Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其4接頭、1W功率的表面貼裝Power Metal Strip?電阻WSK0612榮獲今日電子雜志的第十屆年度Top-10電源產品獎。
2012-10-24 21:47:09
905 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現在4.5V柵極驅動下4.8mΩ最大導通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:401439 PolarFire?可編程邏輯器件（FPGA）產品榮獲《今日電子》（EPC） 雜志和21ic.com 網站的 “2017年度產品獎”。
2018-04-03 10:40:4912331 SI7102DN - N-Channel 12-V (D-S) MOSFET - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SI7102DN-T1-E3 - N-Channel 12-V (D-S) MOSFET - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SI7106DN - N-Channel 20-V (D-S) Fast Switching MOSFET - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SI7116DN - N-Channel 40-V (D-S) Fast Switching MOSFET - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SI7119DN - P-Channel 200-V (D-S) MOSFET - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SI7120DN - N-Channel 60-V (D-S) MOSFET - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SI7216DN - Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SI7216DN-T1-E3 - Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SI7220DN - Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SI7220DN-T1-E3 - Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SI7222DN - Dual N-Channel 40 V (D-S) MOSFET - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SI7308DN - N-Channel 60-V (D-S) MOSFET - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SI7308DN-T1-E3 - N-Channel 60-V (D-S) MOSFET - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SI7413DN - P-Channel 20-V (D-S) MOSFET - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SI7414DN - N-Channel 60-V (D-S) MOSFET - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SI7423DN - P-Channel 30-V (D-S) MOSFET - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SI7601DN - P-Channel 20-V (D-S) MOSFET - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SI7615DN - P-Channel 20-V (D-S) MOSFET - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SI7804DN - N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SI7804DN-T1-E3 - N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SI7818DN - N-Channel 150-V (D-S) MOSFET - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SI7913DN - Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SI7923DN-T1-E3 - Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
：Vishay Semiconductors正向跨導 - 最小值：5 S下降時間：7 ns產品類型：MOSFET上升時間：10 ns工廠包裝數量：3000子類別：MOSFETs典型關閉延遲時間：10 ns典型接通延遲時間：4 ns零件號別名：SI2308BDS-GE3單位重量：8 mg
2020-09-24 14:33:55
：Vishay Semiconductors正向跨導 - 最小值：5 S下降時間：7 ns產品類型：MOSFET上升時間：10 ns工廠包裝數量：3000子類別：MOSFETs典型關閉延遲時間：10 ns典型接通延遲時間：4 ns零件號別名：SI2308BDS-GE3單位重量：8 mg
2020-09-17 15:25:07
上一章針對與Si-MOSFET的區別，介紹了關于SiC-MOSFET驅動方法的兩個關鍵要點。本章將針對與IGBT的區別進行介紹。與IGBT的區別：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
額定功率更高的IGBT，VO3120可用于驅動離散功率級，以驅動IGBT柵極。推薦產品：VO3120-X007T；VO3120Vishay其它相關產品請 點擊此處 了解特征：最小峰值輸出電流
2019-10-30 15:23:17
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標準并經 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
Si9241AEY是一個單片總線收發器提供汽車雙向串行通信診斷應用程序。該裝置具有過電壓保護和VBAT短路。收發信管腳受到保護可以驅動超過VBAT電壓。Si9241AEY建立在Vishay
2020-07-25 14:28:42
。此外，鉭電容也是Vishay的優勢產品之一。T97高可靠性COTS系列鉭電容的額定電壓為63V和75V，是28V以及更高電壓電源應用的絕佳選擇；4 V時容值可達1500 μF，75 V時容值高達10
2010-09-08 15:49:48
光電二極管榮獲行業媒體《電子發燒友》（Elecfans）2022年度中國IoT創新獎“傳感器技術獎”。第七屆中國IoT創新獎旨在表彰過去一年推出的對物聯網（IoT）行業具有深遠影響的產品和技術。入圍提名以
2023-02-21 11:24:22
`電子發燒友網電子雜志11月刊新鮮出爐：嵌入式廠商大作戰！——內容精彩紛呈，絕對不容錯過！`
2013-01-08 16:47:20
``電子工程師電源設計作品創意TOP10精彩賞析 你想知道電子工程師們在電源設計方面都有哪些DIY精美作品嗎?想知道的話，就趕緊進入我們電子發燒友網吧!電子發燒友網也將陸續整合推出最受歡迎的電子
2012-08-15 17:14:52
` 本帖最后由 寒艾鋒 于 2011-12-29 16:22 編輯
[hide][/hide]一些電子方面的文章`
2011-12-29 16:15:51
自上世紀九十年代初以來，源于CadSoft公司的EAGLE軟件一直暢銷歐美，在EDA工具行業占有很大比例的市場份額，曾被德國一家著名電子雜志五次評選為“年度最佳產品獎”，是一款優秀的PCB設計
2015-09-20 11:25:19
最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驅動電壓為Vgs=10～15V，而SiC-MOSFET建議在Vgs=18V前后驅動，以充分獲得低導通電阻。也就是說，兩者的區別之一是驅動電壓要比
2018-11-30 11:34:24
我是用fpga來控制ad7655的前置電路用的是，ad8021接成電壓跟隨器的方式。ad8021是正負12V供電。其中4號腳與5號腳的電容，按照demo板上的說法，用的是NPO的。參考電源用
2019-02-14 14:55:00
``《電子發燒友》電子雜志是面向廣大電子工程師、電子發燒友、電子愛好者、電子專業學生等電子相關人群的一本電子技術類月刊。本電子雜志共設有熱點聚焦、深度報道、電子達人、新品上市、前沿設計、技術課
2012-10-31 17:31:06
《燕大無協人》電子雜志第二期已經出版，前來與愛好者們一起分享。
2012-12-11 01:11:31
《燕大無協人》電子雜志第二期已經出版，前來與愛好者們一起分享。想更多的了解我們協會，可以通過以下方式：1、bbs.dspoz.com 燕山大學無線電愛好者協會官方論壇2、騰訊官方微博：Electronic_Hobbyists（無線電愛好者）3、我的QQ：912293097
2012-12-11 01:06:05
`熱烈慶祝一博科技榮獲Cadence2013用戶大會杰出論文獎！EDA業內矚目的年度活動Cadence用戶大會CDNLive于2013年9月12日于北京香格里拉酒店召開。此會議集聚中國產業鏈高階主管
2013-09-24 09:07:09
價值獎10個、創新突破獎10個、自主品牌獎10個、十佳分銷商獎10個、誠信企業獎20個。在此次評選中，華秋電子榮獲十佳分銷商獎。 長期以來，電子行業呈現“物料采購周期長、采購成本高、工藝及品質管控雜亂
2023-02-27 15:11:40
價值獎10個、創新突破獎10個、自主品牌獎10個、十佳分銷商獎10個、誠信企業獎20個。在此次評選中，華秋電子榮獲十佳分銷商獎。長期以來，電子行業呈現“物料采購周期長、采購成本高、工藝及品質管控雜亂
2023-02-27 14:52:41
的能量收集嵌入式微控制器（MCU）RE榮獲由全球電子技術領域知名媒體集團Aspencore評選出的2019年度MCU產品獎。該獎項此次共收到來自行業內知名半導體供應商的100多款候選產品，通過Aspencore編輯的評估，挑選出10多款產品入圍，最終RE脫穎而出，獲得該產品獎。
2020-10-22 16:47:48
我們的嵌入式雜志，為什么廣告中不寫上產品價格呢？難道是怕競爭對手知道，還是怕客戶知道。沒想明白。日本的電子方面發展的很好，看看人家的雜志，感覺價格方面就很透明。
2019-10-29 05:07:52
` 2016年度大中華IC設計成就獎頒獎典禮于2016年3月14日在上海國豐大酒店隆重舉行，深圳比亞迪微電子有限公司憑借在電子行業深厚的技術積淀和優秀的產品設計榮獲“2016年度十大大中華IC
2016-03-22 10:53:36
，觀展人數超過16萬人次。 MM32 MCU產品榮獲“CITE 2018集成電路MCU產品創新獎”在此次博覽會上靈動的MM32系列MCU產品從參展的眾多產品中脫穎而出，榮獲了“CITE2018集成電路
2018-04-13 10:38:14
``VISHAY生產Si7658ADP，3000pcs/盤，Single N-Channel 30 V 0.0022 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8，60K原裝現貨，價格優勢。聯系QQ：864968599``
2014-04-02 16:25:18
近日，羅姆憑借超低功耗降壓型電源IC“BD70522GUL”榮獲中國IoT杰出技術創新獎！新產品“BD70522GUL”是以IoT市場的關鍵詞“紐扣電池10年驅動”為目標開發而成的超低功耗降壓型電源
2019-07-11 04:20:24
SiC-MOSFET用作開關而專門設計的電源用IC。這意味著SiC-MOSFET的柵極驅動與Si-MOSFET是不同的。您可能馬上會問“有什么不同呢？”，在介紹電源IC之前，先來了解一下SiC-MOSFET
2018-11-27 16:54:24
作貢獻獲歐洲理事會表彰 NCP1605功率因數校正(PFC)控制器獲《電子設計技術》2007年創新獎—電源器件與模塊類別 “最佳產品”獎 NCP5810雙輸出轉換器獲《今日電子》 “Top 10
2014-05-21 10:13:17
日前，Vishay Intertechnology宣布推出業界首款采用 MICRO FOOT 芯片級封裝的 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點。
Si8422DB 針對手機、PDA、數碼相機、MP3 播放器
2009-01-26 23:24:221152 ADI公司ADP2108 榮獲2009年度Top-10 DC/DC電源產品獎
-- ADI 通用型 DC-DC 轉換器 ADP2108 憑借其為業界帶來的更靈
2009-10-19 17:53:49560 Vishay推出4款MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V FET">MOSFET --- SiHP22N60S
2010-01-27 09:31:291277 P溝道TrenchFET功率MOSFET管Si8499DB
Vishay推出首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占
2010-04-29 11:27:351550 Vishay日前宣布該公司榮獲中電會展與資訊傳播有限公司(CEEIC)頒發的“分立半導體類”2010中國市場電子元器件領軍廠商獎(CMECMA)。
2011-01-27 09:11:491242 MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET?功率
2011-10-21 08:53:05873 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其SiR870DP功率MOSFET和34 THE霍爾效應傳感器榮獲EDN China 2011創新獎。
2011-12-06 15:51:27719 TriQuint半導體公司今天宣布，其雙頻帶Wi-Fi功率放大器榮獲了《電子技術應用》雜志2011年“最佳產品獎”。
2012-01-05 19:15:10718 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，該公司的SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR?功率MOSFET榮獲功率器件/電壓轉換器類別的2012中國年度電子成就獎。
2012-04-26 16:39:57646 全球領先的高性能功率和便攜解決方案供應商飛兆半導體公司（Fairchild Semiconductor） 宣布，該公司在全國領先電子行業媒體《今日電子》與21ic舉辦的Top-10電源產品獎中，榮獲“最佳開發
2012-10-10 09:20:28636 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，該公司的20V P溝道功率MOSFET Si7655DN和高性能鍍金屬直流聚丙烯薄膜
2013-03-22 14:01:44610 推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN）宣布，公司針對智能手機、平板電腦及其它手持設備能效而優化的NCP185x系列開關電池充電器榮獲中國主要電子雜志《電子產品世界》2012年度電源技術及產品獎。
2013-05-31 10:27:31879 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK
2013-07-15 11:32:40783 抑制器（TVS）、P16S面板式電位計、193 PUR-SI Solar功率鋁電容器和VLMU3100紫外線（UV）LED入圍Electronic Design的“Top 101 Components”。
2013-07-29 12:32:06756 的NCP185x系列開關電池充電器榮獲《今日電子》（EPC）的“Top 10電源產品獎”。EPC是中國最權威的電子行業雜志之一，這是安森美半導體連續第11年獲該雜志頒發獎項。
2013-09-13 09:45:02549 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 宣布，該公司的 IR3847 SupIRBuck 高電流負載點集成式穩壓器榮獲《今日電子》雜志兩項大獎。
2013-10-24 14:34:40865 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其Si7655DN -20V P溝道Gen III功率MOSFET榮獲EDN China 2013創新獎之電源器件和模塊類最佳產品獎。
2013-12-20 09:10:031307 日前，Vishay宣布，推出具有業內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 ）與21ic.com聯合舉辦的中國第十二屆年度TOP-10電源產品獎中的兩個獎項：“Top 10電源產品獎”及“技術突破獎”。
2014-09-26 16:50:001072 賓夕法尼亞、MALVERN — 2015 年 4 月17 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，Vishay Intertechnology Asia Pte Ltd榮獲2014 TTI Asia優秀供應商獎。
2015-04-17 17:26:02708 MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業和企業級電源提供
2017-02-10 15:10:111667 全球領先的電子元器件分銷商富昌電子日前宣布，榮獲 Vishay Intertechnology, Inc. (以下簡稱Vishay)所頒發的“2016年度最佳分銷商獎”。憑借在亞洲區卓越的市場營銷
2017-03-31 01:08:04243 近日，由《今日電子》和21IC中國電子網舉辦的 TOP-10電源產品獎 獎項結果揭曉。 依據 在技術或應用方面取得顯著進步，具有開創性的設計，性價比顯著提高 三個評選標準， 凌力爾特LT8645S
2017-10-09 13:52:544850 北京時間2018年9月13日，東芝參與了第十七屆電源技術研討會，并在研討會上拿下本年度TOP-10電源產品獎。
2018-09-19 16:11:382638 關鍵詞：MOSFET , Si8802DB , Si8805EDB , Vishay 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業內采用
2019-01-01 16:29:01380 關鍵詞：Methods , 貿澤 , 5G網絡 , 增強現實 , 自動駕駛 貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布發表最新一期的Methods技術與解決方案電子雜志。本期為第三卷
2019-03-29 07:49:02232 日前，Vishay 的 IHSR-1616AB-01 高飽和商用電感器榮獲 2019 年電子工業獎“年度最佳產品”提名。
2019-06-06 17:13:033648 貿澤電子宣布發表最新一期的Methods技術與解決方案電子雜志。
2019-09-23 10:14:463362 Vishay Roederstein HVCC系列徑向引線高壓單層瓷片電容器獲得《今日電子》雜志和21IC中國電子網第17屆年度Top-10電源產品獎。
2019-10-31 14:48:38807 Vishay 宣布，公司的HVCC系列徑向引線高壓單層瓷片電容器榮獲2019 AspenCore全球電子成就獎年度高性能元器件獎。
2019-12-04 09:04:36799 捷報頻傳！近日，PI公司搭配InnoSwitch3-MX PowiGaN榮獲2020 Aspencore全球電子成就獎（WEAA）之年度電源管理獎，以及21ic中國電子網2020年度TOP-10電源
2020-11-11 11:08:401930 AD7655-EP：增強型產品數據表
2021-05-12 17:09:01
2 新型 30 V n 溝道 TrenchFET?第五代功率 MOSFET，提升隔離和非隔離拓撲結構功率密度和能效。 Vishay Siliconix?SiSS52DN?采用熱增強型 3.3 mm
2021-05-28 17:25:572153 Vishay Siliconix SiC45x 系列 microBUCK? 同步降壓穩壓器被《21IC中國電子網》評為 2021 年度 Top 10 電源產品獎獲獎產品。
2021-09-27 17:58:041009 
近日，Vishay Siliconix SiC45x 系列 microBUCK 同步降壓穩壓器被《21IC中國電子網》評為 2021 年度 Top 10 電源產品獎獲獎產品。 這款穩壓器采用
2021-10-11 15:36:051503 近日，德州儀器旗下LM25149和LMG3525R030-Q1兩款芯片分別獲得由 21ic 電子網評選頒發的 2021 年度（第十九屆）TOP10 Power 產品獎和優化開發獎。 TOP10
2021-10-11 16:46:122211 Vishay 宣布，公司再度榮獲印度電子科技雜志BISinfotech頒發的2021年度BIS卓越技術創新獎（BETA）。
2021-12-23 13:34:24810 
《半導體芯科技》2022年10/11月刊電子雜志上線啦！ ? 首先，是本期的封面故事——用于激光雷達的硅光子技術。（以下內容為部分展示，完整版內容可點擊上方電子雜志閱覽） ? 微電子學幾乎徹底改變
2022-11-01 10:48:06592 
。Top10 Power電源產品獎是由21ic電子網主導，在行業內備受認同的電源類產品獎項。 瑞薩電子RAA215300 憑借出色的產品表現，獲得了廣大工程師和21ic專業編輯的一致認可，榮獲最佳應用獎。 Top10 Power電源產品獎于2003年開始進行評選，與21ic電子網的電源技術研討
2022-12-01 19:00:09839 本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數，不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅動與Si-MOSFET的比較中應該注意的兩個關鍵要點。
2023-02-23 11:27:57736 
禹創半導體再創佳績，榮獲“數字制造產業 TOP100 ”前10強。 禹創半導體經過海選、項目評審會、投票，以及評委評議篩選，最終榮獲《數字制造產業TOP100》暨黑馬大賽行業賽創業黑馬前10強！大賽
2023-06-19 18:51:25711 
SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比
2023-12-05 14:31:21258 
全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14104
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