電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李寧遠(yuǎn))自1965年戈登摩爾提出摩爾定律以后,半導(dǎo)體行業(yè)在摩爾定律上已經(jīng)繁榮發(fā)展了半個多世紀(jì)。芯片,已經(jīng)成為時代發(fā)展的重要引擎。但隨著晶體管尺寸逐漸逼近物理極限,近年來摩爾定律
2023-11-05 07:07:003127 根據(jù)摩爾定律,芯片中的晶體管數(shù)量大約每2年就會增加一倍。這一觀察結(jié)果最初由戈登·摩爾在 1965 年描述,但后來摩爾本人預(yù)測,這個比率最終會放慢速度,不幸的是,這是真實的。
2024-02-21 15:32:03110 眾所周知,隨著IC工藝的特征尺寸向5nm、3nm邁進(jìn),摩爾定律已經(jīng)要走到盡頭了,那么,有什么定律能接替摩爾定律呢?
2024-02-21 09:46:46162 英特爾和臺積電都在技術(shù)上投入資金。三星和其他內(nèi)存制造商必須跟上技術(shù)節(jié)點的轉(zhuǎn)變,即使同時保持產(chǎn)能遠(yuǎn)離市場。他們需要跟上技術(shù)的步伐,以在摩爾定律的基礎(chǔ)上保持競爭力,摩爾定律推動了內(nèi)存業(yè)務(wù)的基本成本。
2024-01-29 11:05:03380 在動態(tài)的半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,圍繞摩爾定律的持續(xù)討論經(jīng)歷了顯著的演變,其中最突出的是 MonolithIC 3D 首席執(zhí)行官Zvi Or-Bach于2014 年的主張。
2024-01-25 14:45:18476 個 CMOS 平臺的整體縮放解決方案變得越來越難以實現(xiàn)。例如,2 納米納米片技術(shù)將使傳統(tǒng)的厚氧化物 IO 電路從 SoC 中移出。
2024-01-24 11:26:36365 納米片晶體管并不能拯救摩爾定律,也不能解決代工廠在最先進(jìn)工藝節(jié)點上面臨的所有挑戰(zhàn)。為了克服這些問題,代工廠正在尋求各種創(chuàng)新,例如背面供電(BSPD),以在節(jié)省功耗的同時從晶體管之間的互聯(lián)中獲得更多性能。
2024-01-22 10:47:33171 AI時代,我們需要重新定義和設(shè)計AI計算機(jī)。僅依靠硅基的摩爾定律,2年翻一倍的線性增長的算力供給遠(yuǎn)不能滿足指數(shù)級增長的需求問題。
2024-01-12 11:12:03599 基爾霍夫定律(Kirchhoff’s laws)是電路分析中的重要定律,由德國物理學(xué)家戴奧多爾·基爾霍夫于1845年提出。這些定律被廣泛應(yīng)用于電路理論和實踐中,被認(rèn)為是電路分析的基石。基爾霍夫定律
2024-01-10 17:03:36381 摩爾定律的提出也推動了集成電路制造的快速發(fā)展。這一定律指出,集成電路中的晶體管數(shù)量每隔一段時間便會翻倍,促進(jìn)了芯片尺寸的不斷縮小和性能的不斷提升。
2024-01-10 16:58:49334 今年3月24日,94歲的戈登·摩爾在夏威夷家中與世長辭——這恰似一個時代的隱喻:“摩爾定律”是否也正在和摩爾先生一起離我們遠(yuǎn)去?
2024-01-05 11:43:01501 英特爾創(chuàng)始人戈登·摩爾提出集成電路上的晶體管數(shù)量大約每兩年增漲1倍的“摩爾定律”后,芯片制造業(yè)迅猛發(fā)展,然而,縮小芯片體積難度加大,成本提升。
2023-12-28 14:58:48429 帕特·基辛格進(jìn)一步預(yù)測,盡管摩爾定律顯著放緩,到2030年英特爾依然可以生產(chǎn)出包含1萬億個晶體管的芯片。這將主要依靠新 RibbonFET晶體管、PowerVIA電源傳輸、下一代工藝節(jié)點以及3D芯片堆疊等技術(shù)實現(xiàn)。目前單個封裝的最大芯片含有約1000億個晶體管。
2023-12-26 15:07:37312 摩爾定律概念最早由英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾在1970年提出,明確指出芯片晶體管數(shù)量每兩年翻一番。得益于新節(jié)點密度提升及大規(guī)模生產(chǎn)芯片的能力。
2023-12-25 14:54:14227 半導(dǎo)體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代。傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律,逐漸不適應(yīng)于半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展需求,砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體也因而誕生。
2023-12-21 15:12:20817 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/吳子鵬)幾年前,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重心還是如何延續(xù)摩爾定律,在材料和設(shè)備端進(jìn)行了大量的創(chuàng)新。然而,受限于工藝、制程和材料的瓶頸,當(dāng)前摩爾定律發(fā)展出現(xiàn)疲態(tài),產(chǎn)業(yè)的重點開始逐步轉(zhuǎn)移到
2023-12-21 00:30:00968 21世紀(jì)初開始,以英特爾和IBM為首的企業(yè)與學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)就開始重點發(fā)展硅芯片光學(xué)信號傳輸技術(shù),期望有朝一日能用光通路取代芯片之間的數(shù)據(jù)電路,以延續(xù)摩爾定律。
2023-12-15 12:27:12468 在IEDM 2023上,英特爾展示了結(jié)合背面供電和直接背面觸點的3D堆疊CMOS晶體管,這些開創(chuàng)性的技術(shù)進(jìn)展將繼續(xù)推進(jìn)摩爾定律。
2023-12-11 16:31:05342 1、案例背景 LED燈帶在使用一段時間后出現(xiàn)不良失效,初步判斷失效原因為銅腐蝕。據(jù)此情況,對失效樣品進(jìn)行外觀觀察、X-RAY分析、切片分析等一系列檢測手段,明確失效原因。 2、分析過程 2.1 外觀
2023-12-11 10:09:07188 在3D實現(xiàn)方面,存儲器比邏輯更早進(jìn)入實用階段。NAND閃存率先邁向3D 。隨著目前量產(chǎn)的20-15nm工藝,所有公司都放棄了小型化,轉(zhuǎn)而轉(zhuǎn)向存儲單元的三維堆疊,以提高每芯片面積的位密度。它被稱為“ 3D(三維)NAND ” 。
2023-12-02 16:38:40786
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