爾，英飛凌，仙童，TI.ADI，提供技術支持，保證原裝正品，假一罰十，與一級代理商和總廠都有聯系 ，價格和質量可以保證，歡迎前來咨詢，互相在電子行業學習有更大的發展qq3323613526tel ***
2016-04-27 16:00:18
飛思卡爾的EMC資料，需要的下載。
2015-11-24 10:42:14
哪位大哥給點兒建議，讓我盡快學會飛思卡爾智能車簡單的算法控制，感激不盡
2012-11-03 15:28:21
里面用Wi-Fi）。小基站的巨大市場潛力，無疑會招來無數“追求者”施展渾身解數以獲得青睞。飛思卡爾秉承了其在通信處理器領域的優良傳統，針對小基站應用也有多款解決方案供客戶選擇，而這些解決方案都是軟硬兼備
2019-07-09 07:25:59
這是飛思卡爾HC12學習資料，供有興趣做飛思卡爾智能車的友友以及對汽車電子控制感興趣的前輩參考交流
2012-08-26 15:03:55
的嵌入式應用的系統成本和功耗。 新型飛思卡爾LCD MCU包括S08LL，RS08LA 和RS08LE系列。L系列器件以低價位提供良好的LCD 驅動功能和超低的功耗選擇。8位MCU的設計針對廣泛
2019-06-27 07:52:09
飛思卡爾產品的應用領域飛思卡爾的市場領先地位
2021-02-19 07:20:07
為了幫助解決引發溫室效應及全球變暖的汽車排放問題，飛思卡爾半導體現已在32位汽車微控制器（MCU）系列中引入集成的排放控制技術。與飛思卡爾其它動力總成微控制器類似，這些MCU幫助減少二氧化碳廢氣，為新興市場提供經濟高效且精密的引擎控制設計。
2019-06-26 06:01:27
飛思卡爾雙電機驅動版 (AD)
2015-10-25 17:16:04
飛思卡爾開發工具，嵌入式學習，實驗室必備—昆山鑫盛盟創科技有限公司！飛思卡爾實驗箱+教程,讓您輕松學習嵌入式系統！昆山鑫盛盟創科技有限公司是freescale大學計劃中國地區
2010-11-25 10:39:35
飛思卡爾開發工具，嵌入式學習，實驗室必備昆山鑫盛盟創科技有限公司依托于蘇州大學和清華大學飛思卡爾嵌入式研發中心，是freescale大學計劃中國地區的推廣單位，專注于嵌入式硬件、軟件設計開發和培訓
2011-06-23 16:00:15
飛思卡爾開發工具，嵌入式學習，實驗室必備—昆山鑫盛盟創科技有限公司！飛思卡爾實驗箱+教程,讓您輕松學習嵌入式系統！昆山鑫盛盟創科技有限公司是freescale大學計劃中國地區
2010-11-25 10:28:47
本人剛到一家公司，現在用到的主單片機有stm32和飛思卡爾，之前用的都是stm32系列的，飛思卡爾的從沒用過，了下代碼，配置方面的基本看不太懂。這里想找些學習飛思卡爾系列單片機的方法與資料推薦，謝謝大家幫忙！
2016-04-16 17:27:31
請問大家有沒有參加過飛思卡爾比賽？現在我想參加，請問我該怎么準備？謝謝
2014-03-29 19:02:49
各位飛友們，大家期待的飛思卡爾江湖深圳分舵的第一次線下活動馬上就要登場，誠邀各位飛友和對飛思產品感興趣的小伙伴們參加。本次活動名額有限，請大家速速報名，先到先得哦。時間：2014年12月27日星期六
2014-12-22 11:40:47
飛思卡爾的芯片燒錄是出現找不到指定模塊，我已經把tbdml_gdi12放到CWS12v5.1\Prog\gdi這個目錄下了。
2017-04-08 15:21:05
飛思卡爾半導體近日推出了一款全新的通信平臺，旨在實現下一代聯網，把嵌入式多核的應用提高到一個新水平。新QorIQ平臺是飛思卡爾PowerQUICC處理器的下一代產品，旨在讓開發人員自信地移植到多核。
2019-07-30 06:10:24
飛思卡爾用到哪些軟件,繪制PCB板一般用哪個軟件更好？
2014-11-07 22:43:55
飛思卡爾，攝像頭組程序，可以參考，如題，見附件
2013-04-12 21:00:18
飛思卡爾資料 電路設計資料
2013-04-11 20:36:08
鉛封裝，并提供最低功率損耗，平均只需提供29微安培，讓代工廠商能滿足嚴格的功率目標。 MPR121是飛思卡爾繼MPR03x系列組件之后的第二代感應控制器。MPR121具備更豐富的內建智能功能，同時也
2018-11-15 14:50:56
繼2012年飛思卡爾推出一款多領域多功能芯片i.MX6系列產品以來，全球掀起了一股飛思卡爾產品熱鬧，眾多公司為了搶占先機，爭先推出了自己的產品來搶占市場，國內各大公司也不甘示弱，加大了人力物力財力
2013-09-11 14:47:21
Airfast系列是飛思卡爾推出的下一代RF LDMOS產品，通過把創新技術與系統級平臺相結合，使其在增益、功率、線性、功率密度、效率都有了質的飛躍。飛思卡爾還提供了配合DPD的整個鏈路解決方案，可
2013-07-02 13:31:33
`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應用于各種射頻和微波應用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN內匹配（IM）場效應晶體管與其他技術相比，提供了優異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
鎵相比具有更高的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度和更高的熱電導率。 GaN HEMT還提供更高的功率密度和更寬的帶寬與砷化鎵晶體管相比。 該IM FET提供金屬/陶瓷法蘭提供最佳電氣
2020-12-03 11:49:15
和更高導熱系數。 GaN HEMT還提供更高的功率密度和更寬的功率范圍相較于Si和GaAs晶體管的帶寬。 此MMIC可用于10引線金屬/陶瓷法蘭封裝（CMPA801B025F）或小型藥丸包裝
2020-12-03 11:46:10
脈沖功率。 在沒有外部調諧的情況下，所有設備都在寬帶RF測試夾具中100％屏蔽了大信號RF參數。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經過100％大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
`IB2729M170是專為S波段ATC雷達系統設計的大功率脈沖晶體管，該系統工作在2.7-2.9 GHz的瞬時帶寬上。 在C類模式下工作時，該通用基礎設備在100μs脈沖寬度和10％占空比的條件下
2021-04-01 09:48:36
于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術。產品型號
2019-05-14 11:00:13
的高功率晶體管產品組合。我們目前的產品提供超過80％的效率，并利用GaN-on-SiC，Si-LDMOS和Si-VDMOS半導體技術。我們還致力于制造一些首批Si-bipolar器件，從而支持傳統方案
2019-04-15 15:12:37
`IDM165L650是一種高功率脈沖晶體管，專為工作于0.125-0.167 GHz的Sub-1 GHz系統而設計。 該雙MOSFET器件以1ms的脈沖寬度和20％的占空比工作，在瞬時工作帶寬上以
2021-04-01 10:03:31
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達系統的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內運行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2019-05-20 09:16:24
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2018-11-12 11:14:03
`IGN2856S40是高功率脈沖晶體管，指定用于AB類操作下。 該晶體管提供2.856 GHz的工作頻率，最小40W的峰值脈沖功率，50V和3％的占空比。 該單元采用金線技術通過芯片和線材技術組裝
2021-04-01 09:57:55
9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術。相關
2018-11-12 10:26:20
。盡管以前氮化鎵與LDMOS相比價格過高，但是MACOM公司的最新的第四代硅基氮化鎵技術(MACOM GaN)使得二者成本結構趨于相當?；诘壍腗AGb功率晶體管在2.6GHz頻段可提供高于70
2017-08-30 10:51:37
和醫療應用。我們的產品組合利用了MACOM超過60年的傳統，即使用GaN-on-Si技術提供標準和定制解決方案，以滿足客戶最苛刻的需求。我們的硅基氮化鎵產品采用0.5微米HEMT工藝制成分立晶體管和集成
2019-11-01 10:46:19
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導體單元因短路或負載失配等原因損壞時繼續工作。因此，將一個器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對硅LDMOS晶體管的耐用性測試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
應用提供高性能射頻以及微波晶體管并不是一個大挑戰，該公司的產品在特性、封裝以及應用工程方面具有明顯優勢。飛思卡爾半導體在生產及銷售分立和集成射頻半導體器件方面具有雄厚實力。該公司采用HV7工藝的第七代
2019-07-05 06:56:41
應用提供高性能射頻以及微波晶體管并不是一個大挑戰，該公司的產品在特性、封裝以及應用工程方面具有明顯優勢。飛思卡爾半導體在生產及銷售分立和集成射頻半導體器件方面具有雄厚實力。該公司采用HV7工藝的第七代
2019-07-09 08:17:05
晶體管通道完全閉合；二維過渡金屬二硫化物受損于其比透明導電氧化物還低的載流子遷移率。 在新加坡-麻省理工學院研究與技術聯盟，正在先行研發一種有前景的替代材料：GaN。從光學角度看，GaN的帶隙為
2020-11-27 16:30:52
晶體管，鍺PNP晶體管，硅NPN晶體管和硅PNP晶體管。》技術根據其結構和制造工藝，晶體管可分為擴散晶體管、合金晶體管和平面晶體管?！?當前容量根據目前的容量，晶體管可分為低功率晶體管、中功率晶體管和高
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
達林頓晶體管是一對雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進一步放大
2023-02-16 18:19:11
提供高于15%的效能，能滿足3.8GHz WiMAX要求。 這款RFIC是采用飛思卡爾(Freescale)半導體公司的高壓HV7 RF LDMOS工藝技術設計開發的MW7IC3825N/NB。這款兩級
2019-06-25 06:55:46
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門輸出驅動。然而，螺線管、燈和電機等大功率電子設備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關操作和操作區域 圖 1 中圖表上的藍色陰影區域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
小弟想學習飛思卡爾的芯片，看到有很多種類，不知道從哪款芯片入手，以前用的stm32的，不知道飛思卡爾的哪款芯片資料多，易上手
2017-05-05 21:42:40
`●●深圳帝歐電子●●專業回收 135-3012-2202，QQ：8798-21252〖回收飛思卡爾芯片，收購飛思卡爾芯片〗 收購高端飛思卡爾芯片 ,回收高端軍工IC，回收航天，導彈，衛星，航母
2021-06-10 14:31:32
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進行區分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業界第一的。小信號晶體管最大
2019-05-05 01:31:57
換向故障損壞?？傊c用于LLC拓撲應用的Si和SiC晶體管相比，GaN在效率和功率密度方面提供了更高的價值。
2023-02-27 09:37:29
和功率密度，這超出了硅MOSFET技術的能力。開發工程師需要能夠滿足這些要求的新型開關設備。因此，開始了氮化鎵晶體管（GaN）的概念?！ D-GIT的概述和優勢 松下混合漏極柵極注入晶體管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
求飛思卡爾資料
2012-12-08 15:47:03
求大佬分享一款適用于激光及MRI的寬帶LDMOS晶體管
2021-06-08 06:29:42
(MicrosemiCorporation)擴展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄準大功率空中交通控制機場監視雷達(ASR
2012-12-06 17:09:16
的高可靠性，EPC 公司已經宣布了其新的 EPC7019 eGaN 抗輻射功率晶體管器件。EGaN 晶體管采用鈍化模具形式，圖像由 EPC 提供新產品利用 GaN 白光柵材料實現高電子遷移率和低溫系數。該
2022-06-15 11:43:25
` 引言 在功率變換器應用中，寬帶隙（WBG）技術日益成為傳統硅晶體管的替代產品。在某些細分市場的應用場景中，提升效率極限一或兩個百分點依然關系重大，變換器功率密度的提高可以提供更多應用優勢
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
導讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達系統。這種新型器件可通過減少
2018-11-29 11:38:26
請問誰能提供一個飛思卡爾的CAN-BOOTLOADER分享，這個真的不曉得該如何入手呀。
2016-12-27 13:58:49
有一個飛思卡爾的板子，現在想做控制的更改，跪求各位大神指點迷經。1、具體的編程、燒寫軟硬件環境。2、如果是CodeWarrior，請說明一下導入方法。3、有沒有好一點的飛思卡爾自學教材或者培訓機構。郵箱：793413714@qq.com 一經采用，本人敬上200-2000的辛苦費。
2021-08-18 11:06:56
飛思卡爾針對TD-SCDMA無線網絡推出RF功率器件和參考設計:MRF7P20040H LDMOS FET和MD7IC2050N
飛思卡爾半導體引入兩個末級LDMOS RF功率晶體管，為設計人員提供
2009-09-07 07:15:01
525 2011年9月9日，德克薩斯州奧斯汀市 – 飛思卡爾半導體 (NYSE:FSL)宣布推出高功率射頻LDMOS晶體管，該產品結合了業界最高的輸出功率、效率和其同類競爭器件中最強的耐用性，專門面向U
2011-09-13 18:25:061179 恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達克：NXPI）近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管，作為特別關注TD-LTE的無線基站第八代LDMOS產品線的擴展產品。
2013-06-21 11:09:261534 半導體技術產品的領先供應商美高森美公司推出新型750W RF晶體管擴展其基于碳化硅（silicon carbide，SiC）襯底氮化鎵（gallium nitride，GaN）高電子遷移率晶體管
2013-09-30 15:34:161624 Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料（overmoulded plastic， OMP） RF功率晶體管產品組合，采用眾所周知的非常穩固LDMOS技術。
2016-01-13 15:37:091923 本報告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過比較測試過程來判斷它們的耐用水平。
2017-09-15 16:10:15
15 240 W LDMOS功率晶體管封裝了用于基站應用的不對稱多爾蒂功率晶體管，其頻率為2300 MHz至2400 MHz。
2018-08-14 08:00:0019 180 W LDMOS功率晶體管在2000 MHz至2200 MHz的頻率下用于基站應用。
2018-08-14 08:00:0012 GaN功率晶體管:器件、技術和可靠性詳解
2022-12-21 16:07:11425 
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