熟悉半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的人都知道，在元器件生產(chǎn)商和終端制造商之間，通常會(huì)有一個(gè)代理商充當(dāng)橋梁的角色，把原廠的芯片賣給制造商。一般來(lái)說(shuō)，原廠和代理商都是各司其職，很少兼任的。但半導(dǎo)體原廠富士通卻代理了來(lái)自美國(guó)的Transphorm公司的產(chǎn)品，究竟是什么樣的產(chǎn)品，能夠讓日本巨頭為他做代理，我們來(lái)了解一下。

　　Transphorm和富士通“結(jié)緣”

　　在易維訊舉辦的第五屆“趨勢(shì)、創(chuàng)新、共贏”年度中國(guó)ICT媒體論壇暨2016產(chǎn)業(yè)和技術(shù)展望研討會(huì)上，富士通電子元器件高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理蔡振宇在主題為“氮化鎵產(chǎn)品主要的應(yīng)用場(chǎng)景和未來(lái)的趨勢(shì)”的演講上指出，Transphorm是一家設(shè)計(jì)、生產(chǎn)GaN（氮化鎵）功率轉(zhuǎn)換器和模塊的企業(yè)，其產(chǎn)品應(yīng)用于電源、功率適配器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換器以及電動(dòng)車輛等領(lǐng)域。

富士通電子元器件高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理蔡振宇

　　這家致力于提高能源轉(zhuǎn)換效率的公司，從2007年成立到現(xiàn)在，獲得了包括谷歌、富士通、凱鵬華盈、考菲爾德及拜爾斯、索羅斯基金管理公司、量子戰(zhàn)略合作伙伴在內(nèi)的眾多投資機(jī)構(gòu)的青睞。經(jīng)過(guò)了一系列的潛心研發(fā)之后，Transphorm已經(jīng)成為市場(chǎng)上公認(rèn)的GaN解決方案領(lǐng)導(dǎo)者。目前該公司的全球雇員人數(shù)已經(jīng)超過(guò)120位。

　　而與富士通的深入“結(jié)緣”更是回溯到2014年，在當(dāng)年2月，Transphorm收購(gòu)了富士通半導(dǎo)體的GaN業(yè)務(wù)，并授權(quán)富士通旗下晶圓廠為其代工生產(chǎn)。而富士通也非常看好GaN的發(fā)展前景，就順理成章地成為了Transphorm的代理。

　　性能卓越的GaN HEMT

　　一直以來(lái)，功率器件的原材料基本是硅，但隨著使用環(huán)境的復(fù)雜度提高，還有工藝限制，硅已經(jīng)基本到達(dá)了其物理極限，于是近年來(lái)，很多廠商都在投入了GaN和SiC（碳化硅）這類功率器件的研發(fā)。但就目前看來(lái)，GaN比SiC更有優(yōu)勢(shì)。

　　Si、SiC和GaN的性能對(duì)比

　　蔡經(jīng)理表示，由于GaN具有電子移動(dòng)速度快和相對(duì)較低的成本，讓其比SiC更具有市場(chǎng)吸引力。同時(shí)因?yàn)槠渚哂斜容^好的開(kāi)關(guān)性能，可以應(yīng)用在很多射頻產(chǎn)品上。

　　具體到Transphorm公司的GaN HEMT器件上，除了擁有比MOSFET更快的開(kāi)關(guān)性能外，同時(shí)還因?yàn)楣ぷ黝l率的提高，從而降低了其電容和電阻的尺寸。更重要的是，在此提高頻率的同時(shí)，效率并不會(huì)受到影響。“這一切都是得益于HEMT獨(dú)有的結(jié)構(gòu)。”蔡經(jīng)理指出。

　　Transphorm產(chǎn)品的橫截圖

　　根據(jù)蔡經(jīng)理的介紹，從上圖我們可以看出，Transphorm GaN HEMT的結(jié)構(gòu)和普通的MOSFET是不一樣的，由于其是在硅襯底上面長(zhǎng)出氮化鎵，且S極垂直往上的，上面是S極流到D極，電流是橫向流的，這點(diǎn)與傳統(tǒng)的MOS管流動(dòng)是不一樣的。

　　“這樣的結(jié)構(gòu)的好處是可以將閾值穩(wěn)定在2V，也就是在5V會(huì)打開(kāi)，0V的時(shí)候關(guān)閉。且其驅(qū)動(dòng)可以和現(xiàn)在的硅基產(chǎn)品兼容。這樣就可以省去了設(shè)計(jì)師設(shè)計(jì)時(shí)所花費(fèi)的時(shí)間。”

　　為了進(jìn)一步闡述這款產(chǎn)品的高性能，蔡經(jīng)理特意將GaN HEMT和一般的MOSFET在關(guān)鍵參數(shù)上做了詳盡對(duì)比。

　　GaN HEMT和MOSFET的對(duì)比

　　GaN HEMT和SJ-MOSFET的對(duì)比

　　從上表可以看出，無(wú)論是正向?qū)ǖ臇艠O電荷還是Qrr，Transphorm的GaN HEMT較其他產(chǎn)品都有明顯的優(yōu)勢(shì)。

　　得益于其優(yōu)越的性能，Transphorm的GaN HEMT成為全球首款也是唯一獲得JEDEC認(rèn)證的600 V GaN器件。能獲得如此重要的認(rèn)可，可以看出GaN HEMT的可靠性已經(jīng)得到了充分的保證。

　　關(guān)于Transphorm產(chǎn)品的未來(lái)發(fā)展，蔡經(jīng)理強(qiáng)調(diào)，除了堅(jiān)持上電的管子開(kāi)或關(guān)這兩種產(chǎn)品同時(shí)開(kāi)發(fā)外，Transphorm未來(lái)還會(huì)兼顧高低壓兩方面的市場(chǎng)，推出相應(yīng)的產(chǎn)品。并在提供單獨(dú)的GaN器件至于，同時(shí)提供模組化的產(chǎn)品，提高工程師的開(kāi)發(fā)效率。

　　在硅工藝面臨瓶頸和綠色能源社會(huì)的多樣化要求下，Transphorm的出現(xiàn)無(wú)疑讓制造商松了一口氣，他未來(lái)會(huì)帶來(lái)多少的驚喜呢？讓我們拭目以待！