近期有報道，IBM、三星及GF將組成全球最大的芯片制造聯盟，并合作開發通用技術平臺，此舉或是為了對抗臺積電在代工中的獨霸天下。我們看到，全球半導體業正經歷戲劇性的變化，由2010年增長32%到2011年僅增長0.4%。然而全球代工的表現相對亮麗，在2010年達266.35億美元（純代工），同比增長44%；到2011年達276.8億美元，增長4%，可見全球代工的增長優于半導體業的增長。

　　代工版圖的基因分析

　　依靠尺寸縮小來推動IC業增長的紅利漸漸遠去，IDM廠開始擁抱代工。

　　代工業的興起源自我國***對于半導體產業鏈的4業分離，設計、制造、封裝及測試起到決定性作用。同樣代工業的成長并非一帆風順，初時經歷了爬坡成長期， 并且業界也曾抱懷疑的態度，因此全球代工業主要集中在我國***，而眾多的美、日、歐等領先的廠商似乎并不看好它。僅是近期其才開始擁抱代工，典型的例子如 2009年AMD被分拆成設計與代工制造兩部分，后者稱為GF。

　　隨著摩爾定律逐 漸逼近終點，之前主要依靠尺寸縮小來推動工業增長的紅利漸漸遠去。據Cadence估計，IC研發與設計的成本在急速上升，32nm/28nm的工藝研發 費用為12億美元，至22nm/20nm時則為21億美元。而IC產品的設計費用由32nm的5000萬～9000萬美元漲至22nm時的1.2億～5億 美元。從投資回報率角度出發，一個32nm芯片需要售出3000萬～4000萬塊、一個20nm芯片則需要6000萬至1億塊才能達到財務平衡，因此業界 共識是工藝尺寸達到22nm或20nm時，可能通用的成本下降理論已不適用，導致產品會優先選擇成熟的65nm、45nm或32nm工藝。

　　另外，目前半導體建廠費用也大幅上升，達到40億～100億美元，稱之為gigafab。業界測算年銷售額必須大于100億美元才符合基本建廠條件，因此未來有能力再建新廠的廠商已屈指可數。

　　上述原因會對整個半導體產業鏈產生很大的影響，導致未來眾多的頂級IDM大廠紛紛開始擁抱Foundry代工，因而未來全球半導體業中能夠繼續跟蹤定律 的廠家數量在減少。據業界初步估計，未來全球能夠采用22nm、20nm甚至14nm的工藝及450mm硅片的廠家數量僅10家左右。

　　由硬件轉向應用平臺

　　IC業正由過去硬件平臺的表征讓位給SoC與軟件結合等應用平臺。

　　半導體產業必須贏利，否則不能持續進步，然而什么能推動半導體產業進步呢？工藝只是推動半導體進步的一個方面，摩爾定律僅解決了有關芯片性能和成本的問 題，而不能解決芯片的功耗問題。因此科學地描述摩爾定律，應該是在功耗基本不變的情況下，每經過18個月后，每個芯片上晶體管的數量能增加一倍，而成本保 持不變。

　　半導體業正由過去的CPU、處理器性能等硬件平臺的表征讓位給移動系統芯片SoC、硬件與軟件結合等所謂的應用平臺，因為目 前尺寸縮小可能已走到盡頭。在半導體業中盛行的摩爾定律已引發另一個拐點，把晶體管做得更小未必會帶來好處。在新的SoC時代下，由于CMOS工藝的同質 化，導致IC設計的附加值會高于制造業，因此未來推動產業進步更注重的是產品能滿足客戶的需求以及推出產品的時機，也即主要由應用平臺來推動。

　　英特爾作為IDM的領頭羊，而臺積電作為全球代工的領頭羊，實際上兩者沒有可比性，因為并不處于同一起跑線上。英特爾仍沿著之前處理器路線圖在前進，由于其毛利率達68%，2011年銷售額為500億美元，因此每年有能力拿出近50億美元來研發。而臺積電銷售額為140億美元，毛利率為48%，每年研發費用為10億美元，兩者財力差距甚大。

　　所以近期半導體業中兩次根本性的創新，如2007年的高k金屬柵HKMG工藝技術與2011的3D晶體管結構都出自英特爾之手。業界估計臺積電與英特爾 在邏輯工藝上的差距至少為兩年，原因也十分明顯，臺積電要滿足多個客戶的需求，而英特爾可以為產品下全力去攻克工藝難關。一個復雜的SoC要求低成本，必 須采用與其選用的IP相適應的晶體管結構。現在從技術上開發IP需要更長的時間，然而產品的生存周期越來越短，所以臺積電在技術推進的策略上要晚于英特爾合乎情理。