深圳市薩科微半導體有限公司，技術骨干來自清華大學和韓國延世大學，掌握第三代半導體碳化硅功率器件國際領先的工藝，和第五代超快恢復功率二極管技術。薩科微slkor（www.slkormicro.com
2024-03-15 11:22:07
氮化鎵（GaN）基材料被稱為第三代半導體，其光譜范圍覆蓋了近紅外、可見光和紫外全波段，在光電子學領域有重要的應用價值。
2024-03-08 10:32:39
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2023年，東芝半導體的功率器件銷售額估計約為1000億日元，其中35%用于汽車市場，20%用于工業市場。
2024-03-04 18:10:33301 2月27日，第三代半導體碳化硅材料生產基地在寶安區啟用，由深圳市重投天科半導體有限公司（以下簡稱“重投天科”）建設運營，預計今年襯底和外延產能達25萬片
2024-02-29 14:09:14233 Intel Xeon?可擴展處理器（第三代）Intel?Xeon?可擴展處理器（第三代）針對云、企業、HPC、網絡、安全和IoT工作負載進行了優化，具有8到40個強大的內核和頻率范圍、功能和功率級別
2024-02-27 11:58:54
Intel Xeon?金牌處理器（第三代）Intel? Xeon?金牌處理器（第三代）支持高內存速度和增加內存容量。Intel? Xeon?金牌處理器具有更高性能、先進的安全技術以及內置工作負載加速
2024-02-27 11:57:49
Intel Xeon?鉑金處理器（第三代）Intel? Xeon?鉑金處理器（第三代）是安全、敏捷、數據中心的基礎。這些處理器具有內置AI加速、先進的安全技術和出色的多插槽處理性能，設計用于任務關鍵
2024-02-27 11:57:15
在清潔能源、電動汽車的發展趨勢下，近年來第三代半導體碳化硅和氮化鎵受到了史無前例的關注，市場以及資本都在半導體行業整體下行的階段加大投資力度，擴張規模不斷擴大。在過去的2023年，全球第三代半導體
2024-02-18 00:03:002542 服務范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導體器件等分立器件，以及上述元件構成的功率模塊。檢測標準l AEC-Q101分立器件認證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
AEC-Q101認證試驗廣電計量在SiC第三代半導體器件的AEC-Q認證上具有豐富的實戰經驗，為您提供專業可靠的AEC-Q101認證服務，同時，我們也開展了間歇工作壽命（IOL）、HAST
2024-01-29 21:35:04
近日，廣東致能科技團隊與西安電子科技大學廣州研究院/廣州第三代半導體創新中心郝躍院士、張進成教授團隊等等合作攻關，通過采用廣東致能科技有限公司的薄緩沖層AlGaN / GaN外延片，基于廣州第三代半導體創新中心中試平臺，成功在6英寸藍寶石襯底上實現了1700V GaN HEMTs器件。
2024-01-25 10:17:24365 
第三代半導體功率器件及模塊整體解決方案提供商，專注于提供第三代半導體功率器件和模塊整體解決方案的芯片公司。主要產品包括SiC SBD，SiC MOSFET，GaN HEMT等第三代半導體功率器件和模塊
2024-01-19 14:55:55
第三代半導體功率器件及模塊整體解決方案提供商，專注于提供第三代半導體功率器件和模塊整體解決方案的芯片公司。主要產品包括SiC SBD，SiC MOSFET，GaN HEMT等第三代半導體功率器件和模塊
2024-01-19 14:53:16
電子發燒友網報道（文/劉靜）在新能源汽車、光伏、儲能等新興領域的需求帶動下，第三代半導體市場近幾年高速增長。盡管今年半導體經濟不景氣，機構投資整體更理性下，第三代半導體企業的融資仍加速狂飆
2024-01-09 09:14:331408 
第三代半導體以此特有的性能優勢，在半導體照明、新能源汽車、新一代移動通信、新能源并網、高速軌道交通等領域具有廣闊的應用前景。2020年9月，第三代半導體被寫入“十四五”規劃，在技術、市場與政策的三力驅動下，近年來國內涌現出多家第三代半導體領域龍頭公司。
2024-01-04 16:13:36430 近日，華大半導體旗下中電化合物有限公司榮獲“中國第三代半導體外延十強企業”稱號，其生產的8英寸SiC外延片更是一舉斬獲“2023年度SiC襯底/外延最具影響力產品獎”。這一榮譽充分體現了中電化合物在第三代半導體外延領域的卓越實力和領先地位。
2024-01-04 15:02:23523 隨著半導體技術的發展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優勢逐漸應用在更多的領域中。高質量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎。
2023-12-27 09:32:54374 
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）在我們談論第三代半導體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 的分析與展望。 ? Cambridge GaN Devices（CGD）?是一家無晶圓廠環保科技半導體公司，開發了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環保的電子器件。 ? CGD由劍橋大學
2023-12-26 14:15:215596 
芯聯集成已全力挺進第三代半導體市場，自2021年起投入碳化硅MOSFET芯片及模組封裝技術的研究開發與產能建設。短短兩年間，芯聯集成便已成功實現技術創新的三次重大飛躍，器件性能與國際頂級企業齊肩，并且已穩定實現6英寸5000片/月碳化硅MOSFET芯片的大規模生產。
2023-12-26 10:02:38247 點擊上方 “泰克科技” 關注我們！ ?泰克科技? ?“2023 行家極光獎”頒獎典禮于12月14日在深圳隆重舉行，數百家SiCGaN企業代表出席了本次活動，共同見證了第三代半導體產業的風采。 業內
2023-12-21 17:40:02266 
半導體材料目前已經發展至第三代。傳統硅基半導體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律，逐漸不適應于半導體行業的發展需求，砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半導體也因而誕生。
2023-12-21 15:12:20817 
家 SiC、GaN 企業代表來共同見證第三代半導體的蓬勃發展。Nexperia（安世半導體）榮獲權威認證，將「SiC年度優秀產品獎」與「中國GaN 功率器件十強」兩項大獎收入囊中，展現了其作為基礎半導體全球領導者的強大實力與深耕三代半領域的決心。
2023-12-21 11:37:25681 12月14日，第三代半導體行家極光獎在深圳重磅揭曉，派恩杰半導體榮膺“中國SiC器件Fabless十強企業”稱號。
2023-12-15 10:57:45466 2023年11月29日，第九屆國際第三代半導體論壇(IFWS)和“第三代半導體標準與檢測研討會”成功召開，是德科技參加第九屆國際第三代半導體論壇(IFWS)，并重磅展出第三代半導體動靜態測試方案
2023-12-13 16:15:03240 
近日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于廈門召開。期間，“氮化鎵功率電子器件技術分論壇”上，臺灣元智大學前副校長、臺灣成功大學特聘
2023-12-09 14:49:03921 
以GaN為代表的第三代半導體具有高擊穿電場，高電子飽和速度，高頻和高功率等特性，在射頻和電力電子器件領域具有巨大的性能優勢。
2023-12-09 10:28:39746 
新型電子器件 GaN 材料系列具有低的熱產生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE 技術在 GaN 材料應用中的進展和關鍵薄膜生長技術的突破，成功地生長出了GaN 多種異質結構。
2023-11-17 16:18:35162 
2023年10月25日 - 2023全國第三代半導體大會今日在深圳寶安格蘭云天國際酒店四樓會議廳隆重開幕。本屆大會由今日半導體主辦，吸引了來自全國各地的400多家企業參與，共同探討第三代半導體產業的發展趨勢和應用前景。
2023-11-06 09:45:31234 點擊上方 “泰克科技” 關注我們！ 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于 2.3eV 的半導體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最為常見，典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，這些半導體材料也稱為第三代
2023-11-03 12:10:02273 
氮化鎵（GaN）被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導體材料之后的第三代半導體材料，今天金譽半導體帶大家來簡單了解一下，這個材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:12662 
使用GaN（氮化鎵）的功率半導體作為節能/低碳社會的關鍵器件而受到關注。兩家日本公司聯手創造了一項新技術，解決了導致其全面推廣的問題。
2023-10-20 09:59:40707 
功率器件：Power Integrations推出的PowiGaN技術是業界首款GaN-on-Sapphire功率IC，已經在手機快充上大量出貨。國內蘇州捷芯威也推出了藍寶石基氮化鎵高壓保護開關器件，單管耐壓2000V
2023-10-18 15:59:20
1 近年來，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導體材料成為全球半導體市場熱點之一。
2023-10-16 14:45:06694 隨著科技的不斷進步，電力電子領域正在發生著深刻的變化。在這個變化中，第三代半導體氮化鎵（GaN）技術成為了焦點，其對于充電器的性能和效率都帶來了革命性的影響。
在傳統的硅基材料中，電力電子器件
2023-10-11 16:30:48250 第三代寬禁帶半導體SiC和GaN在新能源和射頻領域已經開始大規模商用。與第一代和第二代半導體相比，第三代半導體具有許多優勢，這些優勢源于新材料和器件結構的創新。
2023-10-10 16:34:28295 
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結組成。
在眾多的半導體器件中，碳化硅材料具有低熱導率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
西安電子科技大學表示，該項目竣工后，將具備6至8英寸氮化鎵晶片生長、工程準備、密封測試等整個工程的研發和技術服務能力。接著革新中心是第三代半導體技術公共服務平臺和產業，圍繞國家第三代半導體產業的重大戰略需求為中心，5g通信、新能源汽車等領域的、芯片和微系統模塊的開展關鍵技術研發。
2023-09-25 11:20:56840 隨著全球進入物聯網、5G、綠色能源和電動汽車時代，能夠充分展現高電壓、高溫和高頻能力、滿足當前主流應用需求的寬禁帶半導體高能量轉換效率半導體材料開始成為市場寵兒，開啟了第三代半導體的新紀元。
2023-09-22 15:40:41476 
年，GaN器件將達到整個功率半導體市場的2.7%，市場規模僅為20.36億美元。 圖注：GaN市場預測（芯查查制表，數據來源：Yole）作為第三代半導體材料，GaN被看好是因為其具有比硅更佳的電氣特性，另一個關鍵點是成本在逐步降低，市場趨勢表明，GaN器件將在成本上與MOSFET相媲美。新能源
2023-09-21 17:39:211626 
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優良電氣特性，它突破硅基半導體材料物理限制，成為第三代半導體核心材料。碳化硅材料性能優勢引領功率器件新變革。
2023-09-19 15:55:20890 
? 新能源汽車和光伏、儲能設施在全球加速普及，為第三代半導體碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件產業的落地提供了前所未有的契機。 長電科技厚積薄發定位創新前沿，多年來面向第三代半導體功率器件
2023-09-19 10:20:38379 9月15日，東科半導體（安徽）股份有限公司與北京大學共同組建的第三代半導體聯合研發中心正式揭牌成立。由北京大學科學研究部謝冰部長及馬鞍山市委書記袁方共同為北大-東科聯合研發中心揭牌。圖左為袁方書
2023-09-19 10:07:33452 
能與成本?未來有何發展目標?...... 前言： 憑借功率密度高、開關速度快、抗輻照性強等優點，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體材料被廣泛應用于電力電子、光電子學和無線通信等領域，以提高設備性能和效率，并成為當前半導
2023-09-18 16:48:02365 新能源汽車和光伏,儲能設施在全球加速普及,為第三代半導體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產業的落地提供了前所未有的契機。長電科技厚積薄發定位創新前沿,多年來面向第三代半導體功率器件開發
2023-09-18 16:11:25261 Ⅲ—Ⅴ族半導體。我國使用的“第三代半導體材料”一詞，對應的是人類歷史上大規模應用半導體材料所帶來的三次產業革命。目前，第三代半導體發展迅速，第一、第二代半導體在工業中仍得到廣泛應用，在第三代半導體中發揮著不可替代的作用。
2023-09-12 16:19:271932 
氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬且機械性能非常穩定的寬禁帶半導體材料。由于具有更高的擊穿強度、更快的開關速度、更高的熱導率和更低的導通電阻，GaN基功率器件明顯優于硅基器件。
GaN晶體可以在各種
2023-09-08 15:11:18535 
。面對新材料、新器件和新特性在設計、生產和使用中的全新挑戰， 泰克結合多年在第三代半導體產業的豐富經驗和領先的功率器件動態參數測試系統為客戶提供支持服務 ，同時在北京成立第三代半導體測試實驗室，幫助行業內客戶、合作
2023-09-04 12:20:01233 據錫山經濟技術開發區消息，芯動第三代半導體模塊將在測試項目主體上蓋屋頂，10月土木工程竣工，12月底投產。凱威特斯半導體設備配件再制造事業已經完成了第一次竣工和第二次主體屋頂工程，計劃于今年12月竣工，2024年3月批量生產。
2023-08-31 09:25:07447 據融合資產消息，此次融資后融合資產將在芯片生產線、家具用、工商能源儲存、充電包、新能源汽車等多個領域展開合作，幫助建設第三代半導體智能電力模塊生產線。
2023-08-30 09:24:55228 隨著科技的不斷進步，新的半導體材料正在為整個電子行業帶來深刻的變革。在這場技術革命的前沿，第三代半導體材料嶄露頭角。與前兩代半導體材料相比，第三代半導體在高溫、高壓、高頻等應用環境中展現出了更為出色的性能。從材料分類的角度來看，第三代半導體材料主要可以分為以下四類。
2023-08-21 09:33:071580 
第三代半導體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料，用于高壓、高溫、高頻場景。廣泛應用于新能源汽車、光伏、工控等領域。因此第三代半導體研究主要是集中在材料特征研究，本文主要是研究碳化硅的產業結構。
2023-08-11 10:17:54915 
近日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產業網（www.casmita.com）、第三代
2023-08-04 14:57:57347 近日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產業網、第三代半導體產業主辦，西安電子科技
2023-08-04 11:28:56920 
來源：內容轉自公眾號21tech（News-21），作者：李強。于代輝英飛凌科技高級副總裁英飛凌科技零碳工業功率事業部大中華區負責人減碳趨勢下的節能、高效需求同樣給第三代半導體的登場搭好了舞臺。過去
2023-07-06 10:07:54367 
半導體是當今世界的基石，幾乎每一項科技創新都離不開半導體的貢獻。過去幾十年，硅一直是半導體行業的主流材料。然而，隨著科技的發展和應用需求的增加，硅材料在一些方面已經無法滿足需求，這促使第三代半導體
2023-07-05 10:26:131316 
在電源與能源應用領域，意法半導體將展示一款采用MASTERGAN和ST－ONEHP的140W 智能電源適配器。其中MASTERGAN在一個單一封裝內整合了意法半導體第三代氮化鎵（GaN）功率晶體管和改進的柵極驅動器。
2023-06-30 16:33:45475 據藍色空港消息，先進半導體制造項目主要從事第三代半導體功率器件的設計、研發、制造、功率器件clip先進工程包裝、電力驅動產品應用方案的開發和銷售。該項目總投資8億元，分三期建設，一期投資2億元，計劃建設6條clip先進包裝生產線。
2023-06-27 10:31:18602 據公告，此次建設的第三代半導體輸出配件生產項目位于湖北省武漢市東湖新技術開發區，總投資額約為60億元，包括36億元股權融資和24億元銀行貸款。構筑第3代半導體外延、晶片制造、組裝測試等生產線的該事業，將具備能夠生產6英寸硅晶片及外延36萬個、輸出配件模塊6100萬個的能力。
2023-06-27 09:54:38539 繼第一代和第二代半導體技術之后發展起來的第三代寬禁帶半導體材料和器件，是發展大功率、高頻高溫、抗強輻射和藍光激光器等技術的關鍵核心。因為第三代半導體的優良特性，該半導體技術逐漸成為了近年來半導體研究
2023-06-25 15:59:21
GaN功率半導體與高頻生態系統(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半導體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
GaN功率半導體器件集成提供應用性能
2023-06-21 13:20:16
升級到半橋GaN功率半導體
2023-06-21 11:47:21
用于無線充電應用的高壓GaN功率半導體單級6.78 MHz功率放大器設計
2023-06-21 11:45:06
近年來，隨著技術的不斷發展和計算機應用范圍的不斷擴大，半導體技術變得愈加重要。在半導體技術的發展歷程中，第三代半導體技術的出現為半導體技術的發展帶來了新的變革。
2023-06-20 16:55:22611 
國家第三代半導體技術創新中心（以下簡稱“國創中心”）獲批建設兩年以來，瞄準國家和產業發展全局的創新需求，以關鍵技術研發為核心使命，進一步推動我國第三代半導體產業發展，形成立足長三角、輻射全國的技術融合點和產業創新的輻射源。
2023-06-19 14:55:451660 GaN功率半導體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
GaN功率半導體在快速充電市場的應用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
隨著全球宏觀環境的逐步恢復，SiC/GaN等第三代半導體產業于2023年邁向新的發展高峰，值此之際，TrendForce集邦咨詢于6月15日在在深圳舉辦了“2023第三代半導體前沿趨勢研討會”，匯聚
2023-06-16 15:37:32964 隨著全球宏觀環境的逐步恢復，SiC/GaN等第三代半導體產業于2023年邁向新的發展高峰，持續攪動新能源汽車、光伏儲能、工業電源、通訊基站等高壓高功率應用領域的一池春水。 ? 值此之際
2023-06-16 09:38:26487 
當前，第三代半導體中的碳化硅功率器件，在導通電阻、阻斷電壓和結電容方面，顯著優于傳統硅功率器件。因此，碳化硅功率器件取代傳統硅基功率器件已成為行業發展趨勢。面對當前行業發展新趨勢，威邁斯等新能源汽車
2023-06-15 14:22:38357 
日前，2023中關村論壇“北京（國際）第三代半導體創新發展論壇”上，科技部黨組成員、副部長相里斌表示，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體具有優異的性能，在信息通信、軌道交通、智能電網、新能源汽車等領域有巨大的市場。
2023-06-15 11:14:08313 為期四天的2023廣州國際照明展覽會（簡稱：光亞展）在火熱的氣氛中圓滿落幕。此次展會，國星光電設置了高品質白光LED及第三代半導體兩大展區，鮮明的主題，引來了行業的高度關注。 其中，在第三代半導體
2023-06-14 10:02:14437 
近幾年碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等第三代半導體異常火熱，國內外很多半導體企業都涌入其中。據Yole Développement統計，2021全球GaN功率器件市場規模為1.26億美元，預計
2023-06-08 09:40:301692 
第三代半導體設備 第三代半導體設備主要為SiC、GaN材料生長、外延所需的特種設備，如SiC PVT單晶生長爐、CVD外延設備以及GaN HVPE單晶生長爐、MOCVD外延設備等。
2023-06-03 09:57:01787 
氮化鎵（GaN）作為第三代半導體器件，憑借其優異的性能，在PD快充領域被廣泛使用。
2023-06-02 16:41:13330 
在功率半導體市場，自2021年第二季度以來，器件制造商的積壓訂單有所增加。因此，2021年全球市場規模將達到223.7億美元，同比增長20.1%。預計 2022 年的訂單將保持強勁，但由于半導體制造所用設備和材料的需求緊張，預計全球功率半導體市場將同比增長 6.8% 至 238.9 億美元。
2023-06-02 16:05:33553 
2022年，全球半導體產業連續高增長，進入調整周期。與此形成對比，在新能源汽車、光伏、儲能等需求帶動下，第三代半導體產業保持高速發展，全球化供應鏈體系正在形成，競爭格局逐步確立，產業步入快速成長
2023-05-30 14:15:56534 
確立，產業步入快速成長期。而國內第三代半導體產業經過前期產能部署和產線建設，國產第三代半導體產品相繼開發成功并通過驗證，技術穩步提升，產能不斷釋放，國產碳化硅(SiC）器件及模塊開始“上機”，生態體系逐漸完善，自主可控能力
2023-05-30 09:40:59568 
、新能源汽車、智能電網、5G通信射頻等市場的發展，具有較大的發展前景；從分立器件原材料看，隨著氮化鎵和碳化硅等第三代半導體材料的應用，半導體分立器件市場逐步向高端應用市場推進。隨著我國分立器件企業產品
2023-05-26 14:24:29
所謂第三代半導體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料，又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AIN）、氧化鋅（ZnO）和金剛石等，其中
2023-05-18 10:57:361018 、更高的電壓驅動能力、更小的尺寸、更高的效率和更高速的散熱能力，可滿足現代電子技術對高溫高頻、高功率、高輻射等惡劣環境條件的要求。目前最流行的WBG材料是SiC和GaN，它們的帶隙分別達到3.3eV和3.4eV，屬于新興的半導體材料。
2023-05-18 09:49:24524 
第95期什么是寬禁帶半導體？半導體迄今為止共經歷了三個發展階段：第一代半導體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:461673 
第三代半導體以及芯片的核心材料
2023-05-06 09:48:442614 
半導體迄今為止共經歷了三個發展階段：第一代半導體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導體是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN
2023-05-05 17:46:226166 
GaN是第三代半導體材料，具有許多傳統硅半導體所不具備的優良特性，因此被視為新一代半導體技術，具有非常廣闊的應用前景。隨著 GaN功率器件技術的成熟， GaN功率器件已廣泛應用于數據中心、通訊基站
2023-04-21 14:05:42831 中國半導體分立器件產業在上世紀50年代初創，70年代逐漸成長，80年代的改革開放到90年代以后進入全面發展階段，21世紀初中國加入WTO，為我國半導體分立器件產業帶來了新的發展契機。受益于國際電子
2023-04-14 16:00:28
中國半導體分立器件產業在上世紀50年代初創，70年代逐漸成長，80年代的改革開放到90年代以后進入全面發展階段，21世紀初中國加入WTO，為我國半導體分立器件產業帶來了新的發展契機。受益于國際電子
2023-04-14 13:46:39
第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。
2023-04-04 14:46:2912680 氮化鎵（GaN）作為第三代半導體材料，在電力電子器件、大功率射頻器件、短波長光電器件以及5G通訊等領域具有硅半導體無法比擬的優勢。然而，散熱問題是制約其發展和應用的瓶頸。通常氮化鎵需要氮化鋁（AlN）作為過渡層連接到具有高導熱系數的襯底上。
2023-03-24 10:37:04570
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