非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 （Flash Memory） 與只讀存儲器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲器又可以分為 NAND 存儲和 NOR 存儲。
2024-03-22 10:54:15
13 
的優(yōu)越性能，全閃存存儲陣列在數(shù)據(jù)中心中越來越受歡迎。這些存儲系統(tǒng)使用SSD作為主存儲和輔助存儲，提供更快的數(shù)據(jù)訪問、降低功耗并提高可靠性。 二、存儲級內(nèi)存 存儲級內(nèi)存(SCM)是一種新型非易失性內(nèi)存，它將DRAM的速度與NAND閃存的
2024-03-18 17:39:22141 三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認為NAND Flash價格過低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判，目標(biāo)價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22217 三星電子，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，近期在其位于中國西安的NAND閃存工廠實現(xiàn)了開工率的顯著回升，從去年的低谷20-30%提升至目前的70%。這一變化不僅反映了三星電子對市場趨勢的敏銳洞察和快速響應(yīng)，也凸顯了中國智能手機市場回暖以及全球半導(dǎo)體庫存調(diào)整對產(chǎn)業(yè)鏈上游的積極影響。
2024-03-14 12:32:26317 據(jù)最新報道，全球領(lǐng)先的NAND閃存制造商鎧俠已決定重新審視其先前的減產(chǎn)策略，并計劃在本月內(nèi)將開工率提升至90%。這一策略調(diào)整反映出市場需求的變化和公司對于行業(yè)發(fā)展的積極預(yù)期。
2024-03-07 10:48:35263 潘建成表示，群聯(lián)當(dāng)前正面臨供應(yīng)短缺問題，若NAND閃存制造商以合理價格提供穩(wěn)定的供應(yīng)，將有助于緩解群聯(lián)的困境。他認為，原廠擴大產(chǎn)能，有利于維護NAND市場秩序，使價格合理回歸，否則過高的漲勢會打壓下游廠商需求。
2024-03-05 14:05:0481 據(jù)統(tǒng)計，鎧俠是全球第二大NAND芯片制造商，市場份額約為15%-20%，緊隨其后的是韓國的三星。面對之前NAND報價持續(xù)下跌的困境，鎧俠率先采取了減產(chǎn)策略，幅度達到了三成。
2024-03-05 09:23:51143 前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出 NOR Flash 技術(shù),徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下
2024-03-01 17:08:45158 
隨著NAND閃存需求預(yù)計在2024年復(fù)蘇，全球科技巨頭三星電子已迅速行動，在印度組建了一個專門的SSD（固態(tài)硬盤）研發(fā)團隊。此舉旨在擴大其業(yè)務(wù)版圖，并確保公司在存儲技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-02-25 13:38:51176 NAND閃存作為如今各種電子設(shè)備中常見的非易失性存儲器，存在于固態(tài)硬盤（SSD）、USB閃存驅(qū)動器和智能手機存儲等器件。而隨著電腦終端、企業(yè)存儲、數(shù)據(jù)中心、甚至汽車配件等應(yīng)用場景要求的多樣化
2024-02-05 18:01:17418 
江波龍首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash于近日問世。該產(chǎn)品采用BGA132封裝，支持Toggle DDR模式，數(shù)據(jù)訪問帶寬可達400MB/s，將有望應(yīng)用于eMMC、SSD等產(chǎn)品上。
2024-02-01 15:08:48361 1月23日消息，據(jù)外媒Tom’s Hardware報導(dǎo)，有市場人士表示，由4個或8個NAND Flash芯片組成的NAND封裝模組已經(jīng)供不應(yīng)求，特別是大容量消費級SSD的價格或許會大幅上漲，而且預(yù)計一季度晚些時候會出現(xiàn)。
2024-01-24 17:17:23487 在本文中，我們將Mos Memory分為DRAM和NAND閃存，并嘗試從各公司的價格趨勢和銷售（份額）趨勢來預(yù)測全球市場何時完全復(fù)蘇。在這個過程中，筆者想表明在存儲器制造商之間，可以看到明顯的盛衰。
2024-01-19 09:36:11127 
據(jù)TrendForce估計，2024年第一季度DRAM及
NAND閃存（eMMC/UFS）平均季度漲幅將達18%-23%，壟斷
市場或品牌
廠商爭奪下，漲幅甚至?xí)摺?/div>
2024-01-08 10:23:051068 在相同的測試平臺環(huán)境中，傳統(tǒng)的SSD測試方案可擴展的SSD數(shù)量少，效率低，運營成本高，已無法滿足暴增的市場需求。高擴展、高效率、高性價比成為SSD測試行業(yè)的發(fā)展趨勢
2024-01-07 10:27:00186 
什么是SD NAND？它俗稱貼片式T卡，貼片式TF卡，貼片式SD卡，貼片式內(nèi)存卡，貼片式閃存卡，貼片式卡...等等。雖然SD NAND 和TF卡稱呼上有些類似，但是SD NAND和TF卡有著本質(zhì)上的區(qū)別。
2024-01-06 14:35:57861 
控制、移動設(shè)備等。在這些應(yīng)用中， SD NAND能提供高可靠性、高速讀寫、低功耗和高度集成等特點， 為新一代的嵌入式存儲解決方案引領(lǐng)市場趨勢。
總結(jié)
對這款產(chǎn)品優(yōu)點總結(jié)為一下幾點，其尺寸
2024-01-05 17:54:39
IDC數(shù)據(jù)表明，傳統(tǒng)企業(yè)存儲系統(tǒng)中的全閃陣列同比下降5.5%，用戶更加青睞端到端NVMe 全閃、分布式全閃等高端全閃存儲。
2024-01-03 10:43:18282 
SSD主要由控制單元和存儲單元組成，控制單元包括SSD控制器、主機接口、DRAM等，存儲單元主要是NAND FLASH顆粒。NAND FLASH內(nèi)部存儲讀寫的基本單元為Block和Page。
2024-01-02 10:16:58277 
華為在2023年第三季度全閃存（SSA）全球市場中表現(xiàn)出色，實現(xiàn)了驚人的增長，市場份額首次超越Dell，成為全球全閃存市場的季度第一。
2023-12-29 16:18:25522 據(jù)韓國媒體報道，人工智能（AI）功能的新款 AI PC 產(chǎn)品入市，市場預(yù)測這不僅將拉動對高性能 DRAM 的需求增長，進而促使尚未擺脫經(jīng)濟衰退影響的 NAND Flash 快閃存儲器需求也將得以擴大。這一趨勢給整個存儲芯片市場帶來了復(fù)蘇的重要契機。
2023-12-26 15:49:14151 
NAND產(chǎn)品中，同樣代表市場行情的256Gb TLC，第四季度單價為1.85美元左右，相比三季度上漲12％。
2023-12-26 13:54:3199 
前段時間長江存儲旗下的致態(tài)推出了首款QLC SSD，Ti600。Ti600之前已推出了500GB、1TB、2TB 3個容量配置，現(xiàn)在Ti600 又加推了4TB版本，讓消費者又多了一個大容量配置的選擇
2023-12-25 10:36:51361 
倪光南表示，隨著我國國產(chǎn)存儲整機和閃存生產(chǎn)能力逐步提升，SSD取代HDD時機已經(jīng)到來。
2023-12-21 15:19:45168 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）近日宣布，基于美光 232 層 NAND 技術(shù)的 3500 NVMe 固態(tài)硬盤（SSD） 現(xiàn)已向客戶出貨
2023-12-12 09:43:30276 SSD硬盤的優(yōu)點和缺點? SSD（固態(tài)硬盤）是一種基于閃存存儲器來存儲數(shù)據(jù)的存儲設(shè)備，與傳統(tǒng)的機械硬盤（HDD）相比，SSD具有明顯的優(yōu)勢和一些缺點。下面將詳細介紹SSD硬盤的優(yōu)點和缺點。 優(yōu)點
2023-12-11 11:32:57439 SSD廠商早就預(yù)測NAND閃存的價格會隨著時間的推移而下降，讓SSD能夠在單價上與HDD競爭。事實上，NAND閃存的價格一直在下降。
2023-12-01 15:06:01490 
NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20734 
增加3D（三維）NAND閃存密度的方法正在發(fā)生變化。這是因為支持傳統(tǒng)高密度技術(shù)的基本技術(shù)預(yù)計將在不久的將來達到其極限。2025 年至 2030 年間，新的基礎(chǔ)技術(shù)的引入和轉(zhuǎn)化很可能會變得更加普遍。
2023-11-30 10:20:26243 
將 NVMe SSD 的用戶空間進行邏輯劃分，每個命名空間擁有自身的 NAND 顆粒，可以獨立地進行格式化和加密等操作。 OP Over-provisioning，一般稱為預(yù)留空間，它是指 SSD 保留一部分閃存空間留作他用，這部分空間用戶不可操作，容量大小一般是由主控決定的，一般不建議用戶自
2023-11-21 20:40:02458 
目前，Marvell以自主開發(fā)或外包的方式，為掌握nand閃存ic市場而展開競爭。因此，Marvell在企業(yè)市場上的運營受到了影響，Marvell正在縮小相關(guān)團隊。
2023-11-17 10:28:48362 鎧俠公司為應(yīng)對存儲芯片價格的持續(xù)下跌，從2022年10月開始采取了將晶片減產(chǎn)30%的措施。2023年q3的nand閃存價格將比q2上漲5%至9%，出貨量將比前一個月減少10至14%。以美元為準(zhǔn)，nand閃存價格將比前一個月上漲0至4%。
2023-11-15 10:17:03335 但是，存儲芯片大企業(yè)的價格已經(jīng)出現(xiàn)上漲跡象。還有外電報道說，已經(jīng)從dram開始的存儲器價格上升趨勢正在擴大到nand閃存。
2023-11-13 14:53:28487 NVMe SSD 廠商Spec給出的性能非常完美，前面也給出了NVMe SSD和磁盤之間的性能對比，NVMe SSD的性能的確比磁盤高很多。
2023-11-13 11:39:15545 
2021年至2027年，以百萬計為單位的NAND晶圓復(fù)合年均增長率（CAGR）為3%（見圖3），其中，汽車應(yīng)用增長最快，CAGR為20%；其次則是數(shù)據(jù)中心，其CAGR為13%。
2023-11-06 12:38:24395 
三星采取此舉的目的很明確，希望通過此舉逆轉(zhuǎn)整個閃存市場，穩(wěn)定NAND閃存價格，并實現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場等目標(biāo)。
2023-11-03 17:21:111214 據(jù)多名半導(dǎo)體業(yè)界消息人士稱，三星繼本季度將nand閃存價格上調(diào)10至20%后，決定明年第一季度和第二季度也分別上調(diào)20%。三星電子正在努力穩(wěn)定nand閃存價格，試圖在明年上半年逆轉(zhuǎn)市場。
2023-11-02 10:35:01523 千兆光模塊和萬兆光模塊是當(dāng)前光纖通信領(lǐng)域中常見的兩種光模塊。它們分別適用于不同的網(wǎng)絡(luò)通信需求，并各有優(yōu)勢和劣勢。本文將重點討論千兆光模塊和萬兆光模塊的優(yōu)勢與劣勢，并對未來發(fā)展趨勢進行探討。
2023-10-30 11:36:10351 在NAND閃存市場難以復(fù)蘇的情況下，三星升級西安工廠是保持全球NAND閃存第一的戰(zhàn)略對策；去年下半年開始，IT市場放緩和半導(dǎo)體市場疲軟也導(dǎo)致三星電子NAND業(yè)務(wù)下滑。
2023-10-17 15:29:57433 中芯國際方面表示：“nand閃存憑借較高的單元密度和存儲器密度、快速使用和刪除速度等優(yōu)點，已成為廣泛使用在閃存上的結(jié)構(gòu)。”目前主要用于數(shù)碼相機等的閃存卡和mp3播放器。
2023-10-17 09:46:07265 三星決定升級西安工廠的原因大致有兩個。第一，在nand閃存市場尚未出現(xiàn)恢復(fù)跡象的情況下，在nand閃存市場保持世界領(lǐng)先地位。受從去年年底開始的it景氣低迷和半導(dǎo)體景氣低迷的影響，三星nand的銷量增加，從而使虧損擴大。
2023-10-16 14:36:00832 據(jù)韓國貿(mào)易部16日公布的資料顯示，韓國9月份的nand閃存出口額比去年同期增加了5.6%，但8月份減少了8.9%。存儲器半導(dǎo)體業(yè)界的另一個支柱——3.3354萬dram的出口在同期減少了24.6%。這比上個月的35.2%有所減少。
2023-10-16 14:17:21244 根據(jù)專利摘要，本發(fā)明實際公開了nand閃存芯片的測試樣本，測試樣本由多個相同的樣本區(qū)域組成，每個樣本區(qū)域包含多個相鄰的數(shù)據(jù)塊。相鄰的幾個數(shù)據(jù)塊會測試不同的擦除次數(shù)。在多個相同的樣本區(qū)域中，任意兩個相鄰的樣本區(qū)域之間的間隔預(yù)先設(shè)定相鄰數(shù)據(jù)塊的數(shù)量。
2023-10-13 09:47:33313 
目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場上主要的非易失性閃存技術(shù)，但是據(jù)我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00471 
致態(tài)Ti600系列SSD采用了長江存儲最新一代NAND閃存顆粒，基于晶棧Xtacking 3.0架構(gòu)，
再配合優(yōu)秀主控解決方案，可以達到7000MB/s的讀取速度和6000MB/s的寫入速度，而實測數(shù)據(jù)比這還要更高一些。
2023-09-27 10:49:29606 
SSD主要由控制單元和存儲單元(當(dāng)前主要是FLASH閃存顆粒)組成，控制單元包括SSD控制器、主機接口、DRAM等,存儲單元主要是NAND FLASH顆粒。
2023-09-25 09:45:51161 
避難是在智能手機、電腦、數(shù)據(jù)中心等使用儲存裝置“nand閃存”的企業(yè)，由于存儲器市場的需求減少，企業(yè)紛紛減產(chǎn)，因此預(yù)計到2024年以后需求才會恢復(fù)。
2023-09-22 10:13:24683 據(jù)消息人士透露，nand閃存價格從第三季度初的最低點開始逐漸反彈，到目前為止已經(jīng)上漲了10%以上。他表示：“nand價格上漲將為dram價格上漲營造有利的市場氛圍。存儲器模塊制造企業(yè)正在密切關(guān)注dram價格反彈的時間。
2023-09-20 10:19:50503 業(yè)內(nèi)人士說：“nand閃存價格將比dram快反彈”，“nand閃存供應(yīng)商們的赤字繼續(xù)擴大，因此銷售價格正在接近生產(chǎn)成本，供應(yīng)商們?yōu)榱司S持運營，擴大減產(chǎn)，價格停止下跌，反彈率領(lǐng)的”。
2023-09-11 14:56:17508 
的存儲器產(chǎn)業(yè)生態(tài)，交流最新技術(shù)與行業(yè)趨勢。 會議現(xiàn)場，華為、浪潮、Solidum、鎧俠、戴爾、慧榮科技等廠商均展出了旗下創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品。 在慧榮科技與旗下專注于企業(yè)級存儲領(lǐng)域子公司寶存科技的展臺上，可以看到業(yè)界首款采用QLC閃存的ZNS（Zone Namespaces）SSD產(chǎn)品，在
2023-09-06 15:34:29498 ，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用。本文則將為大家介紹Nand Flash的工作原理和自身的特性。 一、NAND Flash Wafer、PKG及SSD Nand Flash Die
2023-09-05 18:10:011621 不同于一季度的疲軟，可以看到在 二季度存儲市場明顯有所回暖，打破自2022年二季度以來的連續(xù)下滑，重新恢復(fù)增長。 據(jù)CFM閃存市場分析， 2023年二季度全球NAND Flash市場規(guī)模環(huán)比增
2023-09-05 16:13:32317 
三星業(yè)績近期表現(xiàn)非常差，三星為了增強NAND閃存競爭力計劃在2024年升級其NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈。
2023-08-30 16:10:02192 分析閃存控制器的架構(gòu)，首先得了解SSD。一般來說SSD的存儲介質(zhì)分為兩種，一種是采用閃存（Flash芯片）作為存儲介質(zhì)，另外一種是采用DRAM作為存儲介質(zhì)。我們通常所說的SSD就是基于閃存的固態(tài)硬盤
2023-08-29 16:10:09495 Disk，簡稱SSD）是以NAND閃存介質(zhì)為主的一種存儲產(chǎn)品。近年來，由于SSD的低功耗、高性能、穩(wěn)定安全等優(yōu)點，使其越來越受到客戶的青睞，SSD也逐漸大量應(yīng)用于IT運維、金融等行業(yè)。 性能vs成本，SSD如何兼得？ 一個NAND閃存芯片封裝了若干個DIE（或者叫LUN）
2023-08-22 18:25:03253 
三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281 三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國的平澤、華城和中國的西安。業(yè)內(nèi)人士認為，三星的nand閃存產(chǎn)量可能會減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業(yè)績中，由于市場持續(xù)低迷，三星電子正式公布了存儲器減產(chǎn)計劃。
2023-08-16 10:23:58423 SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品，并介紹了開發(fā)進展情況。
2023-08-10 16:01:47704 臺北和美國加州訊，2023年 8月9日—全球NAND閃存主控芯片領(lǐng)導(dǎo)廠商慧榮科技 (NasdaqGS: SIMO) 今日宣布于8月8日至10日在美國加州圣塔克拉拉舉行的FMS 2023 (Flash
2023-08-09 17:36:19355 
北京2023年8月7日 /美通社/ -- 日前，IDC公布《2023年第一季度中國企業(yè)級存儲市場跟蹤報告》，報告顯示，中國企業(yè)級數(shù)據(jù)存儲市場銷售額同比增長3.45%至70.14億元，全閃存儲銷售額
2023-08-08 12:55:47716 經(jīng)歷了近十幾年的快速發(fā)展，SSD已在眾多領(lǐng)域取代了HDD。消費級SSD的規(guī)格趨于穩(wěn)定，成本要求不斷提高，技術(shù)和市場的格局已基本固定。所以，許多初創(chuàng)團隊和大廠開始將研發(fā)重心放在了企業(yè)級SSD上。在這
2023-08-07 09:52:20534 
據(jù)《電子時報》報道，三星提出的512gb nand閃存晶片單價為1.60美元，比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示，由于上下nand閃存的庫存緩慢，很難說服上調(diào)價格。
2023-08-02 11:56:24762 SK海力士收購Intel NAND閃存業(yè)務(wù)重新組建的Solidigm公司非常活躍，最近披露了其近期NAND、SSD規(guī)劃路線圖，預(yù)計2023年上半年陸續(xù)落地。
2023-07-24 17:06:29902 
對NAND存儲器的需求不斷增長 隨著游戲產(chǎn)業(yè)和數(shù)據(jù)中心的蓬勃發(fā)展，全球 NAND 市場正呈擴張之勢。而由于新冠疫情的爆發(fā)，人們更多選擇遠程辦公和在線課程，對數(shù)據(jù)中心和云服務(wù)器的需求隨之增長，市場
2023-07-24 14:45:03424 
隨著游戲產(chǎn)業(yè)和數(shù)據(jù)中心的蓬勃發(fā)展，全球 NAND 市場正呈擴張之勢。而由于新冠疫情的爆發(fā)，人們更多選擇遠程辦公和在線課程，對數(shù)據(jù)中心和云服務(wù)器的需求隨之增長
2023-07-24 14:42:48808 
據(jù)集邦咨詢最新研究報告，隨著原廠減產(chǎn)幅度持續(xù)擴大，實際需求依然不明朗，NAND閃存市場在第三季度仍將處于供過于求的狀態(tài)，SSD價格也將繼續(xù)走低。
2023-07-24 11:12:25916 
基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個UFS 4.0移動存儲解決方案，采用了232層3D TLC NAND閃存；速度提升很大，可以達到最高
2023-07-19 19:02:21864 蘋果閃存和SSD都基于閃存技術(shù)，但存在一些細微差別。蘋果閃存是專為蘋果產(chǎn)品而開發(fā)的，使用NAND（非易失性閃存）芯片技術(shù)，而SSD可以是通用的，采用不同類型的閃存芯片，如NAND、MLC（多級單元）或TLC（三級單元）。
2023-07-19 15:21:372102 NAND閃存，所有主要閃存制造商都在積極采用各種方法來降低閃存的每位成本，同時創(chuàng)造出適用于各種應(yīng)用的產(chǎn)品。閃存制造商還在積極展開研究，期望能夠擴展3D NAND閃存的垂直層數(shù)。雖然15nm似乎是NAND閃存目前能夠達到的最小節(jié)點，但開發(fā)者
2023-07-18 17:55:02486 
隨著密度和成本的飛速進步，數(shù)字邏輯和 DRAM 的摩爾定律幾乎要失效。但是在NAND 閃存領(lǐng)域并非如此，與半導(dǎo)體行業(yè)的其他產(chǎn)品不同，NAND 的成本逐年大幅下降。
2023-07-18 10:13:351203 
NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來存儲數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211444 
三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計劃，預(yù)計在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達到280層
2023-07-04 17:03:291744 閃存存儲設(shè)備：NAND芯片作為主要的閃存存儲媒介，被廣泛用于固態(tài)硬盤（SSD）、USB閃存驅(qū)動器、內(nèi)存卡（如SD卡、MicroSD卡）和閃存盤等。
2023-06-28 16:25:495201 本文轉(zhuǎn)自公眾號,歡迎關(guān)注 開放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開放NAND閃存接口.是一個由100多家
2023-06-21 17:36:325865 
3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內(nèi)，容納更高的存儲容量，從而有效節(jié)約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:561727 
238層NAND閃存作為世界上最小體積的芯片，生產(chǎn)效率比上一代的176層提升了34%，成本競爭力得到了大幅改善。
2023-06-11 14:32:54492 
內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區(qū)，硬盤的一個扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001982 近年來，中國電源管理芯片市場規(guī)模一直保持增長趨勢，盡管中國電源管理芯片廠商起步較晚，但是在政策扶持背景下，集成電路國產(chǎn)產(chǎn)品對進口產(chǎn)品的替代效應(yīng)明顯，中國集成電路產(chǎn)品的品質(zhì)和市場認可度日漸提升，部分
2023-06-09 15:06:10
NAND 存儲器制造商三星和 SK 海力士已尋求將 NAND 閃存價格提高 3%-5% 以試探市場反應(yīng)，并表示 NAND 閃存的價格已降至可變成本以下。 ? 2. 日媒：蘋果Vision Pro 給電子
2023-06-09 12:01:041114 
SK海力士收購Intel NAND閃存業(yè)務(wù)重組而來的Solidigm，就發(fā)布了一款QLC閃存的企業(yè)級產(chǎn)品P5-D5430，可以說是QLC SSD的一個代表作。
2023-06-09 10:41:43489 
sk海力士表示：“以238段nand閃存為基礎(chǔ)，開發(fā)了智能手機和pc用客戶端ssd （client ssd）解決方案產(chǎn)品，并于5月開始批量生產(chǎn)。該公司通過176層、238層的產(chǎn)品，在成本、性能、品質(zhì)等方面確保了世界最高的競爭力。
2023-06-08 10:31:531564 Crucial 英睿達 T700 第五代 SSD 采用 232 層 TLC NAND，順序讀取速度高達 12,400MB/s，速度幾乎是先前第四代高性能 SSD2 的兩倍，專為 Intel 第 13 代和 AMD Ryzen 7000 系列 CPU 以及 PCIe 5.0 桌面電腦和主板而設(shè)計。
2023-06-01 15:01:44369 NAND閃存上的位密度隨著時間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元（SLC）閃存。這表明每個閃存單元存儲一個位。使用多層單元（MLC），閃存可以為每個單元存儲兩個或更多位，因此位密度會增加
2023-05-25 15:36:031193 
我試圖讓 RT1052 從外部 QSPI NAND 閃存 W25N01GVZEIG 啟動。我們選擇了RT1050參考手冊中提到的這個NAND flash。我還附上了數(shù)據(jù)表。
我還使用 NXP MCU
2023-05-12 07:55:18
Semiconductor。 ? X-NAND ? 相信去年的閃存峰會上，除了鎧俠、SK海力士、長江存儲、三星等大廠所做的技術(shù)分享外，大家也都注意到了這家名為NEO Semiconductor的初創(chuàng)企業(yè)。這是一家專為NAND閃存和DRAM內(nèi)存開發(fā)創(chuàng)新架構(gòu)的廠商，其去年推出的X-NAND第二代技術(shù)，允許3D NAND閃存
2023-05-08 07:09:001982 
- 我的任務(wù)是找出根本原因并解決基于 imx28 的定制設(shè)計板中的問題。
- imx28 無法從 NAND 啟動并進入 USB 恢復(fù)模式。
- 將 NAND 閃存更改為不同的 NAND 閃存后
2023-04-27 06:50:47
我正在嘗試啟動 IMX6ULL NAND 閃存。供您參考，我使用 buildroot 2018_11_4 成功啟動了 IMX6ULL NAND 閃存。（uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17
當(dāng)芯片處于 I2C 從屬模式時，有什么方法可以通過 AUX 更改存儲在內(nèi)部閃存中的設(shè)置（例如模擬的 EDID）？
2023-04-18 06:56:44
眾所周知，鎧俠公司發(fā)明了NAND Flash。公司憑借其領(lǐng)先的三維（3D）垂直閃存單元結(jié)構(gòu)BiCS FLASH，讓公司閃存的密度在市場中名列前茅。與此同時，鎧俠還是第一個設(shè)想并準(zhǔn)備將SLC技術(shù)成功遷移到MLC、再從MLC遷移到TLC、現(xiàn)在又從TLC遷移到QLC的行業(yè)參與者。
2023-04-14 09:17:03796 近年來，隨著NAND接口速率越來越高，如何保證信號高速傳輸下的完整性和傳輸速率成為NAND廠商要面對的首要問題。浪潮信息企業(yè)級SSD通過對端接和電路的技術(shù)創(chuàng)新，全面提升NAND信號質(zhì)量。此外，憑借
2023-04-13 10:56:07585 NOR和NAND是目前市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)，其中NANDFlash存儲器具有容量較大，擦寫速度快等優(yōu)點。它們的廣泛應(yīng)用就不用小編敲黑板了吧？然而，市場上流行的NANDFlash產(chǎn)品，尤其是
2023-03-31 10:34:54382 
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我對內(nèi)存使用有一些疑問： XIP 是否通過 QSPI 支持 NAND 閃存？如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動，則加載程序必須將應(yīng)用程序復(fù)制到
2023-03-29 07:06:44
近年來，中國大陸廠商積極發(fā)力 PCIe 3.0、PCIe4.0 甚至更高端的 PCIe 5.0 企業(yè)級 SSD，整體實力不斷提升，同時我國上下游企業(yè)出海，助力企業(yè)級存儲國產(chǎn)化邁向新階段。2021年，國內(nèi) SSD 主控芯片廠商全球出貨量占比 10.33%，替代空間廣闊。
2023-03-27 09:20:442656 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論